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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Solarzelle, genauer
auf eine Verbundsolarzelle, insbesondere auf eine CIGS Verbundsolarzelle,
und auf einen Prozess zur Herstellung derselben.
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Eine
CIGS Verbundsolarzelle ist eine Solarzelle, die im Wesentlichen
p-leitendes Cu (In1–xGax)Se2 (ein Mischkristall, der aus Kupfer-Indium-Diselenid
und Kupfer-Gallium-Diselenid im Verhältnis (1–x):x synthetisiert wird) als
eine lichtabsorbierende Schicht und ZnO (Zinkoxid) als eine Fensterschicht
beinhaltet. Da in einer Solarzelle eine lichtabsorbierende Schicht
die wichtigste Rolle für
das Konvertieren von Lichtenergie in Elektron-Loch-Paare spielt,
wird die Cu(In1–xGax)Se2-Solarzelle CIGS-Solarzelle genannt, benannt
nach den Anfangsbuchstaben der Elemente, die das Material bilden
(Cu, In, Ga und Se). Die Brauchbarkeit der CIGS Solarzelle ist bereits
bekannt und ihr Verkauf hat begonnen.
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Ein
Querschnitt einer konventionellen CIGS Solarzellenstruktur ist erläuternd in 1 dargestellt. Der
grundlegende Aufbau der Solarzelle wird erreicht, indem ein Substrat
sequenziell mit einer hinteren Elektrodenschicht, einer lichtabsorbierenden Schicht,
einer Pufferschicht, einer Fensterschicht, einer transparenten Elektrodenschicht
und einer antireflektierenden Schicht beschichtet wird. Ein positiver
Elektrodenanschluss und ein negativer Elektrodenanschluss, um einen
fotoelektrischen Konvertierungsstrom hervorzubringen, sind auf der
hinteren Elektrodenschicht und der transparenten Elektrodenschicht
ausgebildet.
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Typische
Materialien und Dicken des jeweiligen Dünnfilms sind wie folgt: das
Substrat; ein Glas mit einer Dicke von mehreren Millimetern, die
hintere Elektrodenschicht; Mo von ungefähr 1 μm, die lichtabsorbierende Schicht;
p-leitendes CIGS mit einer Dicke von ungefähr 2 μm, die Pufferschicht; CdS mit einer
Dicke von ungefähr
50 bis 100 nm, die Fensterschicht; mit niedriger Ladungsträgerkonzentration n-leitendes
ZnO von ungefähr
100 nm, die transparente Elektrodenschicht; ZnO mit einer Dicke
von etwas weniger als 1 μm,
das durch Zugabe eines Elementes der Gruppe III mit hoher Ladungsträgerkonzentration
n-leitend ausgebildet ist, und die antireflektierende Schicht; MgF2 mit einer Dicke von mehreren 10 nm. Die
transparente Elektrodenschicht ist üblicherweise ein degenerierter
n-leitender Halbleiter, der durch Zugabe eines Elementes der Gruppe
III (Al, Ga, B, oder ähnliches)
in hoher Konzentration zu ZnO erreicht wird. Als hintere Elektrode
sind Au, Ni und Ähnliches
als geeignet bekannt, aber das derzeit verwendete Material ist aufgrund
von mechanischer Festigkeit und aus wirtschaftlichen Gründen Mo
(Basis and Application of Thin-Film Solar Cell, Chapter 6, herausgegeben
und verfasst von Makoto Konagai, publiziert von Ohmsha, Ltd. (2001);
R. J. Matson, O. Jamjoum, A. D. Buonaquisti, P. E. Russell, L. L.
Kazmerski, P. Sheldon, und R. K. Aqhrenkiel, Solar Cells, 11, 301
(1984)).
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Obwohl
die in der CIGS Solarzelle realisierte Konversionseffizienz verbessert
ist, ist sie erheblich niedriger als der theoretisch erwartete Wert.
Als Grund für
die niedrige Effizienz wird die die Pufferschicht enthaltende unzureichende
Kontaktstelle zwischen der Fensterschicht und der lichtabsorbierenden
Schicht angesehen, und der Kontaktabschnitt wurde gezielt erforscht
und entwickelt.
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Die
Tatsache, dass die Differenz zu dem theoretischen Wert immer noch
groß ist,
selbst wenn die Effizienz eine Obergrenze erreicht hat und somit
der Kontaktabschnitt als fast ausreichend optimiert angesehen wird,
weist jedoch darauf hin, dass es neben diesem Abschnitt einen weiteren
zu lösenden
Faktor gibt.
