DE102004010126A1 - Magnetsensor und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Ein Magnetsensor (1) wird so hergestellt, dass ein Magnetsensorchip (2), der eine Ein-Chipstruktur, in der eine MRE-Brücke und ein Vergleicher enthalten sind, besitzt, auf einem Leitungsrahmen (3) unter Verwendung eines Klebematerials (4) angebracht wird und der am Leitungsrahmen (3) angebrachte Magnetsensorchip (2) dann durch Ausformen in einem geformten Material eingekapselt wird. Der Magnetsensor (1) enthält einen Magnetfelderzeugungsabschnitt, der durch Magnetisieren mindestens des Chipanbringungselements, des Klebematerials (4) oder des Kapselmaterials ausgeformt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Magnetsensor und insbesondere einen Magnetsensor, der als Rotationssensor zur Bereitstellung einer Steuerung eines Fahrzeugmotors oder einer ABS-Steuerung in einem Fahrzeugbremsensystem verwendet wird. Die vorliegende Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Magnetsensors.
  • 10A zeigt einen Querschnitt des Aufbaus eines Magnetsensors, der in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. HEI 9-79865 (1997) beschrieben ist, während 10B einen Querschnitt eines modifizierten Beispiels der 10A zeigt. Wie es in 10A gezeigt ist, wird ein Magnetsensor 50 derart hergestellt, daß ein Magnetsensorchip 51 mit einem Magneto-Widerstandselement (MRE) an einem Leitungsrahmen 52 angebracht und durch Ausformen (molding) in einem ausgeformten Material (molded material) 53 eines aushärtenden Harzes auf Epoxidbasis eingepackt wird. Zusätzlich ist ein Vorspannungsmagnet 55 unter Verwendung eines Klebematerials 54 fest in einem Einschnitt auf einer Oberfläche des ausgeformten Gehäuses gegenüber dem Magnetsensorchip 51, der auf dem Leitungsrahmen 52 angebracht ist, eingebunden. Das in 10B gezeigte modifizierte Beispiel ist so ausgelegt, daß es den Vorspannungsmagneten 55, der auf dem Leitungsrahmen 52 befestigt ist, in dem ausgeformten Gehäuse enthält.
  • Die in 10A gezeigte herkömmliche Technik sieht jedoch den Vorspannungsmagneten 55 außerhalb des ausgeformten Gehäuses vor, was zu dem Problem führt, daß der Magnetsensor 50 durch die Dimensionen des Vorspannungs magneten 55 vergrößert wird. Außerdem hängt die Erfassungsgenauigkeit des Magnetsensors 50 von der Positionsbeziehung zwischen dem Vorspannungsmagneten 55 und dem Magnetsensorchip 51 ab. Beim Ausrichten und Befestigen des Vorspannungsmagneten 55 unter Verwendung des Klebematerials 54 kann der Vorspannungsmagnet 55 während der Aushärtung des Klebematerials 54 verschoben werden, wodurch das zusätzliche Problem entsteht, daß sich die Erfassungsgenauigkeit verringert. Andererseits kann der Vorspannungsmagnet 55 auch in dem ausgeformten Gehäuse vorgesehen sein, wie es in dem modifizierten Beispiel der 10B gezeigt ist. In diesem Fall kann die Größe des Magnetsensors 50 verringert werden. Der Vorspannungsmagnet 55 muß jedoch am Leitungsrahmen 52 ausgerichtet und danach an diesem befestigt werden. Dieses verursacht das weitere Problem, dass der Herstellungsprozess verkompliziert und die Anzahl der benötigten Komponenten erhöht wird.
    •
  • Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Magnetsensor und ein Verfahren zur Herstellung desselben bereitzustellen, wobei der Magnetsensor kleiner ist und seine Verschiebung geringer ist, um dadurch eine verbesserte Erfassungsgenauigkeit bereitzustellen, und wobei der Magnetsensor mit einer geringeren Anzahl von Mannstunden und Komponenten hergestellt werden kann.
  • Die Aufgabe wird mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Abhängige Ansprüche sind auf bevorzugte' Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gerichtet.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Magnetsensor einen Magnetsensorchip, ein Chipanbringungselement, auf dem der Magnetsensorchip angebracht ist, ein Klebematerial zum Verbinden des Magnetsensorchips mit dem Chipanbringungselement, ein Kapselma terial zum Kapseln des Magnetsensorchips und einen Magnetfelderzeugungsabschnitt, der durch Magnetisieren zumindest des Chipanbringungselements, des Klebematerials oder des Kapselmaterials ausgebildet ist.
  • Dieses Merkmal ermöglicht es, dass der Magnetfelderzeugungsabschnitt, der ansonsten außerhalb des ausgeformten Gehäuses vorgesehen ist, innerhalb des ausgeformten Gehäuses ausgebildet ist, wodurch die Größe des Sensors durch die Dimensionen des Magnetfelderzeugungsabschnitts verringert wird. Außerdem bildet, obwohl die herkömmliche Technik das Klebematerial zum Verbinden des Magnetfelderzeugungsabschnitts mit dem ausgeformten Material verwendet, die Erfindung den Magnetfelderzeugungsabschnitt durch direktes Magnetisieren zumindest des Chipanbringungselements, des Klebematerials oder des Kapselmaterials aus. Dieses ermöglicht es, Verschiebungen während der Aushärtung des Klebematerials zu eliminieren, wodurch eine verbesserte Erfassungsgenauigkeit ermöglicht wird. Da das Chipanbringungselement, das Klebematerial oder das Kapselmaterial den Vorspannungsmagneten bilden kann, kann die Anzahl der Komponenten im Vergleich zu dem Fall, in dem ein getrennt vorbereiteter Vorspannungsmagnet verwendet wird, verringert werden.
  • Ein Magnetsensor gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ermöglicht es, das Kapselmaterial an einem Abschnitt gegenüber der Position, an der der Magnetsensorchip angebracht ist, zu magnetisieren. Gemäß diesem Merkmal ist der Magnetfelderzeugungsabschnitt in der Nähe des Magnetsensorchips ausgebildet, wodurch die vom Magneten benötigte Magnetkraft verringert werden kann.
  • Ein Magnetsensor gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ermöglicht es, das Kapselmaterial an einem Abschnitt zu magnetisieren, der an der Anbringungsseite des Magnetsenorchips und an einer Seite des Magnetsensorchips angeordnet ist. Gemäß diesem Merkmal kann der Magnetfelderzeugungsabschnitt dichter beim Magnetsensorchip vorgesehen werden, wodurch die vom Magneten benötigte Magnetkraft weiter verringert werden kann.
  • Ein Magnetsensor gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ermöglicht es, das Chipanbringungselement an einem Abschnitt zu magnetisieren, auf dem der Magnetsensorchip angebracht ist. Gemäß diesem Merkmal kann, da das Chipanbringungselement als Magnetfelderzeugungsabschnitt verwendet wird, der herkömmlicherweise verwendete Leitungsrahmen auch verwendet werden, um den Magnetfelderzeugungsabschnitt auszubilden, wodurch die Herstellung erleichtert wird.
