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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterlichtemittiervorrichtung, und insbesondere auf eine Halbleiterlichtemittiervorrichtung, die imstande ist, die Spanne eines Spektrums des ausgestrahlten Lichts zu verengen.
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BESCHREIBUNG DER VERWANDTEN TECHNIK
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Eine Infrarotlichtemittiervorrichtung kann durch Verwenden eines Halbleitermaterials mit einem Bandabstand in einem Infrarotbereich hergestellt werden.
JP 2002 - 344 013 A offenbart eine Lichtemittiervorrichtung für räumliche optische Kommunikation im Infrarotbereich, wobei eine InGaAs-Stamm-Quantentopfschicht als eine Aktivschicht verwendet wird. Diese Lichtemittiervorrichtung besitzt die InGaAs-Stamm-Quantentopfschicht, die zwischen ein Paar von AlGaAs-Trägerbeschränkungsschichten eingeschoben ist, und diese Schichtungsstruktur ist zwischen eine AlGaAs-Mantelschicht vom p-Typ und eine AlGaAs-Mantelschicht vom n-Typ eingeschoben.
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Ein Strahlungsspektrum der Lichtemittiervorrichtung, die in der
JP 2002 - 344 013 A offenbart ist, besitzt eine maximale Intensität in einem Infrarotwellenlängenbereich. Der Rand des Spektrums erstreckt sich jedoch bis in den sichtbaren Bereich. Daher ist das von der Lichtemittiervorrichtung ausgestrahlte Licht leicht rötlich. Wenn das ausgestrahlte Licht sichtbares Licht enthält, ist die Verwendung der Lichtemittiervorrichtung beschränkt. Beispielsweise kann diese Lichtemittiervorrichtung nicht auf einem Gebiet verwendet werden, das die Emission von sichtbarem Licht verbietet. Wenn die Spanne eines Spektrums des von der Lichtemittiervorrichtung ausgestrahlten Lichts verengt werden kann, ist es möglich, die Erzeugung sichtbaren Lichts zu unterdrücken.
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Darüber hinaus sei auf
US 6 298 079 B1 hingewiesen, die einen GaN-Typ Halbleiter-Laser zum Emittieren von blauem Licht offenbart.
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JP S56 - 40 287 A zeigt eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer Filterschicht sowie einer Öffnung im Substrat zum Einführen eines Lichtleiters.
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JP S57 - 79 683 A zeigt eine LED mit einer Absorptionsschicht mit spezifischer Wellenlänge zwischen einem lichtemittierenden Stromeinspeisungsabschnitt und einem lichtemittierenden Fenster.
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US 2004 / 0 069 996 A1 zeigt eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer Quantentopfschicht in Sandwichbauweise zwischen zwei Ladungsträger-Beschränkungsschichten.
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JP H08 - 130 327 A zeigt ein lichtemittierendes Gruppe III-V Nitrid-Halbleiterelement mit zwei optischen Absorptionsschichten, deren Bandabstand geringer als der Bandabstand der Aktivschicht ist.
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JP H10 - 22 586 A zeigt eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit niederschwelliger Stromdichte sowie unter Verwendung eines III-V Nitrid-Halbleiterelementes.
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Die vorliegende Erfindung ist darauf gerichtet, eines oder mehrere der Probleme oder Nachteile zu überwinden, die mit dem Stand der Technik assoziiert sind.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch eine Halbleiterlichtemittiervorrichtung nach Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche beziehen sich auf bevorzugte Ausführungen der Erfindung. Es ist ein Ziel dieser Erfindung, eine Halbleiterlichtemittiervorrichtung vorzusehen, die imstande ist, die Spanne eines Spektrums des ausgestrahlten Lichts zu verengen.
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Licht bei einem Rand der Spanne des Spektrums des von der Aktivschicht erzeugten Lichts wird durch die optische Absorptionsschicht absorbiert. Das Spreizen eines Strahlungslichtspektrums kann daher unterdrückt werden.
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Figurenliste
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- 1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung.
- 2 ist ein Diagramm, das ein Strahlungsspektrum der Halbleiterlichtemittiervorrichtung aus 1 zeigt.
