JPH0194684A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

磁気抵抗素子

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Publication number
JPH0194684A
JPH0194684A JP62250784A JP25078487A JPH0194684A JP H0194684 A JPH0194684 A JP H0194684A JP 62250784 A JP62250784 A JP 62250784A JP 25078487 A JP25078487 A JP 25078487A JP H0194684 A JPH0194684 A JP H0194684A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
bias
magnetic field
pattern
magnetoresistive element
Prior art date
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Pending
Application number
JP62250784A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahisa Ito
伊藤 昌久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON AUTOM KK
Nippon Automation Co Ltd
Original Assignee
NIPPON AUTOM KK
Nippon Automation Co Ltd
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Publication date
Application filed by NIPPON AUTOM KK, Nippon Automation Co Ltd filed Critical NIPPON AUTOM KK
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Publication of JPH0194684A publication Critical patent/JPH0194684A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は異なる方向に磁束が印加されたとき、特に印加
磁束の方向が90°異なるときに電気抵抗が最大幅で増
減する磁気抵抗特性を有する磁気抵抗素子に関する。
〈従来例および問題点〉 従来、第3〜4図に示すように、この種の強磁性体薄膜
材料からなる磁気抵抗素子(以下rMR素子」という。
)(1)は、ガラス製、セラミック類等の非磁性材料か
らなる基板(110)の上に、蒸着やスパッタリング等
により櫛の歯状パターンの磁気抵抗素子本体部(120
)を形成し、これをリードフレーム(130)に載置し
て各端子(140)〜(143)をリード端子(131
)〜(134)に結合したのち、外被用プラスチック等
によりモールド(150)層を形成して製品とするもの
である。
しかしながら、このような構成の磁気抵抗素子(100
)によるとζ上記の磁気抵抗本体部(120)の磁気ヒ
ステリシスによる不都合、すなわち外部磁界特に弱磁界
において履歴により同一磁力でも出力電圧(Vout)
に相違が生じるという欠点がある。そこで、第5図に示
すような安定した出力電圧特性を生じさせるための補正
手段として、上記パターンの櫛の歯状要素(120a)
〜(120d)の全てに対して櫛目方向に45゛のバイ
アス磁界が作用するようにバイアス磁石(160)をモ
ールド(150)の外面例えば底面に接着等により外付
は固着することが行なわれている。
ところが、このようなバイアス磁石(160)の外付け
による磁気抵抗素子(100)は、次のような欠点を有
している。
■櫛の歯状要素(120a)〜(120d)からなるパ
ターン面とバイアス磁石(160)との間に、基板(1
10) 、リードフレーム(130) 、モールド(1
50)が介在しており、バイアス磁界をパターン面に十
分作用させるための磁力の強いバイアス磁石(160)
が必要であり、このため磁石の形状が大型となる欠点が
ある。
■バイアス磁石(160)をモールド成形後に外部に固
着するので、素子全体の厚みが増加して大型となる。
■バイアス磁石(160)をモールド成形後に外部に固
着するので、45°のバイアス磁界をパターンの櫛の歯
状要素(120a) 〜(120d)に対して正確に作
用させるための位置合わせが繁雑な人手作業となる。従
って、大量生産に向かないものであるとともに、特性の
そろった均一な索子を反復生産することが困難で歩留り
が悪いものであった。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、上記の欠点を除去するために提案されたもの
であり、 その目的は、より弱い磁力のバイアス磁石を用いつつも
パターン面に近接せしめることにより、外部の弱磁界に
おいてもヒステリシスのない安定した出力電圧を生じさ
せるための磁気抵抗素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、素子全体の厚みを掻く薄手のもの
にすることのできる磁気抵抗素子を提供することにある
本発明の更に他の目的は、バイアス磁石の取付は位置合
