JPH0427886A - 磁気抵抗効果センサ - Google Patents
磁気抵抗効果センサInfo
- Publication number
- JPH0427886A JPH0427886A JP2133390A JP13339090A JPH0427886A JP H0427886 A JPH0427886 A JP H0427886A JP 2133390 A JP2133390 A JP 2133390A JP 13339090 A JP13339090 A JP 13339090A JP H0427886 A JPH0427886 A JP H0427886A
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- JP
- Japan
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- sensor
- magnet
- magnetic resistance
- magnetoresistive
- bias
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、強磁性体の磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効
果センサに関するものである。
果センサに関するものである。
従来の技術
第３図に従来の磁気抵抗効果センサの構成を示す。
Ｍ Ｑ Ｉｔ９Ｎ、＝−ｈｅｌ、ｓｆ Ｍ −’ｙ
７ ＸＦｊ １ μＬ７１．＋−Ｎ ＋ Ｉ’！ｎ−あ
るいはＮｌＦｅ等を蒸着あるいは、スパッタリング等の
手段によりセンサ部２が形成されている。また、ガラス
基板１のセンサ部２が形成されている面と反対の面には
、直流バイアス磁場をセンサ部２に印加するためのバイ
アス磁石３が設けられている。センサ部２には、通電す
るための通電端子４と信号を出力するための出力端子５
が、ワイヤボンディング等の手段により設けられている
。また、以上の構成要素からなる磁気抵抗素子６は、保
持部７によって保持されており、保持部７には、基板な
どに取り付けられるように位置決めピン７ｂと取り付は
穴７ｃが設けられている。
７ ＸＦｊ １ μＬ７１．＋−Ｎ ＋ Ｉ’！ｎ−あ
るいはＮｌＦｅ等を蒸着あるいは、スパッタリング等の
手段によりセンサ部２が形成されている。また、ガラス
基板１のセンサ部２が形成されている面と反対の面には
、直流バイアス磁場をセンサ部２に印加するためのバイ
アス磁石３が設けられている。センサ部２には、通電す
るための通電端子４と信号を出力するための出力端子５
が、ワイヤボンディング等の手段により設けられている
。また、以上の構成要素からなる磁気抵抗素子６は、保
持部７によって保持されており、保持部７には、基板な
どに取り付けられるように位置決めピン７ｂと取り付は
穴７ｃが設けられている。
いまここで、通電端子４からセンサ部２に通電し、かつ
センサ部２と直角の方向に磁界（Ｈ）を加えると、セン
サ部２の抵抗値が変化する。
センサ部２と直角の方向に磁界（Ｈ）を加えると、セン
サ部２の抵抗値が変化する。
一般に、磁気抵抗素子に外部から磁界Ｈを与えると、抵
抗変化率ΔＲ／ Ｒｇは、第２図に示すような山形の特
性を示す。従って、バイアス磁石を用いてバイアス磁界
をかけ、特性曲線の直線部のほぼ山１帽＝ｌｈ／Ｔ：占
ルセさ−坪片恋Ｉｋ塚へＴｌ？／ｐ、？（磁界の変化に
比例する範囲を使用する。
抗変化率ΔＲ／ Ｒｇは、第２図に示すような山形の特
性を示す。従って、バイアス磁石を用いてバイアス磁界
をかけ、特性曲線の直線部のほぼ山１帽＝ｌｈ／Ｔ：占
ルセさ−坪片恋Ｉｋ塚へＴｌ？／ｐ、？（磁界の変化に
比例する範囲を使用する。
発明が解決しようとする課題
第３図に示す従来の構成の磁気抵抗効果素子においては
、製作上端子部とバイアス磁石を保持部と共にインサー
ト成形し、センサ部とリードをワイヤボンドにより接続
していた。また、磁気抵抗効果素子のセンサ出力は、セ
ンサ面を通過するノくイアス磁束の量、そしてセンサ面
を通過するノくイアス磁束の向きによって変化するので
、（１）インサート成形時のバイアス磁石の位置決めが
難しいためにセンサ面を通過する磁束量、方向共に精密
にコントロールできないのでセンサ出力がばらつく。
、製作上端子部とバイアス磁石を保持部と共にインサー
ト成形し、センサ部とリードをワイヤボンドにより接続
していた。また、磁気抵抗効果素子のセンサ出力は、セ
ンサ面を通過するノくイアス磁束の量、そしてセンサ面
を通過するノくイアス磁束の向きによって変化するので
、（１）インサート成形時のバイアス磁石の位置決めが
難しいためにセンサ面を通過する磁束量、方向共に精密
にコントロールできないのでセンサ出力がばらつく。
（２）バイアス磁石が別に必要なため部品点数が多い。
また磁気抵抗効果センサが小型になるとバイアス磁石が
小型になり、磁気抵抗効果センサを作成するうえで製作
上困難な面が出てくると共に、バイアス磁石の保持力が
一定値に抑えにくくなる。