- 3 ist ein Diagramm, das ein Strahlungsspektrum einer weiteren Halbleiterlichtemittiervorrichtung zeigt.
- 4 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel.
- 5 zeigt Strahlungsspektren einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel und ein Vergleichsbeispiel.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung. Auf einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats 2, das aus GaAs vom p-Typ besteht, sind eine untere Mantelschicht 3, eine Aktivschicht 4, eine obere Mantelschicht 5, eine Stromausbreitungsschicht 6, eine optische Absorptionsschicht 7 und eine Kontaktschicht 8 in dieser Reihenfolge von dem Boden aus laminiert.
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Die untere Mantelschicht 3 besteht aus einem Zn oder Mg dotiertem AlGaAs vom p-Typ und besitzt eine Dicke von 1 bis 3 µm. Ein Zusammensetzungsverhältnis von AI der unteren Mantelschicht 3 beträgt 0,3 bis 0,4 und eine Störstellenkonzentration beträgt 1 × 1016cm-3 bis 1 × 1018cm-3. Die Aktivschicht 4 besteht aus GaAs vom p-Typ und besitzt eine Dicke von 50 bis 500 nm. Eine Störstellenkonzentration der Aktivschicht 4 beträgt 1 × 1017cm-3 bis 5 × 1018cm-3.
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Die obere Mantelschicht 5 besteht aus einem Si oder Se dotiertem AlGaAs vom n-Typ und besitzt eine Dicke von 1 bis 3 µm. Ein Zusammensetzungsverhältnis von Al der oberen Mantelschicht 5 beträgt 0,3 bis 0,4 und eine Störstellenkonzentration beträgt ungefähr 1 × 1018 cm-3. Die Stromausbreitungsschicht 6 besteht aus AlGaAs vom n-Typ und besitzt eine Dicke von 4,5 µm. Eine Störstellenkonzentration der Stromausbreitungsschicht 6 beträgt 1 × 1016cm-3 bis 1 ×1018cm-3. Ein Zusammensetzungsverhältnis von AI der Stromausbreitungsschicht 6 ist dem der oberen Mantelschicht 5 gleich.
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Eine optische Absorptionsschicht 7 besteht aus AlGaAs vom n-Typ und besitzt eine Dicke von 0,1 µm oder dicker und dünner als 5 µm. Eine Störstellenkonzentration der optischen Absorptionsschicht 7 beträgt ungefähr 1 × 1018cm-3. Ein Zusammensetzungsverhältnis von AI wird später beschrieben werden. Die Kontaktschicht 8 besteht aus GaAs vom n-Typ und besitzt eine Dicke von ungefähr 50 nm. Eine Störstellenkonzentration der Kontaktschicht 8 beträgt ungefähr 2 × 1018cm-3.
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Diese Schichten können beispielsweise durch metallorganische chemische Dampfabscheidung (MOCVD = Metal Organic Chemical Vapor Deposition) gebildet werden.
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Eine untere Elektrode 1, bestehend aus einer AuZn-Legierung, ist auf der Bodenoberfläche des Halbleitersubstrats 2 gebildet. Eine obere Elektrode 9, bestehend aus einer AuGe-Legierung, ist auf der oberen Oberfläche der Kontaktschicht 8 gebildet. Diese Elektroden werden beispielsweise durch Vakuumdampfabscheidung gebildet. Durch Injizieren von Strom von den oberen und unteren Elektroden 9 und 1 in die Aktivschicht 4, tritt Strahlung in der Aktivschicht 4 auf. Die obere Elektrode 9 ist derart aufgebaut oder gemustert, dass in der Aktivschicht 4 erzeugtes Licht an den Außenraum abgegeben werden kann.
