DE102005054268B4 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip Download PDF

Info

Publication number
DE102005054268B4
DE102005054268B4 DE102005054268A DE102005054268A DE102005054268B4 DE 102005054268 B4 DE102005054268 B4 DE 102005054268B4 DE 102005054268 A DE102005054268 A DE 102005054268A DE 102005054268 A DE102005054268 A DE 102005054268A DE 102005054268 B4 DE102005054268 B4 DE 102005054268B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor chip
heat sink
mounting substrate
electrical contacts
intermediate layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102005054268A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005054268A1 (de
Inventor
Dipl.-Ing. Bauer Michael
Dr. Kessler Angelika
Dr. Schober Wolfgang
Dr. Haimerl Alfred
Dr. Mahler Joachim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102005054268A priority Critical patent/DE102005054268B4/de
Priority to US11/598,203 priority patent/US7768107B2/en
Publication of DE102005054268A1 publication Critical patent/DE102005054268A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005054268B4 publication Critical patent/DE102005054268B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334Auxiliary members in encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (1) mit mindestens einem Halbleiterchip (2), das folgende Schritte umfasst: – Bereitstellen eines Halbleiterchips (2) mit einer aktiven Oberseite (3) mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten; – Bereitstellen eines Montagesubstrats (4) mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten (5); – Aufbringen des Halbleiterchips (2) auf das Montagesubstrat (4) und herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den elektrischen Kontakten auf der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) und dem Montagesubstrat (4) über Bonddrähte (6); – Abscheiden einer lötbaren Zwischenschicht (7) auf die aktive Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) unter Auslassen der elektrischen Kontakte; – Umhüllen des Halbeiterchips (2) und zumindest von Teilen des Montagesubstrats (4) mit einem Kunststoffgehäuse (8), wobei in dem Kunststoffgehäuse (8) eine Öffnung für einen Kühlkörper (9) freigehalten wird; – danach Auflöten eines Kühlkörpers (9) auf die Zwischenschicht (7), wobei der Kühlkörper (9) elektrisch mit dem Halbleiterchip (2) verbunden...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip, der auf einem Montagesubstrat angeordnet und über Bonddrähte elektrisch mit diesem verbunden ist.
  • Beim Betrieb von Halbleiterbauteilen entstehende Wärme muss ausreichend schnell abgeführt werden, weil es sonst zu einem Versagen des Bauteils kommen kann. Je kleiner und gleichzeitig komplexer Halbleiterbauteile werden, umso größer ist die mit der effektiven Abfuhr von Wärme verbundene Herausforderung.
  • Typischerweise wird ein metallischer Kühlkörper auf den Halbleiterchip aufgeklebt, wobei der Klebstoff mit metallischen Partikeln versetzt sein kann, um eine bessere Wärmeleitung zu ermöglichen. Eine Erhöhung der Wärmeleitung wäre durch ein direktes Auflöten des Kühlkörpers auf den Halbleiterchip erzielbar. Weil jedoch das Material des Halbleiterchips, beispielsweise SiO2, nicht lötbar ist, wurde bisher auf Klebstoffe zurückgegriffen.
  • Aus der US 6 770 513 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils bekannt, bei der auf die inaktive Rückseite eines Flip-Chips eine lötbare Zwischenschicht aufgebracht wird, auf die anschließend ein metallischer Kühlkörper aufgelötet werden kann. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass es gegenüber dem Aufbringen eines Kühlkörpers mittels eines Klebstoffes eine wesentlich bessere Wärmeleitung ermöglicht.
  • Es ist jedoch nur bedingt für den Einsatz bei einem Halbleiterchip geeignet, der nicht als Flip-Chip ausgeführt, sondern der mit seiner Rückseite auf einem Montagesubstrat angeordnet und durch Bonddrähte elektrisch mit diesem verbunden ist.
