DE102004016940B4 - Schaltungsträger für einen Halbleiterchip und ein Bauelement mit einem Halbleiterchip - Google Patents
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Abstract
Schaltungsträger für einen Halbleiterchip (6) mit einem Substrat (1) aus einem isolierenden Material, auf dem ein Chipaufnahmebereich (2) und eine Mehrzahl den Chipaufnahmebereich umgebende Bondpads (5) angeordnet sind, wobei in einem Zentralbereich (14) des Chipaufnahmebereichs (2) der Chip (6) aufbringbar ist, und
der Chipaufnahmebereich (2) einen den Zentralbereich (14) umgebenden Randbereich (15) aufweist, der den Randverlauf des Chipaufnahmebereichs (2) definiert, welcher gegenüber der Länge der Seitenränder (10) des aufzubringenden Chips (6) eine solche Länge aufweist, die die Ausbildung von Adhäsionskräften ermöglicht, die ein Fließen eines Haftmittels (11) über die Kanten des Chipaufnahmebereichs (2) in Richtung der Bondpads (5) verhindern, wobei
in dem Randbereich (15) des Chipaufnahmebereichs (2) eine Mehrzahl von Randstrukturelementen (3) geometrischer Gestalt als Teil des Chipaufnahmebereichs angeordnet sind.
der Chipaufnahmebereich (2) einen den Zentralbereich (14) umgebenden Randbereich (15) aufweist, der den Randverlauf des Chipaufnahmebereichs (2) definiert, welcher gegenüber der Länge der Seitenränder (10) des aufzubringenden Chips (6) eine solche Länge aufweist, die die Ausbildung von Adhäsionskräften ermöglicht, die ein Fließen eines Haftmittels (11) über die Kanten des Chipaufnahmebereichs (2) in Richtung der Bondpads (5) verhindern, wobei
in dem Randbereich (15) des Chipaufnahmebereichs (2) eine Mehrzahl von Randstrukturelementen (3) geometrischer Gestalt als Teil des Chipaufnahmebereichs angeordnet sind.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Schaltungsträger für einen Halbleiterchip mit einem Substrat aus einem isolierenden Material, auf dem ein Chipaufnahmebereich und eine Mehrzahl den Chipaufnahmebereich umgebende Bondpads angeordnet sind. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Bauelement mit einem Schaltungsträger und einem Halbleiterchip.
- Der Chipaufnahmebereich dient dazu, einen Halbleiterchip (Chip) aufzunehmen und zu haltern. Die Größe des Chipaufnahmebereichs ist dabei in der Regel an die Größe des Halbleiterchips angepasst. Dies bedeutet, der Halbleiterchip weist maximal die Größe des Chipaufnahmebereichs auf. Die Außenkanten des Halbleiterchips und des Chipaufnahmebereichs sind entweder in Deckung zueinander gebracht oder verlaufen annähernd parallel (sofern der Chip kleiner als der Chipaufnahmebereich ist). Die elektrische Verbindung zwischen Chipanschlussstellen auf einer von dem Substrat abgewandten Hauptfläche des Halbleiterchips und einem jeweiligen Bondpad erfolgt mittels Bonddrähten, wobei diese Verbindung nach dem Aufbringen und Befestigen des Halbleiterchips auf der Chipaufnahmefläche erfolgt.
- Zur Befestigung des Halbleiterchips auf dem Chipaufnahmebereich werden anstatt des in der Vergangenheit häufig verwendeten Lotes immer häufiger elektrisch leitfähige Haftmittel, wie z.B. Klebstoffe, verwendet. Diese weisen zumindest eine Harzkomponente auf, die mit Füllstoffen angereichert ist. Bei der Aushärtung des Haftmittels unter Anwendung eines angepassten Temperaturprofils entmischt sich das mit den Füllstoffen angereicherte Harzsystem. Bei diesem Vorgang wird das Haftmittel dünnflüssig und beginnt fließfähige Eigenschaften zu entwickeln.