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2 zeigt ein Spektrum des Lichts, das von der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemittiervorrichtung ausgestrahlt wird. Die Abszisse repräsentiert eine Wellenlänge in der Einheit „nm“ und die Ordinate repräsentiert eine optische Intensität, die durch einen relativen Wert durch Einstellen einer maximalen Intensität auf 1 dargestellt wird. Die in 2 gezeigten Kurven a, b und c zeigen Spektren, wobei das Zusammensetzungsverhältnis von AI der optischen Absorptionsschicht 7 auf 0,1, 0,07 bzw. 0,03 eingestellt ist. Differenzen zwischen den Bandabständen der optischen Absorptionsschicht 7, wobei das Zusammensetzungsverhältnis von AI der optischen Absorptionsschicht 7 auf 0,1, 0,07 bzw. 0,03 eingestellt ist, und einem Bandabstand der GaAs-Schicht 4 sind 0,11 eV, 0,072 eV bzw. 0,031 eV. Zu Bezugszwecken ist ein Strahlungsspektrum einer Lichtemittiervorrichtung ohne die optische Absorptionsschicht 7 durch eine Kurve d dargestellt.
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Sämtliche Kurven besitzen die maximale Intensität im Infrarotbereich bei der Wellenlänge von ungefähr 880 nm. Die Wellenlänge, bei der das Spektrum den Maximalwert aufweist, wird als „Spitzenwellenlänge“ bezeichnet. Es kann erkannt werden, dass die Intensität in einem Wellenlängenbereich kürzer als der Spitzenwellenlänge absinkt, und zwar durch Einfügen der optischen Absorptionsschicht 7. Dies ist der Fall, da die kürzeren Wellenlängenkomponenten des Lichts, das in der Aktivschicht 4 erzeugt wird, in der optischen Absorptionsschicht 7 absorbiert werden. Wenn das Al-Zusammensetzungsverhältnis der optischen Absorptionsschicht 7 klein gemacht wird, kommt die Wellenlänge, bei der die Intensität abzunehmen beginnt, nahe an die Spitzenwellenlänge. Dies ist der Fall, da die Spitze des Absorptionsspektrums der optischen Absorptionsschicht 7 dicht an die Spitzenwellenlänge des Strahlungsspektrums der Aktivschicht 4 kommt.
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Da sowohl das Halbleitersubstrat 2 als auch die Aktivschicht 4 aus GaAs bestehen, absorbiert in dem ersten Beispiel das Halbleitersubstrat 2 Licht, das in der Aktivschicht 4 erzeugt wird. Die aus GaAs bestehende Kontaktschicht 8 wird vollständig durch Stickstoffsäure während eines Chipping-Verfahrens entfernt.
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Um die Träger in der Aktivschicht 4 zu begrenzen und um ausreichend Licht zu übertragen, das in der Aktivschicht 4 erzeugt wird, bestehen die untere Mantelschicht 3 und die obere Mantelschicht 5 aus einem Halbleiter mit einem Bandabstand, der breiter ist als der der Aktivschicht 4. Ein Bandabstand der optischen Absorptionsschicht 7 ist breiter als der der Aktivschicht 4 und enger als der der oberen Mantelschicht 5 und der unteren Mantelschicht 3. Daher absorbiert die optische Absorptionsschicht 7 eine Komponente des Lichts, das in der Aktivschicht 4 erzeugt wird und eine Wellenlänge in einem Bereich kürzer als der Spitzenwellenlänge besitzt. Da der Bandabstand der optischen Absorptionsschicht 7 breiter als der der Aktivschicht 4 ist, besitzt Licht bei der Spitzenwellenlänge in dem Strahlungsspektrum einen kleineren Dämpfungsbetrag in der optischen Absorptionsschicht 7 als Licht in einem Wellenlängenbereich, der kürzer als die Spitzenwellenlänge ist, und wird effizient zu dem Außenraum ausgestrahlt.
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Wenn eine Differenz zwischen dem Bandabstand der optischen Absorptionsschicht 7 und dem Bandabstand der Aktivschicht 4 zu groß wird, wird Licht am Rand des Strahlungsspektrums auf der Seite der kürzeren Wellenlängen kaum absorbiert. Es wird bevorzugt, den Bandabstand der optischen Absorptionsschicht 7 beispielsweise enger einzustellen als den Bandabstand, der der Wellenlänge entspricht, bei der die Intensität des Strahlungsspektrums 10% der maximalen Intensität in einem Wellenlängenbereich kürzer als der Spitzenwellenlänge wird. Mit anderen Worten ist es wünschenswert, dass die Spitzenwellenlänge eines Absorptionsspektrums der optischen Absorptionsschicht 7 kürzer ist als die Spitzenwellenlänge des Strahlungsspektrums der Aktivschicht 4, und länger ist als die der Wellenlänge, bei der die Intensität 10% der höchsten Intensität in dem Wellenlängenbereich kürzer als der Spitzenwellenlänge wird. Im Allgemeinen wird eine Lichtausbeute bzw. ein Helligkeitsfaktor bei einer kurzen Wellenlänge höher werden. Es ist daher möglich, die Effekte der Reduzierung der Rotlichtkomponenten durch Absorbieren der Komponenten am Rand auf der Seite der kurzen Wellenlängen des Strahlungsspektrums zu erhöhen.
