DE102005014674B4 - Halbleitermodul mit Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäuse in getrennten Bereichen und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Halbleitermodul mit Halbleiterchips (1, 2) in einem Kunststoffgehäuse (3) in getrennten Bereichen (4, 5), wobei die Halbleiterchips (1, 2) in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) eingebettet und auf einem gemeinsamen Verdrahtungssubstrat (7) in benachbarten Bereichen (4, 5) angeordnet sind, und wobei auf dem Verdrahtungssubstrat (7) zwischen den Bereichen (4, 5) eine Thermobarriere (8) angeordnet ist, die ein Material aufweist, dessen spezifische Wärmeleitung WB kleiner als die spezifischen Wärmeleitung WK der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) ist und die den Wärmeübergang von einem Bereich (4) zu einem benachbarten Bereich (5) behindert, und wobei die Thermobarriere (8), die Halbleiterchips (1, 2) und das Substrat (7) von der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) umgeben sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul mit Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäuse in getrennten Bereichen und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Um derartige Multichip-Halbleitermodule herzustellen, werden oftmals thermisch empfindliche Halbleiterchips mit thermisch robusteren Halbleiterchips in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse eingeschlossen.
  • Aus thermischen Gründen wäre es jedoch sinnvoll, diese Halbleiterchips in getrennten Gehäusen unterzubringen und sie somit in eigenen Gehäusen zu montieren. Der getrennte Aufbau einzelner Gehäuse hat jedoch den Nachteil, dass ein schneller und störungsfreier Datenaustausch zwischen den einzelnen Halbleiterchips durch die Montage der getrennten Gehäuse auf einer übergeordneten Leiterplatte behindert wird. Deshalb wird trotz der thermischen Kopplung eine Montage in gemeinsamen Kunststoffgehäusen eines Multichippackages bevorzugt. Für den Wärmeübergang von einem Halbleiterchip zu dem benachbarten Halbleiterchip ist es relativ unerheblich, ob die Halbleiterchips in Flipchiptechnologie in dem Multichipgehäuse des Halbleitermoduls untergebracht sind oder mithilfe der Bondtechnologie miteinander elektrisch gekoppelt werden. Das Problem der thermischen Kopplung und des Erwärmens eines wärmeempfindlichen Halbleiterchips durch einen benachbarten Halbleiterchip mit hoher Verlustwärme bleibt weiterhin bestehen.
  • Dabei ist die Wärmeleitung durch die gemeinsame Kunststoffgehäusemasse einer der wichtigsten thermischen Pfade, auf denen die gegenseitige negative thermische Beeinflussung der Halbleiterchips eines Halbleitermoduls basiert. Auch Halbleitermodule, die einzelne Halbleiterchips in getrennten Kunststoffgehäusemassen unterbringen, jedoch ein gemeinsames Verdrahtungssubstrat aufweisen, haben ebenfalls den Nachteil, der Behinderung einer schnellen und störungsarmen Kommunikation zwischen den einzelnen Halbleiterchips. Außerdem sind die Verbindungsleitungen auf dem gemeinsamen Substrat mechanisch nicht derart perfekt geschützt, wie es bei einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse möglich ist.
  • Die DE 39 30 858 A1 beschreibt einen Modulaufbau für elektrische Schaltkreise mit einem ersten Keramiksubstrat, das sowohl auf seiner Ober- als auch auf seiner Unterseite eine Metallisierung aufweist. Im Zentrum des Substrats befindet sich ein Leistungshalbleiterbauelement. Um diesen Zentralbereich herum ist auf die Metallisierung eine weitere, rahmenartige Keramikschicht aufgebracht, auf der weitere Halbleiterbauelemente angeordnet sein können. Um diese vor einer Erhitzung durch das zentral angeordnete Leistungsbauelement zu schützen, kann die rahmenartige Keramikschicht nur partiell in solchen Bereichen mit der darunter liegenden Metallschicht verbunden werden, an denen während des Betriebs keine allzu hohen Temperaturen auftreten. Auf diese Weise wird eine gewisse Wärmeisolierung zwischen dem Leistungsbauelement und den weiteren Bauelementen erreicht. Jedoch ist dieser Aufbau verhältnismäßig aufwendig und kompliziert und zeigt bezüglich der Wärmeisolierung noch keine zufriedenstellende Wirkung.
