DE10196676T5 - Substrat und Herstellungsverfahren dafür sowie Dünnschicht-Strukturkörper - Google Patents

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    • G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type

Abstract

Substrat,
gekennzeichnet durch
einen Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht;
eine erste Oxidschicht (48), die auf dem Substrathauptkörper durch thermische Oxidation des in dem Substrathauptkörper enthaltenen Siliziums ausgebildet ist; und
eine zweite Oxidschicht (49), die auf der ersten Oxidschicht (48) durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht ausgebildet ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat und ein Herstellungsverfahren dafür sowie einen Dünnschicht-Strukturkörper und insbesondere ein Substrat, das für einen Beschleunigungssensor verwendet wird, und ein Herstellungsverfahren dafür sowie einen Dünnschicht-Strukturkörper.
  • STAND DER TECHNIK
  • Die vorliegende Erfindung wird bei einem Substrat angewandt, das mit einem Substrathauptkörper, der hauptsächlich aus Silizium besteht, und einer Oxidschicht für eine auf dem Substrathauptkörper ausgebildete Basis versehen ist. Bei einem solchen Substrat wird aufgrund der unterschiedlichen Wärmeschrumpfeigenschaften zwischen der Oxidschicht und einer anderen auf der Oxidschicht gebildeten Schicht eine Spannungsdifferenz zwischen der Oxidschicht und der anderen Schicht beispielsweise nach einem Ausheizprozeß erzeugt, mit dem Ergebnis, daß sich an der Oxidschicht oder der anderen Schicht oder sowohl an der Oxidschicht als auch an der anderen Schicht Risse infolge des Spannungsunterschieds ausbilden können.
  • Im Hinblick auf dieses Problem wird bei einem herkömmlichen Substrat die für die Basis verwendete Oxidschicht aus einer thermischen SiO2-Schicht gebildet, die durch thermische Oxidation von Silizium in dem Substrathauptkörper hergestellt wird. Das bei einem solchen herkömmlichen Substrat resultierende Problem ist, daß ein Spannungsunterschied, der zwischen der oxidierten SiO2-Schicht und einer darauf gebildeten anderen Schicht bei der thermischen Schrumpfung erzeugt wird, dazu tendiert, größer zu werden.
  • Bei dem Versuch, die Schichtdicke der für die Basis verwendeten Oxidschicht größer zu machen, stellt sich ferner eine Verschlechterung des Wirkungsgrads des thermischen Oxidationsprozesses infolge der vergrößerten Schichtdicke ein, und die Bildung der Oxidschicht dauert lang.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung dient dem Ziel, das vorgenannte Problem zu lösen, und eine Aufgabe der Erfindung ist die Angabe eines Substrats, das imstande ist, die Erzeugung eines Spannungsunterschieds zwischen einer Oxidschicht auf dem Substrat und einer anderen auf der Oxidschicht gebildeten Schicht bei der thermischen Schrumpfung zu verringern und außerdem die für die Schichtbildung zum Zeitpunkt der Ausbildung einer dicken Oxidschicht erforderliche Zeit zu verkürzen, sowie die Angabe eines Herstellungsverfahrens dafür und eines Dünnschicht-Strukturkörpers.
  • Gemäß einem ersten Aspekt eines Substrats gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Substrat folgendes auf: einen hauptsächlich aus Silizium bestehenden Substrathauptkörper (31); eine erste Oxidschicht (48), die auf dem Substrathauptkörper durch thermische Oxidation des in dem Substrathauptkörper enthaltenen Siliziums gebildet ist; und eine zweite Oxidschicht (49), die auf der ersten Oxidschicht durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht gebildet ist.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt eines Substrats gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Substrat folgendes auf: einen hauptsächlich aus Silizium bestehenden Substrathauptkörper (31); eine erste Oxidschicht (61), die auf dem Substrathauptkörper durch thermische Oxidation des in dem Substrathauptkörper enthaltenen Siliziums gebildet ist; und eine zweite Oxidschicht (63), die auf der ersten Oxidschicht durch Abscheiden einer Hochtemperatur-Oxidschicht gebildet ist.