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Die Effekte der Absorbierung der Komponenten im sichtbaren Bereich können selbst dann erkannt werden, wenn eine Differenz zwischen dem Bandabstand der optischen Absorptionsschicht 7 und dem Bandabstand der Aktivschicht 4 groß wird, und zwar bis zu 0,11 eV, wie durch die Kurve a in 2 dargestellt. Es ist möglich, die Effekte der Verengung einer Spanne des Strahlungsspektrums zu erhöhen, wenn die Bandabstandsdifferenz 0,11 eV oder kleiner ist.
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Wenn die optische Absorptionsschicht 7 zu dünn ist, wird keine ausreichende optische Absorption bewirkt. Es ist wünschenswert, eine Dicke der optischen Absorptionsschicht 7 auf 0,1 µm oder dicker einzustellen. Wenn die optische Absorptionsschicht 7 zu dick ist, wird die Intensität des nach außen gestrahlten Lichts zu schwach. Eine Dicke der optischen Absorptionsschicht 7 ist vorzugsweise dünner als 5 µm.
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Als nächstes wird Bezug nehmend auf 3 eine Beschreibung einer weiteren Halbleiterlichtemittiervorrichtung erfolgen. Die in 1 gezeigte Aktivschicht 4 besteht aus GaAs vom p-Typ, wohingegen in dem weiteren Beispiel diese aus InGaAs vom p-Typ besteht. Die anderen Strukturen sind die gleichen wie die des ersten Beispiels.
3 zeigt ein Strahlungsspektrum der weiteren Halbleiterlichtemittiervorrichtung. Eine Kurve e zeigt das Strahlungsspektrum der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des zweiten Beispiels. Ein In-Zusammensetzungsverhältnis der Aktivschicht 4 wurde auf 0,045 und ein Al-Zusammensetzungsverhältnis der optischen Absorptionsschicht 7 wurde auf 0,03 eingestellt. Zu Vergleichszwecken ist das Strahlungsspektrum der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des ersten Beispiels durch eine Kurve c gezeigt. Die gestrichelten Linien co und eo zeigen die Strahlungsspektren der Halbleiterlichtemittiervorrichtungen ohne die optische Absorptionsschicht der ersten und zweiten Beispiele. Die Ordinate repräsentiert eine optische Intensität in einem relativen Maßstab durch Einstellen des höchsten Werts der gestrichelten Linien co und eo auf 1.
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Da ein Bandabstand von InGaAs enger ist als der von GaAs, verschiebt sich die Spitzenwellenlänge des Strahlungsspektrums der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des zweiten Beispiels zu einer Seite der längeren Wellenlängen als die Spitzenwellenlänge des Strahlungsspektrums der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des ersten Beispiels. In dem Beispiel absorbiert die optische Absorptionsschicht 7 hauptsächlich die Komponenten am Rand auf der Seite des Ausstrahlungsspektrums mit den kürzeren Wellenlängen (entspricht der gestrichelten Linie eo) der Aktivschicht 4 vor der Absorption durch die optische Absorptionsschicht, und besitzt eine geringere Absorptionsmenge im Wellenlängenbereich nahe der Spitzenwellenlänge. Eine optische Intensität des nach außen gestrahlten Lichts beträgt ungefähr 88% der optischen Intensität von der Vorrichtung ohne die optische Absorptionsschicht.
