JPH02271258A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JPH02271258A JPH02271258A JP9426289A JP9426289A JPH02271258A JP H02271258 A JPH02271258 A JP H02271258A JP 9426289 A JP9426289 A JP 9426289A JP 9426289 A JP9426289 A JP 9426289A JP H02271258 A JPH02271258 A JP H02271258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- field generating
- magnet
- magnetoresistive element
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気の状態により電気抵抗が定まる磁気抵抗
素子を利用して、被検出対象の位置を検出する位置検出
装置に関するものである。
素子を利用して、被検出対象の位置を検出する位置検出
装置に関するものである。
従来、位置検出装置は、位置センサあるいは回軸速度セ
ンサ等広い分野での制御装置として用いられているが、
高い検出精度、広範囲の使用周囲温度、小型で簡単な構
造などの要求が強く、磁気検出式のものが用いられるよ
うになった。これは、磁気抵抗素子が高感度であり、温
度変化に対して比較的安定で、しかも製造方法も容易で
あるというためである。更に、磁気状態を電気信号に変
換する電子回路において、磁気状態が直接抵抗値を決定
するため、検出回路の設計が容易な点も重要である。そ
して、以上の特徴は１チツプ内に磁気抵抗素子と検出回
路を造りつけるために有効である。第７図は、抵抗値状
態の検出回路として用いられる抵抗ブリッジ回路７１と
の出力電圧′■を検出し、増幅する電圧増幅回路７２か
らなる検出回路図である。
ンサ等広い分野での制御装置として用いられているが、
高い検出精度、広範囲の使用周囲温度、小型で簡単な構
造などの要求が強く、磁気検出式のものが用いられるよ
うになった。これは、磁気抵抗素子が高感度であり、温
度変化に対して比較的安定で、しかも製造方法も容易で
あるというためである。更に、磁気状態を電気信号に変
換する電子回路において、磁気状態が直接抵抗値を決定
するため、検出回路の設計が容易な点も重要である。そ
して、以上の特徴は１チツプ内に磁気抵抗素子と検出回
路を造りつけるために有効である。第７図は、抵抗値状
態の検出回路として用いられる抵抗ブリッジ回路７１と
の出力電圧′■を検出し、増幅する電圧増幅回路７２か
らなる検出回路図である。
ここで、磁気抵抗素子は印加される磁界の方向および強
度でその抵抗値が変化する素子である。
度でその抵抗値が変化する素子である。
この特徴を利用して位置検出装置を構成する場合には、
第８図に示すように磁気抵抗素子に磁界を印加するバイ
アス磁石と磁性材料から成る被検出対象（第８図におい
て、ギア）との間に磁気抵抗素子を配置するようにして
いる。
第８図に示すように磁気抵抗素子に磁界を印加するバイ
アス磁石と磁性材料から成る被検出対象（第８図におい
て、ギア）との間に磁気抵抗素子を配置するようにして
いる。
しかしながら、本発明者らの確認によると、このバイア
ス磁石と磁気抵抗素子の相対位置精度はその位置検出装
置の感度、精度に大きく影響するということが判明した
。これを第４図から第８図を用いて説明する。
ス磁石と磁気抵抗素子の相対位置精度はその位置検出装
置の感度、精度に大きく影響するということが判明した
。これを第４図から第８図を用いて説明する。
第６図は、第４図、第５図にそれぞれ示すように、磁気
抵抗素子の長手方向に対して平行および垂直方向の平面
内に対して、抵抗変化が飽和する磁界強度のもとてバイ
アス磁界角度を変化させた時の抵抗変化の様子を示した
ものである。第４図に示す様に、磁気抵抗素子の長手方
向に対して平行方向の平面内でバイアス磁界角度を変化
させた時の抵抗変化は、第６図の曲線への様になる。ま
た、第５図に示す様に磁気抵抗素子の長手方向に対して
垂直方向の平面内でバイアス磁界角度を変化させた時の
抵抗は、第６図の曲線Ｂの様になる。
抵抗素子の長手方向に対して平行および垂直方向の平面
内に対して、抵抗変化が飽和する磁界強度のもとてバイ
アス磁界角度を変化させた時の抵抗変化の様子を示した
ものである。第４図に示す様に、磁気抵抗素子の長手方
向に対して平行方向の平面内でバイアス磁界角度を変化
させた時の抵抗変化は、第６図の曲線への様になる。ま
た、第５図に示す様に磁気抵抗素子の長手方向に対して
垂直方向の平面内でバイアス磁界角度を変化させた時の
抵抗は、第６図の曲線Ｂの様になる。