  • Aus der DE 101 37 618 A1 sind ferner Schutzvorrichtungen für Baugruppen mit Kompressionsschutzelementen bekannt, die unter anderen aus Polymeren.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden und ein Halbleitermodul zu schaffen, bei dem die thermische Kopplung in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse zwischen zwei getrennt angeordneten Halbleiterchips vermindert wird.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein Halbleitermodul geschaffen mit Halbleiterchips, in einem Kunststoffgehäuse in getrennten Bereichen, wobei die Halbleiterchips in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse eingebettet und auf einem gemeinsamen Verdrahtungssubstrat in benachbarten Bereichen angeordnet sind. Das Verdrahtungssubstrat weist zwischen den Bereichen eine Thermobarriere auf, die den Wärmeübergang von einem Bereich zu einem benachbarten Bereich behindert. Dabei sind die Thermobarriere, die Halbleiterchips und das Substrat von der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse umgeben.
  • Dieses Halbleitermodul hat den Vorteil, dass der Wärmeleitungspfad über die gemeinsame Kunststoffmasse durch die Thermobarriere unterbrochen wird, sodass wärmeempfindliche Halbleiterchips, wie bspw. dynamische Speicher, deren Erholzeit bei hoher Temperatur sich verschlechtern würde, nun vor einem Halbleiterchip bspw. einem Prozessor mit einer deutlich höheren Verlustwärmeentwicklung geschützt sind. Somit ergibt sich für ein Halbleitermodul, das mit einer erfindungsgemäßen Thermobarriere ausgestattet ist, die Möglichkeit, trotz hoher Verlustwärme bspw. eines Prozessors, die Erholzeit eines dynamischen Speichers nicht zu verschlechtern, sodass mit entsprechend hoher Datentransfergeschwindigkeit die Speicher belegt werden können.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Material der Thermobarriere eine spezifische Wärmeleitung WB von weniger als 1/3 der spezifischen Wärmeleitung WK der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse mit WK ≥ 3 WB auf. Dieser Unterschied in der spezifischen Wärmeleitung bewirkt, dass eine erhebliche Entkopplung zwischen den beiden Bereichen des Halbleitermoduls für die in den entsprechenden Bereichen angeordneten Halbleiterchips gewährleistet ist. Um die Thermobarriere stabil und wirkungsvoll auf dem Verdrahtungssubstrat zu platzieren, weist die Thermobarriere eine Breite B auf, die mindestens das 5-fache der Dicke D der Halbleiterchips mit B ≥ 5D ist.
  • Die Thermobarriere kann unterschiedlich ausgebildet sein. Sie kann einmal nur einseitig einen zu schützenden Bereich gegenüber einem benachbarten Bereich thermisch abschirmen oder auch zweiseitig den zu schützenden Bereich umgeben. Ferner sind Möglichkeiten, je nach Größe des Substrats vorhanden, den zu schützenden Bereich dreiseitig zu umgeben oder ihn vollständig auf allen vier Seiten mit einer Thermobarriere zu versehen.
  • Eine derartige Thermobarriere kann ein vorgefertigtes Thermobarriereelement aufweisen, das in der Spritzgussform während des Spritzgusses der Kunststoffgehäusemasse vorpositioniert ist. Andererseits kann auch das vorgefertigte Thermobarriereelement auf die Oberseite des Substrats aufgeklebt werden, bevor die Kunststoffgehäusemasse auf das Substrat aufgebracht wird. In beiden Fällen ist eine sichere Positionierung des Thermobarriereelements möglich. Das Thermobarriereelement selbst kann aus einem Kunststoffmaterial mit einem zur Kunststoffgehäusemasse unterschiedlichen Füllstoffmaterial bestehen.
