DE10191368B4 - Vorrichtung zur Prüfung einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 38
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Vorrichtung zur Prüfung der Eigenschaften einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers 12, welches eine Polymerisierungskammer 1 zur Bildung einer polymerisierten Polymerschicht auf einer Oberfläche eines Substrats 2 durch Plasmaabgabe, einen UV-Prüfkopf 11, der berührungslos zur polymerisierten Polymerschicht angeordnet ist, welche in der Polymerisierungskammer 1 gebildet wird, und UV-Strahlung an die Polymerschicht sendet und von ihr empfängt, und ein UV-Spektrometer 12, das ein Signal auswertet, welches vom UV-Prüfkopf 11 übermittelt wird, umfasst. Mit dieser Vorrichtung können die charakteristischen Merkmale der Oberfläche des Substrats 2, das eine Polymerschicht aufweist, welche fortlaufend durch Plasma polymerisiert wird, auf eine berührungslose Weise untersucht werden, und die Untersuchung kann durchgeführt werden, ohne die Verarbeitungsparameter wie den Vakuumgrad in der Kammer 1 zu beeinflussen.
Description
- Technisches Gebiet
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Prüfung der Eigenschaften einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers.
- Technischer Hintergrund
- Herkömmlicherweise wird, um eine Oberfläche eines Substrats durch Synthetisieren eines Polymers zu modifizieren, ein Ionenimplantations- oder ein Ionenbestrahlungsverfahren mit hohem Energieaufwand (Dutzende keV - wenige MeV) verwendet, oder ein Polymer wird unter Verwendung einer Ionenstrahlsprühablagerung, die eine Ionenquelle verwendet, welche Partikel einer verhältnismäßig niedrigen Energie (0 - wenige keV) erzeugt, unter Verwendung einer Mehrfachionenstrahlablagerung oder unter Verwendung einer ionengestützten Ablagerung auf einer Oberfläche eines Substrats abgelagert.
- Ein derartiges Verfahren weist jedoch dahingehend Nachteile auf, dass es eine verhältnismäßig hohe Energie und hohen Vakuumzustand erfordert, es nicht leicht ist, Polymer zu synthetisieren, und hohe Kosten entstehen.
- Es wurde daher ein Oberflächenmodifikationsverfahren geplant, welches Plasma verwendet, das imstande ist, bei niedriger Energie und niedrigem Vakuumzustand Polymer auf dem Substrat zu bilden.
- Bei diesem Verfahren wird eine Kammer in Vakuumzustand versetzt, in welche ein reaktives Gas eingeführt wird, das Monomere eines Materials, welches synthetisiert werden soll, enthält, und das dann durch einen direkten Strom oder eine hohe Frequenz durch Verwendung eines Netzgeräts abgegeben wird. Dann wird Plasma des reaktiven Gases erzeugt, von dem vorher bestimmte Ionen zu dem Substrat oder zu einer Elektrode bewegt werden, um darauf ein bestimmtes Polymer zu synthetisieren.
- Dabei werden in Abhängigkeit von der Art der reaktiven Gase, des Mischungsverhältnisses der reaktiven Gase, des direkten Stromes/Spannung, einer hohen Frequenzleistung oder einer Ablagerungszeit usw. verschiedene chemische Verbindungen hergestellt, so dass die Oberfläche des Substrats ohne Beeinflussung der dem Substrat innewohnenden charakteristischen Merkmale modifiziert werden kann, indem Polymere, welche erforderliche physikalische Eigenschaften wie Oberflächenfestigkeit, Adhäsion/Adsorption und Hydrophilie/Hydrophobie aufweisen, auf der Oberfläche eines Substrats abgelagert werden.