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Im Gegensatz dazu besitzt das Beispiel aus 1 und 2 einen großen Absorptionsbetrag selbst in dem Wellenlängenbereich nahe der Spitzenwellenlänge des Spektrums (entspricht der gestrichelten Linie co) der Aktivschicht 4 vor der Absorption durch die optische Absorptionsschicht 7. Daher besitzt die weitere Halbleiterlichtemittiervorrichtung verglichen mit der aus 1 und 2 einen geringen Dämpfungsbetrag durch die Absorption durch die optische Absorptionsschicht 7. In 1 und 2 betrug die optische Intensität des nach außen gestrahlten Lichts ungefähr 51% der optischen Intensität der Vorrichtung ohne die optische Absorptionsschicht 7. Wie oben beschrieben, kann die Lichtausgabeeffizienz durch Verschieben des Strahlungsspektrums der Aktivschicht 4 zur Seite der längeren Wellenlänge erhöht werden. Die Rotlichtkomponenten des nach außen gestrahlten Lichts können deutlich reduziert werden.
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Ein In-Zusammensetzungsverhältnis und die Dicke der Aktivschicht 4 werden in einem solchen Maß eingestellt, dass die Aktivschicht durch Epitaxialwachstum auf dem Substrat hergestellt werden kann. Wenn das In-Zusammensetzungsverhältnis zu groß eingestellt wird, wird die kritische Dicke des Epitaxialwachstums dünn. Es ist daher wünschenswert, das In-Zusammensetzungsverhältnis auf 0,25 oder weniger einzustellen.
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4 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Die folgende Beschreibung konzentriert sich auf Punkte, die von der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des in 1 gezeigten Beispiel unterschiedlich sind. In dem ersten Ausführungsbeispiel besteht ein Halbleitersubstrat 2 aus einem Material, das durchlässig für Licht in dem Strahlungswellenlängenbereich einer Aktivschicht 4 ist, wie beispielsweise AlGaAs, GaP und Saphir. Daher wird das in der Aktivschicht 4 erzeugte Licht auch durch das Halbleitersubstrat 2 nach außen gestrahlt. Um die Spanne eines Spektrums von Licht, das durch das Halbleitersubstrat 2 gestrahlt wird, zu verengen, wird eine optische Absorptionsschicht 10 auch zwischen das Halbleitersubstrat 2 und eine untere Mantelschicht 3 eingefügt. Die optische Absorptionsschicht 10 besteht aus AlGaAs vom p-Typ und besitzt das gleiche Zusammensetzungsverhältnis wie eine obere optische Absorptionsschicht 7.
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Als nächstes wird eine Beschreibung einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel erfolgen. Die Halbleiterlichtemittiervorrichtung des zweiten Ausführungsbeispiels verwendet eine Quantentopfstruktur wie die Aktivschicht 4 der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des in 4 gezeigten ersten Ausführungsbeispiels. Genauer gesagt, besitzt die Aktivschicht 4 die Struktur, dass eine Topfschicht, die aus InGaAs besteht und eine Dicke von 6 nm besitzt, zwischen ein Paar von Barriereschichten eingeschoben ist, die jeweils aus AlGaAs bestehen und eine Dicke von 50 nm besitzen. Ein In-Zusammensetzungsverhältnis der Topfschicht beträgt 0,18 und ein Al-Zusammensetzungsverhältnis der Barriereschicht beträgt 0,18.
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5 zeigt Strahlungsspektren einer Halbleiterlichtemittiervorrichtung des zweiten Ausführungsbeispiels und ein Vergleichsbeispiel. Eine in 5 gezeigte Kurve f zeigt ein Strahlungsspektrum der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des zweiten Ausführungsbeispiels. Eine Kurve g zeigt das Strahlungsspektrum der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des Vergleichsbeispiels, das keine in 4 gezeigten optische Absorptionsschichten 7 und 10 aufweist. Das Strahlungsspektrum besitzt den Maximalwert bei einer Wellenlänge von ungefähr 940 nm. Diese Spitzenwellenlänge entspricht einem Übergang, der ein Niveau schwerer Löcher erfordert. Der Rand auf der Seite der kurzen Wellenlängen des Strahlungsspektrums der Halbleiterlichtemittiervorrichtung des Vergleichsbeispiels erstreckt sich zu dem Wellenlängenbereich, der weiter von der Spitzenwellenlänge entfernt ist als der Rand auf der Seite der längeren Wellenlängen. Dies geschieht, da Strahlung aufgrund des Übergangs auftritt, der ein Niveau von leichten Löchern erfordert.