  • Durch das unterschiedliche Füllstoffmaterial kann der oben erwähnte Unterschied in der thermischen Leitfähigkeit erreicht werden. Andere Thermobarrierematerialien weisen keramische vorgefertigte Thermobarriereelemente auf, die bei entsprechend hoher polykristalliner Strukturierung eine entsprechend geringere Wärmeleitung gegenüber dem wärmeleitenden Kunststoff aufweisen. Im Prinzip ist es möglich, sowohl die Thermobarriere um den Bereich eines Verlustwärme erzeugenden Halbleiterchips anzuordnen, als auch um den Bereich eines wärmeempfindlichen Halbleiterchips zu bauen. Vorzugsweise wird jedoch die Thermobarriere in die Nähe des wärmeempfindlichen Halbleiterchips gerückt, um die Wärmeverlustabstrahlung des verlustwärmeerzeugenden Halbleiterchips über die Kunststoffgehäusemasse des Halbleitermoduls nicht zu behindern und um lediglich das Einleiten von Wärme in den Bereich des wärmeempfindlichen Halbleiterchips zu unterbinden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäuse in getrennten Bereichen weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden Halbleiterchips hergestellt, die durch unterschiedliche Wärmeempfindlichkeit gekennzeichnet sind und für ein Halbleitermodul vorgesehen sind. Anschließend wird eine Thermobarriere zwischen thermisch zu entkoppelnden benachbarten Bereichen auf ein Verdrahtungssubstrat aufgebracht.
  • Anschließend werden die Halbleiterchips auf das gemeinsame Verdrahtungssubstrat, jedoch verteilt, in den thermisch entkoppelten Bereichen untergebracht. Schließlich werden die Bauteilkomponenten, nämlich die Halbleiterchips, das Verdrahtungssubstrat und die Thermobarriere in eine gemeinsame Kunststoffgehäusemasse unter Einbetten der Thermobarriere verpackt. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass von außen dem Halbleitermodul nicht anzusehen ist, ob eine Thermobarriere in das Kunststoffgehäuse integriert ist. Somit kann ein derartiges Halbleiterbauteil mithilfe der bekannten Spritzgusstechnologie in eine Kunststoffgehäusemasse verpackt werden, ohne die standardisierten Gehäusetypen zu ändern.
  • Eine Alternative zu diesem Verfahren sieht vor, dass ein Thermobarriereelement vorbereitet und in einer Spritzgussform positioniert und fixiert wird. Schließlich wird beim Packen der Komponenten in einer Kunststoffgehäusemasse dieses in der Spritzgussform vorpositionierte Thermobarriereelement auf dem Substrat angeordnet. Das Fixieren einer derartigen Thermobarriere in einer Spritzgussform kann kraftschlüssig erfolgen, sodass ein Fixieren darin besteht, das Thermobarriereelement in die Spritzgussform einzupressen.
  • Beim Aufbringen des Thermobarriereelementes auf das Substrat besteht die Gefahr, dass der hohe Spritzgussdruck dafür sorgt, dass sich das Thermoelement auf dem Substrat verschiebt. Deshalb ist es in einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens vorgesehen, dass die Thermobarriere Durchgangsöffnungen aufweist, um eine gleichmäßige Verteilung der Kunststoffgehäusemasse beim Spritzgießen zu gewährleisten. Dieses wird besonders dann angewandt, wenn die Thermobarriere, bzw. das Thermobarriereelement, den wärmeempfindlichen Halbleiterchip vollständig umgibt, sodass es durch die Öffnungen in dem Thermobarriereelement gelingt, den von der Thermobarriere umgebenen Bereich vollständig mit Kunststoffgehäusemasse aufzufüllen, ohne die Position des Thermobarriereelements zu verschieben.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass mit der erfindungsgemäßen Lösung Halbleiterchips mit unterschiedlicher Verlustwärmeentwicklung in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse innerhalb eines Halbleitermoduls eingebaut werden können. Dabei weist die Wärmebarriere ein Kunststoffmaterial auf, das eine deutlich geringere Wärmeleitfähigkeit hat als die Kunststoffgehäusemasse. Dabei kann das Thermobarriereelement den thermisch zu isolierenden Halbleiterchip ringförmig umgeben.