位置検出装置は、磁気抵抗素子に印加される磁界角度の
変化による磁気抵抗素子の抵抗変化（第６図参照）を利
用して被検出対象の移動を検出するようにしており、そ
のため、その感度及び精度は印加される磁界角度に敏感
であることが窺える。
変化による磁気抵抗素子の抵抗変化（第６図参照）を利
用して被検出対象の移動を検出するようにしており、そ
のため、その感度及び精度は印加される磁界角度に敏感
であることが窺える。
一般に、磁石を空気中“に置くと第８図に示す様に磁界
角度は発散する（以下、この種の磁石をストレート磁石
という〕。そのため、磁気抵抗素子の位置によってバイ
アス磁界角度が大きく異なるという問題がある。第８図
において、１は磁石、２ａ、２ｂ、２ｃは磁気抵抗素子
であり、それぞれの磁界角度をθａ、 Ｏｂ、Ｏｃと
すると、θａ〈Ｏｂ〈θＣとなる。よって、抵抗値その
他の特性が全く同一の磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃで
も磁石との相対位置が異なれば抵抗値も異なり、磁気抵
抗素子に接続する検出回路（第７図参照）に問題が生じ
る。すなわち、第８図において、磁気抵抗素子の設置面
におけるＸ方向のわずかなオフセットｉで磁気抵抗素子
の抵抗変化が第６図において飽和する領域に達するため
、第８図の被検出対象のギアの回転による磁気抵抗素子
の抵抗変化が少なく、抵抗値を検出するためのブリッジ
回路を構成した時、ブリッジは平衡条件を満たさなくな
り、ブリッジ回路の直交する２つの両端の電圧が被検出
対象の回転によっても交差しない、すなわち被検出対象
の回転を検出できないことになる。
角度は発散する（以下、この種の磁石をストレート磁石
という〕。そのため、磁気抵抗素子の位置によってバイ
アス磁界角度が大きく異なるという問題がある。第８図
において、１は磁石、２ａ、２ｂ、２ｃは磁気抵抗素子
であり、それぞれの磁界角度をθａ、 Ｏｂ、Ｏｃと
すると、θａ〈Ｏｂ〈θＣとなる。よって、抵抗値その
他の特性が全く同一の磁気抵抗素子２ａ、２ｂ、２ｃで
も磁石との相対位置が異なれば抵抗値も異なり、磁気抵
抗素子に接続する検出回路（第７図参照）に問題が生じ
る。すなわち、第８図において、磁気抵抗素子の設置面
におけるＸ方向のわずかなオフセットｉで磁気抵抗素子
の抵抗変化が第６図において飽和する領域に達するため
、第８図の被検出対象のギアの回転による磁気抵抗素子
の抵抗変化が少なく、抵抗値を検出するためのブリッジ
回路を構成した時、ブリッジは平衡条件を満たさなくな
り、ブリッジ回路の直交する２つの両端の電圧が被検出
対象の回転によっても交差しない、すなわち被検出対象
の回転を検出できないことになる。
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、磁界発生手
段と磁気抵抗素子の位置決めが多少ずれても、その感度
、精度に影響を受けにくい位置検出装置を提供すること
も目的とする。
段と磁気抵抗素子の位置決めが多少ずれても、その感度
、精度に影響を受けにくい位置検出装置を提供すること
も目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、磁性材料を有す
る被検出対象の位置を検出する位置検出装置であって、 前記被検出対象に向けてバイアス磁界を発生ずる磁界発
生手段と、前記バイアス磁界中の所定の設置面に設置さ
れ、前記被検出対象の位置に応じた前記バイアス磁界の
状態変化により抵抗変化を生じる磁気抵抗素子と、この
磁気抵抗素子の抵抗値変化により前記被検出対象の位置
を検出する検出回路を備えた位置検出装置において、前
記磁界発生手段は、前記磁気抵抗素子に向けてバイアス
磁界を発生する磁界発生面を有し、この磁界発生面は前
記磁気抵抗素子に向けて発生するバイアス磁界が前記磁
気抵抗素子の設置面において発散するのを補償し、前記
バイアス磁界を前記設置面に略直交させる形状に形成さ
れているという技術的手段を採用する。
る被検出対象の位置を検出する位置検出装置であって、 前記被検出対象に向けてバイアス磁界を発生ずる磁界発
生手段と、前記バイアス磁界中の所定の設置面に設置さ
れ、前記被検出対象の位置に応じた前記バイアス磁界の
状態変化により抵抗変化を生じる磁気抵抗素子と、この
磁気抵抗素子の抵抗値変化により前記被検出対象の位置
を検出する検出回路を備えた位置検出装置において、前
記磁界発生手段は、前記磁気抵抗素子に向けてバイアス
磁界を発生する磁界発生面を有し、この磁界発生面は前
記磁気抵抗素子に向けて発生するバイアス磁界が前記磁
気抵抗素子の設置面において発散するのを補償し、前記
バイアス磁界を前記設置面に略直交させる形状に形成さ
れているという技術的手段を採用する。
上記構成において、磁界発生手段の磁界発生面の形状に
よって、この磁界発生面から発生するバイアス磁界は、
