CN105845793B - 一种不可见光发光二极管及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种不可见光发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：N型欧姆接触半导体层、N型电流扩散层、N‑GaAs可见光吸收层、N型覆盖层、发光层、P型覆盖层和P型欧姆接触半导体层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs作为吸收层，在电流密度>1A/mm2情况下，可以完全有效的去除可见光部分，尤其是在3A/mm2电流密度以下都没看到可见光部分，有效解决了不可见光发光二极管的红爆现象。
Description
技术领域
本发明属于光电子技术领域，特别涉及不可见光发光二极管及其制作方法。
背景技术
目前不可见光发光二极管芯片普遍存在红爆现象：在点亮时使用人眼观察芯片发光状况，会看到部分深红光从芯片发出，造成在应用上需要无红爆纯红外光需求上受到限制，所以市场目前需要一无可见光的不可见光芯片。
中国专利申请公开案CN1758457A公开了一种红外发光二极管，由于光吸收层的带隙比有源层的带隙宽，能够借助吸收辐射光谱中较短波长一侧的边缘处的分量来减少红光分量的效果。然而该结构仍有一问题：因为光吸收层的厚度需在0.1um以上，而厚度太大时又会造成光吸收严重，使得光功率大大减少。并且该结构无法制作高亮度芯片，无法满足目前安防系统市场需求。
发明内容
针对前述问题，本发明提出一种不可见光发光二极管及其制作方法，将使用一外延结构搭配芯片制程，达到高亮度无红爆的不可见光发光二极管，增加高亮度不可见光发光二极管需求的应用。
本发明解决上述问题的技术方案为：一种不可见光发光二极管，依次包括：电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层，当发光层的输入电流密度≥1A/mm2时，所述发光二极管的可见光比例＜0.2%。
优选地，所述GaAs可见光吸收层与发光层之间的能带隙差为0.13eV。
优选地，所述GaAs可见光吸收层的掺杂浓度＜7E17。
优选地，所述GaAs可见光吸收层的厚度为100nm以下。
优选地，所述GaAs可见光吸收层的厚度为20~70nm。
优选地，所述电流扩散层为AlGaAs，其Al/Ga成分比值＞0.3。
优选地，所述电流扩散层的掺杂浓度＜7E17。
优选地，所述第一类型覆盖层包括第一覆盖层AlXGa1-XAs和第二覆盖层AlYGa1-YAs，其中Y＞X，藉由所述第一覆盖层及第二覆盖层的组份能阶变化，降低电子电洞在所述覆盖层及所述可见光吸收层接口的能阶位障。较佳的，所述第一覆盖层的Al组分X为15%，掺杂浓度为6E17；所述第二覆盖层的Al组分Y为35%，掺杂浓度为1E18。
本发明还提供了一种不可见发光二极管外延片的制作方法，依次形成电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层，当发光层的输入电流密度≥1 A/mm2时，所述发光二极管的可见光比例＜0.2%。
在一具体实施例中，为获得倒装垂直结构的不可见发光二极管，可通过下面方法制备获得： 1）外延生长：依次在一生长衬底上生长N型欧姆接触半导体层、N型电流扩散层、N-GaAs可见光吸收层、N型覆盖层、发光层、P型覆盖层和P型欧姆接触半导体层；2）转移衬底：在所述P型欧姆接触半导体层之上连接导电基板，移除所述生长衬底，裸露出所述N型欧姆接触半导体层；3）制作电极：在所述N型欧姆接触半导体层之上制作N电极。
本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs作为吸收层，在电流密度>1 A/mm2情况下，可以完全有效的去除可见光部分，尤其是3A/mm2电流密度以下都基本看不到可见光部分，有效解决了不可见光发光二极管的红爆现象。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为根据本发明实施的一种不可见光LED外延结构的侧面剖视图。
图2为根据本发明实施的制作一种不可见光LED过程剖视图。
图3为采用图1所示外延结构制作的不可见光LED芯片结构的侧面剖视图。
图4为图3所示LED芯片中N-GaAs可见光吸收层的厚度与器件输出光功率关系图。
图5为图3所示LED芯片中N-GaAs可见光吸收层的厚度与器件输出可光见比例关系图。
图6显示了图3所示LED芯片的光谱图与传统不可见光LED芯片的光谱图。
图7为根据本发明实施的另一种不可见光发光二极管结构的侧面剖视图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。。
在发明中，第一类型覆盖层和第二类型覆盖层系互为反型的半导体层，诸如第一类型覆盖层为N型半导体层时，则第二类型覆盖层为P型半导体层，如果第一类型覆盖层为P型半导体层时，则第二类型覆盖层为N型半导体层。
实施例一
请参看附图1，根据本发明实施的一种发光二极管的外延结构，包括：生长衬底100，蚀刻截止层111、N型欧姆接触层112、N型电流扩散层113、N-GaAs可见光吸收层114、N型覆盖层115、发光层116、P型覆盖层117和P型欧姆接触层118。
具体的，生长衬底100采用GaAs材料；蚀刻截止层111采用N-InGaP材料；N型欧姆接触层112的材料为GaAs；N型电流扩散层113为n- AlGaAs，掺杂浓度至少为7E17以上，较佳值为1E18，掺杂材料可以为Si、Te，厚度至少为1微米以上，较佳值为7微米；N-GaAs可见光吸收层114掺杂Si，掺杂浓度小于7E17，其厚度最大值不超过100nm，较佳厚度值为20~70nm，最佳厚度值为50nm；N型覆盖层114的材料为掺杂Si的AlXGa1-XAs，其中X介于10%~45%，优选X为35%，浓度为5E17 ~ 2E18，优选浓度为1E18；发光层116采用不具有掺杂的多量子阱结构，阱层采用InGaAs材料，其厚度为3~80nm，优选厚度为8nm，势垒层为AlGaAsP，其厚度为5~90nm，优选厚度为25nm，量子阱对数介于3对到25对之间，优选对数为12对为多量子阱结构；p型覆盖层117采用掺杂C的AlXGa1-XAs，其中X介于5%~40%，优选X为35%，浓度为8E17~6E18，优选浓度为1E18；P型欧姆接触层118的材料为p-GaP，掺杂浓度至少为8E17以上，较佳值为1E18，掺杂材料可以为Mg、Zn、C。