- Um eine sichere Befestigung des Halbleiterchips auf der Landefläche sicher zu stellen, ist es erforderlich, dass das Haftmittel an zumindest drei Seitenkanten des Halbleiterchips leicht hervortritt. Dieses Kriterium wird im Rahmen des Herstellungsprozesses im Rahmen einer Sichtkontrolle überprüft. Da der Seitenrand des Halbleiterchips und der Randverlauf des Chipaufnahmebereichs in der Regel annähernd übereinstimmen, kann das während des Aushärtevorganges mit einer hohen Temperatur beaufschlagte Haftmittel auf das Substrat fließen. Dabei kann die unerwünschte Situation auftreten, dass das Haftmittel auf die in einem Abstand zu dem Chipaufnahmebereich angeordneten Bondpads „schwappen“ kann. Derart verunreinigte oder „kontaminierte“ Bondpads lassen das Durchführen einer zuverlässigen Bondverbindung ohne zusätzliche, aufwendige Reinigungsschritte jedoch nicht mehr zu.
- Das vorstehend erläuterte Problem kann durch einen ausreichend großen Abstand der Bondpads von dem mit dem Klebstoff beaufschlagten Chipaufnahmebereich verringert, jedoch nicht vollständig vermieden werden. Darüber hinaus ergibt sich der Nachteil, dass der Flächenbedarf auf dem Schaltungsträger in unerwünschter Weise ansteigt. Dies würde zu einem Anstieg der Stückkosten des Bauelementes führen.
- Zur Vermeidung der Kontaminierung der Bondpads wird vereinzelt während der Herstellung auch versucht, den Klebstoff unter Verwendung eines Siebs oder einer Schablone aufzubringen.
- Eine Verminderung der Menge an Klebstoff, der häufig durch einen Druckvorgang auf den Chipaufnahmebereich aufgebracht wird, kann unter Umständen zu einer kritischen Mindermenge führen, wodurch sich zwischen dem Halbleiterchip und dem Chipaufnahmebereich Einschlüsse und Lunker bilden können, wodurch die Zuverlässigkeit des Bauelementes im Betrieb insgesamt negativ beeinflusst wird.
- Um die Kontaminierung von Bondpads mit einem Haftmittel zu verhindern, wird in der
JP H06- 342817 A - Die
US 6 204 555 B1 schlägt vor, den Chip in einer Ausnehmung des Substrats zu versenken, so dass die Bondpads auf dem Chip und die Bondpads auf dem Substrat in einer Ebene liegen. Die Befestigung des Chips mit dem Substrat erfolgt innerhalb der Ausnehmung, wodurch sichergestellt ist, dass kein Haftmittel auf die Oberfläche des Substrats und damit auf dessen Bondpads gelangen kann. - Die
JP H03- 64056 A JP 10163407 A - Die
EP 0 457 260 A1 offenbart ein Halbleiterbauteil mit einem keramischen Gehäuse, bei dem ein Halbleiterchip direkt auf die keramische Oberfläche als ein isolierendes Substrat in einer Vertiefung des Keramikgehäuseunterteils geklebt ist. Um eine Kontamination der offenporigen Keramik mit dem Klebstoff und eine daher kommende mögliche schlechte Verbindung eines Bonddrahtes mit Bondpads zu vermeiden, wird vorgeschlagen, um den Halbleiterchip herum die Keramik mittels eines Lasers zu verändern, so dass sie eine größere Dichte hat, um ein weiteres Eindringen des Klebstoffs zu verhindern. - All diese, aus dem Stand der Technik bekannten, Vorgehensweisen haben den Nachteil, dass die Herstellung eines Schaltungsträgers für einen Halbleiterchip gegenüber den gängigen Vorgehensweisen abgeändert werden muss.
- Es ist deshalb die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Schaltungsträger für einen Halbleiterchip sowie ein Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Schaltungsträger anzugeben, welche die aus dem Stand der Technik bekannten Nachteile nicht oder zumindest in einem stark verringerten Ausmaß aufweisen, nämlich trotz eines geringen Flächenverbrauchs die Bondpads durch das Haftmittel möglichst nicht zu verunreinigen.
- Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 11 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Bei dem erfindungsgemäßen Schaltungsträger mit einem Substrat aus einem isolierenden Material ist in einem Zentralbereich des Chipaufnahmebereichs der Halbleiterchip aufbringbar, wobei ein den Zentralbereich umgebender Randbereich vorgesehen ist, der den Randverlauf des Chipaufnahmebereichs definiert, welcher gegenüber der Länge der Seitenränder des aufzubringenden Chips eine sehr viel größere Länge aufweist.
