DE102004024461A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung offenbart erstmals, wie in einem komplett auf Rolle-zu-Rolle ausgelegten Verfahren ein organisches Bauelement herstellbar ist. Der Vorteil des hier beschriebenen, kontinuierlichen Herstellungsverfahrens ist weiterhin, dass die aktiven Bereiche der aktiven Halbleiterschicht zu keiner Zeit während des Herstellungsprozesses ungeschützten Lösungsmitteln und/oder Lösungsmitteldämpfen ausgesetzt sind. Dadurch wird die Fertigung eines qualitativ hochwertigen organischen Bauelements ermöglicht.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit zumindest einer aktiven organischen Schicht, wobei eine Folie als Substrat eingesetzt wird.
  • Bekannt sind Herstellungsverfahren für elektronische Bauelemente mit zumindest einer aktiven organischen Schicht, bei denen eine Schicht nach der anderen in aufeinander folgenden einzelnen Verfahrensschritten wie Aufsputtern, spin coating oder Bedrucken aufgebracht und durch Strukturierungsmaßnahmen wie Laserstrukturierung oder nasslithographische Strukturierung strukturiert werden.
  • Problematisch ist dabei, dass die Schichten in einzelnen Arbeitsschritten aufgebracht und strukturiert werden, wobei die schon fertigen Schichten zwischen den Arbeitsschritten immer vor Lösungsmitteln und/oder mechanischen Schäden bewahrt werden müssen. Die bisher bekannten Herstellungsverfahren sind daher nicht massenfertigungstauglich und oft entstehen Bauelemente nur minderer Qualität, weil die einzelnen Schichten der Bauelement Schäden haben.
  • Organische elektronische Bauelemente haben bevorzugt eine klassische Z-Verschaltung, bei der in einer Serienschaltung die obere Elektrode des ersten Bauelements mit der unteren Elektrode des folgenden Bauelements verbunden ist.
  • Bislang ist es nicht möglich, die klassische Z-Verschaltung bei organischen elektronischen Bauelementen massenfertigungstauglich herzustellen.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, das eine massenfertigungstaugliche Produktion organischer photovoltaischer und/oder elektrochromer Bauelemente von hoher Qualität und/oder mit dem Layout der klassischen Z-Verschaltung ermöglicht.
  • Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zur Herstellung eines organischen elektronischen photovoltaischen und/oder elektrochromen Bauelements zumindest eine erste und eine zweite Rolle und zwischen den zwei Rollen zumindest eine Reihe von 3 Modulen umfassend, wobei die erste Rolle ein Band unbeschichteten Substrats enthält, mit dem ersten Modul in der Reihe, das zwischen der ersten Rolle und dem zweiten Modul der Reihe angeordnet ist, die untere, gegebenenfalls semitransparente, Elektrode, mit dem zweiten Modul in der Reihe zumindest eine organische aktive Schicht und mit dem dritten Modul die Gegenelektrode aufbringbar und strukturierbar ist, wobei auf der, auf das dritte Modul folgenden, zweiten Rolle schließlich das durch diese Module beschichtete flexible organische Bauelement auf rollbar ist.
  • Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur kontinuierlichen Rolle zu Rolle Herstellung eines organischen, zumindest eine aktive organische Schicht umfassenden Bauelements, zumindest folgende Schritte umfassend:
    • a) einen Arbeitsschritt zum Aufbringen und/oder Strukturieren der semitransparenten unteren Elektrode,
    • b) einen Arbeitsschritt zum Aufbringen und/oder Strukturieren der organischen Halbleiterschicht
    • c) einen Arbeitsschritt zum Aufbringen und/oder Strukturieren der oberen Gegenelektrode.
  • Nach einer Ausführungsform ist zumindest ein weiterer Arbeitsschritt/ein weiteres Modul vorgesehen mit dem zumindest eine „Opferschicht" auf eine der unteren Schichten aufbringbar ist.