  • Gemäß einem ersten Aspekt eines Dünnschicht-Strukturkörpers gemäß der vorliegenden Erfindung weist der Dünnschicht-Strukturkörper, der das Substrat gemäß Anspruch 1 oder 2 verwendet, folgendes auf: das Substrat; und einen Dünnschichtkörper (21, 23, 25), der auf einer auf dem Substrat gebildeten verlorenen Schicht (51) ausgebildet ist und durch Entfernen der verlorenen Schicht in einem vorbestimmten Abstand von dem Substrat angeordnet ist.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt des Dünnschicht-Strukturkörpers gemäß der vorliegenden Erfindung bildet das Substrat ein Sensorsubstrat (1), das in einen Beschleunigungssensor eingebaut ist, und der Dünnschichtkörper bildet mindestens einen Bereich einer Sensoreinheit (3), der in den Beschleunigungssensor eingebaut ist und eine Beschleunigungs-Detektierfunktion hat.
  • Gemäß einem ersten Aspekt eines Herstellungsverfahrens für ein Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Herstellungsverfahren die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer ersten Oxidschicht (48) auf einem Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht, durch thermische Oxidation des Siliziums in dem Substrathauptkörper; und Ausbilden einer zweiten Oxidschicht (49) durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht auf der ersten Oxidschicht.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt des Herstellungsverfahrens für ein Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Herstellungsverfahren die folgenden Schritte auf: Ausbilden einer ersten Oxidschicht (61) auf einem Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht, durch thermische Oxidation des Siliziums in dem Substrathauptkörper; und Ausbilden einer zweiten Oxidschicht (63) durch Abscheiden einer Hochtemperatur-Oxidschicht auf der ersten Oxidschicht.
  • Gemäß diesen Aspekten können bei der thermischen Schrumpfung Spannungen, die sowohl von der ersten als auch der zweiten Oxidschicht gegenseitig aufgebracht bzw. ausgeübt werden, zueinander entgegengesetzte Richtungen haben, so daß die Spannungen sich gegenseitig aufheben und verringert sind; es wird damit möglich, eine zwischen der ersten und der zweiten Oxidschicht und einer auf diesen Oxidschichten gebildeten anderen Schicht erzeugte Spannungsdifferenz zu verringern und infolgedessen die Erzeugung von Rissen zu verhindern.
  • Außerdem wird die erste Oxidschicht durch thermische Oxidation von Silizium in dem Substrathauptkörper ausgebildet, und die zweite Oxidschicht wird durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht oder einer Hochtemperatur-Oxidschicht darauf ausgebildet; im Fall der Ausbildung einer als Basis verwendeten dicken Oxidschicht wird es somit möglich, die für die Ausbildung der Schicht erforderliche Zeit im Vergleich mit einer Struktur zu verkürzen, bei der die Oxidschicht für eine Basis durch Verwendung nur der ersten Oxidschicht ausgebildet wird.
  • Wenn die zweite Oxidschicht aus einer Hochtemperatur-Oxidschicht hergestellt ist, dann ist es außerdem möglich, eine Oxidschicht für eine Basis mit einer höheren Isoliereigenschaft gegenüber einem Fall auszubilden, bei dem die zweite Oxidschicht von einer TEOS-Oxidschicht gebildet ist.
  • Diese und weitere Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich im einzelnen in Verbindung mit der nachstehenden genauen Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Draufsicht auf eine Konfiguration eines Hauptbereichs eines Halbleiter-Beschleunigungssensors, bei dem ein Substrat gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung angewandt wird;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in 1;
  • 3 bis 5 sind Querschnittsansichten, die Herstellungsverfahren der in 2 gezeigten Struktur zeigen; und
  • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in 1 und zeigt einen Fall, in dem ein Substrat gemäß Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung bei dem in 1 gezeigten Halbleiter-Beschleunigungssensor angewandt wird.
  • BESTE ART DER DURCHFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Ausführungsform 1
  • Wie die 1 und 2 zeigen, weist ein Halbleiter-Beschleunigungssensor, bei dem ein Substrat gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung angewandt wird, ein als ein Sensorsubstrat dienendes Substrat 1 und eine Sensoreinheit 3 auf, die auf dem Substrat 1 ausgebildet ist und eine Beschleunigungs-Detektierfunktion hat.
  • Wie 1 zeigt, ist die Sensoreinheit 3 mit einem Massekörper 21, der als bewegliche Elektrode dient, einer Vielzahl von feststehenden Elektroden 23 und einer Vielzahl von Armen 25 versehen. Der Massekörper 21, die feststehenden Elektroden 23 und die Arme 25, die dem Dünnschichtkörper der vorliegenden Erfindung entsprechen, sind aus einem leitfähigen Material, wie etwa dotiertem Polysilizium gebildet, das durch Dotieren von Polysilizium mit Störstellen, wie etwa Phosphor hergestellt ist.