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Die
Güte einer
Solarzelle wird durch eine Leerlaufspannung (Voc),
einen Kurzschlussstrom, einen Krümmungsfaktor
und die Konversionseffizienz, die man durch Division eines Produkts
der drei Werte durch eine Leistungsdichte eines Standardfalls bzw. einer
Standardeinstrahlung erhält.
Unter diesen ist Voc der Wert mit dem kleinsten
Verhältnis
zwischen dem derzeit erzielten Wert und dem theoretisch erwarteten
Wert. Die Größe von Voc hängt
von der Weite der Bandlücke
(Eg) ab, und somit von x in Cu(In1–xGax)Se2, (0 ≤ x ≤ 1). Zum Beispiel
ist, gegenüber
Eg = 1,16 eV, Voc derzeit ungefähr gegeben durch
0,68 V, aber wenn es den theoretisch erwarteten Wert von 0,84 erreicht,
erhöht
sich die zu Voc proportionale Konversionseffizienz
bemerkenswerterweise von 19% auf 23%.
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Der
die Pufferschicht enthaltende Kontaktabschnitt zwischen der Fensterschicht
und der lichtabsorbierenden Schicht wurde gründlich erforscht, und es wurde
bestätigt,
dass die Bandfehlanpassung nicht so groß ist. Daher mutmaßt man als
Grund für die
niedrige Leerlaufspannung die Bandfehlanpassungoder die Grösse der
Bandfehlanpassung an dem Kontakt zwischen der lichtabsorbierenden Schicht
und der hinteren Elektrode. Als Materialien für die hintere Elektrode wurden
verschiedene Metalle getestet, und Mo wurde unter diesen als geeignet erkannt
und daher im Allgemeinen verwendet.
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Zwischen
der CIGS lichtabsorbierenden Schicht und der hinteren Mo Elektrode
wurde eine natürlich
ausgebildete MoSe2 Schicht beobachtet. Diese
Substanz ist ein Halbleiter, und es wird berichtet, dass dessen
Energie der Bandlücke
(Eg2) 1,15 eV und dessen Elektronenaffinität (χ2) 3,8 eV ist (1P-A-2000-323733).
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2 zeigt eine Aufstellung
des Energiebands in in einem Zustand einer CIGS Solarzelle mit offenen
Anschlüssen,
die so beschrieben ist, dass sie an die tatsächlich erhaltenen Voc = 0,68 V angepasst ist. Die folgenden
Werte sind verwendet: Bandlückenenergie
von CIGS (Eg1) = 1,16 eV, Elektronenaffinität (χ1) = 4,57 eV, und der geometrische Mittelwert 4,65
eV des Wertes der Kristallorientierung (110) von 4,95 eV und des
Werts der Orientierung (112) von 4,36 eV als eine Austrittsarbeit
von Mo (φm).
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Da
das Valenzbandmaximum von CIGS (VBM: Summe der Elektronenaffinität und der
Bandlückenenergie)
größer ist
als das VBM von MoSe2, ist das Energieband
von CIGS an der Grenzfläche
von CIGS zu MoSe2 zu einem grösseren Wert
hin (nach unten in der Figur) gekrümmt und das Energieband von
MoSe2 zu einem kleineren Wert hin (nach
oben in der Figur) gekrümmt.
Da das VBM von MoSe2 größer ist als die Austrittsarbeit
von Mo, ist gleichzeitig an der Grenzfläche von MoSe2 und
Mo das Energieband von MoSe2 zu einem größeren Wert
hin gekrümmt.
Als eine Folge werden Verarmungsschichten in CIGS an der Grenzfläche von
CIGS und MoSe2 und in MoSe2 an
der Grenzfläche
von MoSe2 und Mo generiert. Beide Kontakte
werden zu Schottky-Kontakten als einer Leitungsbarriere.
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Die
als Eb in 2 gezeigte
Energiedifferenz repräsentiert
die Höhe
der Barriere gegen positive Löcher.
Wenn die Schottky-Barriere ausgebildet ist, tritt nämlich ein
Verlust an Ausgangsspannung in Höhe
von Eb/q auf, wobei q eine Einheitsladung ist.
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MoSe2 ist ungefähr 100 nm dünn, und die effektive Dicke
der Barriere an dem Abschnitt, an dem die Barriere größer ist
als die Austrittsarbeit von Mo, verringert sich durch die große Bandkrümmung weiter.