  • Unter „Opferschicht" wird eine zusätzliche Schicht auf dem Bauelement verstanden, die, nach weiterer Beschichtung mitsamt den auf ihr befindlichen Schichten wieder so entfernt werden kann, dass die anderen Schichten durch die Entfernung der Opferschicht keinen Schaden erleiden. Materialien, die für eine Opferschicht geeignet sind, sind beispielsweise Öle, Wachse oder ähnliches, die beispielsweise thermisch entfernt werden können. Als Opferschicht kann aber auch eine Schicht aus Photolack oder ein Polymerfilm bezeichnet werden, die unter Umständen auf dem organischen Bauelement verbleibt oder in einem sehr späten Arbeitsschritt wieder entfernt wird.
  • Nach einer Ausführungsform des Verfahrens wird die semitransparente untere Elektrode beispielsweise durch eine oder mehrere der folgenden Methoden aufgebracht und/oder strukturiert:
    • i) Sputtern mit Schattenmaske
    • ii) Nasslithographische Strukturierung und/oder
    • iii) Laserstrukturierung einer großflächig applizierten Elektrode
    • iv) Drucken des Elektrodenmaterials
    • v) Bedrucken des Substrats mit einer Hilfsschicht vor dem Besputtern. Die Hilfsschicht kann später wieder entfernt werden oder auf dem Element verbleiben.
  • Nach einer Ausführungsform des Verfahrens wird die organische halbleitende Schicht durch eine oder mehrere der folgenden Methoden aufgebracht und/oder strukturiert:
    • i) strukturierte Aufbringung (z.B. Drucken) des Halbleitermaterials,
    • ii) Vordrucken einer Opferschicht (z.B. Öl), großflächiges Beschichten des Halbleiters und anschließendes entfernen der Opferschicht, wobei die halbleitende Schicht dort abgelöst wird, wo der Precursor gedruckt wurde,
    • iii) Großflächiges Beschichten mit anschließender Strukturierung, beispielsweise durch Laserstrukturierung.
  • Nach einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Gegenelektrode durch eine oder mehrere der folgenden Methode aufgebracht und strukturiert:
    • i) Herstellung einer geeigneten Opferschichtstruktur über Nasslithographie (kann auch vor dem Beschichten mit, beispielsweise organischem, Halbleitermaterial geschehen), großflächiges Bedampfen mit Metall oder einem anderen leitfähigen Material, Entfernen der Opferschicht durch z.B. Belichten mit UV-Licht, Hitzeschritt und/oder Lösungsmittel
    • ii) Herstellung einer geeigneten nicht leitfähigen Struktur über Nasslithographie (kann auch vor dem Beschichten mit, beispielsweise organischem, Halbleitermaterial geschehen) oder Druckprozesse, die bei einem anschließenden großflächigen Bedampfen mit Metall oder einem anderen leitfähigen Material zu einem Abriss der bedampften Schicht führt
    • iii) Drucken einer Opferschichtstruktur (kann auch vor dem Beschichten mit dem, beispielsweise organischem, Halbleitermaterial geschehen), großflächiges Bedampfen mit Metall oder einem anderen leitfähigen Material, Entfernen der Opferschicht durch z.B. Belichten mit UV-Licht, Hitzeschritt und/oder Lösungsmittel
    • iv) Drucken einer nicht leitfähigen Struktur (kann auch vor dem Beschichten mit dem, beispielsweise organischem, Halbleitermaterial geschehen), großflächiges Bedampfen im flachen Winkel mit Metall oder einem anderen leitfähigen Material. Das Bedampfen im flachen Winkel führt zu einem Riss in der Metallschicht, der die Leitung der Schicht unterbindet.
    • v) Sputtern oder Bedampfen mit Metall oder einem anderen leitfähigen Material durch eine Schattenmaske
    • vi) Großflächiges Bedampfen mit anschließender Laserstrukturierung des Metalls oder des leitfähigen Materials.
  • Nach einer Ausführungsform, insbesondere bei empfindlichem Material, wird das organische Bauelement noch versiegelt und/oder verkapselt.