- Mit anderen Worten bedeutet dies, dass die bislang geometrisch sehr linear gehaltene Außenkontur des Chipaufnahmebereichs derart geändert wird, dass die Länge der Außenkontur um ein Vielfaches vergrößert und damit zur Ausbildung von Adhesivkräften genutzt werden kann. Zum Stoppen der Fließfront von Bestandteilen des Klebstoffes beim Aushärtevorganges werden somit die Adhäsionskräfte zwischen dem fließfähigen Material des Klebstoffes und dem Material des Chipaufnahmebereichs ausgenutzt. Durch die Erhöhung der zur Verfügung stehenden wirksamen Länge des Randverlaufes des Chipaufnahmebereichs kann die frontale Ausdehnung der fließfähigen Bestandteile des Klebstoffes verringert werden, in dem diese durch Einwirkung von lateralen Adhäsionskräften gebremst wird.
- Zu diesem Zweck sind gemäß dem Gedanken der Erfindung in dem Randbereich des Chipaufnahmebereichs eine Mehrzahl von Randstrukturelementen geometrischer Gestalt angeordnet. Die Randstrukturelemente sind dabei Teil des Chipaufnahmebereichs, d.h. sind bevorzugt einstückig mit diesem verbunden und zusammen mit diesem hergestellt und bestehen weiter bevorzugt aus dem gleichen Material wie der Zentralbereich des Chipaufnahmebereichs. Die Ausgestaltung der Randstrukturelemente ist dabei prinzipiell von untergeordneter Bedeutung, so lange diese einen Randverlauf hervor bringen, der gegenüber der Länge der Seitenränder des aufzubringenden Chips und den durch diese definierten und erzeugten Fließfronten des Klebstoffes eine sehr viel größere Länge aufweist.
- Zweckmäßigerweise ist der Zentralbereich des Chipaufnahmebereichs dadurch definiert, dass dieser der Größe des Chips, d.h. dem Verlauf der Seitenränder des Chips, in etwa angepasst ist, wobei die Randstrukturelemente längs zumindest eines der Ränder angeordnet sind. Die Gestalt und die Abmaße des Zentralbereiches entsprechen somit der bislang bekannten Gestalt des Chipaufnahmebereiches, der nunmehr durch die vielen in dem Randbereich angeordneten Randstrukturelemente geometrischer Gestalt geändert bzw. vergrößert ist.
- Zur weiteren Vergrößerung des Randverlaufs ist es bevorzugt, wenn weiterhin an den Ecken des Zentralbereiches Randstruktureckelemente angeordnet sind.
- Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung weisen die Randstrukturelemente und/oder die Randstruktureckelemente zumindest einen Durchbruch auf. Dies hat mit Vorteil zur Folge, dass der Randverlauf nicht nur an den zu den Bondpads hingerichteten Außenrändern vergrößert ist, sondern dass ein Randverlauf auch „im Inneren“ des Chipaufnahmebereiches gebildet ist. Dabei ist es unschädlich, wenn Bestandteile des Klebstoffes in einen Durchbruch hinein auf das Substrat verlaufen, da diese Bestandteile nicht in Richtung der Bondpads fließen und diese kontaminieren können.
- Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung sind zwei Randstrukturelemente und/oder ein Randstrukturelement und ein Randstruktureckelement beabstandet zueinander angeordnet. Alternativ kann vorgesehen sein, dass zwei Randstrukturelemente und/oder ein Randstrukturelement und ein Randstruktureckelement aneinander grenzend zueinander angeordnet sind. Welcher dieser Ausgestaltungen der Vorzug gegeben wird, kann von dem verwendeten Haftmittel und dessen Fließeigenschaften während der Aushärtphase abhängig gemacht werden. Die Ausgestaltung kann dabei hinsichtlich der insgesamt zu erreichenden Länge des Randverlaufes optimiert werden.
- Gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung ist ein Randstrukturelement gegenüberliegend einem der Bondpads angeordnet. Alternativ kann vorgesehen sein, dass die Bondpads zueinander beabstandet auf dem Substrat aufgebracht sind, so dass zwischen jeweils zwei benachbarten Bondpads ein Zwischenraum gebildet ist und ein Randstrukturelement gegenüber einem der Zwischenelemente angeordnet ist. Auch hier kann die Wahl abhängig davon gemacht werden, welcher Klebstoff eingesetzt wird und aus welchen Materialien der Chipaufnahmebereich gefertigt wird, da die Fließeigenschaften des Klebstoffs beim Aushärten im Wesentlichen von diesen beiden Faktoren abhängig sind.
- Dies gilt auch für eine weitere bevorzugte Ausgestaltung, gemäß der die Randstrukturelemente eine maximale Ausdehnung von 25 - 50% eines Abstands vom Rand des Zentralbereiches in Richtung der Bondpads aufweisen.
- Das erfindungsgemäße Bauelement weist einen Halbleiterchip auf, der auf einem Schaltungsträger der oben beschriebenen Art montiert ist. Mit dem erfindungsgemäßen Bauelement sind die gleichen Vorteile verbunden, wie diese im Zusammenhang mit dem Schaltungsträger beschrieben wurden.
- Als Haftmittel zur Befestigung des Halbleiterchips auf dem Chipaufnahmebereich wird bevorzugt ein Klebstoff vorgesehen, der zumindest eine Harzkomponente und zumindest einen Füllstoff aufweist, wobei dessen Klebeeigenschaften nach einem Aushärtvorgang erzielt werden.
- Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung werden nachfolgend anhand den Figuren näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine Draufsicht auf einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Schaltungsträgers, bei dem Randstrukturelemente gegenüberliegend einem Zwischenraum zweier Bondpads angeordnet sind, -
2 eine Draufsicht auf einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Schaltungsträgers, bei dem Randstrukturelemente gegenüberliegend einem jeweiligen Bondpad angeordnet sind, -
3 bis9 verschiedene Ausführungsbeispiele von Chipaufnahmebereichen für einen erfindungsgemäßen Schaltungsträger, bei denen der Randverlauf gegenüber der Länge der Seitenränder eines aufzubringenden Halbleiterchips aufgrund der vielen geometrischen Randstrukturelemente eine sehr viel größere Länge aufweist, -
10 einen Querschnitt durch den Schaltungsträger der1 längs der Linie X-X, und -
11 einen Querschnitt durch einen Ausschnitt eines Schaltungsträgers aus dem Stand der Technik. -
11 zeigt einen aus dem Stand der Technik bekannten Schaltungsträger20 und die bei diesen gegebene Problematik. Auf einem Substrat1 aus einem nicht leitenden Material, z.B. einer Keramik, sind ein Chipaufnahmebereich2 und in einem Abstand16 davon ein Bondpad5 angeordnet. Auf dem Chipaufnahmebereich2 ist mittels eines Haftmittels11 ein Halbleiterchip6 aufgebracht und befestigt. Der Chip6 weist auf seiner von dem Substrat1 abgewandten Hauptseite eine Chipanschlussfläche7 auf, die elektrisch über einen Bonddraht (nicht gezeigt) mit dem Bondpad5 verbunden werden soll. - Das Aufbringen und Befestigen des Chips
6 auf dem Chipaufnahmebereich2 erfolgt z.B. durch Aufdrucken des Haftmittels11 auf den Chipaufnahmebereich, wobei das Haftmittel11 zunächst zu dessen Rand9 beabstandet ist. Beim Aufbringen des Chips6 auf das Haftmittel11 wird dieses in Richtung des Randes9 gedrückt. Bei einer Sichtkontrolle wird überprüft, ob Haftmittel11 an zumindest drei Seitenkanten des Halbleiterchips6 zu erkennen ist, da lediglich solche Bauelemente als einwandfrei betrachtet werden. Anschließend erfolgt das Aushärten des Haftmittels11 , das z.B. in Form eines Klebstoffes mit zumindest einer Harzkomponente und einem Füllstoff ausgebildet ist. - Beim Aushärtevorgang, der mit dem Beaufschlagen eines auf das Haftmittel angepassten Temperaturprofils verbunden ist, findet eine Entmischung von Füllstoff(en) und Harzkomponente(n) statt, wobei letztere fließfähig wird (werden) und über den Rand