-
1 zeigt eine schematische Ansicht, welche den Bau einer Plasmapolymerisierungsvorrichtung nach dem Stand der Technik. - Wie in
1 dargestellt, wird die Plasmapolymerisierung in einer Polymerisierungskammer1 durchgeführt, die einen Gaseinlass7 , einen Gasauslass8 , eine Vakuumpumpe9 und eine Elektrode3 umfasst, welche eine Spannungsdifferenz im Substrat erzeugt. - Zur Polymerisierung wird die Vakuumpumpe
9 in Betrieb gesetzt, um einen gewünschten Vakuumgrad zu erhalten, ein reaktives Gas wird durch den Gaseinlass7 eingeführt, das Substrat wird durch Durchlaufen einer Abspulkammer4 und einer Walze6 in eine Aufspulkammer5 befördert, währenddessen wird eine Spannung auf die Elektrode der Polymerisierungskammer1 angewendet, um eine Spannungsdifferenz für das Substrat2 zu erzeugen. Danach wird, wenn das reaktive Gas dem Substrat2 induziert wird, Plasma abgegeben. - Wenn das Plasma abgegeben wird, werden die molekularen Bindungen des reaktiven Gases getrennt, und die dabei erzeugten Teilchen werden als aktivierte positive oder negative Ionen zur Bildung eines Polymers auf der Oberfläche des Substrats
2 gebunden, welches zwischen den Elektroden verläuft. - Die
DE 43 43 155 A1 offenbart ein Verfahren zur Analyse von Fehlern in Ausgangsprodukten von Polymerisationsreaktoren. Eine Probe des Ausgangsprodukts des Polymerisationsreaktors wird durch Kompression zwischen Quetschwalzen in Bandform umgewandelt und auf eine Spule gewickelt. Die Bandspule wird zu einer Bandanalyseeinheit transportiert und das Band durch eine Prüfzone zu einer Aufwickelspule geführt. In der Prüfzone wird das Band über UV-Licht auf Fehler untersucht. - Aus der
US 5 032 435 ist ein Verfahren zur Aufzeichnung und Kontrolle der Wachstumsrate dünner Filme in einer Atmosphäre aus Reaktantengas bekannt. Die UV-Absorption dieser Atmosphäre wird gemessen und hieraus der Partialdruck des Gases bestimmt. - Die
US 5 770 097 beschreibt ein Verfahren zum selektiven Ätzen durch Überwachung der Ätzmittelkonzentrationen mittels UV-Spektroskopie. - Die
EP 0 648 858 A1 offenbart ein Verfahren zum Beschichten einer Plasmaätzkammer. - Bis zum jetzigen Zeitpunkt wurde jedoch noch kein Verfahren zur effektiven Prüfung der Eigenschaften einer Polymerschicht vorgeschlagen, die auf der Oberfläche des Substrats
2 polymerisiert, fortlaufend modifiziert und in einer Rollenform in der Aufspulkammer aufgespult wird. - Beschreibung der Erfindung
- Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Prüfung der Eigenschaften einer Polymerschicht bereitzustellen, welche auf einer Oberfläche nach fortlaufender Verarbeitung gebildet wird, ohne die physikalischen und chemischen Eigenschaften der Polymerschicht zu beeinflussen.
- Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur effektiven Prüfung der Eigenschaften einer Polymerschicht bereitzustellen, ohne Verarbeitungsparameter wie den Vakuumgrad der Polymerisierungskammer zu beeinflussen.
- Zur Erfüllung der oben genannten Aufgaben wird eine Vorrichtung zur Prüfung der Eigenschaften einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers vorgesehen, die eine Polymerisierungskammer zur Bildung einer polymerisierten Polymerschicht auf einer Oberfläche eines Substrats durch Plasmaabgabe, einen UV-Prüfkopf, der berührungslos zur polymerisierten, in der Polymerisierungskammer gebildeten Polymerschicht angeordnet ist und UV-Strahlung an die Polymerschicht sendet und von ihr empfängt, und ein UV-Spektrometer umfasst, das ein Signal auswertet, welches vom UV-Prüfkopf übermittelt wird.
- Der UV-Prüfkopf wird vorzugsweise von der Kammer isoliert und über einem für UV-Strahlung durchlässigen Durchlassteil angebracht.
- Vorzugsweise weist die Kammer ein Loch auf, in welchem das Durchlassteil angebracht wird, damit es dicht an der Kammer angeordnet ist.
- Zusätzlich kann ein Haltemittel für den UV-Prüfkopf zur Einstellung der Höhe des UV-Prüfkopfes an einer Außenwand der Kammer angebracht sein.
- Das Durchlassteil kann ferner aus Kristall oder Calciumfluorid gefertigt sein.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine schematische Ansicht einer oberflächenmodifizierenden Vorrichtung, welche Plasma verwendet, gemäß dem Stand der Technik; -
2 ist eine schematische Ansicht, welche den Bau eines UV-Prüfkopfes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt; -
3 ist eine Zeichnung, welche den Bau eines UV-Prüfkopfs und eines Durchlassteils, angebracht gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, darstellt, um eine vergrößerte Ansicht von Abschnitt „A„ von2 zu zeigen. - Durchführungsmodus der bevorzugten Ausführungsbeispiele
- Die vorliegende Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
- Die Erfinder haben festgestellt, dass zur Prüfung der Eigenschaften einer Polymerschicht, die unter Verwendung von Plasma auf einer Oberfläche eines Substrats aufgebracht ist, ohne die physikalischen oder chemischen Eigenschaften der Polymerschicht zu beeinflussen, eine berührungslose Eigenschaftsbewertung durchgeführt werden sollte und dass ein UV-Spektrometer für eine berührungslose Bewertung vorzuziehen ist, um die – vorliegende Erfindung zu vervollständigen.