  • Der Massekörper 21 hat eine Vielzahl von beweglichen Elektrodenbereichen 21a, die in einem vorbestimmten Abstand von dem Substrat 1 angeordnet sind und sich in Richtung C senkrecht zu der zu detektierenden Richtung B der Beschleunigung erstrecken. Die Arme 25, die integral mit dem Massekörper 21 ausgebildet sind, haben die Funktion, den Massekörper 21 über dem Substrat 1 auf solche Weise aufzuhängen, daß eine Bewegung in Richtung B mit einer Rückstellkraft erfolgt.
  • Jeder Arm 25 ist mit einem Stützbereich 25a, der von dem Substrat 1 vorspringt, einem Verbindungsbereich 25b, der mit dem Stützbereich 25a verbunden ist, und einem Federbereich 25c versehen, der zwischen dem Verbindungsbereich 25b und dem Rand des Massekörpers 21 in Bezug auf die Richtung B angeordnet ist. Der Federbereich 25c wird elastisch gebogen und verformt, so daß die Entfernung zwischen dem Verbindungsbereich 25b und dem Massekörper 21 in Richtung B vergrößert und verringert wird.
  • Die jeweiligen feststehenden Elektroden 23 sind in Richtung C in vorbestimmten Abständen voneinander in Richtung B ausgebildet. Außerdem ist die feststehende Elektrode 23 mit einem feststehenden Elektrodenbereich 23a, der als schwimmender Bereich dient und in einer vorbestimmten Entfernung von dem Substrat 1 anzuordnen ist, und einem Stützbereich 23b zur Abstützung des feststehenden Elektrodenbereichs 23a ausgebildet.
  • Die feststehenden Elektrodenbereiche 23a der jeweiligen feststehenden Elektroden 23 und die beweglichen Elektrodenbereiche 21a des Massekörpers 21 sind in Abständen voneinander in Richtung B abwechselnd angeordnet und bilden einen Kondensator. Somit wird auf der Basis einer Kapazitätsänderung des Kondensators, die durch eine Verlagerung des beweglichen Elektrodenbereichs 21a bewirkt wird, die Beschleunigung detektiert.
  • Wie die 1 und 2 zeigen, ist das Substrat 1 aus folgenden Komponenten gebildet: einem Substrathauptkörper 31 aus einem Halbleiter, wie etwa Silizium, einer Oxidschicht 33 als Basis, die als erste isolierende Schicht dient, die auf dem Substrathauptkörper 31 ausgebildet ist, einer Vielzahl von Leitungen oder Drähten 41, 43, 45, die selektiv auf der Oxidschicht 33 ausgebildet sind, und einer Nitridschicht 47, die als eine zweite isolierende Schicht dient und die Oberfläche der Drähte 41, 43, 45 und die Oberfläche der Siliziumoxidschicht selektiv bedeckt.
  • Die Oxidschicht 33 ist mit einer ersten Oxidschicht 48 aus einer auf dem Substrathauptkörper 31 gebildeten thermischen SiO2-Schicht und einer zweiten Oxidschicht 49 versehen, die aus einer Tetraethylorthosilicat- bzw. TEOS-Oxidschicht besteht, die auf der Oberfläche der ersten Oxidschicht 48 ausgebildet ist.
  • Dabei ist die Oxidschicht 33 durch Stapeln der thermischen SiO2-Schicht und der TEOS-Oxidschicht gebildet, so daß es im Vergleich mit einem Fall, bei dem die Oxidschicht 33 nur durch Verwendung der thermischen SiO2-Schicht gebildet ist, möglich ist, eine Spannungsdifferenz zu verringern, die zwischen der Oxidschicht 33 und der darauf gebildeten Nitridschicht 47 oder einer noch zu beschreibenden verlorenen Schicht 51, die auf der Nitridschicht 47 gebildet ist, ausgeübt wird.
  • Diese Wirkung wird erhalten, weil es ermöglicht wird, daß bei der thermischen Schrumpfung die jeweiligen von der thermischen SiO2-Schicht und der TEOS-Oxidschicht erzeugten Spannungen zueinander entgegengesetzte Richtungen haben, so daß die beiden Spannungen einander aufheben oder zumindest reduzieren.