小型になり、磁気抵抗効果センサを作成するうえで製作
上困難な面が出てくると共に、バイアス磁石の保持力が
一定値に抑えにくくなる。
（３）いったん磁気抵抗効果センサとして成形すると、
バイアス磁場の強さ、向き共に調整できないために、セ
ンサの感度ばらつきによる磁気抵抗効果センサ間の出力
差が生じる。
バイアス磁場の強さ、向き共に調整できないために、セ
ンサの感度ばらつきによる磁気抵抗効果センサ間の出力
差が生じる。
という課題があった。
本発明は上記した課題を解決し、高性能でしかも製造が
容易な磁気抵抗効果センサを提供することを目的として
いる。
容易な磁気抵抗効果センサを提供することを目的として
いる。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、磁気抵抗効果素子
と、磁気抵抗効果素子を保持する保持部とを具備し、保
持部を樹脂磁石で成形してなるものである。
と、磁気抵抗効果素子を保持する保持部とを具備し、保
持部を樹脂磁石で成形してなるものである。
作用
本発明は、上記した構成により、樹脂磁石で磁気抵抗効
果素子の保持部を成形したことにより、非常に簡単な構
成でありながら、バイアス磁石の磁力調整が可能であり
、磁気抵抗素子を樹脂磁石からなる保持部で保持するこ
とにより外部磁場の影響を少なくする（外部遺漏磁場に
対してシールド効果がある）。さらに構成上バイアス磁
石が別部品でないために、部品点数の削減、並びに製作
工法の簡便化などを実現することができるものである。
果素子の保持部を成形したことにより、非常に簡単な構
成でありながら、バイアス磁石の磁力調整が可能であり
、磁気抵抗素子を樹脂磁石からなる保持部で保持するこ
とにより外部磁場の影響を少なくする（外部遺漏磁場に
対してシールド効果がある）。さらに構成上バイアス磁
石が別部品でないために、部品点数の削減、並びに製作
工法の簡便化などを実現することができるものである。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗効
果センサの斜視図、第２図は本発明の磁気抵抗効果セン
サの動作特性図である。
明する。第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗効
果センサの斜視図、第２図は本発明の磁気抵抗効果セン
サの動作特性図である。
第１図において、ガラス基板１上には、ＮｌＣｏ、ある
いはＮｉＦｅ等を蒸着あるいは、スバ・ンタリング等の
手段によりセンサ部２が形成されている。センサ部２に
は、通電するための通電端子４と信号を出力するための
出力端子５が、ワイヤボンディング等の手段により設け
られている。また、以上の構成要素からなる磁気抵抗素
子６は、樹脂磁石からなる保持部７によって保持されて
いる。また、保持部７のガラス基板１のセンサ部２が形
成されている面と対向する面７ａには、直流バイアス磁
場を磁気抵抗効果素子６に印加するために所定の着磁が
なされている。さらに、保持部７には、基位置決め用の
凸部７ｂが設けられている。
いはＮｉＦｅ等を蒸着あるいは、スバ・ンタリング等の
手段によりセンサ部２が形成されている。センサ部２に
は、通電するための通電端子４と信号を出力するための
出力端子５が、ワイヤボンディング等の手段により設け
られている。また、以上の構成要素からなる磁気抵抗素
子６は、樹脂磁石からなる保持部７によって保持されて
いる。また、保持部７のガラス基板１のセンサ部２が形
成されている面と対向する面７ａには、直流バイアス磁
場を磁気抵抗効果素子６に印加するために所定の着磁が
なされている。さらに、保持部７には、基位置決め用の
凸部７ｂが設けられている。
いまここで、通電端子４からセンサ部２に通電し、かつ
センサ部２と直角の方向に磁界（Ｈ）を加えると、セン
サ部２の抵抗値が変化する。
センサ部２と直角の方向に磁界（Ｈ）を加えると、セン
サ部２の抵抗値が変化する。
ここで、磁気抵抗素子６に外部より磁界Ｈを印加すると
、抵抗変化率は、第２図に示すような山形の特性を示す
。保持部７に設けられたバイアス磁界印加部７ａにより
適切なバイアス磁界をかけると、特性曲線の直線部のほ
ぼ中央部が動作点となり、磁界の変化に比例した抵抗変
化率を得る。
、抵抗変化率は、第２図に示すような山形の特性を示す
。保持部７に設けられたバイアス磁界印加部７ａにより
適切なバイアス磁界をかけると、特性曲線の直線部のほ
ぼ中央部が動作点となり、磁界の変化に比例した抵抗変
化率を得る。
なお、本実施例においては、着磁する部分を保持部７の
ガラス基板１のセンサ部２が形成されている面と対向す
る面７ａとしたが、着磁する部分はセンサ部２と対向す
る面に限るものではなく、特に保持部７全体に着磁する
と、より多（の出力を得ることができると共に、外部の
遺漏磁界から受ける影響を少なくすることができる。
ガラス基板１のセンサ部２が形成されている面と対向す
る面７ａとしたが、着磁する部分はセンサ部２と対向す
る面に限るものではなく、特に保持部７全体に着磁する