- Außerdem haben die Erfinder festgestellt, dass beim Prüfen der Eigenschaften einer Polymerschicht, die fortlaufend auf der Oberfläche eines Substrats polymerisiert wird, Verarbeitungsparameter wie der Vakuumgrad in der Polymerisierungskammer, in welcher das Polymerisieren einer Polymerschicht auf der Oberfläche des Substrats verläuft, aufrechterhalten werden sollte. Folglich erforschten die Erfinder ein Verfahren zur Prüfung der Eigenschaften einer Polymerschicht auf eine berührungslose Weise ohne die Verarbeitungsparameter der Polymerisierungskammer zu beeinflussen, um die Erfindung zu vervollständigen.
-
2 ist eine schematische Ansicht, welche den Bau eines UV-Prüfkopfs11 zeigt, der gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung angebracht ist. - Wie in
2 gezeigt, ist ein UV-Prüfkopf11 in einem Durchgang zwischen einer Polymerisierungskammer1 und einer Aufspulkammer5 angebracht. Der UV-Prüfkopf11 ist durch ein Kabel13 mit einem UV-Spektrometer12 verbunden. - Da der UV-Prüfkopf
11 so befestigt ist, dass er die Polymerschicht, welche auf der Oberfläche des Substrats gebildet wird, nicht berührt, und dorthin sendet und von dort empfängt, beeinflusst er die physikalischen und chemischen Eigenschaften der Polymerschicht nicht. - Obwohl der UV-Prüfkopf
11 im Durchgang zwischen der Polymerisierungskammer1 und der Aufspulkammer5 befestigt ist, kann der UV-Prüfkopf an jeder Stelle befestigt werden, solange er UV-Strahlung an die Polymerschicht senden und von dort empfangen kann, nachdem die Polymerschicht vollständig durch Plasma polymerisiert ist. - Das heißt, der UV-Prüfkopf kann an einer entsprechenden Position in der Aufspulkammer oder an einem Endabschnitt der Polymerisierungskammer befestigt werden.
- In dem Fall, in dem der UV-Prüfkopf, wie in
2 dargestellt, in den Durchgang eingeführt wird, beeinflusst ein unvollständiges Isolieren des UV-Prüfkopfs von der Kammer nicht nur die Verarbeitungsparameter, wie den Vakuumgrad der plasmapolymerisierenden Kammer1 , sondern erschwert auch den Betrieb des UV-Prüfkopfs11 , welcher in der Polymerisierungskammer angebracht ist. -
3 ist eine Zeichnung, die einen UV-Prüfkopf11 und ein Durchlassteil14 , angebracht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wodurch das Problem des ersten Ausführungsbeispiels gelöst wird, und eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts „A„ von2 darstellt. - Zum Anbringen des UV-Prüfkopfs
11 wird eine lochähnliche Struktur an der Außenwand der Kammer gebildet, vor welcher das Durchlassteil14 angebracht wird. - Das Durchlassteil
14 wird von einer Durchlassteilhalterung16 festgehalten, und der UV-Prüfkopf11 wird von einer UV-Prüfkopfhalterung15 festgehalten, so dass die Höhe des UV-Prüfkopfes leicht gesteuert werden kann. Das heißt, wenn das Durchlassteil14 isoliert ist, beeinflusst es die Verarbeitungsparameter, wie den Vakuumgrad in der Kammer, nicht. - Auch wenn
3 nur zeigt, dass das Durchlassteil nur durch Anbringen der Sendeteilhalterung16 von der Kammer isoliert werden kann, kann das Durchlassteil doch auch an der Außenwand der Kammer selbst gebildet werden. - Auch wenn
3 die Ausbildung der lochähnlichen Struktur an der Außenwand der Kammer zeigt, wie oben erwähnt, ist es außerdem auch möglich, das Sendeteil an der Außenwand der Kammer selbst zu bilden. In diesem Falle würde der UV-Prüfkopf11 über dem Durchlassteil14 angebracht werden. - Auf diese Weise können im bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die Eigenschaften der polymerisierten Polymerschicht auf die berührungslose Art ohne die Verarbeitungsparameter wie den Vakuumgrad in der Kammer bewertet werden, und der UV-Prüfkopf
11 kann leicht gehandhabt werden. Außerdem kann durch das Anbringen des Durchlassteils der Sensor des UV-Prüfkopfs geschützt werden. - Das Durchlassteil ist aus einem Material gefertigt, welches eine gute Ultraviolett- (UV-) Übertragung aufweist. Da die Wellenlänge des UV-Spektrometers
200 bis 900 nm beträgt, wird das Sendeteil vorzugsweise aus Kristall (SiO2) oder Calciumfluorid (CaF2) gefertigt, welche auf dieser Wellenlänge gut übertragen. - Industrielle Anwendbarkeit
- Wie insoweit beschrieben, können gemäß der Vorrichtung zur Prüfung der Eigenschaften einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers die charakteristischen Merkmale der Oberfläche des Substrats, das eine Polymerschicht aufweist, welche fortlaufend durch Plasma polymerisiert wird, auf eine berührungslose Art bewertet werden, und die Bewertung kann durchgeführt werden, ohne die Verarbeitungsparameter wie den Vakuumgrad in der Kammer zu beeinflussen.