  • Außerdem ist die thermische SiO2-Schicht durch eine Reaktion zwischen dem Silizium in dem Substrathauptkörper 31 und von außen zugeführtem Sauerstoff gebildet; die daraus resultierende Eigenschaft ist, daß zwar der Schichtbildungsprozeß im Fall einer geringen Schichtdicke mit hoher Geschwindigkeit ausgeführt wird, aber der Reaktionswirkungsgrad mit zunehmender Schichtdicke geringer wird, so daß die pro Zeiteinheit gebildete Schichtdicke verringert wird. Ferner hat die thermische SiO2-Schicht eine höhere isolierende Eigenschaft als die TEOS-Oxidschicht.
  • Die Schichtdicke der Oxidschicht 33 ist mit einem hohen Wert von beispielsweise 20.000 bis 25.000 Å vorgegeben. Das Schichtdickenverhältnis der beiden Oxidschichten 48, 49 kann fakultativ vorgegeben werden. Bei dem Versuch, die Spannungsdifferenz zu verringern und den Schichtbildungs-Wirkungsgrad zu verbessern, wird beispielsweise die Schichtdicke der ersten Oxidschicht 48 mit 10.000 Å vorgegeben, und die Schichtdicke der zweiten Oxidschicht 49 wird mit 10.000 bis 15.000 Å vorgegeben. Bei dem Versuch, die isolierende Eigenschaft der Oxidschicht 33 zu verbessern, wird ferner beispielsweise die Schichtdicke der ersten Oxidschicht 48 mit 17.000 Å und die Schichtdicke der zweiten Oxidschicht 49 mit 8.000 Å vorgegeben.
  • Der Draht 41 ist mit einem freiliegenden Bereich 41a, der in einem exponierten Zustand an einer gegenüberliegenden Fläche des Substrats 1 dem Massekörper 21 auf dem Substrat 1 zugewandt angeordnet ist, und einem Kontaktbereich 41b versehen, der unter dem Stützbereich 25a angeordnet und mit dem Stützbereich 25a elektrisch verbunden ist.
  • Die Drähte 43, 45 dienen der Abgabe von Signalen von der feststehenden Elektrode 23 und sind durch ihre Kontaktbereiche 43a, 45a mit den jeweiligen feststehenden Elektroden 23 verbunden. Die Drähte 41, 43, 45 sind in Rillen 33a eingebettet, die an der Oberfläche der zweiten Oxidschicht 49 der Oxidschicht 33 ausgebildet sind.
  • Auf entsprechende Weise sind in der Nitridschicht 47 ein Fensterabschnitt 47a und Lochabschnitte 47b, 47c ausgebildet. Durch den Fensterabschnitt 47a ist der freiliegende Bereich 41a des Drahts 41 auf dem Substrat exponiert, und der Kontaktbereich 41b ist mit dem Stützbereich 25a elektrisch verbunden. Die Kontaktbereiche 43a, 45a der Drähte 43, 45 sind mit der feststehenden Elektrode 23 durch die Lochabschnitte 47b, 47c elektrisch verbunden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird gemäß einer solchen Konfiguration des Halbleiter-Beschleunigungssensors ein Halbleiter-Beschleunigungssensor mit dem folgenden Herstellungsverfahren hergestellt.
  • Wie in 3 gezeigt ist, wird zunächst eine erste Oxidschicht 48 aus einer thermischen SiO2-Schicht auf einem Substrathauptkörper 31 durch thermische Oxidation von Silizium in dem Substrathauptkörper 31 gebildet. Eine TEOS-Oxidschicht wird auf der ersten Oxidschicht 48 abgeschieden unter Bildung einer zweiten Oxidschicht 49. Diese TEOS-Oxidschicht wird durch ein chemisches Aufdampf- bzw. CVD-Verfahren unter Einsatz von TEOS-Gas ausgebildet.
  • Als nächstes werden in der Oberfläche der zweiten Oxidschicht 49 Rillen 33a gebildet, und die Drähte 41, 43, 45 werden in den Rillen 33a gebildet. Dann wird an der Oberfläche der Drähte 41, 43, 45 und der Oberfläche der freiliegenden zweiten Oxidschicht 49 eine Nitridschicht 47 ausgebildet, und die Nitridschicht 47 wird teilweise entfernt, so daß der Fensterabschnitt 47a und die Lochabschnitte 47b, 47c in der Nitridschicht 47 gebildet werden. Infolgedessen wird entlang der Position der Linie A-A eine Struktur gemäß 4 gebildet.