  • Ein Magnetsensor gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ermöglicht es, das Klebematerial auf einer Oberfläche auszubilden, auf dem der Magnetsensorchip angebracht ist, und dieses insgesamt zu magnetisieren. Gemäß diesem Merkmal kann der Magnetfelderzeugungsabschnitt dichter am Magnetsensorchip vorgesehen werden, wodurch die vom Magneten benötigte Magnetkraft verringert werden kann.
  • Ein Magnetsensor gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält einen Magnetsensorchip, ein Chipanbringungselement zum daran Anbringen des Magnetsensorchips, mit einem magnetisierten Abschnitt, auf dem der Magnetsensorchip angebracht ist, ein magnetisiertes Klebematerial zum Verbinden des Magnetsensorchips mit dem Chipanbringungselement und ein Kapselmaterial zum darin Kapseln des Magnetsensorchips, wobei das Kapselmaterial, auf einer Oberfläche gegenüber der Anbringungsoberfläche des Magnetsensorchips auf dem Chipanbringungselement ei nen magnetisierten Abschnitt aufweist und wobei der magnetisierte Abschnitt des Kapselmaterials dem magnetisierten Abschnitt des Chipanbringungselements entspricht. Gemäß diesem Merkmal wird, da das auf der Rückseite des Magnetsensorchipanbringungsabschnitts ausgebildete Element als Magnetfelderzeugungsabschnitt dient, das Volumen des Magnetfelderzeugungsabschnitts erhöht, wodurch es ermöglicht wird, daß der Vorspannungsmagnet eine größere Magnetkraft erzeugt.
  • Ein Verfahren zur Herstellung des Magnetsensors gemäß einem der ersten bis sechsten Aspekte entspricht einem der siebten bis dreizehnten Aspekte der vorliegenden Erfindung mit Ausnahme des unten beschriebenen zehnten Aspekts. Das Verfahren kann denselben Betrieb und dieselben Wirkungen wie die oben mit Bezug auf die ersten bis sechsten Aspekte beschriebenen bereitstellen, die nicht noch einmal erläutert werden.
  • In einem Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors gemäß dem zehnten Aspekt der Erfindung ist der Magnetsensor mit einem Chipanbringungselement versehen, das einen vorbestimmten Abschnitt aufweist, der in seiner Gestalt in Bezug auf dessen Umfangsabschnitt verringert ist, damit der vorbestimmte Abschnitt hochohmig wird. Das Verfahren enthält außerdem den Schritt: Ermöglichen, dass ein großer Strom durch das Chipanbringungselement fließt, während extern ein Magnetfeld an den gekapselten Magnetsensorchip angelegt wird, wodurch Wärme an dem Abschnitt des Chipanbringungselements erzeugt wird, der in seiner Gestalt verringert ist, um die Nachbarschaft des in der Gestalt verringerten Abschnitts zu magnetisieren. Gemäß diesem Merkmal kann ein gewünschter Abschnitt innerhalb des Kapselmaterials magnetisiert werden.
  • In einem Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors gemäß einem vierzehnten Aspekt der Erfindung wird der magnetisierte Abschnitt einmal entmagnetisiert und danach magnetisiert. Gemäß diesem Merkmal ermöglicht die Entmagnetisierung sogar dann eine erneute Ausrichtung, wenn eine Verschiebung auftritt, nachdem der gewünschte Abschnitt ausgerichtet und magnetisiert wurde.
  • Weitere Bereiche der Anwendung der vorliegenden Erfindung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung verdeutlicht. Die detaillierte Beschreibung und die beschriebenen Ausführungsformen sind nur beispielhaft und dienen nicht zur Beschränkung des Bereichs der Erfindung, wie er in den Ansprüchen definiert ist, nicht.
  • Die vorliegende Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
  • 1 einen Querschnitt der Anordnung eines Magnetsensors und eines Magnetrotors gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 2A eine Draufsicht eines Magnetsensorchips gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 2B ein Schaltungsdiagramm der Anordnung von MRE-Brücken gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 3A ein Kennliniendiagramm der Kennlinie der MRE-Brücken, die in richtiger Ausrichtung zu einem Vorspannungsmagneten gemäß der vorliegenden Erfindung angeordnet sind,
  • 3B ein Kennliniendiagramm der Kennlinie der MRE-Brücken, die in ungenauer Ausrichtung zum Vorspannungsmagneten angeordnet sind,
  • 4A einen Querschnitt einer Ein-Chipstruktur eines MRE-Formationsbereichs und eines Verarbeitungs-Schaltungsformationsbereichs aus einem MOSFET oder ähnlichem im Magnetsensorchip gemäß der vorliegenden Erfindung,
  • 4B einen Querschnitt einer Ein-Chipstruktur des MRE-Formationsbereichs und eines Verarbeitungs-Schaltungsformationsbereichs aus einem Bipolartransistor oder ähnlichem im Magnetsensorchip,
  • 5 ein Diagramm der Kennlinien der Beziehung zwischen der Magnetkraft und der Widerstandsänderung eines MRE-Vorspannungsmagneten,
  • 6 einen Querschnitt der Struktur eines Magnetsensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 7 einen Querschnitt der Struktur eines Magnetsensors gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 8 einen Querschnitt der Struktur eines Magnetsensors gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 9 einen Querschnitt der Struktur eines Magnetsensors gemäß einer 'fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 10A einen Querschnitt der Struktur eines Magnetsensors gemäß dem Stand der Technik, und
  • 10B einen Querschnitt eines modifizierten Beispiels der 10A des Stands der Technik.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen anhand eines Magnetsensors gemäß einer ersten Ausführungsform beschrieben. 1 zeigt einen Querschnitt eines Magnetsensors und eines Magnetrotors (ein zu erfassendes Objekt) gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2A ist eine Draufsicht des Magnetsensorchips gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, während 2B ein Schaltungsdiagramm des Schaltungsaufbaus eines Magneto-Widerstandsmusters gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Diese Ausführungsform stellt einen Magnetsensor 1 bereit, der als Rotationsdetektor zum Erfassen der Rotation eines zu erfassenden rotierenden Objekts (einschließlich Zahnrädern) wie z.B. als ein Motorrotationssensor, ein Kurbelwinkelsensor, ein Nockenwinkelsensor, ein Fahrzeuggeschwindigkeitssensor, ein AT-Sensor oder ein Radgeschwindigkeitssensor verwendet werden kann. In 1 ist an der rechten Seite eines als Zahnrad ausgebildeten (dessen Zähne nicht gezeigt sind) Magnetrotors (ein zu erfassendes Objekt) 8 der Magnetsensor 1 in einem bestimmten Abstand gegenüber dem Magnetrotor 8 angeordnet. Der Magnetrotor 8 ist über eine Drehwelle 7 mit einem schnell rotierenden Rotationskörper (nicht gezeigt) (spinning body) gekoppelt. Der Magnetsensor 1 enthält einen Magnetsensorchip 2, einen Leitungsrahmen 3, und ein ausgeformtes Material 5. Ein Abschnitt des ausgeformten Materials 5 ist magnetisiert, um als Vorspannungsmagnet 6 zur Erzeugung eines Vorspannungsmagnetfelds zu dienen.