9 auf die Oberfläche des Substrates1 und im ungünstigen Fall auf das Bondpad5 fließen kann (können) . Ein solchermaßen verunreinigtes oder kontaminiertes Bondpad5 lässt eine sichere Bondverbindung nicht mehr zu, so dass solche Bauelemente als Ausschuss aussortiert werden oder nachbearbeitet werden müssen. Das Fließen des Haftstoffes11 über die Kante9 kann durch eine zu hohe Dosierung des Haftmittels hervorgerufen werden, so dass während des Aushärtens die Adhäsionskräfte nicht ausreichen, um das Haftmittel an der Kante9 zu halten. - Die Erfindung sieht deshalb vor, den Randverlauf des Chipaufnahmebereichs
2 derart zu gestalten, dass dieser gegenüber dem Stand der Technik um ein Vielfaches vergrößert wird. Dies wird anhand der1 bis9 besser ersichtlich. -
1 zeigt einen Ausschnitt auf einen erfindungsgemäßen Schaltungsträger20 aus einem isolierenden Material in einer Draufsicht,10 zeigt einen Querschnitt durch diesen Schaltungsträger längs der Linie X-X. Der Chipaufnahmebereich2 besteht aus einem Zentralbereich14 und einem Randbereich15 , in dem eine Mehrzahl an Randstrukturelementen3 und einem Randstruktureckelement4 vorgesehen sind. Der Zentralbereich14 entspricht dabei von seiner Größe und Ausdehnung her dem aus dem Stand der Technik bekannten Chipaufnahmebereich für einen Chip gegebener Fläche. Seine Größe ist durch die mit dem Bezugszeichen9 gekennzeichnete durchbrochene Linie dargestellt. Das Aufbringen des Haftmittels11 erfolgt im Zentralbereich14 bis zu einer Haftmittelgrenzlinie12 , die ebenfalls durch eine durchbrochene Linie dargestellt ist. - Die Vergrößerung des Randverlaufs wird ausschließlich durch die in dem Randbereich
15 angeordneten Randstrukturelemente3 bzw. Randstruktureckelemente4 realisiert. Der Randbereich15 des Chipaufnahmebereichs2 erstreckt sich dabei in dem zwischen den Bondpads5 und dem Zentralbereich14 gebildeten Abstand16 und weist eine Breite19 auf. Vorteilhafterweise beträgt das Verhältnis von Breite19 zu Abstand16 im Bereich zwischen 1 zu 4 bis 1 zu 2, d.h. die Breite19 beträgt zwischen 25 und 50% des Abstands16 . Die Wahl des geeigneten Werts hängt dabei im Wesentlichen von den Materialien des Chipaufnahmebereichs und des Haftstoffs ab, welche die Fließeigenschaften beim Aushärten beeinflussen. - Aus der Querschnittsdarstellung längs der Linie X-X aus
1 wird der Unterschied zum Stand der Technik besonders deutlich ersichtlich. In dem zwischen dem Bondpad5 und dem Zentralbereich14 (der durch die Kante9 definiert ist) gebildeten Abstand16 erstreckt sich der Randbereich15 . Diese Verlängerung des Randverlaufes ist ausreichend, um ein Fließen des Klebstoffes beim Aushärten in Richtung des Bondpads zu verhindern, da die Adhäsionskräfte längs der Kanten des Chipaufnahmebereichs nunmehr ein derartiges Fließen verhindern können. Damit ist sichergestellt, dass eine zuverlässige elektrische Verbindung zwischen der Chipanschlussfläche7 und dem Bondpad5 mittels eines Bonddrahtes8 realisiert werden kann. - Das bloße „Vergrößern“ des Chipaufnahmebereichs in den Randbereich mit einem linearen Randverlauf würde die Fließfront dagegen nicht stoppen können, da die Adhäsionskräfte nicht ausrechend groß wären. Vielmehr könnte das flüssige Haftmittel - je nach Material des Chipaufnahmebereichs - in seiner Ausbreitung noch beschleunigt werden, so dass ein zumindest teilweises Kontaminieren des Bondpads aufgrund der verringerten Distanz zwischen dem Bondpad und dem Chipaufnahmebereich die Folge wäre.