  • Anschließend wird, wie 5 zeigt, eine verlorene Schicht 51 beispielsweise aus einer Siliziumoxidschicht auf dem so gebildeten Substrat 1 ausgebildet. Dann werden Bereiche der verlorenen Schicht 51, an denen Stützbereiche 25a, 23b auszubilden sind, selektiv entfernt, um den Verankerungslochabschnitt 51a zu bilden, und eine Dünnschicht 53 wird aus einem leitfähigen Material, wie beispielsweise einem dotierten Polysilizium, auf der restlichen verlorenen Schicht 51 und dem Substrat 1 gebildet, das durch den Verankerungslochabschnitt 51a freiliegt.
  • Dann wird die Dünnschicht 53 selektiv entfernt und strukturiert, so daß die restlichen Bereiche der Dünnschicht 53 den Massekörper 21, die Arme 25 und die feststehende Elektrode 23 bilden können. Zu diesem Zeitpunkt bilden die Bereiche des restlichen Bereichs, die in den Verankerungslochabschnitt 51a eingesetzt sind, die Stützbereiche 25a, 23b, und die auf der verlorenen Schicht 51 befindlichen Bereiche bilden den Massekörper 21, den Federbereich 25c, den Verbindungsbereich 25b und den feststehenden Elektrodenbereich 23a. Dann wird die verlorene Schicht 51 in einem Ätzvorgang entfernt, so daß eine Struktur erhalten wird, die in den 1 und 2 gezeigt ist.
  • Wie oben beschrieben, es wird gemäß der vorliegenden Ausführungsform möglich, daß bei der thermischen Schrumpfung die jeweiligen von der ersten und der zweiten Oxidschicht 48, 49 erzeugten Spannungen zueinander entgegengesetzte Richtungen haben, so daß die beiden Spannungen einander aufheben oder zumindest verringern; es wird dadurch möglich, eine Spannungsdifferenz, die zwischen der als Basisschicht zu verwendenden Oxidschicht 33 und der darauf gebildeten Nitridschicht 47 oder der auf der Nitridschicht 47 gebildeten verlorenen Schicht 51 erzeugt wird, zu verringern und infolgedessen die Ausbildung von Rissen zu verhindern.
  • Ferner wird die erste Oxidschicht 48 durch thermische Oxidation von Silizium in dem Substrathauptkörper 31 gebildet, und die zweite Oxidschicht 49 wird durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht darauf gebildet, um die zweite Oxidschicht 49 zu bilden; somit wird es bei einem Schichtbildungsprozeß der dicken Oxidschicht 33 möglich, die für den Schichtbildungsprozeß erforderliche Zeit im Vergleich mit einer Struktur zu verkürzen, bei der die Oxidschicht 33 gebildet wird, indem nur die erste Oxidschicht 48 verwendet wird.
  • Ausführungsform 2
  • Ein Substrat 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem Substrat 1 der obigen Ausführungsform 1 im wesentlichen nur dadurch, daß die Konfiguration und das Herstellungsverfahren der Oxidschicht 33 verschieden sind. Daher sind diejenigen Bereiche in dem Substrat 1 der vorliegenden Ausführungsform, die denen des Substrats 2 gemäß Ausführungsform 1 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nicht erneut beschrieben.
  • Wie 6 zeigt, wird in dem Substrat 1 der vorliegenden Ausführungsform die Oxidschicht 33 von einer ersten Oxidschicht 61 aus einer thermischen SiO2-Schicht, die auf dem Substrathauptkörper 31 ausgebildet ist, und einer zweiten Oxidschicht 63 gebildet, die aus einer Hochtemperatur-Oxidschicht besteht, die auf der ersten Oxidschicht 61 abgeschieden und gebildet ist.
  • Das Verfahren zur Bildung der ersten Oxidschicht 61 ist das gleiche wie das der oben angegebenen ersten Oxidschicht 48. Die zweite Oxidschicht 63 wird durch Abscheiden einer Hochtemperatur-Oxidschicht in einem CVD-Verfahren unter Einsatz von Silangas unter vermindertem Druck bei 850 °C ausgebildet.
  • Auch bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Schichtdicke der Oxidschicht 33 mit einem hohen Wert von beispielsweise 25.000 Å vorgegeben. Das Schichtdickenverhältnis der beiden Oxidschichten 61, 63 kann fakultativ vorgegeben sein. Beispielsweise ist das Verhältnis der Schichtdicke der ersten Oxidschicht 61 zu der Schichtdicke der zweiten Oxidschicht 63 mit 7:3 vorgegeben.
  • Dabei läßt man die thermische SiO2-Schicht und die Hochtemperatur-Oxidschicht, die die beiden Oxidschichten 61, 63 bilden, bei der Schrumpfung Spannungen ausüben, deren Richtungen zueinander entgegengesetzt sind, so daß die Spannungen einander aufheben oder zumindest verringern.
  • Mit dieser Anordnung ist es auch bei der vorliegenden Ausführungsform möglich, die Spannungsdifferenz zu verringern und außerdem die Bearbeitungsdauer bei den Schichtbildungsvorgängen der Oxidschicht 33 im wesentlichen auf die gleiche Weise wie bei der vorstehenden Ausführungsform 1 zu verkürzen.
  • Da ferner die zweite Oxidschicht 63 von einer Hochtemperatur-Oxidschicht gebildet ist, die eine isolierende Eigenschaft hat, die höher als diejenige der TEOS-Oxidschicht ist, ist es möglich, eine Oxidschicht 33 mit einer höheren isolierenden Eigenschaft auszubilden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde zwar im einzelnen beschrieben, aber die obige Beschreibung ist in jeder Hinsicht beispielhaft, und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Es versteht sich, daß zahlreiche Varianten, die nicht dargestellt sind, im Rahmen der Erfindung möglich sind.
  • Zusammenfassung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat und ein Herstellungsverfahren dafür sowie einen Dünnschicht-Strukturkörper, und eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Substrat anzugeben, das imstande ist, eine Spannungsdifferenz, die zwischen einer Oxidschicht auf dem Substrat und einer auf der Oxidschicht gebildeten anderen Schicht bei der thermischen Schrumpfung erzeugt wird, zu verringern und ferner die für die Schichtbildung beim Ausbilden einer dicken Oxidschicht erforderliche Zeit zu verkürzen, sowie in der Angabe eines Herstellungsverfahrens dafür und eines Dünnschicht-Strukturkörpers.
  • Zur Lösung der vorstehenden Aufgabe ist das Substrat (1) mit einem aus Silizium bestehenden Substrathauptkörper (31) und einer darauf ausgebildeten Oxidschicht (33) als Basis versehen. Die Oxidschicht (33) umfaßt eine erste Oxidschicht (61) aus einer thermischen SiO2-Schicht, die durch thermische Oxidation von Silizium in dem Substrathauptkörper (31) gebildet ist, und eine zweite Oxidschicht (63) aus einer Hochtemperatur-Oxidschicht, die darauf abgeschieden und ausgebildet ist.
    (6)

Claims (6)

  1. Substrat, gekennzeichnet durch einen Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht; eine erste Oxidschicht (48), die auf dem Substrathauptkörper durch thermische Oxidation des in dem Substrathauptkörper enthaltenen Siliziums ausgebildet ist; und eine zweite Oxidschicht (49), die auf der ersten Oxidschicht (48) durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht ausgebildet ist.
  2. Substrat, gekennzeichnet durch einen Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht; eine erste Oxidschicht (61), die auf dem Substrathauptkörper durch thermische Oxidation des in dem Substrathauptkörper enthaltenen Siliziums ausgebildet ist; und eine zweite Oxidschicht (63), die auf der ersten Oxidschicht (61) durch Abscheiden einer Hochtemperatur-Oxidschicht ausgebildet ist.
  3. Dünnschicht-Strukturkörper, der das Substrat nach Anspruch 1 oder 2 verwendet, gekennzeichnet durch das Substrat; und einen Dünnschichtkörper (21, 23, 25), der auf einer auf dem Substrat gebildeten verlorenen Schicht (51) ausgebildet und durch Entfernen der verlorenen Schicht in einem vorbestimmten Abstand von dem Substrat angeordnet ist.
  4. Dünnschicht-Strukturkörper nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Sensorsubstrat (1) bildet, das in einen Beschleunigungssensor eingebaut ist, und daß der Dünnschichtkörper zumindest einen Bereich einer Sensoreinheit (3) bildet, der in den Beschleunigungssensor eingebaut ist und eine Beschleunigungs-Detektierfunktion hat.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Substrats, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Ausbilden einer ersten Oxidschicht (48) auf einem Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht, durch thermische Oxidation des Siliziums in dem Substrathauptkörper; und Ausbilden einer zweiten Oxidschicht (49) durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht auf der ersten Oxidschicht.
  6. Verfahren zum Herstellen eines Substrats, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Ausbilden einer ersten Oxidschicht (61) auf einem Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht, durch thermische Oxidation des Siliziums in dem Substrathauptkörper; und Ausbilden einer zweiten Oxidschicht (63) durch Abscheiden einer Hochtemperatur-Oxidschicht auf der ersten Oxidschicht.
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