  • Für die Wirksamkeit der Wärmebarriere ist es jedoch nicht entscheidend, ob das IC mit der höchsten Verlustwärmeentwicklung oder das IC mit der geringeren Verlustwärmeentwicklung von der Thermobarriere umschlossen wird. Für das thermische Management ist es jedoch von Vorteil, dass der Halbleiterchip mit der geringeren Verlustwärmeentwicklung von der Thermobarriere umgeben wird. Die Thermobarriere hat vorzugsweise eine geringere Höhe als die Kunststoffgehäusemasse, sodass sowohl die Halbleiterchips als auch die Thermobarriere dreiseitig von der Kunststoffgehäusemasse umschlossen sind.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitermodul einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt eine Schnittansicht durch das Halbleitermodul gemäß 1 entlang der Schnittebene A-A;
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitermodul 9 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Dieses Halbleitermodul 9 weist zwei Halbleiterchips 1 und 2 auf, die in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse 6 eingebettet sind. Die Halbleiterchips 1 und 2 sind auf einem Verdrahtungssubstrat 7 angeordnet und über Flipchip-Kontakte 12 mit einer Verdrahtungsstruktur 13 des Verdrahtungssubstrats 7 elektrisch verbunden. Diese Verdrahtungsstruktur 13 ist über nicht gezeigte Durchkontakte durch das Verdrahtungssubstrat 7 mit Außenkontaktflächen 14 des Halbleitermoduls 9 auf der Unterseite 15 des Verdrahtungssubstrats 7 verbunden, wobei die Außenkontaktflächen 14 Außenkontakte 16 in Form von Lotbällen tragen.
  • In dieser Ausführungsform der Erfindung weist das Halbleitermodul 9 zwei Bereiche 4 und 5 auf, wobei der eine Bereich 4 den wärmeempfindlichen Halbleiterchip 2, der in diesem Fall ein dynamischer Speicher ist, durch eine Thermobarriere 8 thermisch von dem Bereich 5, der den Halbleiterchip 1, der in dieser Ausführungsform ein Mikroprozessor mit hoher Verlustwärmeentwicklung ist, entkoppelt. Die Thermobarriere 8 umgibt den Halbleiterchip 2 vollständig, wobei in dieser Ausführungsform der Erfindung die Thermobarriere 8 eine typische Wärmeleitfähigkeit von 0,2 W/mK aufweist, und die Kunststoffgehäusemasse 6 eine Wärmeleitfähigkeit von 0,7 W/mK besitzt. Die Breite B der Thermobarriere 8 ist in dieser Ausführungsform der Erfindung 6 mm, während die Dicke D der Halbleiterchips 1 bzw. 2 lediglich 0,55 mm beträgt.
  • Der Abstand zwischen den beiden benachbarten Halbleiterchips 1 und 2 beträgt ungefähr 10 mm. Eine überschlägige Rechnung ergibt, dass der thermische Widerstand durch die Thermobarriere 8 um den Faktor 1,8 erhöht ist gegenüber einem Halbleitermodul, bei dem keine Thermobarriere 8 vorgesehen ist. Somit wird der Wärmeübergang zwischen den einzelnen Halbleiterchips bei diesem Multichiphalbleitermodul durch die Thermobarriere aus Kunststoff gebremst, wobei der Kunststoffkörper der Thermobarriere 8 vollständig in die Kunststoffgehäusemasse 6 eingebettet ist und somit von außen dieses Halbleitermodul nicht von herkömmlichen Halbleitermodulen unterscheidbar ist. Erst durch eine Röntgenaufnahme oder durch einen Querschnitt durch das Halbleitermodul wird die Größe der Thermobarriere sichtbar.