  • Die US 5 625 226 A1 offenbart ein Halbleiterbauteil mit einem auf einem Flachleiterrahmen montierten Halbleiterchip, der durch Bonddrähte kontaktiert wird und auf seiner aktiven Oberseite einen auf diese aufgelöteten, elektrisch und/oder thermisch mit ihr verbundenen Kühlkörper aufweist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein möglichst einfaches Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das auf einem Montagesubstrat angeordnet und mit diesem über Bonddrähte verbunden ist, anzugeben, das eine möglichst effektive Wärmeabfuhr gewährleistet.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Nach der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip folgende Schritte: Zunächst wird ein Halbleiterchip mit einer aktiven Oberseite bereitgestellt, der auf seiner aktiven Oberseite eine Vielzahl elektrischer Kontakte aufweist. Ferner wird ein Montagesubstrat, beispielsweise ein Umverdrahtungssubstrat oder ein Flachleiterrahmen, mit einer Vielzahl elektrischer Kontakte bereitgestellt.
  • Der Halbleiterchip wird mit seiner passiven Rückseite auf das Montagesubstrat aufgebracht und es werden mittels Bonddrähten elektrische Verbindungen zwischen den Kontakten auf der aktiven Oberseite und den Kontakten auf dem Montagesubstrat hergestellt.
  • Anschließend wird eine lötbare Zwischenschicht auf die aktive Oberseite unter Auslassen der elektrischen Kontakte aufgebracht und ein beispielsweise metallischer Kühlkörper auf die lötbare Zwischenschicht aufgelötet.
  • Vor dem Auflöten des Kühlkörpers wird das Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse versehen. Dazu werden der Halbleiterchip und die Bonddrähte sowie Teile des Montagesubstrats mit einer Kunststoffgehäusemasse umhüllt. Da der Kühlkörper erst nach dem Umhüllen aufgelötet werden soll, wird für ihn eine Öffnung im Kunststoffgehäuse freigehalten, in die er später eingefügt werden kann.
  • Ein Einbau des Kühlkörpers nach Umhüllen des Halbleiterbauteils mit der Kunststoffmasse hat den Vorteil, dass der Kühlkörper nicht durch die Kunststoffmasse verschmutzt werden kann. Außerdem können Kühlkörper mit ganz verschiedenen Strukturen, insbesondere ganz verschiedenen Oberflächen eingesetzt werden, da ein Abdichten der Kühlkörperoberseite während des Umhüllens nicht notwendig ist.
  • Das erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterbauteil mit mindestens einem Halbleiterchip mit einer aktiven Oberseite ist auf einem Montagesubstrat angeordnet, wobei die aktive Oberseite des Halbleiterchips eine Vielzahl von elektrischen Kontakten aufweist, die mit elektrischen Kontakten des Montagesubstrats über Bonddrähte elektrisch verbunden sind. Auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips ist ein Kühlkörper angeordnet. Zwischen der aktiven Oberseite des Halbleiterchips und dem Kühlkörper ist eine lötbare Zwischenschicht angeordnet, mit der der Kühlkörper über eine Lotverbindung verbunden ist.
  • Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass bei einem über Bonddrähte kontaktierten Halbleiterchip der Kühlkörper nicht auf der passiven Rückseite, sondern auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips angeordnet werden sollte. Einerseits ist diese Anordnung im Hinblick auf eine effektive Wärmeabfuhr besser, weil die Wärme gleich dort, wo sie entsteht, nämlich auf der aktiven Oberseite, abgeführt wird und nicht erst den Weg durch ein schlecht wärmeleitendes Substrat nehmen muss.
  • Andererseits stellt diese Anordnung aber auch eine besondere Herausforderung dar, weil bei dem Aufbringen der lötbaren Zwischenschicht und des Kühlkörpers auf die aktive Oberseite Rücksicht auf die dort ebenfalls angeordneten elektrischen Kontakte und auf die Bonddrähte genommen werden muss, die um den Halbleiterchip herum auf das Montagesubstrat geführt werden müssen.
  • Vorteilhafterweise weist daher der Kühlkörper einen oberen Teil mit einer Querschnittsfläche A und einen unteren Teil mit einer Querschnittsfläche a auf, wobei A > a. Der obere Teil, dessen Aufgabe es ist, die auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips entstandene Wärme an die Umgebung abzuführen, hat also eine größere Querschnittsfläche als der untere Teil, dessen Aufgabe es ist, die Wärme von der aktiven Oberfläche in den oberen Teil des Kühlkörpers zu leiten, und der sich mit den elektrischen Kontakten und den Bonddrähten den knappen Platz auf der aktiven Oberseite teilen muss. Damit ist die Form des Kühlkörpers optimal an die an ihn gestellten Anforderungen angepasst.
  • Die lötbare Zwischenschicht kann beispielsweise Nickel, eine Nickel-Palladium-Legierung oder Kupfer enthalten. Diese Materialien liefern eine gut lötbare Oberfläche und bieten gleichzeitig gute Wärmeleitungseigenschaften.
  • Der Kühlkörper ist vorteilhafterweise elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden. Der Halbleiterchip kann dann beispielsweise über den Kühlkörper geerdet werden.
  • Als Montagesubstrat ist vorteilhafterweise ein Umverdrahtungssubstrat vorgesehen. Es ist auch ein Flachleiterrahmen als Montagesubstrat denkbar.
  • Zum Schutz der empfindlichen Komponenten vor Beschädigungen, insbesondere vor Korrosionsschäden, weist das Halbleiterbauteil vorteilhafterweise ein Kunststoffgehäuse auf. Dabei sind beispielsweise der Halbleiterchip, die Bonddrähte sowie Teile des Kühlkörpers und Teile des Montagesubstrates von der Kunststoffgehäusemasse umschlossen.
  • Der obere Teil des Kühlkörpers, der für die Abgabe der Wärme an die Umgebung vorgesehen ist, ragt aus der Kunststoffgehäuse heraus, während der untere Teil von der Kunststoffgehäusemasse umschlossen ist.
  • Bei dieser Anordnung ist einerseits der Platzbedarf für den Kühlkörper auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips so gering wie möglich. Andererseits kann der Kühlkörper auch mit einer großen Fläche zur schnellen Abfuhr der Wärme außerhalb des Kunststoffgehäuses versehen werden, wo ausreichend Platz vorhanden ist.
  • Das erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterbauteil hat den Vorteil, dass die Lotverbindung gegenüber einem Klebstoff eine deutlich verbesserte Wärmeleitung ermöglicht, außerdem ist eine elektrische Verbindung von Kühlkörper und Halbleiterchip möglich. Zudem nimmt die Lotverbindung nicht so leicht Feuchtigkeit auf wie eine Klebstoffverbindung. Es kommt also bei dem Bauteil nicht so leicht zu einem korrosionsbedingten Ausfall oder zu einem Aufplatzen des Kunststoffgehäuses bei Erwärmen aufgrund des „Popcorn-Effektes”.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen auf ein Montagesubstrat aufgebrachten Halbleiterchip mit einer lötbaren Zwischenschicht auf seiner aktiven Oberseite;
  • 2 zeigt den Halbleiterchip nach Umhüllen mit einer Kunststoffgehäusemasse;
  • 3 zeigt einen Halbleiterchip nach Auflöten eines Kühlkörpers in einem nicht die Erfindung zeigenden Beispiel;
  • 4 zeigt das fertige Halbleiterbauteil mit dem Kühlkörper und dem Kunststoffgehäuse.
  • Gleiche Teile sind in allen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Das Halbleiterbauteil 1 gemäß 1 umfasst einen Halbleiterchip 2 mit einer aktiven Oberseite 3, der auf einem Montagesubstrat 4 angeordnet ist. Das Montagesubstrat 4 kann beispielsweise ein Umverdrahtungssubstrat oder ein Flachleiterrahmen sein.
  • Der Halbleiterchip 2 weist auf seiner aktiven Oberseite eine Vielzahl von elektrischen Kontakten 10 auf, die mit elektrischen Kontakten 5 auf dem Montagesubstrat über Bonddrähte 6 elektrisch verbunden sind. Dazu ist der Halbleiterchip 2 mit seiner Rückseite auf dem Montagesubstrat 4 angeordnet, so dass Bonddrähte 6 von der aktiven Oberseite 3 zum Montagesubstrat 4 gezogen werden können.
  • Beim Betrieb des Halbleiterbauteils 1 entsteht vor allem auf der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 Wärme, die abgeführt werden muss, weil es sonst zu einem Versagen des Halbleiterbauteils 1 kommen kann. Da das Halbleitersubstrat, aus dem der Halbleiterchip 2 größtenteils besteht, beispielsweise Silizium, kein besonders guter Wärmeleiter ist, ist es zweckmäßig, die Wärme gleich dort, wo sie entsteht, nämlich an der aktiven Oberseite 3 durch einen Kühlkörper abzuführen.