  • Der Vorteil des hier beschriebenen, kontinuierlichen Herstellungsverfahrens ist, dass alle Prozessschritte für einen Rolle zu Rolle Prozess geeignet sind. Außerdem sind die aktiven Bereiche der aktiven Halbleiterschicht zu keiner Zeit während des Herstellungsprozesses ungeschützten Lösungsmitteln und/oder Lösungsmitteldämpfen ausgesetzt. Nur dadurch wird die Fertigung eines qualitativ hochwertigen organischen Bauelements ermöglicht.
  • Ein organisches elektronisches Bauelement ist beispielsweise ein Photodetektor, eine Solarzelle, ein elektrochromes Bauelement, ein OLED Display, ein elektronischer Schaltkreis, ein Sensor, wie beispielsweise ein Lab on a Chip.
    •
  • Im Folgenden wird die Erfindung noch anhand ausgewählter Beispiele, die in den 1 bis 13 schematisch gezeigt sind, näher erläutert:
  • 1 zeigt eine Graphik, die den Strompfad 6 durch eine Reihe organischer Elemente in Z-Verschaltung auf einem Substrat 32 zeigt. Beim Querschnitt ist der Strompfad 6 gestrichelt eingezeichnet. Er führt durch die untere Elektrode 31 des Bauelements 30.1 den Halbleiter 35 des gleichen Bauelements 30 und die obere Elektrode 36 zur unteren Elektrode 31 des nächsten Bauelements 30.2 dort durch den Halbleiter 35 und die obere Elektrode 36 zur unteren Elektrode 31 des dritten Bauelements 30.3 und so weiter. Die Graphik gibt an, in welchen Maßen beispielsweise so ein Bauelement geschaffen sein kann.
  • 2 zeigt eine Ausführungsform des kontinuierlichen Verfahrens als Rolle-zu-Rolle-Prozess (schematisiert):
    Links oben erkennt man die Rolle 11 auf der das Substrat 32, das mit der unteren semitransparenten Elektrode 31 beschichtet ist, aufgerollt ist. Durch einen quer liegenden Balken wird die Grenze zwischen zwei Prozessschritten symbolisiert. Vor dem ersten Querbalken 14 findet Prozessschritt 2.1 statt, durch den die untere Elektrode großflächig aufgebracht wird. Im Prozessschritt 2.2 findet die Strukturierung der unteren, semitransparenten Elektrode 31 statt. Die untere, semitransparente Elektrode ist bevorzugt eine ITO (Indium Tin Oxide) Elektrode. Der Prozessschritt 2.3 dient dazu, den Halbleiter 35 großflächig aufzutragen. Im Prozessschritt 2.4 wird der Halbleiter 35, der beispielsweise aus einem organischen Material geschaffen ist, strukturiert. Nach dem Prozessschritt 2.4 folgt 2.5 in dem großflächig mit Metall bedampft wird. In der Figur ist relativ realistisch gezeigt, wie durch die dünnen Filme 35/36 immer noch die Strukturen der unteren Schichten durchscheinen. Über die Rolle 15 wird das organische Bauelement versiegelt und das versiegelte Bauelement wird immer noch in Bandform auf Rolle 16 aufgerollt.
  • Ein Beispiel dafür, wie ein organisches Bauelement nach dem jeweiligen Prozessschritt aussieht, wird in den 3 bis 9 gezeigt, die jeweils das gleiche organische Bauelement 30 in verschiedenen Prozessierungsstufen zeigen. Der Prozess läuft unter Benutzung zweier Opferschichten, der Schichten 33 und 34 ab.
  • 3 zeigt eine Draufsicht und einen Querschnitt durch ein organisches Bauelement 30. Zu erkennen ist das Substrat 32 das beispielsweise eine Folie sein kann, die möglicherweise noch mit einer Barriereschicht (z.B.: anorganische Keramiken wie Al2O3, SiO2, SiN3... oder anorganische / organische Hybridschichten wie Al2O3 / Parylene / Al2O3...) versehen sein kann, und die untere semitransparente Elektrode 31. Die Barriereschicht befindet sich zwischen dem Substrat und der Elektrode. Die Barriereschicht ist unstrukturiert.
  • 4 zeigt das organische elektronische Bauelement aus 3 nach einem weiteren Prozessschritt, nach der Herstellung und Strukturierung der ersten Opferschicht 33, die beispielsweise ein Öl oder ein Photolack sein kann, das in einem späteren Prozessschritt entfernt werden kann. Die Herstellung und Strukturierung der Opferschicht kann beispielsweise über Nasslithographie oder durch Drucken erfolgen.
  • 5 zeigt einen weiteren Prozessschritt, die fertige Herstellung und Strukturierung der zweiten Opferschicht 34. Die zweite Opferschicht 34 wird so gewählt, dass sie durch einen Prozess wieder entfernt werden kann, der die Opferschicht 33 und die anderen Schichten des Bauelements 35 nicht beschädigt. 6 schließlich zeigt einen weiteren Prozessschritt, in dem großflächig das organische Bauelement 30 mit zumindest einer aktiven Schicht 35, beispielsweise der halbleitenden Schicht aus Polythiophen/Fulleren, beschichtet wurde.
  • 7 zeigt das organische Bauelement 30 nach Ablösen der zweiten Opferschicht 34. Die Opferschicht 34 kann beispielsweise durch Verdampfen abgelöst worden sein. Die Opferschicht 33 ist noch auf dem Substrat 32 und der unteren Elektrode 31, die aktive Schicht 35 wiederum bedeckt sowohl Teile des Substrates 32 als auch vollständig die untere Elektrode 31 und die erste Opferschicht 33.
  • Das Bauelement 30 wird, wie in 8 gezeigt, darauf folgend großflächig mit zumindest einer leitfähigen, beispielsweise metallischen Schicht 36 überzogen. Die metallische Schicht 36 kann beispielsweise aus Aluminium oder Calcium/Aluminium in zwei Schichten bestehen.
  • In 9 schließlich wird gezeigt, wie das Bauelement 30, nachdem die Opferschicht 33 abgelöst wurde, aussieht. Die Ablösung der ersten Opferschicht kann beispielsweise durch UV-Belichtung oder im Lösungsmittelbad passieren. Das Bauelement 30 liegt in einer Z-Verschaltung vor, wobei nur noch Substrat 32, untere Elektrode 31, halbleitende Schicht 35 und obere Elektrode 36 zu sehen sind. Wenn die Empfindlichkeit der Materialien es erfordern, so kann das Bauelement 30 jetzt noch mit einer Schutzschicht überzogen werden.
  • 10 bis 13 zeigen ein weiteres Beispiel für einen Herstellungsprozess, allerdings nur mit einer Opfer- oder Hilfsschicht.
  • 10 zeigt wiederum das Substrat 32 mit der semitransparenten unteren Elektrode 31. In 11 ist gezeigt, wie eine strukturierte Hilfsschicht 37, beispielsweise ein Photolack mit scharfen und/oder negativen Kanten über beispielsweise Nasslithographie oder einen Druckschritt aufgebracht wurde.
  • 12 zeigt, wie in einem weiteren Prozessschritt durch strukturiertes Drucken oder großflächiges Coaten und nachträgliche Strukturierung durch mechanische Verfahren, Laserstrukturierung, Lithographische Verfahren, der zumindest einen aktiven Schicht mit einer Auflösung von beispielsweise 5 mm die Schicht 38 aus einem Polythiophen/Fulleren-Gemisch aufgebracht wurde. Die zumindest eine aktive Schicht kann mit einem oder mehreren Modulen der Vorrichtung aufgebracht/abgeschieden werden. Diese Schichten können org. Halbleiter, org. Leiter, Nanoteilchen, anorganische Halbleitersuspensionen, kl. Moleküle etc. sein.