磁気抵抗素子の設置面において発散するのを補償され、
前記バイアス磁界は前記設置面に略直交する。
よって、この磁界発生面から発生するバイアス磁界は、
磁気抵抗素子の設置面において発散するのを補償され、
前記バイアス磁界は前記設置面に略直交する。
第１図は本発明による位置検出装置の一実施例を示す断
面図である。第１図において、低熱膨張金属の内プレー
ト３（例えばコバール、ステンレス４３０等）により、
非磁性金属材料からなるハウジング８はロー付、溶接又
は圧入等の手段で固定されている。内プレート３には出
力ビン４が封着ガラス５で封着されている。内プレート
３の上にバリスタ６と磁気抵抗素子と第７図に示す検出
回路を形成したＳｉチップ７を図示しない低融点ガラス
又は接着剤で接着する。出力ビン４とＳｉチップ７との
電気的な接続はポンディングワイヤ９で接続する。Ｓｉ
チップ７とボンディングワイヤ９の保護にはジャンクシ
ョンコート剤１０を塗布して加熱硬化させる。井磁性材
料からなる外ケース１１はハウジング８に圧入され、先
端の外周部１１ａをハウジング８とし、レーザ溶接等の
手段で密着することで、Ｓｔチップ７は完全密封される
。外ケース１１は、あらかじめこの位置検出装置固定の
ためのブラケット１２がロー付等の手段で固定されてい
る。そして、磁気抵抗素子を形成したＳｉチップ７゛に
相対する面を凹面に形成した磁石Ｉ５が、ハウジング８
の外側から図示しない接着剤にて固定されている。１３
は電磁ノイズによる誤動作防止用のフェライトビーズで
ある。
面図である。第１図において、低熱膨張金属の内プレー
ト３（例えばコバール、ステンレス４３０等）により、
非磁性金属材料からなるハウジング８はロー付、溶接又
は圧入等の手段で固定されている。内プレート３には出
力ビン４が封着ガラス５で封着されている。内プレート
３の上にバリスタ６と磁気抵抗素子と第７図に示す検出
回路を形成したＳｉチップ７を図示しない低融点ガラス
又は接着剤で接着する。出力ビン４とＳｉチップ７との
電気的な接続はポンディングワイヤ９で接続する。Ｓｉ
チップ７とボンディングワイヤ９の保護にはジャンクシ
ョンコート剤１０を塗布して加熱硬化させる。井磁性材
料からなる外ケース１１はハウジング８に圧入され、先
端の外周部１１ａをハウジング８とし、レーザ溶接等の
手段で密着することで、Ｓｔチップ７は完全密封される
。外ケース１１は、あらかじめこの位置検出装置固定の
ためのブラケット１２がロー付等の手段で固定されてい
る。そして、磁気抵抗素子を形成したＳｉチップ７゛に
相対する面を凹面に形成した磁石Ｉ５が、ハウジング８
の外側から図示しない接着剤にて固定されている。１３
は電磁ノイズによる誤動作防止用のフェライトビーズで
ある。
凹面磁石１５とフェライトビーズ１３を固定した後に、
モールド樹脂材料１４を流し込んで加熱硬化させて、第
１図に示す位置検出装置が形成される。
モールド樹脂材料１４を流し込んで加熱硬化させて、第
１図に示す位置検出装置が形成される。
本実施例の凹面磁石を使った位置検出装置において、磁
気抵抗素子の位置での磁界角度をホールプローブを使用
して測定した結果を第３図に示す。
気抵抗素子の位置での磁界角度をホールプローブを使用
して測定した結果を第３図に示す。
また、従来技術によるストレート磁石を使った場合の磁
界角度を第９図に示す。なお、実験に使用した凹面磁石
、ストレート磁石は、前記ｂｉｔ気抵抗抵抗素子位置い
て両者とも磁束密度１２００ガウスとなるものである。
界角度を第９図に示す。なお、実験に使用した凹面磁石
、ストレート磁石は、前記ｂｉｔ気抵抗抵抗素子位置い
て両者とも磁束密度１２００ガウスとなるものである。
また、前記磁気抵抗素子位置と被検出対象のギアとの距
離は、両者とも等しいものである。
離は、両者とも等しいものである。
第３図、第９図において、横軸は被検出対象のギアの回
転角を表し、ギアのピッチは７度である。
転角を表し、ギアのピッチは７度である。
第３図と第９図を比較した場合、凹面磁石とストレート
磁石の磁界角度の振幅に差はないが、第８図または第２
図におけるＸ方向のオフセット量Δχの変化に対して磁
界角度の中心値に大きな差が生じる。なお、ここでオフ
セットｉΔχ＝０の位置は、ギアの中心と磁石の中心と
を結ぶ線とオフセット方向が直交する位置であることを
示している。ストレース磁石では、オフセットｉΔχが
増大すると磁界が発散するため、磁界角度の中心値の変
化は大きく、わずかΔχが１ ｍｍ変化すると、磁界角
度は８度も変化してしまう。このことは、第６図におい
て磁界角度の中心値が９０度より大きくずれると磁界角
度の振幅があっても抵抗変化が飽和している領域となる
ため、第７図に示す抵掩値検出用ブリッジ７１を構成し
た場合の両端の電圧は小さくなってしまうことによって
いる。
磁石の磁界角度の振幅に差はないが、第８図または第２
図におけるＸ方向のオフセット量Δχの変化に対して磁
界角度の中心値に大きな差が生じる。なお、ここでオフ
セットｉΔχ＝０の位置は、ギアの中心と磁石の中心と
を結ぶ線とオフセット方向が直交する位置であることを
示している。ストレース磁石では、オフセットｉΔχが
増大すると磁界が発散するため、磁界角度の中心値の変
化は大きく、わずかΔχが１ ｍｍ変化すると、磁界角
度は８度も変化してしまう。このことは、第６図におい
て磁界角度の中心値が９０度より大きくずれると磁界角
度の振幅があっても抵抗変化が飽和している領域となる
ため、第７図に示す抵掩値検出用ブリッジ７１を構成し
た場合の両端の電圧は小さくなってしまうことによって
いる。
一方、凹面磁石では磁界が中心部にわずかながら収束を
受けて発散弁を補正するため、オフセットａΔχが増大
しても磁界角度の中心値の変化は小さい。このことは、
オフセットが生じても磁界角度の中心値の変化は小さい
ため、第６図において磁気抵抗素子の抵抗変化が急峻な
領域で使用できることを示している。
受けて発散弁を補正するため、オフセットａΔχが増大
しても磁界角度の中心値の変化は小さい。このことは、
オフセットが生じても磁界角度の中心値の変化は小さい
ため、第６図において磁気抵抗素子の抵抗変化が急峻な
領域で使用できることを示している。
なお、上記一実施例では、過電圧印加によるＳ１チツプ
上の検出回路が破壊されないようにバリスタ６を使用し
たが、Ｓｉチップ上に磁気抵抗素子のみを形成する場合
は、前記バリスタ６は省略してもよい。
上の検出回路が破壊されないようにバリスタ６を使用し
たが、Ｓｉチップ上に磁気抵抗素子のみを形成する場合
は、前記バリスタ６は省略してもよい。
また、上記一実施例においては、磁石１５の磁界発生面
を凹面に形成したが、第１０図に示すように磁石を従来
のバイアス磁石のように磁極端面がストレートな形状の
ものを使用し、凹状の磁性材料からなるヨーク１５ａを
接続するようにしても良い。さらに、複数の小さな磁石
を第１１図に示すように配列することで、凹面の磁界発
生面を形成するようにしてもよい。なお、第１０図、第
１１図に示すいずれのものも、磁気抵抗素子２は図にお
いて上側、すなわち凹面側に設けられている。
を凹面に形成したが、第１０図に示すように磁石を従来
のバイアス磁石のように磁極端面がストレートな形状の
ものを使用し、凹状の磁性材料からなるヨーク１５ａを
接続するようにしても良い。さらに、複数の小さな磁石
を第１１図に示すように配列することで、凹面の磁界発
生面を形成するようにしてもよい。なお、第１０図、第
１１図に示すいずれのものも、磁気抵抗素子２は図にお
いて上側、すなわち凹面側に設けられている。
なお、磁石を凹面状に形成するには、プラスチック磁石
を使用し、型にて成形するようにしてもよく、そうすれ
ば容易に形成することができる。
を使用し、型にて成形するようにしてもよく、そうすれ
ば容易に形成することができる。
以上述べたように、本発明によれば、磁界発生手段の磁
界発生面形状によって、前記磁界発生面から発生するバ
イアス磁界が磁気抵抗素子設置面において発散するのを
補償して、前記バイアス磁界が前記磁気抵抗素子設置面
に略直交するようにしているから、磁界発生手段と磁気
抵抗素子の位置決めによる感度、精度への影響の少ない
位置検出装置が提供できるという優れた効果がある。
界発生面形状によって、前記磁界発生面から発生するバ
イアス磁界が磁気抵抗素子設置面において発散するのを
補償して、前記バイアス磁界が前記磁気抵抗素子設置面
に略直交するようにしているから、磁界発生手段と磁気
抵抗素子の位置決めによる感度、精度への影響の少ない
位置検出装置が提供できるという優れた効果がある。
第１図は本発明一実施例の位置検出装置の断面構成図、
第２図は凹面磁石の磁界の収束を示す説明図、第３図は
一実施例の凹面磁石による被検出対象のギアの回転角に
対する磁界角度の変化を示す実験結果図、第４図は磁気
抵抗素子においてその長手方向の平行方向にかかる磁界
角度を示す図、第５図は磁気抵抗素子においてその長手
方向の垂直方向にかかる磁界角度を示ず図、第６図は磁
気抵抗素子の磁界変化に対する抵抗変化を示す特性図、
第７図は検出回路図、第８図はストレート磁石の磁界の
発散を示す説明図、第９図は従来の位置検出装置のスト
レート磁石による被検出対象のギアの回転角に対する磁
界角度の変化を示す実験結果図、第１０図、第１１図は
他の実施例を示す磁界発生手段の概略構成図である。 １・・・バイアス磁石、２・・・磁気抵抗素子、７・・
・磁気抵抗素子と検出回路を形成したＳｉチップ、１５
・・・バイアス磁石、１５ａ・・・凹状ヨーク、１６・
・・被検出対象。 代理人弁理士 岡 部 隆 （ばか１名） 舅１図 第 ２ 図 ＋００１ 第３図 第５図 第６図 第 ７ 図 第８図