下面结合制作方法对本发明之高亮度不可见光LED芯片进行详细说明。
首先，采用外延生长方法形成图1所示的外延结构。
接着，进行衬底转移：在P型欧姆接触层118的表面上制作镜面层122，其包括P型欧姆接触金属层122a和高透光性介电材料层122b，两者配合一方面提供P型欧姆接触层，另一方面用于反射发光层射向下方的光线；提供导电基板101，在其上涂布金属键合层121，将导电基板101与镜面层122进行黏合，并去除生长衬底100，裸露半导体外延叠层的N侧表面，如图2所示。
再接着，制作电极：利用盐酸与磷酸将蚀刻截止层111去除，使用黄光、化学湿制程、金属蒸镀制程，完成N欧姆接触电极131和P电极132。
最后，制作取光结构：使用硝酸、醋酸与水混和液将N型电流扩散层113表面做粗化效果。如图3所示。
下面表格列举了图1所示LED外延结构中各层的主要材料及其相关参数的优选值。
采用上述材料及相关参数制作获得的不可见光LED芯片，其光吸收层与发光层之间的能带隙差达0.13eV，因此该光吸收层对亮度吸收不多，可有效减少因改善红爆现象而带来的光功率下降问题。
图4和图5分别显示了图3所示的不可见光发光二极管之N-GaAs可见光吸收层的厚度与器件输出光功率关系图和可光见比例关系图。从图中可看出，当N-GaAs可见光吸收层的厚度控制在20nm以上时，其可见光比例即可降低至0.2%以下；进一步地，在输出光功率影响不大并且可见光比例<0.1%的条件下，厚度最佳值为50nm，最大厚度100nm。
请参看图6，从两种不同结构的光谱图可以明显看出，在图3所示的发光二极管（即新结构）中，可见光部分因为N-GaAs可见光吸收层的功能，有效的去除可见光部分，达到无红爆不可见光芯片。
实施例二
请参看图7，在本实施例中，N型覆盖层115由第一覆盖层115a和第二覆盖层115b构成，藉由第一及第二覆盖层的组份能阶变化，可以降低电子在覆盖层及可见光吸收层接口能阶位障，以获得较低的电压值。较佳的，所述第一覆盖层AlXGa1-XAs的Al组分X为15%，掺杂浓度为6E17；所述第二覆盖层AlYGa1-YAs的Al组分Y为35%，掺杂浓度为1E18。
以上实施例以第一类型覆盖层为N型覆盖层、第二类型覆盖层为P型覆盖层为例，需要特别说明的是，本发明同样适用于第一类型覆盖层为P型半导体层的发光二极管器件结构，相应的，电流扩散层、GaAs可见光吸收层等材料层为P型掺杂。
很明显地，本发明的说明不应理解为仅仅限制在上述实施例，而是包括利用本发明构思的所有可能的实施方式。
Claims (12)
1.一种不可见光发光二极管，依次包括：电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层，所述GaAs可见光吸收层的厚度为20nm以上，当发光层的输入电流密度≥1 A/mm2时，所述发光二极管的可见光比例＜0.2%。
2.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述GaAs可见光吸收层与发光层之间的能带隙差为0.13eV。
3.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述GaAs可见光吸收层的掺杂浓度＜7E17。
4.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述GaAs可见光吸收层的厚度为100nm以下。
5.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述GaAs可见光吸收层的厚度为20~70nm。
6.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述电流扩散层为N-AlGaAs，其Al/Ga成分比值＞0.3。
7.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述电流扩散层的掺杂浓度＜7E17。
8.根据权利要求1所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一类型覆盖层包括第一覆盖层AlXGa1-XAs和第二覆盖层AlYGa1-YAs，其中Y＞X，藉由所述第一覆盖层及第二覆盖层的组份能阶变化，降低电子在所述第一类型覆盖层及所述可见光吸收层接口的能阶位障。
9.根据权利要求8所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一覆盖层的Al组分X为15%，掺杂浓度为6E17。
10.根据权利要求8所述的一种不可见光发光二极管，其特征在于：所述第二覆盖层的Al组分Y为35%，掺杂浓度为1E18。
11.不可见光发光二极管的制作方法，依次形成电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层，所述GaAs可见光吸收层的厚度为20nm以上，当发光层的输入电流密度≥1 A/mm2时，所述发光二极管的可见光比例＜0.2%。
12.根据权利要求11所述的不可见光发光二极管的制作方法，包括步骤：
1）外延生长：依次在一生长衬底上生长电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层；
2）转移衬底：在所述第二类型覆盖层之上连接导电基板，移除所述生长衬底；
3）制作电极：在所述电流扩散层之上制作N电极。
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Family Cites Families (9)
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