  • Wie es in 2A gezeigt ist, besitzt der Magnetsensorchip 2 eine Ein-Chipstruktur, die ein Substrat 9 enthält, auf den MRE-Brücken 10, 11 und eine Verarbeitungsschaltung 17 ausgebildet sind. Die MRE-Brücken 10, 11 enthalten MREs 12 – 15, während die Verarbeitungsschaltung 17 einen Differenzverstärker 18, einen Vergleicher 19 und ähnliches enthält, die im Stand der Technik bekannt sind. Die Mittellinie 2a des Magnetsensorchips 2 liegt auf der magnetischen Mitte 2b eines Magnetfelds, das vom Vorspannungsmagneten 6 erzeugt wird. Die MRE-Brücken 10, 11 sind symmetrisch um die Chip-Mittellinie 2a angeordnet. Außerdem besitzen die MRE-Brücken 10, 11 jeweils eine Kammstruktur, die durch aufeinanderfolgendes Zurückfalten einer Leiterbahn bzw. -spur ausgebildet wird, um abwechselnd mehrere längere und kürzere Seiten für die Verbindung zu definieren.
  • Die MREs 12 – 15 sind so aufgebaut, daß die MREs 12, 13 in Serie geschaltet sind, die MREs 14, 15 auch in Serie geschaltet sind und die MREs 12, 14 an der Energieversorgungsseite und die MREs 13, 15 an der Masseseite symmetrisch um die Mittellinie 2a des Magnetsensorchips 2 angeordnet sind. Die MREs 12, 13 und MREs 14, 15, die jeweils in Serie geschaltet sind, sind so angeordnet, daß ihre Erfassungsachsen einen jeweiligen Winkel von 45 und –45° zur magnetischen Mitte 2b des vom Vorspannungsmagneten 6 erzeugten Magnetfeldes aufweisen, d.h. die Erfassungsachsen bilden wie bei Gestalt eines japanischen Zeichens "HA" einen Winkel von 90 Grad zueinander. Dieses ermöglicht eine vektorielle Änderung des Vorspannungsmagnetfeldes, was zu vergrößerten Potentialänderungen an den beiden Mittelpunkten zwischen den seriell geschalteten MREs 12 und 13 und den seriell geschalteten MREs 14 und 15 führt.
  • Wie es in der 2B gezeigt ist, bilden die ersten und zweiten MRE-Brücken 10, 11 eine Brückenschaltung 16, bei der die erste MRE-Brücke 10 einen Stromfluß vom MRE 12 in Richtung des MRE 13 ermöglicht und die zweite MRE-Brücke 11 einen Stromfluß vom MRE 14 in Richtung des MRE 15 ermöglicht. Die Brückenschaltung 16 verwendet ein Mittelpunktpotential Va zwischen den MREs 12 und 13 als Ausgang der MRE-Brücke 10 und ein Mittelpunktpotential Vb zwischen den MREs 14 und 15 als Ausgang der MRE-Brücke 11.
  • Der wie oben beschrieben aufgebaute Magnetsensor 1 wird wie folgt betrieben. Zunächst bewirkt der sich in einer gegebenen Richtung drehende Magnetrotor 8, daß sich seine Umfangsköpfe (vorstehende Abschnitte) und -täler (Einschnittsabschnitte) dem Vorspannungsmagnet 6 abwechselnd nähern. Dieses bewirkt, daß ein vom Vorspannungsmagneten 6 erzeugtes Vorspannungsmagnetfeld durch den vorstehenden Abschnitt angezogen und dadurch verändert wird. Gleichzeitig wird der durch die MREs 12 – 15 laufende Magnetvektor in Richtung der Drehung des Magnetrotors 8 abgelenkt, wodurch aufgrund der Änderung der Richtung des Magnetvektors Widerstandsänderungen der MREs 12 – 15 verursacht werden. Dieses führt zu Änderungen der Ausgänge Va, Vb der beiden MRE-Brückenpaare 10 und 11.
  • Diese Ausgänge Va, Vb werden dem Differenzverstärker 18, der in der Verarbeitungsschaltung 17 angeordnet ist, zugeführt. Der Differenzverstärker 18 verstärkt die Mittelpunktpotentiale Va, Vb der beiden MRE-Brücken 10, 11 differentiell und gibt das Ergebnis aus. Ein vom Differenzverstärker 18 verstärktes und danach dem Vergleicher 19 zugeführtes Signal wird durch einen Größenvergleich mit einer vorbestimmten Schwellenspannung binär kodiert. Dieses ermöglicht es, den Ausgang der Verarbeitungsschaltung 17 als Ausgang des Magnetsensors 1 zu verwenden, wodurch der Drehzustand des Magnetrotors 8 erfaßt wird.
  • Die im Differenzverstärker 18 oder ähnlichem durchgeführte binäre Kodierung von Sensorausgängen zur Bereitstellung des binären Ausgangs wirft ein Problem hinsichtlich der Größe der Verschiebung der Anstiegs- und Abfall-Flanken des binären Ausgangs auf, da die Größe der Verschiebung der Flanken die Erfassungsgenauigkeit der Sensoren beeinflusst. Einer der Faktoren, die einen Einfluss auf die Verschiebung der Kanten haben, ist die Positionsbeziehung zwischen den MRE-Brücken 10, 11 und dem Vorspannungsmagneten 6. 3A ist ein Kennliniendiagramm der MRE-Brücken 10, 11, die in richtiger Ausrichtung zum Vorspannungsmagneten 6 angeordnet sind. 3B ist ein Kennliniendiagramm der MRE-Brücken 10, 11, die in ungenauer Ausrichtung zum Vorspannungsmagneten 6 angeordnet sind.
  • Wie es in den 3A und 3B gezeigt ist, verändert sich der Sensorausgang aufgrund einer Verschiebung des Vorspannungsmagneten 6 in Bezug auf die MRE-Brücken 10, 11, wenn ein sinusförmiges Sensorausgangssignal (verstärktes Signal) in ein unter Verwendung des vorbestimmten Schwellenwerts binär kodiertes Signal umgewandelt wird. Diese Veränderung des Sensorausgangs kann dazu führen, daß ein tatsächlicher Schwellenwert vom wahren Schwellenwert z.B. um eine vorbestimmte Potentialdifferenz ΔV (mV) (ein fehlerhafter Schwellenwert) abweicht. Diese Abweichung des Schwellenwerts verursacht im Vergleich zu dem Fall einer binären Kodierung, die den wahren Schwellenwert verwendet, eine Verschiebung der Position der Anstiegs- und Abfall-Flanken.
  • Wie es in 3A gezeigt ist, besitzt der Sensorausgang unter Einhaltung einer richtigen Ausrichtung der MRE-Brücken 10, 11 zum Vorspannungsmagneten 6 einen großen Betrag zum Ablenken des Magnetvektors, wobei das Ausgangssignal einen steilen Gradienten aufweist. Dementsprechend wird der Betrages der Verschiebung eines binär kodierten Signal (gepulstes Signal) an seiner Flankenposition verringert, wodurch ein gewünschter Pegel einer Erfassungsempfindlichkeit bereitgestellt wird. Wie es in 3B gezeigt ist, besitzt der Sensorausgang jedoch bei einer ungenauen Ausrichtung der MRE-Brücken 10, 11 zum Vorspannungsmagneten 6 eine kleine Größe zum Ablenken des Magnetvektors, wobei das Ausgangssignal einen schrägen bzw. flacheren Gradienten aufweist. Dieses verursacht sogar dann eine Erhöhung des Betrags der Kantenverschiebung und einen Abfall des Pegels der Erfassungsempfindlichkeit, wenn der Betrag der Schwellenwertverschiebung ΔV der gleiche wie im Falle der 3A ist.
  • Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung des Magnetsensors 1 erläutert. Die 4A und 4B sind Querschnitte des Magnetsensorchips 2, der eine Ein-Chipstruktur aufweist. Zunächst wird, wie es in 4A gezeigt ist, ein Fall beschrieben, bei dem ein MRE-Formationsbereich 20 und ein Verarbeitungs-Schaltungsformationsbereich 21 einschließlich einem MOSFET und ähnlichem in einer Ein-Chipstruktur ausgebildet werden. In dem Magnetsensorchip 2 besteht das Substrat 9 aus Silizium. Der MRE-Formationsbereich 20 im Magnetsensorchip 2 besitzt einen auf dem Siliziumsubstrat vom N-Typ 9 abgeschiedenen LOGOS-Oxidfilm 22 mit einem ferromagnetischen dünnen Film 23, der aus einer Ni-Co-Legierung oder Ni-Fe-Legierung ausgebildet und als MRE auf dem LOGOS-Oxidfilm 22 durch ein bekanntes Vakuumabscheidungsverfahren abgeschieden wird. Auf dem ferromagnetischen dünnen Film 23 ist ein Siliziumoxidfilm 24 aus gebildet. Der ferromagnetische dünne Film 23 ist durch Kontaktlöcher 25a, 25b mit Aluminiumleiterbahnmaterialien 26a, 26b verbunden.
  • Der Verarbeitungs-Schaltungsformationsbereich 21 besitzt einen P-Wannenbereich 27, der an einem Oberflächenschichtabschnitt des Siliziumsubstrats vom N-Typ 9 ausgebildet ist. Oben auf dem P-Wannenbereich 27 ist nicht der LOCOS-Oxidfilm 22, sondern ein dünner Gate-Siliziumoxidfilm 29 ausgebildet. Auf dem Gate-Siliziumoxidfilm 29 ist eine Polysilizium-Gateelektrode 32 ausgebildet. Auf einem Oberflächenschichtabschnitt des P-Wannenbereichs 27 an beiden Seiten der Polysilizium-Gateelektrode 22 sind ein Sourcebereich vom N-Typ 30 und ein Drainbereich vom N-Typ 31 ausgebildet, die durch Kontaktlöcher 33a, 33b mit Aluminiumleiterbahnenmaterialien 34, 35 verbunden sind. Auf diese Weise wird ein N-Kanal-MOS-Transistor Tr ausgebildet, der in Verbindung mit einem Widerstand (nicht gezeigt) oder ähnlichem einen Operationsverstärker (den Verstärker 18) bildet. Es ist auch möglich, im MOS-Prozess einen Verstärkungsbestimmungsrückführwiderstand, einen Verstärkungsbestimmungseingangswiderstand oder ähnliches auszubilden.
  • Im folgenden wird, wie es in 4B gezeigt ist, ein Fall beschrieben, bei dem der MRE-Formationsbereich 20 und der Verarbeitungs-Schaltungsformationsbereich 21 einschließlich einem Bipolartransistor oder ähnlichem in einer Ein-Chipstruktur ausgebildet sind. Für den Verarbeitungs-Schaltungsformationsbereich 21 sind eine eingebettete N+-Schicht 40 und eine epitaktische N–-Schicht 41 auf der Hauptoberfläche des Siliziumsubstrats 9 ausgebildet. Auf der Hauptoberfläche der epitaktischen N–-Schicht 41 wird ein Siliziumoxidfilm 42 unter Verwendung eines CVD-Verfahrens abgeschieden. Danach wird der Siliziumoxidfilm 42 unter Verwendung eines gewünschten Schal tungsmusters einem Foto-Ätzverfahren unterzogen und danach dotiert, um einen P+-Vorrichtungsisolierbereich 43, einen P+-Diffusionsbereich 44 und N+-Diffusionsbereiche 45, 46 zu bilden. Auf diese Weise wird ein NPN-Bipolartransistor aus der eingebetteten N+-Schicht 40, der epitaktischen N–-Schicht 41, dem P+-Bereich 44 und den N+-Diffusionsbereichen 45, 46 ausgebildet.
  • Danach wird ein Kontaktabschnitt auf dem Siliziumoxidfilm 42 im MRE-Formationsbereich 20 ausgebildet. Ein Dünnfilm-Aluminiumleiterbahnmaterial 47 wird auf die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats vom P-Typ 9 aufgedampft und danach zur Bemusterung einem Foto-Ätzverfahren unterzogen. Zusätzlich wird auf dem Siliziumoxidfilm 42 mit dem Aluminiumleiterbahnmaterial 47 ein ferromagnetischer Dünnfilm 48, der z.B. aus einer Ni-Co-Legierung oder einer Ni-Fe-Legierung ausgebildet ist, als MRE mittels eines bekannten Vakuumabscheideverfahrens abgeschieden. Der NPN-Transistor, der auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats vom P-Typ 9 ausgebildet ist, und Schaltungskomponenten (nicht gezeigt) wie z.B. ein PNP-Transistor, ein Diffusionswiderstand und eine Kapazität sind unter Verwendung des Aluminiumleiterbahnmaterials 47 elektrisch verbunden, um als elektrische Schaltung zu dienen.
  • Der auf diese Weise ausgebildete Magnetsensorchip 2 wird an einer gewünschten Position am Leitungsrahmen 3 angeordnet, mit einem Klebematerial 4 daran befestigt und danach mit dem Leitungsrahmen 3 mittels eines Leitungsdrahtes L elektrisch verbunden. Der Leitungsrahmen 3 mit dem daran befestigten Magnetsensorchip 2 wird dann innerhalb einer Form (mold) angeordnet, die eine vorbestimmte Gestalt aufweist, und durch Ausformen (molding) im ausgeformten Material 5 eingekapselt. Danach wird ein vorbestimmter Abschnitt des ausgeformten Materials 5 magneti siert, um den Vorspannungsmagneten 6 zu bilden. Hier wird ein warmfestes Harz wie z.B. PPS (Polyphenylensulfid) mit einem magnetischen Puder wie z.B. einem Ferrit gemischt als ausgeformtes Material 5 verwendet.