第２図は凹面磁石の磁界の収束を示す説明図、第３図は
一実施例の凹面磁石による被検出対象のギアの回転角に
対する磁界角度の変化を示す実験結果図、第４図は磁気
抵抗素子においてその長手方向の平行方向にかかる磁界
角度を示す図、第５図は磁気抵抗素子においてその長手
方向の垂直方向にかかる磁界角度を示ず図、第６図は磁
気抵抗素子の磁界変化に対する抵抗変化を示す特性図、
第７図は検出回路図、第８図はストレート磁石の磁界の
発散を示す説明図、第９図は従来の位置検出装置のスト
レート磁石による被検出対象のギアの回転角に対する磁
界角度の変化を示す実験結果図、第１０図、第１１図は
他の実施例を示す磁界発生手段の概略構成図である。 １・・・バイアス磁石、２・・・磁気抵抗素子、７・・
・磁気抵抗素子と検出回路を形成したＳｉチップ、１５
・・・バイアス磁石、１５ａ・・・凹状ヨーク、１６・
・・被検出対象。 代理人弁理士 岡 部 隆 （ばか１名） 舅１図 第 ２ 図 ＋００１ 第３図 第５図 第６図 第 ７ 図 第８図
Claims (4)
- （１）磁性材料を有する被検出対象の位置を検出する位
置検出装置であって、 前記被検出対象に向けてバイアス磁界を発生する磁界発
生手段と、前記バイアス磁界中の所定の設置面に設置さ
れて前記被検出対象の位置に応じた前記バイアス磁界の
状態変化により抵抗変化を生じる磁気抵抗素子と、この
磁気抵抗素子の抵抗値変化により前記被検出対象の位置
を検出する検出回路を備えた位置検出装置において、 前記磁界発生手段は、前記磁気抵抗素子に向けてバイア
ス磁界を発生する磁界発生面を有し、この磁界発生面は
前記磁気抵抗素子に向けて発生するバイアス磁界が前記
磁気抵抗素子の設置面において発散するのを補償し、前
記バイアス磁界を前記設置面に略直交させる形状に形成
されていることを特徴とする位置検出装置。 - （２）前記磁界発生面は凹面である請求項１記載の位置
検出装置。 - （３）前記磁界発生手段は、磁石のみで構成されている
ことを特徴とする請求項１または２記載の位置検出装置
。 - （４）前記磁界発生手段は、凹面形状を有する軟質磁性
材料と磁石で構成されていることを特徴とする請求項２
記載の位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9426289A JP2831375B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9426289A JP2831375B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271258A true JPH02271258A (ja) | 1990-11-06 |
| JP2831375B2 JP2831375B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=14105369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9426289A Expired - Lifetime JP2831375B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2831375B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111407A (en) * | 1997-02-26 | 2000-08-29 | Securiton General Control Systems Gesellschaft M.B.H. | Method of producing a magnetic field sensor, and sensor with a sensor wire press-fitted into spaced-apart conductors |
| JP2006275639A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Denso Corp | 回転検出装置 |
| US8080993B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9426289A patent/JP2831375B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111407A (en) * | 1997-02-26 | 2000-08-29 | Securiton General Control Systems Gesellschaft M.B.H. | Method of producing a magnetic field sensor, and sensor with a sensor wire press-fitted into spaced-apart conductors |