Claims (5)
- Vorrichtung zur Prüfung der Eigenschaften einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers (
12 ), umfassend: eine Polymerisierungskammer (1 ) zur Bildung einer polymerisierten Polymerschicht auf einer Oberfläche eines Substrats (2 ) durch Plasmaabgabe; einen UV-Prüfkopf (11 ), der berührungslos zur polymerisierten Polymerschicht angeordnet ist, welche in der Polymerisierungskammer (1 ) gebildet wird und UV-Strahlung an die Polymerschicht sendet und von ihr empfängt; und ein UV-Spektrometer (12 ), das ein Signal auswertet, welches vom UV-Prüfkopf (11 ) übermittelt wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der UV-Prüfkopf (
11 ) von der Kammer (1 ) isoliert und über einem für UV-Strahlung durchlässigen Durchlassteil (14 ) angebracht ist. - Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Kammer (
1 ) ein Loch aufweist, in welchem das Durchlassteil (14 ) angebracht ist, damit es dicht an der Kammer (1 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei zusätzlich ein Haltemittel (
15 ) für den UV-Prüfkopf (11 ) zur Einstellung der Höhe des UV-Prüfkopfs (11 ) an einer Außenwand der Kammer (1 ) angebracht ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei das Durchlassteil (
14 ) aus Kristall oder Calciumfluorid gefertigt ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2000/5606 | 2000-02-07 | ||
KR1020000005606A KR100332802B1 (ko) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | Uv 스펙트로미터를 이용한 플라즈마로 중합된 고분자막성능 평가 장치 |
PCT/KR2001/000172 WO2001086687A1 (en) | 2000-02-07 | 2001-02-06 | Apparatus for evaluating plasma polymerized polymer layer using uv spectrometer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10191368T1 DE10191368T1 (de) | 2002-05-16 |
DE10191368B4 true DE10191368B4 (de) | 2005-01-27 |
Family
ID=19644430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10191368T Expired - Fee Related DE10191368B4 (de) | 2000-02-07 | 2001-02-06 | Vorrichtung zur Prüfung einer plasmapolymerisierten Polymerschicht unter Verwendung eines UV-Spektrometers |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6764550B2 (de) |
JP (1) | JP2003532879A (de) |
KR (1) | KR100332802B1 (de) |
CN (1) | CN1363111A (de) |
AU (1) | AU3611701A (de) |
DE (1) | DE10191368B4 (de) |
WO (1) | WO2001086687A1 (de) |
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-
2001
- 2001-02-06 WO PCT/KR2001/000172 patent/WO2001086687A1/en active Application Filing
- 2001-02-06 US US09/958,230 patent/US6764550B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-06 JP JP2001582813A patent/JP2003532879A/ja active Pending
- 2001-02-06 CN CN01800178A patent/CN1363111A/zh active Pending
- 2001-02-06 DE DE10191368T patent/DE10191368B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-06 AU AU36117/01A patent/AU3611701A/en not_active Abandoned
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KR20010077661A (ko) | 2001-08-20 |
CN1363111A (zh) | 2002-08-07 |
JP2003532879A (ja) | 2003-11-05 |
AU3611701A (en) | 2001-11-20 |
KR100332802B1 (ko) | 2002-04-18 |
DE10191368T1 (de) | 2002-05-16 |
US20030047137A1 (en) | 2003-03-13 |
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