  • Im folgenden wird der Vorspannungsmagnet 6 genauer beschrieben. Das ausgeformte Material 5 wird unter Verwendung eines großen Stroms magnetisiert, wobei der Magnetsensor 1 in einer vorbestimmten Lücke des Magnetjoches, der in der Gestalt eines Ringspulenkernes ausgebildet ist, angeordnet wird, um sofort ein Magnetfeld zu errichten, das in der Lücke ist größer als oder gleich 1 × 106 (A/m). Wie oben beschrieben ist, bildet andererseits die Positionsbeziehung zwischen dem Vorspannungsmagneten 6 und den MRE-Brücken 10, 11 einen der Faktoren, die einen Einfluss auf die Erfassungsgenauigkeit des Sensors haben. Dementsprechend ist es notwendig, den Vorspannungsmagneten 6 in optimaler Ausrichtung zu den MRE-Brücken 10, 11 zu magnetisieren.
  • Die optimale Ausrichtung kann wie folgt erreicht werden. Die Magnetkennlinien der MREs 12 – 15, die die MRE-Brücken 10, 11 bilden, geben den maximalen Widerstand an, wenn ein Magnetfeld in Richtung der längeren Seiten des kammförmigen MRE-Musters angelegt wird, und den minimalen Widerstand, wenn ein Magnetfeld in Richtung der kürzeren Seiten angelegt wird. Dieses bedeutet, daß beim rotierenden Magnetfeld eine große Änderung des MRE-Widerstandes auf sehr wirksame Weise bei einem Winkel von 45° zwischen der Richtung des Vorspannungsmagnetfeldes und des MRE-Musters erhalten wird. Daher wird der Vorspannungsmagnet 6 so angeordnet, daß das Vorspannungsmagnetfeld zum Vorspannen in einem Winkel von 45° zu den MREs 12 – 15 geneigt ist. Die Erfassungsvorrichtung ist nicht auf die Anwendung eines MRE begrenzt, sondern es kann auch ein Magneto-Widerstandskopf verwendet werden.
  • Außerdem zeigt 5 die Magnetfeldstärke des Vorspannungsmagneten 6 betreffend ein Kennliniendiagramm der Beziehung zwischen der Magnetfeldstärke und der Änderung des Widerstands des MRE-Vorspannungsmagneten. Wie es in 5 gezeigt ist, besitzt das MRE einen Ausgangswiderstand mit einer Hysterese. Dementsprechend, um es als den Magnetsensor zu verwenden, eine Magnetfeldstärke im Bereich, in dem der Ausgangswiderstand gesättigt ist (etwa 100 Gauss oder mehr) unter Berücksichtigung der Reproduzierbarkeit. Andererseits ist die Magnetfeldstärke bei größeren Abständen zwischen den S- und N-Polen und mit einer größeren Permeanz des Magneten größer.
  • Wie oben beschrieben ist, ermöglicht es diese Ausführungsform, daß der Magnetfelderzeugungsabschnitt, der herkömmlicherweise außerhalb des Ausformgehäuses vorgesehen ist, innerhalb des Ausformgehäuses ausgebildet werden kann, wodurch die Größe des Sensors durch die Dimensionen des Magnetfelderzeugungsabschnitts verringert wird. Obwohl der Magnetfelderzeugungsabschnitt im Stand der Technik mittels eines Klebematerials mit dem ausgeformten Material verbunden wird, ermöglicht es diese Ausführungsform außerdem, daß der Magnetfelderzeugungsabschnitt durch direktes Magnetisieren zumindest des Chipanbringungselements, des Klebematerials oder des Kapselmaterials ausgebildet werden kann. Dieses eliminiert Verschiebungen, die ansonsten beim Aushärten des Klebematerials auftreten würden, wodurch eine verbesserte Erfassungsgenauigkeit bereitgestellt werden kann. Da der Vorspannungsmagnet außerdem aus dem Chipanbringungselement, dem Klebematerial oder dem Kapselmaterial besteht, ist es möglich, die Anzahl der Komponenten im Vergleich zu dem Fall, in dem ein getrennt vorbereiteter Vorspannungsmagnet verwendet wird, zu verringern.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf 6 entsprechend einer zweiten Ausführungsform beschrieben. Die Abschnitte der zweiten Ausführungsform, die denjenigen der ersten Ausführungsform entsprechen, werden nicht genau erläutert. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, daß der Vorspannungsmagnet 6 an einem Abschnitt an einer Seite des Magnetsensorchips 2 ausgebildet ist.
  • Ein Verfahren gemäß dieser Ausführungsform nutzt die Eigenschaft aus, daß ein Magnetmaterial weniger magnetisiert wird, wenn seine Curie-Temperatur erreicht ist, wodurch es leicht von außen beeinflußt wird. Zum Erreichen der Curie-Temperatur ist der Leitungsrahmen 3 mit einem Wärmeerzeugungsabschnitt versehen, der einen Teil des Leitungsrahmens 3 bildet und in seiner Gestalt verringert ist, damit er einen erhöhten Widerstand aufweist und durch einen großen hindurch fließenden Strom Wärme erzeugt. Dieser Wärmeerzeugungsabschnitt wird innerhalb des Leitungsrahmens 3 in der Nähe der optimalen Position, an der der zuvor genannten Vorspannungsmagnet 6 wünschenswerterweise ausgebildet wird, ausgebildet.
  • Zunächst wird der Magnetsensorchip 2 wie in der ersten Ausführungsform an einer gewünschten Position am Leitungsrahmen 3 angeordnet und mit dem Klebematerial 4 daran angebracht und danach mit dem Leitungsrahmen 3 mittels des Leitungsdrahtes L elektrisch verbunden. Der am Leitungsrahmen 3 angebrachte Magnetsensorchip 2 wird dann durch Ausformen im ausgeformten Material 5 eines warmfesten Harzes wie z.B. PPS (Polyphenylensulfid) mit einem Magnetpuder wie z.B. Ferrit gemischt eingekapselt. Danach wird ein großer Stromfluss durch den Leitungsrahmen 3 ermöglicht, während ein Magnetfeld an den Magnetsensor 1, der durch Ausformen eingekapselt wurde, angelegt wird. Dieses bewirkt, daß der Wärmeerzeugungsabschnitt des Leitungsrahmens 3 Wärme erzeugt und daß sich die Temperatur des ausgeformten Materials 5 in der Nähe des Wärmeerzeugungsabschnitts erhöht. Dieses bewirkt weiterhin, dass das ausgeformte Material 5 in der Nähe des Wärmeerzeugungsabschnitts magnetisiert wird, wodurch der Vorspannungsmagnet 6 ausgebildet wird.
  • Wie oben beschrieben ist, ermöglicht es diese Ausführungsform, daß der Vorspannungsmagnet 6 in der Nähe des Magnetsensorchips 2 ausgebildet werden kann, wodurch die vom Magneten benötigte Magnetkraft verringert werden kann. Außerdem es ermöglicht der Leitungsrahmen 3 mit dem Wärmeerzeugungsabschnitt gemäß dieser Ausführungsform, daß der Vorspannungsmagnet 6 an einer gewünschten Position innerhalb des ausgeformten Materials ausgebildet werden kann.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf 7 gemäß einer dritten Ausführungsform beschrieben. Die Abschnitte der dritten Ausführungsform, die denen der zuvor genannten Ausführungsformen entsprechen, werden nicht genauer beschrieben. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von den zuvor genannten Ausführungsformen darin, daß der Vorspannungsmagnet 6 im Leitungsrahmen 3 ausgebildet ist.