  • In der 13 schließlich ist gezeigt, wie trotz der großflächigen Aufbringung der zumindest einen leitenden, beispielsweise metallischen Schicht 39 Teile der unteren Elektrode 31 noch frei liegen, weil an den scharfen oder negati ven Kanten der Hilfsschicht 37 der Film reißt und somit Freiräume in den unteren Schichten ermöglicht. Nach der in 13 gezeigten Prozessstufe kann das fertige Bauteil 30 zur Versiegelung noch mit einer Schutzschicht überzogen werden.
  • Die Erfindung offenbart erstmals, wie in einem komplett auf Rolle-zu-Rolle ausgelegten Verfahren ein organisches organisches Bauelement herstellbar ist. Der Vorteil des hier beschriebenen, kontinuierlichen Herstellungsverfahrens ist weiterhin, dass die aktiven Bereiche der aktiven Halbleiterschicht zu keiner Zeit während des Herstellungsprozesses ungeschützten Lösungsmitteln und/oder Lösungsmitteldämpfen ausgesetzt sind. Dadurch wird die Fertigung eines qualitativ hochwertigen organischen Bauelements ermöglicht.

Claims (7)

  1. Vorrichtung zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements zumindest eine erste und eine zweite Rolle und zwischen den zwei Rollen zumindest eine Reihe von 3 Modulen umfassend, wobei die erste Rolle ein Band unbeschichteten Substrats enthält, mit dem ersten Modul in der Reihe, das zwischen der ersten Rolle und dem zweiten Modul der Reihe angeordnet ist, die untere Elektrode, mit dem zweiten Modul in der Reihe die organische halbleitende Schicht und mit dem dritten Modul die Gegenelektrode aufbringbar und strukturierbar ist, wobei auf der, auf das dritte Modul folgenden, zweiten Rolle schließlich das durch diese Module beschichtete flexible organische Bauelement aufrollbar ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der zumindest noch ein weiteres Modul in der Reihe vorgesehen ist, durch das eine Opferschicht auf das organische Bauelement aufbringbar ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der weitere Module in der Reihe zum Entfernen der zumindest einen Opferschicht vorgesehen sind.
  4. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der eine weitere Rolle zur Versiegelung des organischen Bauelements unmittelbar vor der zweiten Rolle vorgesehen ist.
  5. Verfahren zur kontinuierlichen Rolle-zu-Rolle Herstellung eines organischen, zumindest eine aktive organische Schicht umfassenden Bauelements, zumindest folgende Schritte umfassend: einen Arbeitsschritt zum Aufbringen und/oder Strukturieren der semitransparenten unteren Elektrode, einen Arbeitsschritt zum Aufbringen und/oder Strukturieren der organischen Halbleiterschicht einen Arbeitsschritt zum Aufbringen und/oder Strukturieren der oberen Gegenelektrode.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, zusätzliche zumindest einen Arbeitsschritt zur Herstellung und/oder Entfernung einer Opferschicht umfassend.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, zumindest einen Arbeitsschritt zur Versiegelung des Bauelements umfassend.
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EP05010008A EP1596446A3 (de) 2004-05-14 2005-05-09 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelelements mit mindestens einer aktiven organischen Schicht
US11/127,439 US7476278B2 (en) 2004-05-14 2005-05-11 Roll to roll manufacturing of organic solar modules
JP2005142201A JP5066326B2 (ja) 2004-05-14 2005-05-16 少なくとも一つの活性有機層を有する電子構成要素を製造するための装置及び方法
US11/780,951 US8129616B2 (en) 2004-05-14 2007-07-20 Roll to roll manufacturing of organic solar modules
JP2010274001A JP2011061238A (ja) 2004-05-14 2010-12-08 少なくとも一つの活性有機層を有する電子構成要素を製造するための装置及び方法
JP2012259954A JP5547265B2 (ja) 2004-05-14 2012-11-28 少なくとも一つの活性有機層を有する電子構成要素を製造するための方法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006026981A1 (de) * 2006-06-10 2007-12-13 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht auf einem Trägersubstrat
DE102012106607A1 (de) 2012-07-20 2014-01-23 Heliatek Gmbh Verfahren zur Versiegelung von Modulen mit optoelektronischen Bauelementen
DE102015116418A1 (de) 2014-09-26 2016-03-31 Heliatek Gmbh Verfahren zum Aufbringen der Schutzschicht, Schutzschicht selbst und Halbfabrikat mit einer Schutzschicht
DE102014004323B4 (de) 2014-03-25 2021-11-11 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Beschichtungseinrichtung zum zumindest teilweisen Beschichten einer Oberfläche
WO2022048699A1 (de) 2019-12-12 2022-03-10 Heliatek Gmbh Beschichtung für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zur herstellung einer solchen beschichtung, optoelektronisches bauelement mit einer solchen beschichtung

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7604843B1 (en) 2005-03-16 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Metallic dispersion
US7605328B2 (en) 2004-02-19 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing
US8846141B1 (en) 2004-02-19 2014-09-30 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
US8329501B1 (en) 2004-02-19 2012-12-11 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles
US7663057B2 (en) 2004-02-19 2010-02-16 Nanosolar, Inc. Solution-based fabrication of photovoltaic cell
US8309163B2 (en) 2004-02-19 2012-11-13 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material
US8623448B2 (en) 2004-02-19 2014-01-07 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles
US8372734B2 (en) 2004-02-19 2013-02-12 Nanosolar, Inc High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles
US7700464B2 (en) 2004-02-19 2010-04-20 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles
DE102006027291B4 (de) * 2006-06-13 2010-06-17 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schichtenfolge auf einem Substrat
DE102006027292B4 (de) * 2006-06-13 2010-06-17 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schichtfolge auf einem Substrat
US8319092B1 (en) 2006-11-03 2012-11-27 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US9112447B2 (en) * 2006-11-03 2015-08-18 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US8053260B2 (en) * 2006-11-17 2011-11-08 General Electric Company Large-area lighting systems and methods of making the same
US7736928B2 (en) * 2006-12-01 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate
US7704352B2 (en) * 2006-12-01 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate
US7799182B2 (en) 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
US20080128019A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
TW200840068A (en) * 2007-01-22 2008-10-01 Solopower Inc Roll-to-roll integration of thin film solar modules
DE102007060108B4 (de) 2007-12-13 2011-07-21 LEONHARD KURZ Stiftung & Co. KG, 90763 Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
JP5172402B2 (ja) * 2008-03-13 2013-03-27 シャープ株式会社 有機ｅｌデバイス
US20100126849A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery and capacitor
DE102009053771A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Daimler Ag Kraftwagenbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009053733A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Daimler Ag Kraftwagenbauteil mit zumindest einem Abschirmelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009053768A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Daimler Ag Kraftwagenbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009053765A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Daimler Ag Kraftwagenbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009053767A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Daimler Ag Kraftwagenbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101742114B1 (ko) * 2009-12-03 2017-05-31 노발레드 게엠베하 유기 광-전자 디바이스에 전기 상호접속부를 형성하기 위한 방법, 유기 광-전자 디바이스를 형성하기 위한 방법, 및 유기 발광 디바이스
EP2355199B1 (de) * 2010-01-29 2017-07-05 Novaled GmbH Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung
EP2529496A4 (de) * 2010-01-29 2014-07-30 Hewlett Packard Development Co Optische sensornetzwerke und verfahren zur herstellung davon
TWI424576B (zh) * 2010-04-30 2014-01-21 Axuntek Solar Energy 穿透式太陽能電池模組及其製造方法
CN102237374B (zh) * 2010-05-04 2013-06-05 绿阳光电股份有限公司 穿透式太阳能电池模块及制造穿透式太阳能电池模块方法
JP5894932B2 (ja) * 2010-11-30 2016-03-30 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置
US20140000684A1 (en) * 2010-12-03 2014-01-02 Jan Blochwitz-Nimoth Method for forming an electrical interconnection in an organic photovoltaic device and an organic photovoltaic device made by the same
WO2012093467A1 (ja) * 2011-01-06 2012-07-12 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR101652674B1 (ko) * 2011-02-24 2016-08-30 가부시키가이샤 니콘 시트 기판의 반송장치, 및 처리장치
EP2506330A1 (de) * 2011-04-01 2012-10-03 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung einer eingebetteten Struktur und zur Bereitstellung einer elektrooptischen Vorrichtung damit
WO2012149189A2 (en) 2011-04-28 2012-11-01 Konarka Technologies, Inc. Novel photoactive polymers
KR20140024013A (ko) 2011-05-09 2014-02-27 메르크 파텐트 게엠베하 탠덤 광기전 셀
EP2528097A1 (de) 2011-05-27 2012-11-28 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Photovoltaische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US8674377B2 (en) * 2011-08-30 2014-03-18 General Electric Company Optoelectronic device package, array and method of fabrication
JP5745973B2 (ja) * 2011-09-02 2015-07-08 日立造船株式会社 薄膜太陽電池の製造装置および製造方法
KR101305660B1 (ko) * 2011-10-17 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
WO2013137274A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 三菱化学株式会社 有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法、及び有機薄膜太陽電池モジュール
US20130263925A1 (en) 2012-04-05 2013-10-10 Merck Patent Gmbh Hole Carrier Layer For Organic Photovoltaic Device
EP2837032B1 (de) * 2012-04-10 2021-05-12 InfinityPV ApS Photovoltaikmodul
JP6179201B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-16 三菱ケミカル株式会社 有機薄膜太陽電池の製造方法
CN103611653B (zh) * 2013-12-13 2015-09-16 厦门惟华光能有限公司 有机太阳能电池实验用涂布机
DE102013226280A1 (de) 2013-12-17 2015-06-18 Belectric Opv Gmbh Organisches Photovoltaikelement, sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen
EP2947697A1 (de) 2013-12-23 2015-11-25 Merck Patent GmbH Antireflexionsschichten und fotovoltaische Vorrichtungen
KR20160000192A (ko) * 2014-06-24 2016-01-04 코오롱인더스트리 주식회사 태양전지 모듈 패키지 및 그 제조방법
DE102014213978A1 (de) 2014-07-17 2016-01-21 Belectric Opv Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen Halbleiterbauteils und organisches Halbleiterbauteil
EP3523835B1 (de) 2016-10-05 2022-11-16 Raynergy Tek Inc. Organischer photodetektor
DE102017215197B3 (de) 2017-08-30 2018-12-27 Opvius Gmbh Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
US11456397B2 (en) 2019-03-12 2022-09-27 E Ink Corporation Energy harvesting electro-optic displays

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002005361A1 (en) * 2000-07-12 2002-01-17 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4606931A (en) * 1983-06-27 1986-08-19 International Business Machines Corporation Lift-off masking method
JPS60173842A (ja) 1984-02-20 1985-09-07 Canon Inc パタ−ン形成方法
JPS61139075A (ja) * 1984-12-11 1986-06-26 Ricoh Co Ltd 光電変換素子の製造法
EP0193820A3 (de) * 1985-02-27 1988-01-07 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtmusters
JPH02148715A (ja) * 1988-11-29 1990-06-07 Canon Inc 半導体デバイスの連続形成装置
JP2810532B2 (ja) * 1990-11-29 1998-10-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
EP0609104B1 (de) * 1993-01-29 1998-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung funktioneller niedergeschlagener Schichten
JP3571785B2 (ja) * 1993-12-28 2004-09-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP3272188B2 (ja) * 1995-05-17 2002-04-08 三洋電機株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
WO2000007249A1 (en) * 1998-07-27 2000-02-10 Citizen Watch Co., Ltd. Solar cell and method of producing the same, and mask for photolithography for producing solar cell
US6228228B1 (en) * 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
WO2001005194A1 (fr) * 1999-07-07 2001-01-18 Sony Corporation Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple
US6315820B1 (en) * 1999-10-19 2001-11-13 Ford Global Technologies, Inc. Method of manufacturing thin metal alloy foils
US6372538B1 (en) * 2000-03-16 2002-04-16 University Of Delaware Fabrication of thin-film, flexible photovoltaic module
JP4316767B2 (ja) * 2000-03-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 基板処理装置
DE10017610C2 (de) * 2000-03-30 2002-10-31 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
SE0103740D0 (sv) * 2001-11-08 2001-11-08 Forskarpatent I Vaest Ab Photovoltaic element and production methods
JP2002170669A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US6819316B2 (en) * 2001-04-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Flexible capacitive touch sensor
US7323635B2 (en) * 2001-06-15 2008-01-29 University Of Massachusetts Photovoltaic cell
US20020195928A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Grace Anthony J. Electroluminescent display device and method of making
JP4219807B2 (ja) * 2001-08-09 2009-02-04 旭化成株式会社 有機半導体素子
JP4336869B2 (ja) * 2001-11-27 2009-09-30 日本電気株式会社 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法
US6555284B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-29 Eastman Kodak Company In situ vacuum method for making OLED devices
JP4979878B2 (ja) * 2002-01-25 2012-07-18 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド 色素増感太陽電池の構造及び材料
EP2249413A3 (de) * 2002-04-01 2011-02-02 Konica Corporation Träger und organisches elektrolumineszentes Bauelement mit einem solchen Träger
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7396493B2 (en) * 2002-05-21 2008-07-08 3M Innovative Properties Company Multilayer optical film with melt zone to control delamination
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US6946597B2 (en) * 2002-06-22 2005-09-20 Nanosular, Inc. Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template
EP1529317A2 (de) * 2002-08-06 2005-05-11 Avecia Limited Organische elektronische anordnungen
US7247346B1 (en) * 2002-08-28 2007-07-24 Nanosolar, Inc. Combinatorial fabrication and high-throughput screening of optoelectronic devices
GB2395358B (en) * 2002-09-17 2006-08-02 Dainippon Printing Co Ltd Method of manufacturing a light emitting display panel and a light emitting display panel
US7080901B2 (en) * 2002-12-03 2006-07-25 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Printing unit and manufacturing line for manufacturing flexible organic EL display
GB0229653D0 (en) * 2002-12-20 2003-01-22 Cambridge Display Tech Ltd Electrical connection of optoelectronic devices
US20040118444A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 General Electric Company Large-area photovoltaic devices and methods of making same
US6833201B2 (en) * 2003-01-31 2004-12-21 Clemson University Nanostructured-doped compound for use in an EL element
US7153180B2 (en) * 2003-11-13 2006-12-26 Eastman Kodak Company Continuous manufacture of flat panel light emitting devices
US20050164425A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Markus Tuomikoski Optoelectronic component
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US6967115B1 (en) * 2004-04-20 2005-11-22 Nanosolor, Inc. Device transfer techniques for thin film optoelectronic devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002005361A1 (en) * 2000-07-12 2002-01-17 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006026981A1 (de) * 2006-06-10 2007-12-13 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht auf einem Trägersubstrat
DE102012106607A1 (de) 2012-07-20 2014-01-23 Heliatek Gmbh Verfahren zur Versiegelung von Modulen mit optoelektronischen Bauelementen
DE102012106607B4 (de) 2012-07-20 2024-04-04 Heliatek Gmbh Verfahren zur Versiegelung von Modulen mit optoelektronischen Bauelementen
DE102014004323B4 (de) 2014-03-25 2021-11-11 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Beschichtungseinrichtung zum zumindest teilweisen Beschichten einer Oberfläche
DE102015116418A1 (de) 2014-09-26 2016-03-31 Heliatek Gmbh Verfahren zum Aufbringen der Schutzschicht, Schutzschicht selbst und Halbfabrikat mit einer Schutzschicht
WO2016045668A1 (de) 2014-09-26 2016-03-31 Heliatek Gmbh Verfahren zum aufbringen einer schutzschicht, schutzschicht selbst und halbfabrikat mit einer schutzschicht
WO2022048699A1 (de) 2019-12-12 2022-03-10 Heliatek Gmbh Beschichtung für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zur herstellung einer solchen beschichtung, optoelektronisches bauelement mit einer solchen beschichtung

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