  • 2 zeigt eine Schnittansicht durch das Halbleitermodul 9 gemäß 1 entlang der Schnittebene A-A. In dieser Ausführungsform der Erfindung sind die Halbleiterchips 1 und 2 in ihrer flächigen Erstreckung gleich groß, wobei der wärmeempfindliche Halbleiterchip 2 in einem Bereich 4 angeordnet ist, der vollständig von einer Thermobarriere 8 umgeben ist. Diese Thermobarriere 8 wurde in Form eines Thermobarriereelements 10 vor dem Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse 6 auf die Oberseite 17 des Verdrahtungssubstrats 7 geklebt. Die Halbleiterchips 1 und 2 sind mit der Verdrahtungsstruktur 14 auf der Oberseite 17 des Verdrahtungssubstrats 7 über Flipchip-Kontakte verbunden, die in dieser Schnittebene nicht zu sehen sind. Das Kunststoffgehäuse 3 weist eine Kunststoffgehäusemasse 6 auf, die in ihrer flächigen Erstreckung geringer ist als die flächige Erstreckung der Oberseite 17 des Verdrahtungssubstrats 7. Außerdem ist das Kunststoffgehäuse 3 in seinen Randseiten 18, 19, 20 und 21 leicht geneigt gegenüber der Schnittebene ausgebildet.
  • Das Thermobarriereelement 10 weist in der Schnittebene Öffnungen 22 auf, die in den Seitenbereichen der Thermobarriere 8 angeordnet sind, die nicht benachbart zu dem Verlustwärme erzeugenden Halbleiterchip 1 angeordnet sind. Diese Öffnungen 22 sorgen dafür, dass beim Einbringen der Kunststoffgehäusemasse 6 der von der Thermobarriere 8 umgebene Bereich 4 vollständig mit Kunststoffgehäusemasse 6 aufgefüllt wird.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul 11 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Unterschied der zweiten Ausführungsform gemäß 3 gegenüber der Ausführungsform gemäß 1 besteht darin, dass die Halbleiterchips 1 und 2 eine unterschiedliche flächige Erstreckung aufweisen, wobei der wärmeerzeugende Chip 1, dessen Kontur mit einer gestrichelten Linie 23 gekennzeichnet ist, eine größere Fläche beansprucht als der wärmeempfindliche Halbleiterchip 2, welcher zweiseitig von einem Thermobarriereelement 10, dessen Kontur durch eine strichpunktierte Linie 24 markiert ist, umgeben ist. In diesem Falle sind keine Öffnungen in der Thermobarriere 8 vorgesehen, da auf zwei Seiten des Halbleiterchips 2 kein Hindernis vorhanden ist, sodass die Kunststoffgehäusemasse 6 beim Spritzgießen den Halbleiterchip 2 und die Thermobarriere 8 vollständig einbetten kann.