  • Ein Verfahren gemäß dieser Ausführungsform enthält den Schritt: Verwenden eines Magnetjochs zum Magnetisieren der optimalen Position, die zum Ausbilden des zuvor genannten Vorspannungsmagneten 6 im Leitungsrahmen 3, der aus bekanntem Kupfer oder 42NiFe oder ähnlichem besteht, gewünscht ist, wodurch der Vorspannungsmagnet 6 ausgebil det wird. Auf diese Weise wird der Leitungsrahmen 3 als Vorspannungsmagnet 6 verwendet. Somit kann ein herkömmlich verfügbarer Leitungsrahmen 3 verwendet werden, um den Vorspannungsmagneten 6 ohne Mischung mit Magnetpuder im ausgeformten Material 5 auszubilden, wodurch die Herstellung erleichtert wird.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf 8 gemäß einer vierten Ausführungsform beschrieben. Die Abschnitte der vierten Ausführungsform, die denen der zuvor genannten Ausführungsformen entsprechen, werden nicht genauer erläutert. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von den zuvor genannten Ausführungsformen darin, daß der Vorspannungsmagnet 6 im Klebematerial 4 ausgebildet ist. Ein Verfahren gemäß dieser Ausführungsform enthält die Schritte: Mischen von Magnetpuder wie z.B. Ferrit in ein Klebematerial auf Epoxidbasis, Silikonbasis oder Polyimidbasis, und Verwenden eines Magnetjochs zum Magnetisieren der optimalen Position, die zum Formen des zuvor genannten Vorspannungsmagneten 6 im Klebematerial 4 gewünscht ist, wodurch der Vorspannungsmagnet 6 ausgebildet wird. Auf diese Weise wird das Klebematerial 4 als Vorspannungsmagnet 6 verwendet. Dieses ermöglicht es, den Vorspannungsmagneten 6 dicht am Magnetsensorchip 2 auszubilden, wodurch es möglich wird, die vom Magneten benötigte Magnetkraft zu verringern.
  • (Fünfte Ausführungsform)
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf 9 gemäß einer fünften Ausführungsform beschrieben. Diejenigen Abschnitte der fünften Ausführungsform, die denen der zuvor genannten Ausführungsformen entsprechen, werden nicht genauer erläutert. Diese Ausführungs form unterscheidet sich von vorgenannten Ausführungsformen darin, daß der Vorspannungsmagnet 6 in dem Klebematerial 4, dem Leitungsrahmen 3 und dem ausgeformten Material 5 ausgebildet ist.
  • Ein Verfahren gemäß dieser Ausführungsform ist wie folgt ausgelegt: Zunächst wird das wie in der vierten Ausführungsform vorbereitete Klebematerial 4 auf den Leitungsrahmen 3 aufgetragen, der wie in der dritten Ausführungsform ausgebildet ist, und dann wird der Magnetsensorchip 2 unter Verwendung des Klebematerials 4 darauf angebracht. Dann wird der am Leitungsrahmen 3 angebrachte Magnetsensorchip 2 durch Ausformen im ausgeformten Material 5 wie in der ersten Ausführungsform beschrieben eingekapselt. Zusätzlich wird, wie es in der ersten Ausführungsform beschrieben ist, das Magnetjoch verwendet, um den gewünschten Abschnitt zu magnetisieren, wodurch der Vorspannungsmagnet ausgebildet wird.
  • Auf diese Weise dient der vorbestimmte Abschnitt im Klebematerial 4, dem Leitungsrahmen 3 und dem ausgeformten Material 5, die an der anderen Seite des Magnetsensorchips 2 vorgesehen sind, als Vorspannungsmagnet 6. Dieses ermöglicht es, das Volumen des Vorspannungsmagneten 6 zu erhöhen, wodurch es möglich wird, daß der Vorspannungsmagnet 6 ein höheres Magnetfeld bereitstellt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt, wie oben beschrieben den Leitungsrahmen 3, das Klebematerial 4 und das ausgeformte Material 5 zu magnetisieren. Einige dieser Komponenten können z.B. auch zum Magnetisieren derart kombiniert werden, daß der Leitungsrahmen 3 und das Klebematerial 4 oder das Klebematerial 4 und das ausgeformte Material 5 magnetisiert werden. Als ein modifiziertes Beispiel kann der Vorspannungsmagnet 6, der wie oben beschrieben einmal magnetisiert wurde, ent magnetisiert werden. Diese Entmagnetisierung ermöglicht es, daß der Vorspannungsmagnet 6 sogar dann erneut positioniert werden kann, wenn er verschoben ist, nachdem er für die Magnetisierung ausgerichtet wurde.
  • Die Beschreibung der Erfindung ist nur beispielhaft, und Änderungen, die innerhalb des Bereichs der Erfindung, wie sie in den Ansprüchen definiert ist, liegen, sind denkbar.
    •

Claims (14)

  1. Magnetsensor (1), der aufweist: einen Magnetsensorchip (2), ein Magnetanbringungselement, auf dem der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, ein Klebematerial (4) zum Verbinden des Magnetsensorchips (2) mit dem Chipanbringungselement, ein Kapselmaterial zum Kapseln des Magnetsensorchips (2), und einen Magnetfelderzeugungsabschnitt, der durch Magnetisieren zumindest des Chipanbringungselements, des Klebematerials (4) oder des Kapselmaterials ausgebildet ist.
  2. Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei das Kapselmaterial an einem Abschnitt gegenüber der Position, an der der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, magnetisiert wird.
  3. Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei das Kapselmaterial an einem Abschnitt, der an einer Seite des Magnetsensorchips (2) angeordnet ist, magnetisiert wird.
  4. Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei das Chipanbringungselement an einem Abschnitt, an dem der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, magnetisiert wird.
  5. Magnetsensor (1) nach Anspruch 1, wobei das Klebematerial an einer Oberfläche, an der der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, ausgebildet und vollständig magnetisiert wird.