Weil Leitung durch Tunneln leicht auftritt, ist deshalb der Verlust
in der MoSe2 Schicht beinahe vernachlässigbar.
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Wenn
MoSe2 nicht vorhanden ist, kommen CIGS und
Mo in direkten Kontakt, und die Elektronenaffinität von CIGS
und die Austrittsarbeit von Mo sind nahe beieinander, so dass die
Ausgangsspannung auf weniger als 0,1 V abfällt. Daher wirkt die Bildung
von MoSe2 für eine Solarzelle in eine vorteilhafte
Richtung. Eine wahlweise Kontrolle der Bildung von MoSe2 ist
jedoch schwierig, und MoSe2 selbst ist keine
geeignete Substanz, so dass die Schottky-Barriere von CIGS an der
Kontaktfläche
mit MoSe2 in jedem Fall verbleibt. Daher
ist eine einen geeigneten Kontakt realisierende Technologie an Stelle
des autogenischen MoSe2 gewünscht.
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Wenn
es beabsichtigt ist, eine Solarzelle mit einer hohen Effizienz nahe
einem theoretischen Wert zu erhalten, ist es allgemeine Kenntnis,
dass die hintere Elektrode in ohmschen Kontakt mit dem eine lichtabsorbierende
Schicht bildenden Halbleiter kommen soll. Um den ohmschen Kontakt
zu realisieren, ist es ausreichend, eine Substanz als Elektrodenmaterial
zu verwenden, deren Austrittsarbeit größer als die Fermienergie des
Halbleiters ist. Da eine Elektrode eine Funktion als Kollektor haben
sollte, ist ihr elektrischer Widerstand notwendigerweise klein,
und somit wird gewöhnlich
ein Metall verwendet. Es gibt Pt, Pd, Ir und Ähnliches als Substanzen, die
die Voraussetzungen erfüllen,
aber diese sind, abgesehen von ihrer Kostspieligkeit, aufgrund von
nicht unerheblicher Diffusion während
der Filmbildung nicht einfach zu verwenden.
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Die
vorliegende Erfindung hat zum Ziel, zumindest einige der oben genannten
Probleme zu überwinden.
Dies wird erreicht durch eine Solarzelle gemäß Anspruch 1, sowie durch einen
Prozess zur Herstellung einer Solarzelle gemäß des Anspruchs 2, einen Prozess
zur Herstellung einer Solarzelle gemäß des Anspruchs 4 und einen
Prozess zur Herstellung einer Solarzelle gemäß des Anspruchs 5. Eine Aufgabe
der vorliegenden Erfindung kann somit sein, durch Realisierung des
ohmschen Kontakts ohne Verwendung eines teuren Materials wie Pt,
Pd, oder In die Konversionseffizienz einer Solarzelle zu verbessern,
und dabei Voc bis zum äußersten Maß zu steigern. Weitere vorteilhafte
Merkmale, Aspekte und Einzelheiten der Erfindung gehen aus den abhängigen Ansprüchen, der
Beschreibung und den beigefügten
Zeichnungen hervor.
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Um
das oben genannte Problem zu lösen, hat
es die vorliegende Erfindung erreicht, Voc bis
zum äußersten
Maß zu
steigern, indem zwischen die lichtabsorbierende Schicht und die
hintere Elektrode einer CIGS Solarzelle eine hintere Pufferschicht
aus einem ZnO enthaltenden p-leitenden Halbleiter als eine Hauptkomponente
gelegt wird.
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich nämlich auf eine Solarzelle,
die eine hintere Metallelektrode und eine lichtabsorbierende Schicht
mit einem p-leitenden CIGS Halbleiter auf einem Substrat in dieser
Reihenfolge enthält,
wobei
die Solarzelle zwischen der lichtabsorbierenden Schicht und der
hinteren Metallelektrode weiterhin eine p-leitende oder mit niedriger
Ladungsträgerkonzentration
n-leitende Halbleiterschicht
mit ZnO enthält.
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Darüber hinaus
bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen Prozess zum Herstellen
einer Solarzelle, der enthält:
Ausbilden
einer hinteren Metallelektrode auf einem Substrat,
Ausbilden
einer ZnO Schicht darauf durch ein Laserpulsabscheideverfahren oder
ein Sputterverfahren unter Verwendung eines ZnO Targets enthaltend
ein p-leitendes Additiv, und
Ausbilden einer lichtabsorbierenden
Schicht aus einem p-leitenden CIGS Halbleiter.
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Außerdem bezieht
sich die vorliegende Erfindung auf den obigen Prozess zum Herstellen
einer Solarzelle, wobei die ZnO Schicht ausgebildet wird, indem
ein ZnO Target zur Laserpuls-Abscheidung oder
zum Sputtern verwendet wird, zu dem eine oder mehr Komponenten zugefügt sind,
die aus der Gruppe bestehend aus PmOn, wobei m und n jeweils eine ganze Zahl
sind, KNO3, K3PO4, K4P2O7, K2SO4,
KOH, K2O, K2S, K2Se, NH4NO3 und (NH4)3PO4 ausgewählt sind.
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf einem Prozess zum Herstellen
einer Solarzelle, der enthält:
Ausbilden
einer hinteren Metallelektrode auf einem Substrat,
Ausbilden
einer p-leitenden oder mit niedriger Ladungsträgerkonzentration n-leitenden
ZnO Schicht darauf, durch ein Abscheideverfahren, das durch simultane
Bestrahlung eines Stickstoff, Phosphor oder Kalium enthaltenden
Precursors begleitet wird, und
Ausbilden einer lichtabsorbierenden
Schicht aus einem p-leitenden CIGS Halbleiter.
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Zusätzlich bezieht
sich die vorliegende Erfindung auf einen Prozess zum Herstellen
einer Solarzelle, der enthält:
Ausbilden
einer hinteren Metallelektrode auf einem Substrat,
Ausbilden
einer ZnO Schicht darauf, gefolgt von thermischer Behandlung, um
eine p-leitende
oder mit niedriger Ladungsträgerkonzentration
n-leitende ZnO Schicht zu bilden, und Ausbilden einer lichtabsorbierenden
Schicht aus einem p-leitenden CIGS Halbleiter.
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Die
Erfindung bezieht sich auch auf Vorrichtungen zum Ausführen von
offenbarten Verfahren, einschließlich von Teilen von Vorrichtungen
zum Ausführen
einzelner jeweils beschriebener Verfahrensschritte. Diese Verfahrensschritte
können
durch Hardware-Komponenten,
einen mit geeigneter Software programmierten Computer, eine Kombination von
beidem, oder in irgendeiner anderen Weise durchgeführt werden.
Des Weiteren beinhaltet die Erfindung Verfahrensschritte zur Herstellung
der Vorrichtung oder zur Herstellung einzelner Teile der Vorrichtung.
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Eine
genaueres Verständnis
der Erfindung ergibt sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen
derselben, gemeinsam mit den beigefügten Figuren, wobei
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1 ein
Strukturdiagramm eines Querschnitts einer herkömmlichen CIGS Solarzelle zeigt;
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2 eine
Zeichnung eines Energiebands einer herkömmlichen CIGS Solarzelle zeigt;
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3 ein
Strukturdiagramm eines Querschnitts der CIGS Solarzelle der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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4 eine
Zeichnung eines Energiebands der CIGS Solarzelle der vorliegenden
Erfindung zeigt; und
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5 eine
schematische Sicht einer Laserpuls-Abscheidevorrichtung (PLD Vorrichtung)
zeigt.
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Indem
gemäß der vorliegenden
Erfindung eine p-leitende oder mit niedriger Ladungsträgerkonzentration
n-leitende ZnO enthaltende Halbleiterschicht als eine Hauptkomponente
zwischen der lichtabsorbierenden Schicht und der oben genannten hinteren
Metallelektrode zur Verfügung
gestellt wird, können
durch die Fehlanpassung der Austrittsarbeit des Materials der hinteren
Metallelektrode relativ zu dem Material der lichtabsorbierenden
Schicht der CIGS Solarzelle verursachte Verluste reduziert werden,
und somit kann die Konversionseffizienz nahe an die theoretisch
maximale Konversionseffizienz heranreichen.
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Als
nächstes
werden Arten zum Ausführen der
vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezug auf die Zeichnungen
beschrieben.
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3 ist
ein Strukturdiagramm eines die vorliegende Erfindung beispielhaft
illustrierenden Querschnitts, der ungefähr ähnlich zu dem von 1 ist, jedoch
dadurch gekennzeichnet ist, dass eine aus ZnO gebildete Pufferschicht
zwischen der lichtabsorbierenden Schicht und der hinteren Elektrode
zur Verfügung
gestellt ist.
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Der
Grund, warum ZnO als Material für
die hintere Pufferschicht gewählt
ist, besteht darin, dass die Substanz eine große Elektronenaffinität hat. Man erhält nämlich einen
ohmschen Kontakt zu dem p-leitenden CIGS, und somit verschwindet
die Barriere gegenüber
dem Strom von positiven Löchern
in CIGS.