- In dem Ausführungsbeispiel der
1 ist eine Anordnung gezeigt, in der die Randstrukturelemente3 die Gestalt eines Dreiecks aufweisen. Die Spitzen dieser Dreiecke sind dabei auf einen Zwischenraum13 gerichtet, welcher zwischen jeweils 2 benachbarten Bondpads gebildet ist. - Demgegenüber zeigt
2 eine Darstellung, in der die Spitzen der ebenfalls dreieckig ausgebildeten Randstrukturelemente3 gegenüberliegend den Bondpads5 angeordnet sind. Welche der beiden Anordnungen gewählt wird, hängt im Wesentlichen von dem eingesetzten Klebstoff zur Fixierung des Halbleiterchips6 sowie dem Material des Chipaufnahmebereichs2 ab, da diese beiden Komponenten die Fließeigenschaften des Klebstoffes beim Aushärten bestimmen. - Die
3 bis9 zeigen jeweils in einer Draufsicht Ausschnitte verschiedener Chipaufnahmebereiche, wie sie auf einem Substrat aus isolierendem Material vorgesehen werden könnten. - In
3 sind die Randstrukturelemente3 unmittelbar aneinander grenzend bogenförmig ausgebildet.4 zeigt ebenfalls bogenförmig ausgebildete Randstrukturelemente3 , die zueinander beabstandet angeordnet sind. Zusätzlich ist ein Randstruktureckelement4 an der Ecke des Zentralbereichs14 ausgebildet.5 zeigt rechteckige, zueinander beabstandete Randstrukturelemente3 mit einem rechteckigen Randstruktureckelement4 . In6 sind die Randstrukturelemente3 ebenfalls zueinander beabstandet trapezförmig ausgeführt, wobei wiederum ein im Wesentlichen rechteckförmiges Randstruktureckelement4 vorgesehen ist. In dem Ausführungsbeispiel der7 sind die Randstrukturelemente3 und das Randstruktureckelement4 in Form eines „T“ ausgestaltet.8 zeigt trapezförmig gebildete Randstrukturelemente3 , die mit ihrer kurzen Seitenkante dem Zentralbereich14 zugewandt sind.9 zeigt schließlich Randstrukturelemente, die jeweils einen Durchbruch18 aufweisen und somit eine bogenförmige Gestalt ergeben. Die Durchbrüche18 verlängern nicht nur den Randverlauf des Chipaufnahmebereichs2 , sondern stellen darüber hinaus auch Reservoirs für über die Kanten9 hinausfließenden Klebstoff beim Aushärten dar. - Die in den
3 bis9 gezeigten Ausführungsbeispiele können den Bondpads wahlweise gegenüberliegend oder aber den zwischen zwei Bondpads gebildeten Zwischenräumen gegenüberliegend angeordnet sein. Jedes der Ausführungsbeispiele kann wahlweise mit einem Randstruktureckelement4 versehen werden oder nicht, unabhängig von den in den Figuren gezeigten Darstellungen. Die Gestalt des Randstruktureckelements kann prinzipiell beliebiger Natur sein. Neben der gezeigten Recheckform könnte sie auch die Geometrie der fraktalen Randstruktur aufweisen.
Claims (12)
- Schaltungsträger für einen Halbleiterchip (6) mit einem Substrat (1) aus einem isolierenden Material, auf dem ein Chipaufnahmebereich (2) und eine Mehrzahl den Chipaufnahmebereich umgebende Bondpads (5) angeordnet sind, wobei in einem Zentralbereich (14) des Chipaufnahmebereichs (2) der Chip (6) aufbringbar ist, und der Chipaufnahmebereich (2) einen den Zentralbereich (14) umgebenden Randbereich (15) aufweist, der den Randverlauf des Chipaufnahmebereichs (2) definiert, welcher gegenüber der Länge der Seitenränder (10) des aufzubringenden Chips (6) eine solche Länge aufweist, die die Ausbildung von Adhäsionskräften ermöglicht, die ein Fließen eines Haftmittels (11) über die Kanten des Chipaufnahmebereichs (2) in Richtung der Bondpads (5) verhindern, wobei in dem Randbereich (15) des Chipaufnahmebereichs (2) eine Mehrzahl von Randstrukturelementen (3) geometrischer Gestalt als Teil des Chipaufnahmebereichs angeordnet sind.
- Schaltungsträger nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Zentralbereich (14) durch Ränder (9) definiert ist, die dem Verlauf der Seitenränder (10) des Chips (6) in etwa angepasst sind und die Randstrukturelemente (3) längs zumindest eines der Ränder (9) angeordnet sind. - Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an den Ecken des Zentralbereichs (14) Randstruktureckelemente (4) angeordnet sind.
- Schaltungsträger nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , dadurch gekennzeichnet, dass die Randstrukturelemente (3) und/oder die Randstruktureckelemente (4) die Gestalt eines Vielecks oder eines „T“ aufweisen oder bogenförmig ausgebildet sind. - Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Randstrukturelemente (3) und/oder die Randstruktureckelemente (4) zumindest einen Durchbruch aufweisen.
- Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwei Randstrukturelemente (3) und/oder ein Randstrukturelement (3) und ein Randstruktureckelement (4) beabstandet zueinander angeordnet sind.
- Schaltungsträger nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , dadurch gekennzeichnet, dass zwei Randstrukturelemente (3) und/oder ein Randstrukturelement (3) und ein Randstruktureckelement (4) aneinander grenzend zueinander angeordnet sind. - Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Randstrukturelement (3) gegenüberliegend einem der Bondpads (5) angeordnet ist.
- Schaltungsträger nach einem der
Ansprüche 1 bis7 , dadurch gekennzeichnet, dass die Bondpads zueinander beabstandet auf dem Substrat aufgebracht sind, so dass zwischen jeweils zwei benachbarten Bondpads ein Zwischenraum (13) gebildet ist und ein Randstrukturelement (3) gegenüberliegend einem der Zwischenräume (13) angeordnet ist. - Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondpads (5) in einem Abstand (16) zum Rand (9) des Zentralbereichs (14) angeordnet sind und die Randstrukturelemente (3) eine maximale Ausdehnung von 25 - 50% des Abstands (16) von dem Rand (9) in Richtung der Bondpads (5) aufweisen.
- Bauelement mit einem Halbleiterchip (6), der auf einem Chipaufnahmebereich (2) eines Schaltungsträgers (20) aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger (20) nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildet ist.
- Bauelement nach
Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass als Haftmittel für die Befestigung des Halbleiterchips (6) ein Klebstoff vorgesehen ist, der zumindest eine Harzkomponente und zumindest einen Füllstoff aufweist.
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0364056A (ja) | 1989-08-01 | 1991-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP0457260A1 (de) | 1990-05-18 | 1991-11-21 | Fujitsu Limited | Halbleiteranordnung mit einer keramischen Packung |
JPH06342817A (ja) | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH10163407A (ja) | 1996-11-26 | 1998-06-19 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム及び半導体装置 |
US6204555B1 (en) | 1996-10-10 | 2001-03-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave-frequency hybrid integrated circuit |
EP1347514A2 (de) * | 2002-02-27 | 2003-09-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (4)
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---|---|---|---|---|
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SG97938A1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-08-20 | Micron Technology Inc | Method to prevent die attach adhesive contamination in stacked chips |
TWI242274B (en) * | 2003-02-27 | 2005-10-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Ball grid array semiconductor package and method for fabricating the same |
US8536688B2 (en) * | 2004-05-25 | 2013-09-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0364056A (ja) | 1989-08-01 | 1991-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP0457260A1 (de) | 1990-05-18 | 1991-11-21 | Fujitsu Limited | Halbleiteranordnung mit einer keramischen Packung |
JPH06342817A (ja) | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US6204555B1 (en) | 1996-10-10 | 2001-03-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave-frequency hybrid integrated circuit |
JPH10163407A (ja) | 1996-11-26 | 1998-06-19 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム及び半導体装置 |
EP1347514A2 (de) * | 2002-02-27 | 2003-09-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
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