  6. Magnetsensor (1), der aufweist: einen Magnetsensorchip (2), ein Magnetanbringungselement zum darauf Anbringen des Magnetsensorchips (2), mit einem magnetisierten Abschnitt, an dem der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, ein magnetisiertes Klebematerial (4) zum Verbinden des Magnetsensorchips (2) mit dem Chipanbringungselement, und ein Kapselmaterial zum Kapseln des Magnetsensorchips (2) darin, wobei das Kapselmaterial einen magnetisierten Abschnitt an einer Oberfläche gegenüber der Anbringungsoberfläche des Magnetsensorchips (2) auf dem Chipanbringungselement aufweist und wobei der magnetisierte Abschnitt des Kapselmaterials dem magnetisierten Abschnitt des Chipanbringungselements entspricht.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1), das aufweist: Anbringen eines Magnetsensorchips (2) an einem Chipanbringungselement unter Verwendung eines Klebematerials (4) zum Verbinden, Einkapseln des Chipanbringungselements und des daran angebrachten Magnetsensorchips (2) unter Verwendung eines Kapselmaterials, und Ausbilden eines Magnetfelderzeugungsabschnitts durch Magnetisieren mindestens des Chipanbringungselements, des Klebematerials oder des Kapselmaterials.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1) nach Anspruch 7, wobei das Kapselmaterial an einem Abschnitt gegenüber der Position, an der der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, magnetisiert wird.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1) nach Anspruch 7, wobei das Kapselmaterial an einem Abschnitt, der an einer Seite des Magnetsensorchips (2) angeordnet ist, magnetisiert wird.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1) nach Anspruch 9, wobei das Chipanbringungselement einen vorbestimmten Abschnitt aufweist, der in seiner Gestalt in Bezug auf seinen Umfangsabschnitt verringert ist, damit der vorbestimmte Abschnitt hochohmig wird, wobei das Verfahren außerdem aufweist: Ermöglichen eines großen Stromflusses durch das Chipanbringungselement, während extern ein Magnetfeld an den gekapselten Magnetsensorchip (2) angelegt wird, wodurch Wärme am in der Gestalt verringerten Abschnitt des Chipanbringungselements erzeugt wird, um die Nachbarschaft des in der Gestalt verringerten Abschnitts zu magnetisieren.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1) nach Anspruch 7, wobei das Chipanbringungselement an einem Abschnitt, an dem der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, magnetisiert wird.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1) nach Anspruch 7, wobei das Klebematerial (4) an einer Oberfläche, an der der Magnetsensorchip (2) angebracht ist, ausgebildet und vollständig magnetisiert wird.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1), das aufweist: Magnetisieren eines Abschnitts eines Chipanbringungselements, an dem ein Magnetsensorchip (2) angebracht ist, Magnetisieren eines Klebematerials (4) zum Verbinden des Magnetsensorchips (2) mit dem Chipanbringungselement, Anbringen des Magnetsensorchips (2) an dem Chipanbringungselement unter Verwendung des Klebematerials (4), Einkapseln des Chipanbringungselements und des darauf angebrachten Magnetsensorchips (2) unter Verwendung eines Kapselmaterials, und Magnetisieren eines Abschnitts des Kapselmaterials an einer Oberfläche gegenüber der Anbringungsoberfläche des Magnetsensorchips (2) am Chipanbringungselement, wobei der Abschnitt des Kapselmaterials dem magnetisierten Abschnitt des Chipanbringungselements entspricht.
  14. Verfahren zur Herstellung eines Magnetsensors (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 13, wobei der magnetisierte Abschnitt einmal entmagnetisiert und dann wieder magnetisiert wird.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005015003A1 (de) * 2005-04-01 2006-10-05 Conti Temic Microelectronic Gmbh Fahrzeugsensor
DE102005027767A1 (de) * 2005-06-15 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Integriertes magnetisches Sensorbauteil
DE102005027766A1 (de) * 2005-06-15 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Integriertes magnetisches Sensorbauteil
US8362579B2 (en) 2009-05-20 2013-01-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a magnetic sensor chip
DE102011121298A1 (de) 2011-12-19 2013-06-20 Micronas Gmbh Integrierter Magnetfeldsensor und Verfahren für eine Messung der Lage eines ferromagnetischen Werkstückes mit einem integrierten Magnetfeldsensor
DE102009013510B4 (de) * 2008-03-27 2015-09-03 Infineon Technologies Ag Sensormodul mit Gusseinkapselung zum Anwenden eines Vormagnetfelds
DE102016009166A1 (de) 2016-07-29 2018-02-01 Tdk-Micronas Gmbh Messsystem
DE102017104895A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Preh Gmbh Formgebendes Verfahren zur Herstellung eines einen Permanentmagneten aufweisenden Verbundteils
DE102019110570A1 (de) * 2019-04-24 2020-10-29 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorpackage mit integrierter passiver komponente

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
TWI227502B (en) 2003-09-02 2005-02-01 Ind Tech Res Inst Precise multi-pole magnetic components and manufacturing method thereof
JP4293037B2 (ja) * 2004-04-13 2009-07-08 株式会社デンソー 回転検出装置
US7425824B2 (en) * 2005-05-20 2008-09-16 Honeywell International Inc. Magnetoresistive sensor
US7687882B2 (en) 2006-04-14 2010-03-30 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having multiple dies with at least one on chip capacitor
US7573112B2 (en) * 2006-04-14 2009-08-11 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for sensor having capacitor on chip
US20080013298A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
US20080308886A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor Sensor
JP5243147B2 (ja) 2007-08-29 2013-07-24 株式会社デンソー センサチップ
EP2063229B1 (de) 2007-11-21 2012-05-02 Micronas GmbH Magnetfeldsensoranordnung
US8587297B2 (en) * 2007-12-04 2013-11-19 Infineon Technologies Ag Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
US20090212645A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Infineon Technologies Ag Electronic device for harvesting energy
US8058870B2 (en) * 2008-05-30 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Methods and systems for magnetic sensing
US8610430B2 (en) 2008-05-30 2013-12-17 Infineon Technologies Ag Bias field generation for a magneto sensor
US8174256B2 (en) 2008-05-30 2012-05-08 Infineon Technologies Ag Methods and systems for magnetic field sensing
US20110187359A1 (en) * 2008-05-30 2011-08-04 Tobias Werth Bias field generation for a magneto sensor
US8093670B2 (en) * 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US20100052424A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Taylor William P Methods and apparatus for integrated circuit having integrated energy storage device
EP2343566A4 (de) * 2008-09-29 2014-04-16 Omron Tateisi Electronics Co Magnetfelderkennungselement und signalübertragungselement
US8289019B2 (en) * 2009-02-11 2012-10-16 Infineon Technologies Ag Sensor
US20100271018A1 (en) * 2009-04-24 2010-10-28 Seagate Technology Llc Sensors for minute magnetic fields
US8253210B2 (en) * 2009-04-30 2012-08-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a magnetic sensor chip
KR100998004B1 (ko) 2009-11-20 2010-12-03 이용재 온도감지센서의 칩 결합구조
US20110133732A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
EP2600164A4 (de) * 2010-07-30 2016-03-30 Mitsubishi Electric Corp Magnetsensorvorrichtung
CN102683582A (zh) * 2011-03-11 2012-09-19 曲炳郡 一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法
CN202013413U (zh) * 2011-04-06 2011-10-19 江苏多维科技有限公司 单一芯片桥式磁场传感器
US9121880B2 (en) 2011-11-04 2015-09-01 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device
US9201123B2 (en) * 2011-11-04 2015-12-01 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device and a method for fabricating the same
JP5996867B2 (ja) * 2011-12-20 2016-09-21 日本電産サンキョー株式会社 磁気センサ装置
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10234513B2 (en) * 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9153369B2 (en) * 2012-04-23 2015-10-06 Infineon Technologies Ag Bias field generator including a body having two body parts and holding a packaged magnetic sensor
CN103839320A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 北京嘉岳同乐极电子有限公司 用于金融鉴伪机的磁传感器及其制作方法
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
DE102013007902B4 (de) 2013-05-08 2019-02-28 Tdk-Micronas Gmbh Messsystem
DE102013007901B4 (de) 2013-05-08 2019-04-04 Tdk-Micronas Gmbh Messsystem
US20140377915A1 (en) * 2013-06-20 2014-12-25 Infineon Technologies Ag Pre-mold for a magnet semiconductor assembly group and method of producing the same
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US9810519B2 (en) * 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
JP5726260B2 (ja) 2013-10-17 2015-05-27 三菱電機株式会社 磁気センサおよびその製造方法
DE102013020578B4 (de) 2013-12-13 2017-04-27 Tdk-Micronas Gmbh Messsystem
KR20150073246A (ko) 2013-12-20 2015-07-01 현대자동차주식회사 변속단 감지스위치
EP2894489B1 (de) * 2014-01-13 2019-03-13 TDK-Micronas GmbH Sensorvorrichtung
KR102116147B1 (ko) * 2014-03-06 2020-05-28 매그나칩 반도체 유한회사 매립형 마그네틱 센서
US9583247B2 (en) * 2014-05-27 2017-02-28 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for a magnet with uniform magnetic flux
US9927498B2 (en) * 2014-06-06 2018-03-27 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device comprising a ring-shaped magnet and a sensor chip in a common package
DE102014011245B3 (de) 2014-08-01 2015-06-11 Micronas Gmbh Magnetfeldmessvorrichtung
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US10411498B2 (en) 2015-10-21 2019-09-10 Allegro Microsystems, Llc Apparatus and methods for extending sensor integrated circuit operation through a power disturbance
JP6608255B2 (ja) * 2015-11-26 2019-11-20 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ装置
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
DE112017003404T5 (de) * 2016-07-06 2019-03-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Magnetsensor und elektrischer stomsensor, der denselben umfasst
DE102016009209B3 (de) * 2016-08-01 2017-10-19 Tdk-Micronas Gmbh Messsystem
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
US20180364066A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Infineon Technologies Ag Linear position magnetic field sensor with differential sensing and a differential magnetic field sensing method
US10718827B2 (en) * 2017-08-25 2020-07-21 Infineon Technologies Ag Frequency increasing sensor protocol in magnetic sensing
DE102017121467A1 (de) * 2017-09-15 2019-03-21 Infineon Technologies Ag Magnetsensorbauelement und verfahren zum bestimmen einer rotationsgeschwindigkeit, einer rotationsrichtung und/oder eines rotationswinkels einer magnetischen komponente um eine rotationsachse
DE102017222393A1 (de) * 2017-12-11 2019-06-13 Robert Bosch Gmbh Sensorbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Sensorbaugruppe
US10539432B2 (en) 2018-01-29 2020-01-21 Infineon Technologies Ag Differential top-read magnetic sensor with low cost back bias magnet
US10866117B2 (en) 2018-03-01 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target
US10978897B2 (en) 2018-04-02 2021-04-13 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for suppressing undesirable voltage supply artifacts
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10921391B2 (en) * 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
US10955306B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deformable substrate
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57147289A (en) 1981-03-09 1982-09-11 Nec Corp Magnetic reluctance effect element
JPS61284978A (ja) * 1985-06-11 1986-12-15 Sharp Corp 磁気センサ−
JPS6290987A (ja) 1985-10-17 1987-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気センサ
JPS62201957A (ja) 1986-02-28 1987-09-05 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 耐界面活性剤性塩化ビニル樹脂組成物
JPS62201957U (de) * 1986-06-12 1987-12-23
JPH0194684A (ja) * 1987-10-06 1989-04-13 Nippon Autom:Kk 磁気抵抗素子
JPH0279865A (ja) * 1988-09-16 1990-03-20 Minolta Camera Co Ltd 複写機
JP3138490B2 (ja) 1991-03-13 2001-02-26 株式会社トーキン チップインダクタの製造方法
WO1995023343A1 (en) * 1994-02-28 1995-08-31 Philips Electronics N.V. Device for measuring magnetic fields
US5508611A (en) * 1994-04-25 1996-04-16 General Motors Corporation Ultrathin magnetoresistive sensor package
JP3603406B2 (ja) * 1995-09-11 2004-12-22 株式会社デンソー 磁気検出センサおよびその製造方法
JPH0979866A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Fujitsu Ten Ltd 回転角センサ
JPH10270160A (ja) 1997-03-21 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp 誘導加熱コイル装置及びその製造方法
JP2001267164A (ja) 2000-03-22 2001-09-28 Bridgestone Corp 樹脂磁石成形物の製造方法及び樹脂磁石成形物の製造装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005015003A1 (de) * 2005-04-01 2006-10-05 Conti Temic Microelectronic Gmbh Fahrzeugsensor
DE102005027767A1 (de) * 2005-06-15 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Integriertes magnetisches Sensorbauteil
DE102005027766A1 (de) * 2005-06-15 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Integriertes magnetisches Sensorbauteil
US7385394B2 (en) 2005-06-15 2008-06-10 Infineon Technologies Ag Integrated magnetic sensor component
DE102009013510B4 (de) * 2008-03-27 2015-09-03 Infineon Technologies Ag Sensormodul mit Gusseinkapselung zum Anwenden eines Vormagnetfelds
US8362579B2 (en) 2009-05-20 2013-01-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a magnetic sensor chip
DE102011121298A1 (de) 2011-12-19 2013-06-20 Micronas Gmbh Integrierter Magnetfeldsensor und Verfahren für eine Messung der Lage eines ferromagnetischen Werkstückes mit einem integrierten Magnetfeldsensor
EP2607857A2 (de) 2011-12-19 2013-06-26 Micronas GmbH Integrierter Magnetfeldsensor und Verfahren für eine Messung der Lage eines ferromagnetischen Werkstückes mit einem integrierten Magnetfeldsensor
DE102016009166A1 (de) 2016-07-29 2018-02-01 Tdk-Micronas Gmbh Messsystem
US10605625B2 (en) 2016-07-29 2020-03-31 Tdk-Micronas Gmbh Measuring system
DE102017104895A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Preh Gmbh Formgebendes Verfahren zur Herstellung eines einen Permanentmagneten aufweisenden Verbundteils
US11004601B2 (en) 2017-03-08 2021-05-11 Preh Gmbh Forming method for producing a composite part having a permanent magnet
DE102017104895B4 (de) 2017-03-08 2021-08-19 Preh Gmbh Formgebendes Verfahren zur Herstellung eines einen Permanentmagneten aufweisenden Verbundteils
DE102019110570A1 (de) * 2019-04-24 2020-10-29 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorpackage mit integrierter passiver komponente
US11422144B2 (en) 2019-04-24 2022-08-23 Infineon Technologies Ag Magnetic-field sensor package with integrated passive component
DE102019110570B4 (de) 2019-04-24 2023-05-25 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorpackage mit integrierter passiver komponente

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FR2852098A1 (fr) 2004-09-10

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