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Da
ZnO eine hohe Elektronenaffinität
hat, ist n-leitendes ZnO im Übrigen
einfach zu bilden, aber p-leitendes ist schwierig zu erstellen,
und ZnO mit einer intrinsischen Fermienergie (beinahe am Mittelpunkt
der Bandlücke)
wird nicht erreicht. Wie in 4 gezeigt,
ist es jedoch möglich,
die Fermienergie von ZnO größer als
die Fermienergie von CIGS zu machen, da ZnO eine große Elektronenaffinität und auch
eine große
Bandlücke
von 3,4 eV hat, im Falle von p-leitendem
ZnO ohne Weiteres, aber selbst im Falle von n-leitendem ZnO, wenn
die Konzentration niedrig ist und nahe der intrinsischen Fermienergie ist.
Wenn die Fermienergie von ZnO entfernt von dem Valenzband-Maximum
(VBM) ist, wird jedoch nicht nur im Falle von n-leitendem, sondern
auch im Falle von p-leitendem ZnO das VBM zu einer Barriere. In
diesem Fall sollte die hintere Pufferschicht aus ZnO dünn gemacht
werden, um einen Tunnelkontakt zu erzielen.
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Kürzlich wurde
gezeigt, dass p-leitendes ZnO durch Zugabe von P (Phosphor) realisiert
werden kann. Das Verfahren beinhaltet das Erhalten eines dünnen Films,
zu dem auf einem Substrat durch Sputtern eines mit P2O5 verunreinigten Targets P hinzugegeben wird.
Der Effekt der Zugabe von P2O5 wird
so verstanden, dass P einen O-Platz besetzt, um zu einem Akzeptor
zu werden, und dass überschüssiges O
eine Lücke
des O-Platzes füllt,
um einen Donor zu reduzieren.
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5 zeigt
eine Abscheidungsvorrichtung für
einen p-leitenden ZnO Film durch eine Laserpulsabscheidungsmethode
(PLD) unter Verwendung eines mit P2O5 verunreinigten Targets.
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Der
Ablauf der Filmbildung ist wie folgt: (1) eine Wachstumskammer,
in der das Target und ein Substrat enthalten sind, wird zu einem
Vakuum evakuiert, (2) das Substrat wird geheizt, (3) Sauerstoff wird
unter Evakuierung eingeführt,
um einen Druck von mehreren 10 μ Torr
aufrecht zu halten, und (4) das Target wird mit einem Excimer-Laser
durch ein Fenster bestrahlt.
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Das
Target kann man durch Binden eines ZnO Pulvers, zu dem P in einer
Menge von ungefähr 1
mol% zugegeben wird, erhalten. Die Temperatur des Substrats kann
auf ungefähr
500°C erhöht werden,
was für
den Fall, dass das Substrat aus Glas gemacht ist, ein Erweichungspunkt
ist, aber die Filmbildung ist auch bei Raumtemperatur möglich. Da
Sauerstoff in sein Radikal durch Einspeisung von hochfrequenter
elektrischer Leistung in die HF-Zelle umgewandelt werden kann, wird
im Fall eines zufrieden stellenden Resultats die Bildung von Radikalen durchgeführt. Der
Laser kann gepulst sein und/oder eine Wellenlänge von ungefähr 248 nm
haben und/oder eine Energiedichte von ungefähr 1 mJ/cm2 haben.
Bevorzugt ist der Laser gepulst mit einer Wellenlänge von
248 nm und hat eine Energiedichte von ungefähr 1 mJ/cm2.
Die Bestrahlung mit dem Puls bei einer Wiederholungsfrequenz von
20 Hz kann zu einer Bildung des Films mit einer Rate von ungefähr 0,3 μm/h führen. Auf
diese Weise erhält
man einen Film mit einer Ladungsträgerkonzentration von 3 × 1020 cm–3.
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Auf
der anderen Seite erhält
man, indem man einen Film von intrinsisch leitendem ZnO bildet, einen
Film mit einer niedrigen Ladungsträgerkonzentration. In einer
auf ungefähr
10–6 torr evakuierten
Vakuumskammer erhält
man einen Film mit einer Ladungsträgerkonzentration von 1016 bis 101 cm–3 durch ein
Verfahren, bei dem Zn Dampf von einem auf 200 bis 300°C erhitzten
Schmelztiegel und Sauerstoff, der mit einer Flussrate von ungefähr 1 sccm
(d.h. 1 atm cm3/min oder 1.688 75 × 10–3 W
unter Standard-Bedingungen) von der Radikal-Zelle zugeführt wird,
auf dem Substrat kombiniert werden, und man erhält einen Film mit einer Ladungsträgerkonzentration
in der ersten Hälfte
der Größenordnung
von 1016 cm–3 durch
ein Verfahren, bei der simultan N (Stickstoff) beigegeben wird.
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Grundsätzlich können verschiedenartige Verbindungen
mit einem Element, das geeignet ist, zu einem Akzeptor zu werden,
indem es einen beliebigen Platz von ZnO ersetzt, oder das geeignet
ist, einen Donor zu reduzieren, indem es ein Loch des O-Platzes
füllt,
Precursor des Additivs sein. Im Besonderen sind KNO3,
K3PO4, K4P2O7,
K2SO4, KOH, K2O, K2S, K2Se und PmOn (m, n: ganzzahlig) geeignet.
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Es
gibt den Fall, dass thermische Behandlung nach der Filmbildung notwendig
ist und dass als atmosphärische
Gase, in diesem Fall H2, N2,
O2, H2O, H2Se H2Se, NmOn, NH3 und Ähnliches
wirksam sind. Aus Erfahrung tritt ein Effekt unter N2 oder
O2 Atmosphäre bei 400 bis 900°C auf.
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Beispiele
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Eine
Schicht Mo ist als ein Metall für
eine Kollektor-Elektrode auf dem Substrat angebracht, und bevor
die CIGS Schicht gebildet wird, wird p-leitendes ZnO bzw. eine p-leitende
ZnO enthaltende hintere Pufferschicht oder eine mit niedriger Ladungsträgerkonzentration
n-leitende hintere
Puferschicht abgeschieden. Die anderen Prozesse können nach
herkömmlichen
Verfahren ausgeführt
werden.
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Als
Abscheideverfahren des p-leitenden ZnO ist ein Laserpulsabscheideverfahren
(PLD) und ein Sputter-Verfahren, das ein Target mit einem geeigneten
Precursor enthält,
bevorzugt, aber auch andere Mittel wie zum Beispiel Dampfphasenabscheidung und
chemische Dampfphasenabscheidung können zum Einsatz kommen.
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Wirksam
zum Zugeben zum Precursor der hinteren p-leitenden ZnO Pufferschicht
sind PmOn einschließlich P2O5, KNO3,
K3PO4, K4P2O7,
K2So4, KOH, K2O, K2S, K2Se, NH4NO3, (NH4)3PO4 und ähnliche.
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Zum
Abscheiden von n-leitendem ZnO mit einer niedrigen Ladungsträgerkonzentration ist Dampfphasenabscheidung
unter simultaner Bestrahlung von N am geeignetsten, aber auch andere
Mittel können
zum Einsatz kommen.
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Die
Precursor vom N können
N2, Radikale von N2 und
N, NmOn (m,n: ganzzahlig),
NH3 und Ähnliches
sein.
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Wenn
eine thermische Behandlung nach der Abscheidung der hinteren ZnO
Pufferschicht durchgeführt
wird, kann die Bildung einer p-leitenden oder mit niedriger Ladungsträgerkonzentration
n-leitenden Pufferschicht sicherer erzielt werden.
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Wie
oben sind bevorzugte Arten, die Erfindung auszuführen, und Beispiele beschrieben,
aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Geeignete Änderungen
sind in dem Bereich, der nicht von dem Hauptinhalt der Erfindung
abweicht, möglich.
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Die
Brauchbarkeit der CIGS Solarzelle ist bereits bekannt und ihr Verkauf
hat begonnen. Da jedoch die Verbesserung der Leerlaufspannung das wichtigste
zu lösende
Problem ist, wird die Erfindung als Schlüsseltechnologie bei der Industrialisierung von
CIGS Dünnfilm-Solarzellen betrachtet.
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Während die
Erfindung im Detail und mit Bezug auf ihre spezifischen Ausführungsformen
beschrieben wurde, ist es für
einen Fachmann ersichtlich, dass verschiedenartige Veränderungen
und Modifikationen gemacht werden können, ohne von ihrem Geist
und Umfang abzuweichen. Alle hierin zitierten Verweise sind vollumfänglich einbezogen.
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Diese
Anmeldungen basiert auf der japanischen Patentanmeldung No. 2004-185937,
eingereicht am 24.6.2004, deren gesamter Inhalt durch Verweis miteinbezogen
ist.