せが正確且つ容易に行なえるものとすることにより、作
業性、大量生産性に優れた磁気抵抗素子を提供すること
にある。
而して、上記の目的は[基板上に強磁性体の薄膜材料か
らなる櫛の歯状パターンを形成してなる磁気抵抗素子に
おいて、上記基板な硬磁性材料により成形してバイアス
磁界を着磁せしめたことを特徴とする磁気抵抗素子」に
よって達成される。
〈実施例〉 次に、本発明を図面に示された一実施例に従って、更に
詳しく説明することとする。
第1.2図には本発明に係る磁気抵抗素子(1)が示さ
れている。(2)は基板(3)上に櫛の歯状パターンに
形成された強磁性体の薄膜材料からなる素子本体部であ
り、そのパターンは蒸着法等の公知の手段により、例え
ば第4図のパターンに形成される。
而して、基板(3)は硬磁性材料を用いており、上記パ
ターン中の全ての櫛の歯状要素(120a)〜(12C
1d)に対して45°のバイアス磁界が作用するように
パターン形成前の段階又はパターン形成後の適宜な時期
に着磁するものとする。
次いで、パターン形成およびバイアス着磁を行なった基
板(3)をリードフレーム(4)上に載置して従来と同
様に端子結合を行なった後、プラスチック等によりモー
ルド(5)層を形成して被覆固定する。
ここで、基板(3)は通常正方形または矩形に成形して
使用されるため、いずれか−辺に対して直角な方向に磁
束が生じるように位置決めして正確に着磁することは容
易である。
同様に、このような方形の基板(3)の各辺に対して夫
々45°の角度で櫛の歯状要素を正確にパターン形成す
ることも容易である。
従って、本発明では基板(3)そのものをバイアス磁石
としたので、上記パターンの櫛の歯状要素の方向に対す
るバイアス磁界の磁束方向を常に正確に45°で交差す
るようにすることが容易に行なえるものである。
また、パターン面に接した至近距離にバイアス磁石(3
)が位置することとなるので、非常に弱い磁力を以てヒ
ステリシス補正のために必要なバイアス磁束量を供給す
ることができ、磁気センサとしての性能を向上すること
ができる。また、バイアス磁石をより薄型にすることが
できるものである。
なお、第2図に示すように、基板(3)と素子本体部(
2)との間に平滑度の高いフィルム状の絶縁層(6)を
介在させることにより、素子本体部(2)のパターンを
均一厚さの平滑な面に形成するとともに、素子本体部(
2)が導電性材料であるときにおけるリードフレーム(
4)との絶縁性を確保するようにしてもよい。
〈効 果〉 上記本発明に係る磁気抵抗素子によれば、バイアス磁界
をパターン面に密接配置して磁気効率を向上せしめたの
で、非常に弱いバイアス磁界により精度の高い外部磁界
検出が可能である。
また、別部材のバイアス磁石を用意してモールド内に積
層し又はモールド外面に外付けする必要もないから、素
子(1)の製造工程が簡素化されるとともに、小型化が
可能となるものである。
更に、バイアス磁石の取付は位置合せが正確且つ容易で
あるので、作業性、大量生産性に優れ、歩留りが良好で
ある。
更に、素子全体の厚みが極く薄手のものにすることので
きるので、小型化に資するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る磁気抵抗素子の一実施例を示す中
央縦断面図、第2図は他の実施例を示す中央縦断面図、
第3図は従来の磁気抵抗素子を示す縦断面図、第4図は
■−■線断面図、第5図は従来および本発明における磁
気抵抗素子の外部磁力に対する出力電圧特性グラフであ
る。 <2) −−−−−−素子本体部、 (3)−−−−一 基板、 (4) −−−−−−リードフレーム、(5)−−−−
−モールド層、 (6)−−−−一 絶縁層。 特許出願人  株式会社 日本オートメーション代理人
・弁理士   千   1)     稔図面の浄書(
内容に変更なし) 第3図 第4図 ■。ut 手続補正書 (自発) 昭和62年10月 72日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板上に強磁性体の薄膜材料からなる櫛の歯状パタ
    ーンを形成してなる磁気抵抗素子において、上記基板を
    硬磁性材料により成形してバイアス磁界を着磁せしめた
    ことを特徴とする磁気抵抗素子。 2、上記基板とパターンとの間に、薄膜絶縁層が介在せ
    しめられてなる前記特許請求の範囲第1記載の磁気抵抗
    素子。
JP62250784A 1987-10-06 1987-10-06 磁気抵抗素子 Pending JPH0194684A (ja)

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JP62250784A JPH0194684A (ja) 1987-10-06 1987-10-06 磁気抵抗素子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1311569C (zh) * 2003-03-03 2007-04-18 株式会社电装 磁传感器及其制造方法

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JPS6034086A (ja) * 1983-08-06 1985-02-21 Sharp Corp 磁気センサ
JPS6237951B2 (ja) * 1979-11-12 1987-08-14 Taiyo Fishery Co Ltd

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