    • 1
    Halbleiterchip
    2
    Halbleiterchip
    3
    Kunststoffgehäuse
    4
    Bereich
    5
    Bereich
    6
    Kunststoffgehäusemasse
    7
    Verdrahtungssubstrat
    8
    Thermobarriere
    9
    Halbleitermodul
    10
    Thermobarriereelement
    11
    Halbleitermodul
    12
    Flipchip-Kontakte
    13
    Verdrahtungsstruktur
    14
    Außenkontaktfläche
    15
    Unterseite des Verdrahtungssubstrats
    16
    Außenkontakte
    17
    Oberseite des Verdrahtungssubstrats
    18
    Randseite
    19
    Randseite
    20
    Randseite
    21
    Randseite
    22
    Öffnungen in der Thermobarriere
    23
    gestrichelte Linie
    24
    strichpunktierte Linie
    B
    Breite der Thermobarriere
    D
    Dicke der Halbleiterchips

Claims (15)

  1. Halbleitermodul mit Halbleiterchips (1, 2) in einem Kunststoffgehäuse (3) in getrennten Bereichen (4, 5), wobei die Halbleiterchips (1, 2) in einer gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) eingebettet und auf einem gemeinsamen Verdrahtungssubstrat (7) in benachbarten Bereichen (4, 5) angeordnet sind, und wobei auf dem Verdrahtungssubstrat (7) zwischen den Bereichen (4, 5) eine Thermobarriere (8) angeordnet ist, die ein Material aufweist, dessen spezifische Wärmeleitung WB kleiner als die spezifischen Wärmeleitung WK der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) ist und die den Wärmeübergang von einem Bereich (4) zu einem benachbarten Bereich (5) behindert, und wobei die Thermobarriere (8), die Halbleiterchips (1, 2) und das Substrat (7) von der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) umgeben sind.
  2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterchips (1, 2) durch unterschiedliche Verlustwärmeentwicklung gekennzeichnet sind.
  3. Halbleitermodul nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) ein Material aufweist, dessen spezifische Wärmeleitung WB weniger als ein Drittel der spezifischen Wärmeleitung WK der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) mit WK ≥ 3 WB aufweist.
  4. Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite B der Thermobarriere (8) mindestens die fünffache Dicke D der Halbleiterchips mit B ≥ 5D aufweist.
  5. Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) einseitig einen zu schützenden Bereich (4) gegenüber einem benachbarten Bereich (5) thermisch abschirmt.
  6. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) zweiseitig einen zu schützenden Bereich (4) umgibt.
  7. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) dreiseitig einen zu schützenden Bereich (4) umgibt.
  8. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) vollständig einen zu schützenden Bereich (4) umgibt.
  9. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) ein sinterkeramisches vorgefertigtes Element aufweist, das auf dem Verdrahtungssubstrat (7) fixiert ist.
  10. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) ein Kunststoffmaterial mit einem zur Kunststoffgehäusemasse (6) unterschiedlichen Fullstoffmaterial aufweist.
  11. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) einen Bereich (4) umgibt, in dem mindestens ein Halbleiterchip (2) höherer Wärmeempfindlichkeit verglichen mit einem benachbarten Halbleiterchip (1), angeordnet ist.
  12. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermobarriere (8) einen Bereich (4) umgibt, in dem mindestens ein Halbleiterchip (2), der durch eine verminderte Verlustwärmeentwicklung gekennzeichnet ist, angeordnet ist.
  13. Verfahren, bei dem ein Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1–12 hergestellt wird, mit folgenden Schritten: – Herstellen von Halbleiterchips (1, 2), die durch unterschiedliche Wärmeempfindlichkeit gekennzeichnet sind, für ein Halbleitermodul (9); – Aufbringen einer Thermobarriere (8) zwischen thermisch zu entkoppelnden benachbarten Bereichen (4, 5) auf ein Verdrahtungssubstrat (7); – Aufbringen der Halbleiterchips (1, 2) auf das gemeinsame Verdrahtungssubstrat (7) in den thermisch entkoppelten Bereichen (4, 5); – Verpacken der Bauteilkomponenten in eine gemeinsame Kunststoffgehäusemasse (6) unter Einbetten der Thermobarriere (8).
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Aufbringen einer Thermobarriere (8) zwischen thermisch zu entkoppelnden benachbarten Bereichen (4, 5) der wärmeempfindlichere Halbleiterchip (2) von der Thermobarriere (8) in der gemeinsamen Kunststoffgehäusemasse (6) vollständig umgeben wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen eines Thermobarriereelementes (10) mit einem Spritzgussvorgang erfolgt, indem ein Thermobarriereelement (10) in einer Spritzgussform vor dem Spritzgießen positioniert und fixiert wird.
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