と、より多（の出力を得ることができると共に、外部の
遺漏磁界から受ける影響を少なくすることができる。
なお、保持部７を樹脂成形する際、バイアス磁力を印加
する方向に磁場配向をかけながら成形すブししｈコ４＾
１ｔＲツヤη四士−←−−−イ目１！Ｌ為イ１つ己し１
と共に、この素子が本来出力しなければならない磁力の
変化以外の外部磁力の影響が少なくなる。
する方向に磁場配向をかけながら成形すブししｈコ４＾
１ｔＲツヤη四士−←−−−イ目１！Ｌ為イ１つ己し１
と共に、この素子が本来出力しなければならない磁力の
変化以外の外部磁力の影響が少なくなる。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように、本発明によれば磁気
抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を保持する保持部と
を具備し、保持部を樹脂磁石で成形したことによって、
着磁条件（着磁強さ、着磁範囲、着磁角度等）を調整す
ることができるので、バイアス磁力調整が可能となり、
また感度調整が容易となって感度ばらつきが少なくなる
。また磁気抵抗素子を樹脂磁石からなる保持部により保
持することにより外部からの磁場の影響を少なくする（
外部遺漏磁場に対してシールド効果がある。
抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子を保持する保持部と
を具備し、保持部を樹脂磁石で成形したことによって、
着磁条件（着磁強さ、着磁範囲、着磁角度等）を調整す
ることができるので、バイアス磁力調整が可能となり、
また感度調整が容易となって感度ばらつきが少なくなる
。また磁気抵抗素子を樹脂磁石からなる保持部により保
持することにより外部からの磁場の影響を少なくする（
外部遺漏磁場に対してシールド効果がある。
さらには、例えば保持部全体を着磁すれば、外部漏れ磁
束の影響を排除できる。 さらに構成上バイアス磁石
が別部品とならないために、部品点数の削減、並びに製
作工法の簡便化などを実現することができる。
束の影響を排除できる。 さらに構成上バイアス磁石
が別部品とならないために、部品点数の削減、並びに製
作工法の簡便化などを実現することができる。
第１図は本発明の磁気抵抗センサの一実施例の斜視図、
第２図は本発明の磁気抵抗効果センサの動作特性図、第
３図は従来の磁気抵抗センサの斜視図である。 ６・・・磁気抵抗素子、 ７・・・保持部。 代理人の氏名 弁理士 粟野 重孝 はか１８第 図 第 図 五少−椿千ｆ、、ｉ÷ 採」１ ハ 七（１亀にイし率 第 図 ／ ／
第２図は本発明の磁気抵抗効果センサの動作特性図、第
３図は従来の磁気抵抗センサの斜視図である。 ６・・・磁気抵抗素子、 ７・・・保持部。 代理人の氏名 弁理士 粟野 重孝 はか１８第 図 第 図 五少−椿千ｆ、、ｉ÷ 採」１ ハ 七（１亀にイし率 第 図 ／ ／
Claims (2)
- （１）磁気抵抗効果素子と、その磁気抵抗効果素子を保
持する保持部とを具備し、前記保持部を樹脂磁石で成形
したことを特徴とする磁気抵抗効果センサ。 - （２）樹脂磁石で成形した保持部の一部に所定の着磁を
施したことによって、前記磁気抵抗効果素子に直流バイ
アス磁場を印加するように構成した請求項１記載の磁気
抵抗効果センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133390A JPH0427886A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 磁気抵抗効果センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133390A JPH0427886A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 磁気抵抗効果センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0427886A true JPH0427886A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15103627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133390A Pending JPH0427886A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 磁気抵抗効果センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427886A (ja) |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP2133390A patent/JPH0427886A/ja active Pending
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