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Es kann erkannt werden, dass Licht bei dem Rand auf der Seite der kürzeren Wellenlängen effizient absorbiert werden kann und ein Spreizen des Rands unterdrückt werden kann, und zwar durch Anordnen der optischen Absorptionsschichten 7 und 10. Es ist daher möglich, die sichtbaren Komponenten des Lichts, das in der Aktivschicht 4 erzeugt wird, effizient abzuschwächen. Die Färbung des nach außen gestrahlten Lichts kann daher unterdrückt werden.
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Um das Licht effizient zu absorbieren, das aufgrund des Niveaus der leichten Löcher erzeugt wird, ist es wünschenswert, das Material der optischen Absorptionsschichten 7 und 10 derart zu wählen, dass die Bandabstände der optischen Absorptionsschichten 7 und 10 breiter werden als eine Energiedifferenz zwischen einem Basisniveau von schweren Löchern in der Aktivschicht 4 und einem Basisniveau des leitenden Bandes, und enger werden als eine Energiedifferenz zwischen einem Basisniveau von leichten Löchern und einem Basisniveau des leitenden Bandes.
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Wenn eine Zugverformung in der Quantentopfschicht vorhanden ist, wird eine Übergangswellenlänge zwischen dem leitenden Band und dem Basisniveau der leichten Löcher länger als eine Übergangswellenlänge zwischen dem leitenden Band und dem Basisniveau der schweren Löcher. In diesem Fall ist es wünschenswert, das Material der optischen Absorptionsschichten 7 und 10 derart zu wählen, dass die Bandabstände der optischen Absorptionsschichten 7 und 10 enger werden als eine Energiedifferenz zwischen einem Basisniveau der schweren Löcher in der Aktivschicht 4 und einem Basisniveau des leitenden Bandes, und breiter werden als eine Energiedifferenz zwischen einem Basisniveau der leichten Löcher und einem Basisniveau des leitenden Bandes.
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In den beiden oben beschriebenen Fällen ist es nämlich wünschenswert, das Material der optischen Absorptionsschichten 7 und 10 derart zu wählen, dass die Bandabstände der optischen Absorptionsschichten 7 und 10 zwischen einer Energiedifferenz zwischen einem Basisniveau der schweren Löcher in der Aktivschicht 4 und einem Basisniveau des leitenden Bandes und einer Energiedifferenz zwischen einem Basisniveau der leichten Löcher und einem Basisniveau des leitenden Bandes liegen.
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In diesem Ausführungsbeispiel kann, obwohl die Dicke der Topfschicht auf 6 nm eingestellt wurde und eine Dicke der Barriereschicht auf 50 nm eingestellt wurde, eine Dicke der Topfschicht auf 2 bis 20 nm eingestellt und eine Dicke der Barriereschicht auf 10 bis 200 nm eingestellt werden. Eine Mehrfachquantentopfstruktur mit einer Vielzahl von Topfschichten kann verwendet werden. Die Aktivschicht 4 der in 1 gezeigten Schichtungsstruktur kann eine Quantentopfstruktur sein.
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In den genannten Beispielen und Ausführungsbeispielen ist, wenn die Spitzenwellenlänge eines Strahlungsspektrums der Aktivschicht im Infrarotbereich liegt, eine optische Absorptionsschicht mit einer Spitzenwellenlänge eines Absorptionsspektrums im sichtbaren Bereich derart angeordnet, dass die Färbung des nach außen gestrahlten Lichts unterdrückt werden kann.
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In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde die Strahlung im Infrarotbereich beschrieben. Das technische Konzept der Ausführungsbeispiele kann auf Halbleiterlichtemittiervorrichtungen mit einer Strahlung in anderen Wellenlängenbereichen angewendet werden. Beispielsweise kann eine blaues Licht emittierende Diode mit einer optischen Absorptionsschicht vorgesehen werden, die Licht in ultravioletten Wellenlängenbereichen absorbiert, um Strahlung von ultravioletten Strahlen zu einem Außenraum zu unterdrücken.