  • Eine besonders effektive Abfuhr der Wärme erzielt man dadurch, dass der Kühlkörper auf die aktive Oberseite 3 nicht aufgeklebt, sondern aufgelötet wird, da eine Lotverbindung Wärme im Allgemeinen besser leitet als Klebstoffe.
  • Die aktive Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 muss vor dem Auflöten eines Kühlkörpers mit einer lötbaren Zwischenschicht 7 versehen werden. Diese wird vor oder nach der Montage des Halbleiterchips 2 auf dem Montagesubstrat 4 auf der aktiven Oberseite 3 abgeschieden. Die lötbare Zwischenschicht 7 muss einerseits gute Hafteigenschaften auf dem Material der aktiven Oberseite 3, das beispielsweise SiO2 sein kann, aufweisen und andererseits eine lötbare Oberfläche zum Auflöten eines Kühlkörpers 9 bereitstellen.
  • Zudem muss die lötbare Zwischenschicht 7 unter Freilassen der elektrischen Kontakte 10 des Halbleiterchips 2 derart auf der aktiven Oberseite 3 aufgebracht sein, dass die Kontaktierung des Halbleiterchips 2 durch Bonddrähte 6 nicht behindert wird. Allerdings sollte für die lötbare Zwischenschicht 7 auch eine möglichst große Fläche auf der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 zur Verfügung gestellt werden, um eine effektive Abfuhr der Wärme zu gewährleisten.
  • Die lötbare Zwischenschicht 7 wird daher zweckmäßigerweise auf einen Bereich der aktiven Oberseite 3 aufgebracht, der keine elektrischen Kontakte 10 aufweist, beispielsweise auf den Zentralbereich.
  • Das Halbleiterbauteil 2 kann nach dem Aufbringen der lötbaren Zwischenschicht 7 wie in 2 dargestellt mit einem Kunststoffgehäuse 8 umhüllt werden. In einem nicht zur Erfindung gehörenden Beispiel kann auch vor dem Umhülllen zunächst wie in 3 dargestellt der Kühlkörper 9 auf die lötbare Zwischenschicht 7 aufgelötet werden.
  • Der Kühlkörper 9 umfasst einen oberen Teil 11, der typischerweise aus dem Kunststoffgehäuse 8 herausragt, und einen unteren Teil 12, der von dem Kunststoffgehäuse 8 umschlossen ist, wobei der obere Teil 11 eine Breite D aufweist, aus der sich abhängig von der Geometrie des Kühlkörpers 9 die Querschnittsfläche A ergibt. Der untere Teil 12 weist eine Breite d und eine Querschnittsfläche a auf. Die Breiten D und d können gleich, aber auch unterschiedlich sein. Während der obere Teil 11 die Aufgabe hat, Wärme an die Umgebung abzugeben, hat der untere Teil 12 die Aufgabe, die Wärme von der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 in den oberen Teil 11 zu leiten.
  • Wird das Halbleiterbauteil 1 zuerst mit dem Kunststoffgehäuse 8 umhüllt, so wird zweckmäßigerweise die lötbare Oberfläche 7 oder Teile von ihr beim Umhüllen freigehalten, so dass sich eine Öffnung 13 bildet, in die der Kühlkörper 9 anschließend einfach eingesetzt werden kann. Dabei wird er auf die lötbare Zwischenschicht 7 aufgelötet. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass der Kühlkörper 9 durch die Kunststoffmasse nicht verschmutzt werden kann.
  • 4 zeigt das Halbleiterbauteil 1 nach dem Auflöten des Kühlkörpers 9 und dem Umhüllen mit dem Kunststoffgehäuse 8. Der Kühlkörper 9 muss verschiedene Anforderungen erfüllen. Er sollte aus einem gut wärmeleitenden Material wie Metall bestehen. Er muss einerseits eine möglichst große Oberfläche aufweisen, um die entstehende Wärme möglichst schnell abführen zu können. Andererseits muss er wegen seiner Anordnung auf der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2, auf der er mit den elektrischen Kontakten 10 und den Bonddrähten 6 um den begrenzten Platz konkurriert, so geformt sein, dass er ein Bonden mittels Bonddrähten 6 überhaupt ermöglicht.
  • In dem in 3 beziehungsweise 4 gezeigten Beispiel beziehungsweise Ausführungsbeispiel ist diesen unterschiedlichen Anforderungen dadurch Rechnung getragen, dass die Breite D des oberen Teils 11 größer ist als die Breite d des unteren Teils 12, so dass der Kühlkörper 9 im unteren Teil 12 eine kleinere Grundfläche aufweist als in im oberen Teil 11, der nach dem Umhüllen des Halbleiterbauteils 1 mit dem Kunststoffgehäuse 8 aus dem Kunststoffgehäuse 8 herausragt und für die Abgabe der Wärme an die Umgebung sorgt.
  • Auf diese Weise können die elektrischen Kontakte 10 problemlos freigelassen und die Bonddrähte 6 an dem Kühlkörper 9 vorbeigeführt werden.

Claims (7)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (1) mit mindestens einem Halbleiterchip (2), das folgende Schritte umfasst: – Bereitstellen eines Halbleiterchips (2) mit einer aktiven Oberseite (3) mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten; – Bereitstellen eines Montagesubstrats (4) mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten (5); – Aufbringen des Halbleiterchips (2) auf das Montagesubstrat (4) und herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den elektrischen Kontakten auf der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) und dem Montagesubstrat (4) über Bonddrähte (6); – Abscheiden einer lötbaren Zwischenschicht (7) auf die aktive Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) unter Auslassen der elektrischen Kontakte; – Umhüllen des Halbeiterchips (2) und zumindest von Teilen des Montagesubstrats (4) mit einem Kunststoffgehäuse (8), wobei in dem Kunststoffgehäuse (8) eine Öffnung für einen Kühlkörper (9) freigehalten wird; – danach Auflöten eines Kühlkörpers (9) auf die Zwischenschicht (7), wobei der Kühlkörper (9) elektrisch mit dem Halbleiterchip (2) verbunden wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für die lötbare Zwischenschicht (7) ein nickelhaltiges Material verwendet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass für die lötbare Zwischenschicht (7) ein eine Nickel-Palladium-Legierung enthaltendes Material verwendet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für die lötbare Zwischenschicht (7) ein kupferhaltiges Material verwendet wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Montagesubstrat (4) ein Umverdrahtungssubstrat vorgesehen ist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Montagesubstrat (4) ein Flachleiterrahmen vorgesehen ist.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (9) einen oberen Teil (11) mit einer Querschnittsfläche A und einen unteren Teil (12) mit einer Querschnittsfläche a aufweist mit A > a.
DE102005054268A 2005-11-11 2005-11-11 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip Expired - Fee Related DE102005054268B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005054268A DE102005054268B4 (de) 2005-11-11 2005-11-11 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip
US11/598,203 US7768107B2 (en) 2005-11-11 2006-11-13 Semiconductor component including semiconductor chip and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005054268A DE102005054268B4 (de) 2005-11-11 2005-11-11 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005054268A1 DE102005054268A1 (de) 2007-05-24
DE102005054268B4 true DE102005054268B4 (de) 2012-04-26

Family

ID=37989291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005054268A Expired - Fee Related DE102005054268B4 (de) 2005-11-11 2005-11-11 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7768107B2 (de)
DE (1) DE102005054268B4 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8039316B2 (en) * 2009-04-14 2011-10-18 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stacked integrated circuit and heat spreader with openings and method of manufacture thereof
TWI536515B (zh) * 2010-11-02 2016-06-01 創意電子股份有限公司 具有散熱結構之半導體封裝元件及其封裝方法
DE102011012186B4 (de) * 2011-02-23 2015-01-15 Texas Instruments Deutschland Gmbh Chipmodul und Verfahren zur Bereitstellung eines Chipmoduls
DE102011081606B4 (de) * 2011-08-26 2022-08-04 Infineon Technologies Ag Kühlvorrichtung und Lötanlage
KR101994727B1 (ko) * 2013-12-18 2019-07-01 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4620215A (en) * 1982-04-16 1986-10-28 Amdahl Corporation Integrated circuit packaging systems with double surface heat dissipation
EP0488783A2 (de) * 1990-11-30 1992-06-03 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Mit einer Wärmesenke versehener Leiterrahmen für eine Halbleiteranordnung
DE19500422A1 (de) * 1994-01-11 1995-07-13 Samsung Electronics Co Ltd Halbleiterbaustein mit hoher thermischer Emission
US5625226A (en) * 1994-09-19 1997-04-29 International Rectifier Corporation Surface mount package with improved heat transfer
DE19932442A1 (de) * 1999-07-12 2000-09-28 Siemens Ag Vergossenes Halbleiterbauelement mit beidseitiger Entwärmung
WO2002061830A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Young Sun Kim Heat dissipation type semiconductor package and method of fabricating the same
US6770513B1 (en) * 1999-12-16 2004-08-03 National Semiconductor Corporation Thermally enhanced flip chip packaging arrangement

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6264093B1 (en) * 1998-11-02 2001-07-24 Raymond W. Pilukaitis Lead-free solder process for printed wiring boards
US6265771B1 (en) * 1999-01-27 2001-07-24 International Business Machines Corporation Dual chip with heat sink
US6184580B1 (en) * 1999-09-10 2001-02-06 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Ball grid array package with conductive leads
KR100443399B1 (ko) * 2001-10-25 2004-08-09 삼성전자주식회사 보이드가 형성된 열 매개 물질을 갖는 반도체 패키지
DE10201781B4 (de) * 2002-01-17 2007-06-06 Infineon Technologies Ag Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE60326587D1 (de) * 2003-10-13 2009-04-23 Infineon Technologies Ag Halbleitergehäuse mit Wärmeverteiler
DE102004052921A1 (de) * 2004-10-29 2006-05-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit externen Kontaktierungen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4620215A (en) * 1982-04-16 1986-10-28 Amdahl Corporation Integrated circuit packaging systems with double surface heat dissipation
EP0488783A2 (de) * 1990-11-30 1992-06-03 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Mit einer Wärmesenke versehener Leiterrahmen für eine Halbleiteranordnung
DE19500422A1 (de) * 1994-01-11 1995-07-13 Samsung Electronics Co Ltd Halbleiterbaustein mit hoher thermischer Emission
US5625226A (en) * 1994-09-19 1997-04-29 International Rectifier Corporation Surface mount package with improved heat transfer
DE19932442A1 (de) * 1999-07-12 2000-09-28 Siemens Ag Vergossenes Halbleiterbauelement mit beidseitiger Entwärmung
US6770513B1 (en) * 1999-12-16 2004-08-03 National Semiconductor Corporation Thermally enhanced flip chip packaging arrangement
WO2002061830A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Young Sun Kim Heat dissipation type semiconductor package and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
US7768107B2 (en) 2010-08-03
US20070145552A1 (en) 2007-06-28
DE102005054268A1 (de) 2007-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10333841B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nutzens mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
DE10129388B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
DE112006002488B4 (de) Halbleiter-Baueinheit
DE102005034485B4 (de) Verbindungselement für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterleistungsbauelements
DE102014212376B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102005054872B4 (de) Vertikales Leistungshalbleiterbauelement, Halbleiterbauteil und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009055691B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102018207345B4 (de) Flexible Wärmeverteilungskappe
DE10251248A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE10236689A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102011088218B4 (de) Elektronisches Leistungsmodul mit thermischen Kopplungsschichten zu einem Entwärmungselement und Verfahren zur Herstellung
DE102005054268B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit mindestens einem Halbleiterchip
DE102019130778A1 (de) Ein Package, welches ein Chip Kontaktelement aus zwei verschiedenen elektrisch leitfähigen Materialien aufweist
DE102004041088B4 (de) Halbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011012186B4 (de) Chipmodul und Verfahren zur Bereitstellung eines Chipmoduls
DE102010061573B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102006012007B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit oberflächenmontierbaren flachen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben und dessen Verwendung
DE102013214730B4 (de) Elektronische Schaltung und Herstellungsverfahren dafür
DE102014200242A1 (de) Gebondetes System mit beschichtetem Kupferleiter
DE102007002807B4 (de) Chipanordnung
DE102013226989A1 (de) Halbleiter-Bauteil mit Chip für den Hochfrequenzbereich
DE102005023949A1 (de) Nutzen und Halbleiterbauteil aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE102005011159B4 (de) Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10319782B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Chipträgerelement
DE102014112025A1 (de) Eingehauste Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

Representative=s name: ,

R020 Patent grant now final

Effective date: 20120727

R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee