DE102004027074A1 - BGA (Ball Grid Array)-Gehäuse mit einer metallischen Kühlfolie - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung beschreibt ein BGA-Gehäuse, welches neben einem Substrat (1) mit aus einem Gehäuse heraus weisenden Lötkugelanschlüssen (3) und zumindest einem Halbleiterchip (4, 14) zur besseren Wärmeableitung aus dem Gehäuse eine metallische Kühlfolie (6) bzw. ein metallisches Kühlblech (19) aufweist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein BGA-Gehäuse mit einer metallischen Kühlfolie und insbesondere ein BGA-Gehäuse mit einer metallischen Kühlfolie, welches einen Flipchip enthält.
- BGA-Gehäuse sind seit längerer Zeit bekannt und werden in der Halbleiterindustrie immer dann eingesetzt, wenn für ICs (Integrated Circuits) hohe Anschlussdichten auf kleinem Raum realisiert werden sollen.
- Ein typisches BGA-Gehäuse weist auf der Oberseite ein Gehäuse aus einer Kunststoffpressmasse und auf der Unterseite einen Träger bzw. ein Substrat mit Lötkugelanschlüssen auf. Bei einem Plastik-BGR-Gehäuse (PBGA) besteht das Substrat aus einem Kunststoffmaterial, bei einem Keramik-BGA-Gehäuse (CBGA) weist das Substrat Keramik auf. Die Lötkugelanschlüsse sind je nach BGA-Typ vollflächig oder in mehreren Reihen angeordnet. Im Inneren weist das BGA-Gehäuse beispielsweise einen konventionell kontaktierten IC, einen Flipchip oder mehrere Halbleiterchips in Stapelbauweise oder nebeneinander auf.
- Herkömmliche BGA-Gehäuse haben den Nachteil, dass die im Halbleiterchip während des Betriebs des Halbleiterbauteils entstehende Wärme nur schlecht abtransportiert werden kann. Zum Wärmeabtransport aus dem Halbleiterchip steht bei einem herkömmlichen BGA-Gehäuse nur ein Ableiten der Wärme in das Substrat mit den Lötkugelanschlüssen zur Verfügung, da die Kunststoffpressmasse, welche den Halbleiterchip und die Kontaktie rungen umgedrehte, typischerweise einen guten thermischen Isolator darstellt.
- Um die Wärmeableitung zu verbessern, werden deshalb Substrate eingesetzt, deren Grundkörper neben dem Plastikmaterial thermisch leitende verstärkte Kupferschichten aufweist.
- Die Verwendung dieser schichtartig aufgebauten Substrate hat den Nachteil, dass – neben den hohen Kosten für ein derartiges Substrat – die Wärmeableitung aus dem Halbleiterchip durch die thermische Leitfähigkeit der Fügestelle zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat begrenzt wird. Bei BGA-Gehäusen, welche in ihrem Inneren einen Flipchip aufweisen, ist diese thermische Leitfähigkeit aufgrund der Dimensionierung der Flipchipkontakte problematisch
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein BGA-Gehäuse bereitzustellen, welches eine gute Wärmeableitung aus dem integrierten Halbleiterchip ermöglicht.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen.
- Ein BGA-Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Substrat mit Lötkugelanschlüssen auf, auf welchem mindestens einen Halbleiterchip befestigt ist.
- Der Halbleiterchip ist entweder auf konventionelle Weise, also mittels Drahtkontakten oder mittels Flipchip-Kontakten mit dem Substrat elektrisch leitend verbunden.
- Ein BGA-Gehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Substrat auf, auf welchem auf einer Seite mindestens ein Halbleiterchip aufgebracht ist. Auf der anderen Seite des Substrats befinden sich aus dem Gehäuse herausragende Lötkugelanschlüsse. Das erfindungsgemäße BGA-Gehäuse enthält des weiteren eine metallische Kühlfolie, welche gemäß der vorliegenden Erfindung zumindest mit Teilbereichen der Oberfläche der auf dem Substrat aufgebrachten Halbleiterchips in direkter, thermisch leitender Verbindung steht. Die auf dem Substrat aufgebrachten Halbleiterchips sind außerdem von einer Kunststoffpressmasse umgeben, die so auf der Seite des Substrats aufgebracht wird, welche den oder die Halbleiterchips aufweist, dass zumindest Teilbereiche der Kühlfolie nicht von der Kunststoffpressmasse bedeckt sind und somit ein guter Wärmeabtransport aus dem erfindungsgemäßen BGA-Gehäuse über die freiliegende Kühlfolie ermöglicht wird.
- Um eine möglichst gute thermische Leitfähigkeit zwischen dem in dem BGA-Gehäuse enthaltenen Halbleiterchip der Kühlfolie zu erzielen, wird die Kühlfolie vorzugsweise mittels einer thermisch leitenden Klebstoffsschicht auf der Halbleiterchip-Oberfläche befestigt. Andere Arten der Verbindung zwischen Halbleiterchip-Oberfläche und Kühlfolie sind ebenfalls möglich. So kann beispielsweise ein inniger Kontakt zwischen Kühlfolie und Halbleiterchip-Oberfläche durch einfaches Aufpressen der Kühlfolie erzeugt werden, falls die Halbleiterchip-Geometrie und die Oberfläche dies zulässt.
- Um eine optimale Wärmeabfuhr aus dem BGA-Gehäuse zu ermöglichen, sollte das Material für die Kühlfolie entsprechend gewählt werden. Insbesondere sind zur Herstellung einer Kühlfo lie gemäß der vorliegenden Erfindung Aluminium, Kupfer, Silber und Legierungen dieser Metalle sowie andere möglichst weiche wärmeleitende Metalle bzw. Legierungen geeignet.
- Um eine ausreichende Wärmeleitfähigkeit zu erreichen, sollte die erfindungsgemäße Kühlfolie eine Stärke bzw. Dicke von mindestens 40 Mikrometern aufweisen.
- In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die Kühlfolie eine Dicke von mindestens 0,1 Millimetern auf, so dass sie auch als "Kühlblech" bezeichnet werden kann. Die Verwendung eines Kühlbleches im Sinne der vorliegenden Erfindung hat den Vorteil, dass das Kühlblech neben dem Wärmeabtransport außerdem einen gewissen mechanischen Schutz für den unter dem Kühlblech liegenden Halbleiterchip bereitstellt, sodass auf eine Verkapselung des Halbleiterchips weitgehendst verzichtet werden kann.
- In einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Halbleiterchip in dem erfindungsgemäßen BGA-Gehäuse durch Flipchip-Kontaktierungen mit dem Substrat verbunden. Dies hat den Vorteil, dass die vom Substrat weg weisende und somit freie Seite des Halbleiterchips keinerlei aktive bzw. empfindliche Strukturen aufweist, sodass nach dem Aufbringen der erfindungsgemäßen Kühlfolie auf der freien Halbleiterchip-Seite insbesondere dann auf einen Schutz des Halbleiterchips vor mechanischen Beschädigungen durch eine zusätzliche Kunststoffpressmassen-Verkapselung verzichtet werden kann, wenn die Kühlfolie eine entsprechende Stärke aufweist.
- Ein BGA-Gehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch für die Montage von Halbleiterchips geeignet, welche durch Drahtkontaktierungen mit dem Substrat verbunden werden. In diesem Fall wird die Kunststoffpressmasse so ausgeformt, dass von der Kunststoffpressmasse auch die Drahtkontaktierungen sowie benachbarte Bereiche des Halbleiterchips eingeschlossen werden, um eine mechanischen Beschädigungen der sehr empfindlichen Drahtkontaktierungen zu vermeiden. Die erfindungsgemäße Kühlfolie steht bei dieser Ausführungsform nur mit den verbleibenden freien Bereich auf der Halbleiterchip-Oberfläche in direkter Verbindung.
- In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden statt einem Halbleiterchip mindestens ein weiterer Halbleiterchip in dem BGA-Gehäuse angeordnet. Soll der kompakte Gehäuseformen erzielt werden, ist es von Vorteil, die Halbleiterchips in Stapelbauweise übereinander anzuordnen. Die Kühlfolie wird dann auf den obersten Halbleiterchip aufgebracht. Soll die Gehäuseform möglichst flach sein, können die Halbleiterchips auch nebeneinander angeordnet werden. Die Kühlfolie wird dann vorzugsweise so aufgebracht, dass sie mit allen Halbleiterchips in direkter Verbindung steht. Durch die Wahl einer Folie mit geeigneter Stärke ist es außerdem möglich, eventuelle Höhenunterschiede zwischen den verschiedenen Halbleiterchips durch mechanisches Verformen der Kühlfolie während der Montage, beispielsweise durch Verwendung eines elastisch verformbaren Anpressstempels, auszugleichen.
- Zur Herstellung eines BGA-Gehäuses mit einer Kühlfolie gemäß der vorliegenden Erfindung wird wie folgt vorgegangen. In einem ersten Schritt wird der Halbleiterchip entweder in Flipchip-Technologie oder auf herkömmliche Weise mit dem Substrat verbunden. Wird der Halbleiterchip in Flipchip-Technologie auf das Substrat aufgebracht, so wird in einem nächsten Schritt die Kunststoffpressmasse vorzugsweise so auf das Substrat aufgebracht, dass die vom Substrat weg weisende Seite des Halbleiterchips frei von der Pressmasse bleibt. Falls der Halbleiterchip über Drahtkontaktierungen mit dem Substrat verbunden ist, werden auch die Drahtkontaktierungen von der Kunststoffpressmasse eingeschlossen. Anschließend wird die Kühlfolie aufgebracht. Dies kann direkt oder unter Verwendung von Klebstoffen geschehen. Wird eine dünne Kühlfolie verwendet, ist es von Vorteil, diese durch Verwendung eines elastisch verformbaren Press- oder Rollenwerkzeuges aufzubringen, da auf diese Weise ein hoher Durchsatz erzielt werden kann und aufgrund der Verformbarkeit des Werkzeuges eine genaue Ausrichtung desselben unnötig ist. Statt der Kühlfolie kann gemäß der vorliegenden Erfindung auch ein Kühlblech verwendet werden. Je nach Gehäusegeometrie kann es dabei von Vorteil sein, ein bereits gebogenes Kühlblech zu verwenden, welches beispielsweise unter Verwendung eines thermisch leitenden Klebstoffs des mit dem Gehäuse verbunden wird. Sowohl Kühlfolie als auch Kühlblech können so ausgestaltet werden, dass entweder die gesamte, von dem Substrat weg weisende Seite des Halbleiterchips oder nur Teilbereiche davon mit der Kühlfolie bzw. mit dem Kühlblech in direktem Kontakt stehen. Des weiteren ist es möglich, dass die Kühlfolie oder das Kühlblech auch zumindest Teilbereiche des Substrates bedeckt. Die Ausformungen von Kühlfolie oder Kühlblech und Kunststoffpressmasse können dabei so aufeinander abgestimmt werden, dass eine optimale Wärmeableitung aus dem BGA-Gehäuse bei optimalem mechanischem Schutz des Halbleiterchips erreicht werden kann.
- Ein Halbleiterbauteil mit einem BGA-Gehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung findet insbesondere in elektronischen Schaltungen Anwendung, bei welchen während des Betriebs erhöhte Temperaturen im BGR-Gehäuse zu erwarten sind.
- Das erfindungsgemäße BGA-Gehäuse wird im folgenden anhand verschiedener Ausführungsbeispiele entsprechend der Zeichnung beschrieben.
-
1 zeigt den schematischen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einem Flipchip gemäß der vorliegenden Erfindung, -
2 zeigt den schematischen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einem konventionell kontaktierten Halbleiterchip gemäß der vorliegenden Erfindung, -
3 zeigt den schematischen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit zwei Halbleiterchips in Stapelbauweise, -
4 zeigt eine dritte Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung und -
5 zeigt den schematischen Aufbau einer Kühlfolie gemäß der vorliegenden Erfindung. -
1 zeigt den schematischen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einem Flipchip gemäß der vorliegenden Erfindung. Ein Substrat1 weist an einer Unterseite2 Lötkugelanschlüsse3 auf. Auf der anderen Seite ist auf dem Substrat1 ein Halbleiterchip4 aufgebracht. In der in1 dargestellten Ausführungsform ist der Halbleiterchip4 in Flipchip-Technologie mit dem Sub strat1 verbunden. Dargestellt sind Flipchip-Kontaktierungen8 und Füllmaterial bzw. Underfill9 . Eine Kühlfolie6 ist in der dargestellten Ausführungsform so mit dem BGA-Bauteil verbunden, dass sowohl die von dem Substrat1 weg weisende Seite des Halbleiterchips4 als auch Teilbereiche auf dem Substrat1 vollständig mit der Kühlfolie6 bedeckt sind. Die Kühlfolie6 weist in der hier dargestellten Ausführungsform außerdem Öffnungen18 auf, die gleichmäßig auf der gesamten Kühlfolie6 verteilt sind, um das Auftreten des Popkorn-Effekts zu verhindern. Das in1 gezeigte Ausführungsbeispiel weist keine Umhüllung mit einer Pressmasse auf. Zur Herstellung der Strahlungscharakteristik eines schwarzen Körpers kann die freiliegende Kühlfolie6 geschwärzt werden, was insbesondere bei der Verwendung von Silber oder Silberlegierungen durch eine Oberflächensulfidbildung erfolgen kann. -
2 zeigt den schematischen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit einem konventionell kontaktierten Halbleiterchip gemäß der vorliegenden Erfindung. Auf einem Substrat1 , welches wiederum Lötkugelanschlüsse3 auf seiner Rückseite2 aufweist, ist gemäß2 ein Halbleiterchip4 auf herkömmliche Weise aufgebracht und kontaktiert. Über eine Kontaktierungsschicht10 ist der Halbleiterchip4 auf dem Substrat1 aufgebracht. Zur elektrischen Kontaktierungen sind Drahtkontaktierungen11 vom Halbleiterchip4 zu entsprechenden Anschlussflächen12 auf dem Substrat1 geführt. In der in2 gezeigten Ausführungsform bedeckt die Pressmasse7 neben großen Bereichen des Substrats1 auch die Drahtkontaktierungen11 sowie in der Nähe der Drahtkontaktierungen11 angeordnete Bereiche auf der Oberseite13 des Halbleiterchips4 . Die Pressmasse7 und der freiliegende Bereich der Seite13 des Halbleiterchips4 sind von einer Kühlfolie6 bedeckt, die in der in2 gezeigten Ausführungsform keine Öffnungen aufweist. -
3 zeigt den schematischen Aufbau eines BGA-Gehäuses mit zwei Halbleiterchips in Stapelbauweise. Auf einem Substrat1 ist ein erster Halbleiterchip4 auf herkömmliche Weise befestigt und kontaktiert. Auf dem ersten Halbleiterchip4 ist ein zweiter Halbleiterchip14 mittels Flipchip-Technologie aufgebracht. Die Pressmasse7 umgibt sowohl den ersten Halbleiterchip4 mit seinen Drahtkontaktierungen11 als auch den zweiten Halbleiterchip14 , wobei jedoch die Oberseite des Halbleiterchips14 freigelassen wird. Auf die freigelassene Oberseite des Halbleiterchips14 und auf die Oberseite der Pressmasse7 ist in der in3 gezeigten Ausführungsform eine Kühlfolie6 aufgebracht, welche Öffnungen18 aufweist. -
4 zeigt eine dritte Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung. Auf dem Substrat1 ist ein Halbleiterchip4 in Flipchip-Technologie aufgebracht und kontaktiert. Wie in3 weist das BGA-Gehäuse aus5 ebenfalls ein Kühlblech19 auf, welches aber im Gegensatz zu der in4 gezeigten Ausführungsform rahmenartig um den Halbleiterchip4 auf dem Substrat1 angeordnet ist. Die Pressmasse7 führt in der hier dargestellten Ausführungsform den Raum zwischen Halbleiterchip4 und dem Kühlblech19 und bedeckt den Halbleiterchip4 vollständig. - Sowohl die Kühlfolie
6 als auch das Kühlblech19 aus dem in den1 bis4 dargestellten Ausführungsformen dienen der verbesserten Wärmeableitung aus dem darunter liegenden Halbleiterchip4 bzw.14 wie in den1 bis3 dargestellt, dient die Kühlfolie6 bzw. ein Kühlblech außerdem dem mechani schen Schutz der nicht von der Pressmasse7 bedeckten Seite des Halbleiterchips4 bzw.14 . -
5 zeigt den schematischen Aufbau einer Kühlfolie gemäß der vorliegenden Erfindung, wie in1 und3 dargestellt. Die Kühlfolie6 weist in regelmäßigen Abständen angeordnete Öffnungen18 auf, die einen Zugriff auf dem darunter liegenden Halbleiterchip4 bzw.14 über entsprechend angeordnete Kontakt Anschlussflächen (nicht dargestellt) ermöglichen. Die Anordnung der Öffnungen18 kann die Nähe des sein, was den Vorteil hat, dass dieselbe Kühlfolie für verschiedene Halbleiterchips verwendet werden kann oder die Anordnung der Öffnungen18 wird genau auf den darunter liegenden Halbleiterchip abgestimmt. - Zur Herstellung eines BGA-Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung entsprechend den in den
1 und2 dargestellten Ausführungsformen wird wie folgt vorgegangen. Auf ein Substrat1 wird entweder in Flipchip-Technologie oder auf konventionelle Weise ein Halbleiterchip4 aufgebracht und kontaktiert. Anschließend kann dieser mit einer Pressmasse7 umgeben werden, was aus der2 zu sehen ist. Die Drahtkontaktierungen11 werden ebenfalls in die Pressmasse7 zusammen mit benachbarten Bereichen auf der Oberseite13 des Halbleiterchips4 eingebettet. Danach wird auf der nicht von der Pressmasse bedeckte Bereich des Halbleiterchips4 und auf zumindest Teilbereichen der Pressmasse7 und auf zumindest Teilbereichen des Substrats1 eine Kühlfolie6 , beispielsweise unter Verwendung eines thermisch leitfähigen Klebstoffes, aufgebracht. - Zur Herstellung eines BGA-Halbleiterbauteils gemäß der in
3 gezeigten Ausführungsform werden zuerst die beiden Halbleiterchips4 und14 in Stapelbauweise auf dem Substrat1 angeordnet, anschließend in die Pressmasse7 eingebettet. Danach wird, wie oben beschrieben, die Kühlfolie6 aufgebracht. - Zur Herstellung eines BGA-Halbleiterbauteils gemäß der in
4 gezeigten Ausführungsform wird nach dem Aufbringen und Kontaktieren des Halbleiterchips4 ein rahmenartig ausgebildetes Kühlblech19 auf dem Substrat1 aufgebracht. Anschließend wird der zwischen dem Kühlblech19 und dem Halbleiterchip4 verbleibende Zwischenraum mit einer Thermoleitpaste20 umgeben, um den Halbleiterchip4 thermisch optimal an das Kühlblech19 zu koppeln. -
- 1
- Substrat
- 2
- Unterseite
- 3
- Lötkugelanschluss
- 4
- Halbleiterchip
- 5
- Rückseite
- 6
- Kühlfolie
- 7
- Pressmasse
- 8
- Flipchip-Kontaktierung
- 9
- Füllmaterial
- 10
- Kontaktierungsschicht
- 11
- Drahtkontaktierungen
- 12
- Anschlussfläche
- 13
- Oberseite
- 14
- zweiter Halbleiterchip
- 15
- Substrat mit Kupferschichten
- 16
- horizontal verlaufende Kupferschicht
- 17
- vertikal verlaufende Kupferschicht
- 18
- Öffnungen
- 19
- Kühlblech
- 20
- Thermoleitpaste
Claims (15)
- BGA-Gehäuse, welches die folgenden Merkmale aufweist: – ein Substrat (
1 ) mit aus einem Gehäuse heraus weisenden Lötkugelanschlüssen (3 ); – zumindest ein Halbleiterchip (4 ), welcher auf dem Substrat (1 ) aufgebracht und mit diesem elektrisch leitend verbunden ist und – eine metallische Kühlfolie (6 ,19 ), welche auf der Seite des Halbleiterchips (4 ) aufgebracht ist, die vom Substrat (1 ) weg weist und welche zumindest Teilbereiche des Halbleiterchips (4 ) bedeckt, wobei die Kühlfolie (6 ) und mit diesen Teilbereichen des Halbleiters (4 ) in thermisch leitendem Kontakt steht. - BGA-Gehäuse nach Anspruch 1, wobei die metallische Kühlfolie (
6 ,19 ), welche auf der Seite des Halbleiterchips (4 ) aufgebracht ist, die vom Substrat (1 ) weg weist zusätzlich zumindest Teilbereiche einer Pressmasse (7 ) bedeckt und die Kühlfolie (6 ) und mit den Teilbereichen des Halbleiterchips (4 ) und der Pressmasse (7 ) in thermisch leitendem Kontakt steht. - BGA-Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlfolie (
6 ) Öffnungen (18 ) aufweist. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlfolie (
6 ) mit dem Substrat (1 ) in direktem Kontakt steht. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlfolie (
6 ) mit dem Substrat (1 ) in direktem Kontakt steht. - BGR-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlfolie (
6 ) Aluminium, Kupfer, Silber oder weiche Legierungen aufweist. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlfolie (
6 ) eine Stärke von mindestens 40 μm aufweist. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (
4 ) durch Flipchip-Kontaktierungen (8 ) mit dem Substrat (1 ) verbunden ist. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (
4 ) durch Drahtkontaktierungen (11 ) mit dem Substrat (1 ) verbunden ist. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass ein zweiter Halbleiterchip (
14 ) in Stapelbauweise auf dem Halbleiterchip (4 ) angeordnet ist. - BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein zweiter Halbleiterchip (
14 ) neben dem Halbleiterchip (4 ) auf dem Substrat (1 ) angeordnet ist. - Halbleiterbauteil mit einem BGA-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 11.
- Elektronische Schaltung mit einem Halbleiterbauteil nach Anspruch 12.
- Verfahren zur Herstellung eines BGA-Bauteils mit einer Kühlfolie (
6 ), welches die folgenden Schritte aufweist: – Befestigen eines Halbleiterchips (4 ) auf einem Substrat (1 ,15 ); – Kontaktieren des Halbleiterchips (4 ) mit dem Substrat (1 ,15 ) und – Aufbringen einer Kühlfolie (6 ), wobei die Kühlfolie zumindest Teilbereiche des Halbleiterchips (4 ) und/oder Teilbereiche des Substrats (1 ,15 ) bedeckt. - Verfahren zur Herstellung eines BGA-Bauteils mit einer Kühlfolie (
6 ) nach Anspruch 14, wobei vor dem Aufbringen der Kühlfolie (6 ) zumindest Teilbereiche des Halbleiterchips (4 ) und/oder zumindest Teilbereiche des Substrats (1 ) mit einer Pressmasse (7 ) bedeckt werden.
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JP5112101B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2013-01-09 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
US7787250B2 (en) * | 2007-12-28 | 2010-08-31 | Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. | Metallic cover of miniaturization module |
US9070662B2 (en) * | 2009-03-05 | 2015-06-30 | Volterra Semiconductor Corporation | Chip-scale packaging with protective heat spreader |
KR20120000282A (ko) * | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 히트 스프레더 및 그를 포함하는 반도체 패키지 |
KR101715761B1 (ko) | 2010-12-31 | 2017-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
US9171804B2 (en) * | 2012-11-19 | 2015-10-27 | Infineon Technologies Ag | Method for fabricating an electronic component |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5736785A (en) * | 1996-12-20 | 1998-04-07 | Industrial Technology Research Institute | Semiconductor package for improving the capability of spreading heat |
US5969426A (en) * | 1994-12-14 | 1999-10-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrateless resin encapsulated semiconductor device |
US6411507B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Removing heat from integrated circuit devices mounted on a support structure |
DE10129388A1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-01-09 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6627997B1 (en) * | 1999-03-26 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module and method of mounting |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5654116A (en) * | 1993-09-30 | 1997-08-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Hologram |
US5866953A (en) * | 1996-05-24 | 1999-02-02 | Micron Technology, Inc. | Packaged die on PCB with heat sink encapsulant |
US6507116B1 (en) * | 1997-04-24 | 2003-01-14 | International Business Machines Corporation | Electronic package and method of forming |
US6117797A (en) * | 1998-09-03 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant |
US6825550B2 (en) * | 1999-09-02 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Board-on-chip packages with conductive foil on the chip surface |
KR20010044277A (ko) * | 2001-01-31 | 2001-06-05 | 김영선 | 방열지붕이 몰딩된 플라스틱 패캐지(피피엠시) |
US6554042B2 (en) * | 2001-08-03 | 2003-04-29 | Kenneth G. Carlson | Table foiler |
TWI237354B (en) * | 2002-01-31 | 2005-08-01 | Advanced Semiconductor Eng | Stacked package structure |
DE102004027074B4 (de) * | 2004-06-02 | 2009-06-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines BGA (Ball Grid Array)-Bauteils mit einer dünnen metallischen Kühlfolie |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5969426A (en) * | 1994-12-14 | 1999-10-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrateless resin encapsulated semiconductor device |
US5736785A (en) * | 1996-12-20 | 1998-04-07 | Industrial Technology Research Institute | Semiconductor package for improving the capability of spreading heat |
US6411507B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Removing heat from integrated circuit devices mounted on a support structure |
US6627997B1 (en) * | 1999-03-26 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor module and method of mounting |
DE10129388A1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-01-09 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS AND PACKAGING TECHNOLOGIES, Vol. 23, Nr. 3, Sept. 2000, S. 481-489 * |
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