| JP2006275639A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Denso Corp | 回転検出装置 |
| JP4525416B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2010-08-18 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
| US8080993B2 (en) | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
| DE102009013510B4 (de) * | 2008-03-27 | 2015-09-03 | Infineon Technologies Ag | Sensormodul mit Gusseinkapselung zum Anwenden eines Vormagnetfelds |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2831375B2 (ja) | 1998-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5021736A (en) | Speed/position sensor calibration method with angular adjustment of a magnetoresistive element | |
| US5814985A (en) | Incremental sensor of speed and/or position for detecting low and null speeds | |
| KR100860648B1 (ko) | 자기 센서, 자기 센서의 제조 방법, 회전 검출 장치 및위치 검출 장치 | |
| JP2898687B2 (ja) | 鉄物体近接センサー | |
| JP5680287B2 (ja) | 電流センサ | |
| US6476600B2 (en) | Angular position measuring device | |
| JP4471657B2 (ja) | 電流センサ | |
| JP3936043B2 (ja) | 較正中に移動可能で、かつ成形した磁石に固定可能な磁気感受性構成要素を有する磁気センサ | |
| EP1069400B1 (en) | Angular position transducer with offset magnetic transducer and bar magnet | |
| KR20040078569A (ko) | 자기 센서 및 그 제조방법 | |
| JP2000161905A (ja) | 回転位置センサ―用磁場集中器アレイ | |
| US20200158791A1 (en) | Sensor package with integrated magnetic shield structure | |
| US7071683B2 (en) | Rotation angle sensing device having enlarged detectable angle range | |
| JP3412276B2 (ja) | 回転角度検出装置 | |
| JP2019090789A (ja) | 回転検出装置 | |
| JPH01299415A (ja) | 磁気式エンコーダ | |
| JP3487452B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JP2974349B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JP3102268B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPH02271258A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP3233129B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| US20210048320A1 (en) | System with magnetic field shield structure | |
| JP2001133210A (ja) | 非接触型位置センサ | |
| JP5479796B2 (ja) | 磁気センサの部品配置構造 | |
| JPH085647A (ja) | 位置検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |