DE10162258A1

DE10162258A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige

Info

Publication number: DE10162258A1
Application number: DE10162258A
Authority: DE
Inventors: Jin-Sung Kim; Jin-Boo Son
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-12-18
Publication date: 2002-09-26
Also published as: US7173578B2; CN1377019A; JP4121293B2; GB0130371D0; US20020135542A1; JP2002318563A; GB2373913B; GB2373913A; FR2822577A1; FR2822577B1; CN1326101C

Abstract

Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige, bei denen eine Rücksetzentladung selektiv im Hinblick auf die Verteilung der Wandladungen in den Entladezellen erfolgt. Es wird ein Rücksetzsignal derart angelegt, dass das Auftreten einer Rücksetzentladung in Zellen mit Verhältnissen verhindert wird, unter denen eine Adressenentladung während des Adressierintervalls auftreten kann und das Auftreten einer Rücksetzentladung in Zellen möglich ist, die derartige Verhältnisse nicht haben. Dementsprechend kann eine nicht notwendige Entladung unterdrückt werden, was einen dunklen Teil dunkler macht. Dadurch kann der Kontrast stark verbessert werden und kann die Zeit für das Rücksetzintervall herabgesetzt werden.

Description

Beschreibung des Standes der Technik

Der zeitliche Ablauf des Betriebs einer Plasmaanzeige kann in ein Rücksetz- oder Initialisierungsintervall, ein Adressierintervall, ein Halteintervall und ein Löschinter vall unterteilt werden. Während des Rücksetzintervalls wird der Zustand jeder Zelle für eine reibungslose Zellenadres sierung initialisiert. Während des Adressierintervalls wer den die anzuschaltenden und die nicht anzuschaltenden Zellen von der Anzeige gewählt und werden Wandladungen an den anzu schaltenden Zellen gesammelt. Während des Halteintervalls wird eine Entladung in den adressierten Zellen bewirkt, um ein Bild tatsächlich anzuzeigen. Während des Löschintervalls werden die Wandladungen der Zellen herabgesetzt, um eine Halteentladung zu beenden.

Der Kontrast ist ein wichtiger Faktor für die Qualität eines Bildes, das von einer Plasmaanzeige erzeugt wird. Der Kontrast ergibt sich aus dem Verhältnis der Helligkeit eines hellen Teils zur Helligkeit eines dunklen Teils eines an der Anzeige angezeigten Bildes. Der helle Teil entsteht haupt sächlich aus dem durch eine Halteentladung erzeugten Licht und der dunkle Teil entsteht hauptsächlich aus dem durch eine Rücksetzentladung erzeugten Licht. Es notwendig, die Helligkeit des hellen Teils zu erhöhen oder die Helligkeit des dunklen Teils herabzusetzen, um den Kontrast zu erhöhen.

Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen Teil einer Wechselstromplasmaanzeige. Elektrodenpaare aus einer Abtastelektrode 4 und einer Halteelektrode 5, die mit einer dielektrischen Schicht 2 und einer Schutzschicht 3 überzogen sind, sind parallel zueinander auf einem Glassub strat 1 ausgebildet. Mehrere Adressenelektroden 8, die mit einer Isolierschicht 7 überzogen sind, sind auf einem Glas substrat 6 ausgebildet. Trennwände 9 sind auf der Isolier schicht 7 so ausgebildet, dass sie parallel zu den Adres senelektroden 8 verlaufen. Eine Leuchtstoffschicht 10 ist auf der Oberfläche der Isolierschicht 7 und auf beiden Sei ten der Trennwände 9 ausgebildet. Das erste Glassubstrat 1 und das zweite Glassubstrat 6 sind mit einem dazwischen aus gebildeten Entladeraum einander zugewandt angeordnet, so dass die Abtastelektroden 4 und die Halteelektroden 5 ortho gonal zu den Adressenelektroden 8 verlaufen. Der Entladeraum 11 an der Schnittstelle zwischen jeder Adressenelektrode 8 und jedem Elektrodenpaar aus einer Abtastelektrode 4 und einer Halteelektrode 5 bildet eine Entladezelle 12.

Fig. 2 zeigt schematisch eine Elektrodenmatrix eines An zeigefeldes. Die Elektroden bilden eine Matrix mit m Spalten und n Zeilen. Adressenelektroden A₁ bis A_m sind in Spalten angeordnet. Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n und Haltelektro den SUS₁ bis SUS_n sind in Zeilen angeordnet. Eine Entlade zelle in Fig. 2 entspricht der Entladezelle 12 in Fig. 1.

Fig. 3 zeigt ein Zeitdiagramm der Betriebswellenformen bei einem herkömmlichen Verfahren zum Betreiben einer Plas maanzeige. Bei diesem Verfahren besteht ein Bildintervall aus 8 Teilbildern für 256 Graustufen. Jedes Teilbild besteht aus einem Rücksetzintervall, einem Adressierintervall, einem Halteintervall und einem Löschintervall. Die Arbeitsvorgänge bezüglich eines ersten Teilbildes werden im Folgenden be schrieben.

Während einer frühen Phase des Rücksetzintervalls werden alle Adressenelektroden A₁ bis A_m und alle Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n auf 0 V gehalten. Eine linear ansteigende Spannung, die mit einer Spannung V_p beginnt, die nicht grö ßer als eine Entladestartspannung bezüglich der Halteelek troden SUS₁ bis SUS_n ist, und langsam bis auf eine Spannung V_r ansteigt, die größer als die Entladestartspannung ist, liegt an allen Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n. Während diese linear ansteigende Spannung zunimmt, tritt eine erste schwa che Rücksetzentladung von einer Abtastelektrode zu einer Adressenelektrode und einer Halteelektrode in allen Entlade zellen auf. Das hat zur Folge, dass sich negative Wandladun gen an der Oberfläche der Schutzschicht auf jeder Abtast elektrode ansammeln. Gleichzeitig sammeln sich positive Wandladungen auf der Oberfläche der Isolierschicht auf jeder Adressenelektrode und der Oberfläche der Schutzschicht auf jeder Halteelektrode an.

Während der letzten Phase des Rücksetzintervalls werden alle Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n auf einer konstanten Spannung V_h gehalten. Eine lineare Spannung, die mit einer Spannung V_q beginnt, die nicht größer als die Entladestart spannung bezüglich der Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n ist, und langsam bis auf eine 0 Spannung abnimmt, die größer als die Entladestartspannung ist, liegt an allen Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n. Während diese Spannung abnimmt, tritt eine zweite schwache Rücksetzentladung von einer Halteelektrode zu einer Abtastelektrode in allen Entladezellen auf. Das hat zur Folge, dass die negative Wandladung der Oberfläche der Schutzschicht auf jeder Abtastelektrode und die positive Wandladung der Oberfläche der Schutzschicht auf jeder Hal teelektrode herabgesetzt werden. Darüber hinaus tritt eine leichte Entladung zwischen einer Adressenelektrode und einer Abtastelektrode auf und wird die positive Wandladung der Oberfläche der Isolierschicht auf jeder Adressenelektrode auf einen für die Adressierung geeigneten Wert gebracht. In dieser Weise wird ein Rücksetzvorgang während des Rücksetz intervalls abgeschlossen.

Während eines folgenden Adressierintervalls werden alle Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n auf einer Spannung V_s gehal ten. Eine positive Adressenimpulsspannung +V_w liegt an einer bestimmten Adressenelektrode A_j (j ist eine ganze Zahl zwi schen 1 und m) die einer auf einer ersten Zeile anzuzeigen den Entladezelle entspricht, und gleichzeitig liegt eine Abtastimpulsspannung von 0 V an der Abtastelektrode SCN₁ der ersten Zeile. Dabei ist die Spannung zwischen der Oberfläche der Isolierschicht und der Oberfläche der Schutzschicht auf der Abtastelektrode SCN₁ am Schnittpunkt zwischen der Adres senelektrode A_j und der Abtastelektrode SCN₁ die Summe der Adressenimpulsspannung +V_w und der positiven Wandspannung der Oberfläche der Isolierschicht auf jeder Adressenelektro de. Das hat zur Folge, dass eine Adressenentladung zwischen der bestimmten Adressenelektrode A_j und der Abtastelektrode SCN₁ und zwischen der Halteelektrode SUS₁ und der Abtaste lektrode SCN₁ am obigen Schnittpunkt auftritt. An diesem Schnittpunkt sammelt sich somit eine positive Wandladung auf der Oberfläche der Schutzschicht auf der Abtastelektrode SCN₁ an, sammelt sich eine negative Wandladung auf der Ober fläche der Schutzschicht auf Halteelektrode SUS₁ an und sam melt sich eine negative Wandladung auf der Oberfläche der Isolierschicht auf der Adressenelektrode A_j an.

Dem Adressierintervall folgt ein Halteintervall. Während des Halteintervalls werden alle Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n und alle Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n auf 0 V gehalten, und wird dann eine positive Halteimpulsspannung +V_m an alle Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n gelegt. Dabei ist die Span nung zwischen der Oberfläche der Schutzschicht auf der Abta stelektrode SCN_i (i ist eine ganze Zahl zwischen 1 und n) und der Oberfläche der Schutzschicht auf jeder Halteelektro de in einer Entladezelle, in der eine Adressenentladung auf getreten ist, die Summe einer Halteimpulsspannung, einer positiven Wandladung, die sich auf der Oberfläche der Schutzschicht der Abtastelektrode SCN₁ während des Adres sierintervalls angesammelt hat, und einer negativen Wandla dung, die sich auf der Oberfläche der Schutzschicht der Hal teelektrode SUS₁ während des Adressierintervalls angesammelt hat, die größer als die Entladestartspannung ist. Das hat zur Folge, dass eine Halteentladung zwischen einer Abtaste lektrode und einer Halteelektrode in einer Entladezelle auf tritt, in der eine Adressenentladung aufgetreten ist. In der Entladezelle, in der eine Halteentladung aufgetreten ist, sammelt sich eine negative Wandspannung auf der Oberfläche der Schutzschicht auf der Abtastelektrode an und sammelt sich eine positive Wandspannung auf der Oberfläche der Schutzschicht auf der Halteelektrode an. Danach bekommt die Halteimpulsspannung, die an der Abtastelektrode liegt, den Wert 0 V. Anschließend wird eine positive Halteimpulsspan nung + V_m an alle Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n gelegt und tritt über den gleichen oben beschriebenen Vorgang eine Hal teentladung zwischen einer Abtastelektrode und einer Hal teelektrode in einer Entladezelle auf, in der eine Adressen entladung aufgetreten ist. Über das gleiche oben beschriebe ne Verfahren wird danach abwechselnd eine positive Halteim pulsspannung an alle Abtastelektroden SCN₁ bis SCN_n und alle Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n gelegt, um dadurch eine Hal teentladung zu bewirken. Eine derartige Halteentladung regt den Leuchtstoff an, wodurch sichtbare Strahlung für die An zeige eines Bildes erzeugt wird.

Nach dem Ende des Halteintervalls wird während eines Löschintervalls eine lineare Spannung, die von 0 V ausgeht und auf +V_e ansteigt, an alle Halteelektroden SUS₁ bis SUS_n gelegt. Dabei ist in einer Entladezelle, in der ein Hal teentladung aufgetreten ist, die Spannung zwischen der Ober fläche der Schutzschicht auf einer Abtastelektrode und der Oberfläche der Schutzschicht auf einer Halteelektrode die Summe der negativen Wandspannung auf der Schutzschicht auf der Abtastelektrode, am Ende des Halteintervalls, der posi tiven Wandladung auf der Schutzschicht auf der Halteelektro de am Ende Halteintervalls und der linearen Spannung. Das hat zur Folge, dass eine schwache Löschentladung zwischen der Halteelektrode und der Abtastelektrode in der Entlade zelle auftritt, in der eine Halteentladung aufgetreten ist. Darüber hinaus nehmen die negative Wandladung auf der Schutzschicht auf der Abtastelektrode und die positive Wand ladung auf der Schutzschicht auf der Halteelektrode ab, wo durch die Halteentladung beendet wird. In dieser Weise wird ein Löschvorgang abgeschlossen.

Bei dem herkömmlichen Verfahren stammt ein dunkler Teil der Plasmaanzeige von dem Licht, das durch eine Rücksetzent ladung erzeugt wird. Wenn eine derartige Rücksetzentladung für ein einzelnes Teilbild beginnt, tritt die Rücksetzentla dung in allen Zellen auf. Dementsprechend tritt eine Rück setzentladung und eine Erzeugung von Licht auch in Entlade zellen auf, die abgeschaltet sein sollten, was den Kontrast herabsetzt.

Zusammenfassung der Erfindung

Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, ist es das Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vor richtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige zu schaffen, bei denen ein dunkler Teil dunkler angezeigt werden kann, um den Kontrast zu erhöhen, indem wahlweise eine Rücksetzentladung während des Plasmaanzeigebetriebes durchgeführt wird.

Um dieses Ziel zu erreichen, wird als eine Ausführungs form ein Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige vorge schlagen. Das Verfahren schließt ein Rücksetzintervall zum Initialisieren des Zustandes jeder Zelle, ein Adressierin tervall, um die während eines Halteintervalls anzuschalten den Zellen von den während des Halteintervalls nicht anzu schaltenden Zellen zu unterscheiden und eine Adressierung durchzuführen, und ein Halteintervall zum Entladen der adressierten Zellen ein. Das Verfahren schließt das Anlegen eines Rücksetzsignals ein, um das Auftreten einer Rücksetz entladung in Zellen auszuschließen, deren Verhältnisse der art sind, das eine Adressenentladung während des Adres sierintervalls auftreten kann, und das Auftreten einer Rück setzentladung in den Zellen zuzulassen, die nicht derartige Verhältnisse haben. Vorzugsweise wird das Rücksetzsignal so angelegt, dass eine Rücksetzentladung in einer Zelle, die eine Wandladung hat, bei der eine Adressenentladung selbst dann nicht auftreten kann, wenn eine Adressenspannung wäh rend des Adressierintervalls anliegt, oder in einer Zelle erzeugt wird, die eine Wandladung hat, bei der eine Hal teentladung während des Halteintervalls selbst dann auf tritt, wenn eine Adressenentladung während des Adressierin tervalls nicht aufgetreten ist, was auf der Grundlage der Wandladung der Zelle zu Beginn des Rücksetzintervalls be stimmt wird.

Bei einer anderen Ausführungsform wird ein Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige vorgeschlagen. Dieses Verfah ren schließt ein Rücksetzintervall zum Initialisieren des Zustandes jeder Zelle, ein Adressierintervall, um die Zel len, die während eines Halteintervalls anzuschalten sind von den während des Halteintervalls nicht anzuschaltenden Zellen zu unterscheiden, und eine Adressierung durchzuführen, und ein Halteintervall zum Entladen der adressierten Zellen ein. Das Verfahren schließt das Anlegen einer Rücksetzwellenform während des Rücksetzintervalls ein, wobei ein Rücksetzimpuls mit einem bestimmten Spannungspegel in einer frühen Phase des Rücksetzintervalls angelegt wird und ein Impuls mit li nearem Spannungsverlauf und allmählich abnehmenden Span nungspegel in einer späteren Phase des Rücksetzintervalls angelegt wird. Vorzugsweise wird das Auftreten einer Rück setzentladung in einer Zelle verhindert, deren Verhältnisse derart sind, dass eine Adressenentladung infolge einer Adressenspannung während des Adressierintervalls auftreten kann, was auf der Grundlage der Wandladung der Zelle zu Be ginn des Rücksetzintervalls bestimmt wird.

Gemäß noch einer Ausführungsform wird ein Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige vorgeschlagen. Das Verfahren schließt ein Rücksetzintervall zum Initialisieren des Zu standes jeder Zelle, ein Adressierintervall zum Unterschei den der während eine Halteintervalls anzuschaltenden Zellen von den während des Halteintervalls nicht anzuschaltenden Zellen und zum Durchführen einer Adressierung und ein Halte intervall zum Entladen der adressierten Zellen ein. Das Ver fahren schließt das Anlegen einer Rücksetzspannung an eine Abtastelektrode im Rücksetzintervall ein, während die an den Halte- und des Adressenelektroden jeweils liegenden Spannun gen konstant gehalten werden, so dass eine Rücksetzentladung im Wesentlichen zwischen den Abtast- und den Adressenelek troden auftritt und das Auftreten dieser Entladung zwischen den Abtast- und den Halteelektroden im Wesentlichen verhin dert ist.

Um das obige Ziel zu erreichen wird gleichfalls eine Vorrichtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige vorgeschlagen. Die Vorrichtung schließt einen Rücksetzsignalgenerator zum Erzeugen eines Rücksetzsignals, um den Zustand jeder Zelle zu initialisieren, einen Adressensignalgenerator zum Erzeu gen eines Adressensignals, um die anzuschaltenden Zellen von den nicht anzuschaltenden Zellen zu unterscheiden und eine Adressierung auszuführen, und einen Haltesignalgenerator zum Erzeugen eines Haltesignals zum Entladen einer durch den Adressensignalgenerator adressierten Zelle ein. Der Rück setzsignalgenerator erzeugt ein Rücksetzsignal, um das Auf treten einer Rücksetzentladung in einer Zelle zu verhindern, die Bedingungen erfüllt, unter denen eine Adressenentladung normalerweise aufgrund des Adressensignales erfolgen kann, und eine Rücksetzentladung in einer Zelle zu erzeugen, die diese Bedingungen nicht erfüllt. Vorzugsweise legt der Rück setzsignalgenerator einen Rücksetzimpuls mit einem bestimm ten Spannungspegel in einer frühen Phase des Rücksetzinter valls an und legt der Rücksetzsignalgenerator einen Impuls mit linearem Spannungsverlauf und allmählich abnehmendem Spannungspegel in einer späteren Phase des Rücksetzinter valls an.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Das obige Ziel und die Vorteile der vorliegenden Erfin dung werden sich deutlich aus einer Beschreibung im Einzel nen bevorzugter Ausführungsbeispiele ergeben, die anhand der zugehörigen Zeichnungen gegeben wird, in denen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Teils einer AC-Plasmaanzeige zeigt,

Fig. 2 in einem Diagramm eine Elektrodenmatrix in einem Anzeigefeld zeigt,

Fig. 3 ein Zeitdiagramm der Betriebswellenformen gemäß eines herkömmlichen Verfahrens zum Betreiben eines Anzeige feldes zeigt,

Fig. 4 in einem Diagramm den Aufbau der Wandladungen in einer Entladezelle zeigt, die den Adressierbedingungen ge nügt,

Fig. 5A bis 5C Beispiele einer Entladezelle zeigen, die den Adressierbedingungen nicht genügt,

Fig. 6A und 6B Beispiele einer Entladezelle zeigen, die den Adressierbedingungen genügt,

Fig. 7 ein Zeitdiagramm der Betriebswellenformen gemäß eines Verfahrens zum Betreiben einer Plasmaanzeige, das ei nem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung entspricht, zeigt,

Fig. 8 ein Zeitdiagramm der Betriebswellenformen gemäß eines Verfahrens zum Betreiben einer Plasmaanzeige, das ei nem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung entspricht, zeigt und

Fig. 9 in einem Blockschaltbild eine Vorrichtung zum Be treiben einer Plasmaanzeige gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt.

Beschreibung der Erfindung im Einzelnen

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegen den Erfindung im Einzelnen anhand der zugehörigen Zeichnun gen beschrieben.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Er höhen des Kontrastes, indem nicht notwendige Rücksetzentla dungen in einer Plasmaanzeige unterdrückt werden. Bei diesem Verfahren tritt während eines Rücksetzintervalls eine Rück setzentladung in einer Zelle nicht auf, die die Adressierbe dingungen erfüllt, und nur in einer Zelle auf, die die Adressierbedingungen nicht erfüllt, um das am dunklen Teil eines Anzeigefeldes zu erzeugende Licht so gering wir mög lich zu halten. Während des Rücksetzintervalls wird eine geeignete Menge an Wandladungen mit geeigneter Polarität an jeder Adressenelektrode, jede Halteelektrode und jede Abta stelektrode gebildet, um die Verteilung der Wandladungen so einzustellen, dass eine Adressierung während eines Adres sierintervalls problemlos erfolgen kann. Die sogenannten Adressierungsbedingungen sind dabei Bedingungen, unter denen die Adressierung der während eines Halteintervalls anzuschal tenden Zellen, die von den nicht anzuschaltenden Zellen un terschieden sind, im Adressierintervall exakt erfolgen kann. Eine Zelle mit Wandladungen, die eine normale Funktion wäh rend eines Adressierintervalls und eines Halteintervalls erlauben, selbst wenn keine Rücksetzentladung während des Rücksetzintervalls auftritt, wird somit als eine Zelle be zeichnet, die die Adressierungsbedingungen erfüllt. Eine Zelle die derartige Ladungen nicht hat, wird als eine Zelle bezeichnet, die die Adressierungsbedingungen nicht erfüllt.

Um den Adressierungsbedingungen in einer Entladezelle zu genügen, sollte eine große Menge negativer Ladungen an der Abtastelektrode angesammelt werden, sollte eine große Menge an positiven Ladungen an der Adressenelektrode angesammelt werden und sollte eine mäßige Menge an negativen Ladungen oder eine kleine Menge an positiven Ladungen an der Hal teelektrode nach Maßgabe einer Vorspannung angesammelt wer den, die an die Halteelektrode während eines Adressierinter valls angelegt wird. Wenn darüber hinaus während des Adres sierintervalls eine Adressenentladung in der Entladezelle nicht aufgetreten ist, sollten Wandladungen auf den Halte- und Abtastelektroden bleiben, die ausreichen, keine Entla dung während eines Halteintervalls hervorzurufen. Gemäß der Erfindung wird somit verhindert, dass eine Rücksetzentladung in einer Entladezelle auftritt, die den Adressierungsbedin gungen genügt, wie es oben beschrieben wurde, und wird eine Rücksetzentladung in einer Entladezelle erzeugt, die den Adressierungsbedingungen nicht genügt, damit die Entladezel le den Adressierungsbedingungen genügen kann.

Fig. 4 zeigt schematisch den Aufbau der Wandladungen in einer Entladezelle, die den Adressierungsbedingungen genügt. Eine große Menge an negativen Ladungen sollte auf einer Ab tastelektrode Y angesammelt sein und eine große Menge an positiven Ladungen sollte auf einer Adressenelektrode A an gesammelt sein, so dass ausreichende Wandladungen zum Erzeu gen einer Adressen- oder Schreibentladung gebildet werden können, wenn während eines Adressierintervalls eine Adres senspannung und eine Abtastspannung an der Adressenelektrode A und der Abtastelektrode jeweils liegen. Dabei sollte eine mäßige Menge an negativen Ladungen oder eine kleine Menge an positiven Ladungen an einer Halteelektrode X nach Maßgabe einer Vorspannung angesammelt werden, die an der Halteelek trode X während eines Adressierintervalls liegt.

Das heißt mit anderen Worten, dass Fig. 4 den Fall von Wandladungsverhältnissen zeigt, bei denen eine Adressenent ladung während eines Adressierintervalls selbst dann auftre ten kann, wenn eine Rücksetzentladung in einem Rücksetzin tervall nicht aufgetreten ist. Wenn somit ein Adressenimpuls an die Adressenelektrode A während des Adressierintervalls liegt und gleichzeitig ein Abtastimpuls an der Abtastelek trode Y liegt, sollte eine Entladung zwischen der Adressene lektrode A und Abtastelektrode Y aufgrund einer Wandspannung zwischen den beiden Elektroden A und Y und der Impulsspan nungen auftreten, die an den beiden Elektroden A und Y lie gen.

Wenn im Gegensatz dazu bei einer beliebigen Zelle wäh rend eines Adressierintervalls kein Adressenimpuls an der Adressenelektrode und ein Abtastimpuls an der Abtastelektro de liegt (d. h. bei einer Zelle, die nicht adressiert wird oder schreibt) sollten Wandladungen zwischen der Adressene lektrode und der Abtastelektrode derart gebildet werden, dass eine Entladung zwischen den beiden Elektroden nicht auftritt und sollten Wandladungen zwischen der Abtastelek trode und der Halteelektrode gebildet werden derart, dass keine Entladung zwischen den beiden Elektroden auftritt. In diesem Fall (das heißt bei einer Zelle, bei der kein Schrei ben erfolgt) ist es bevorzugt, Wandladungen zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode während des Rück setzintervalls derart zu erzeugen, dass die Summe des Poten tialunterschiedes aufgrund der Wandladungen, die zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode gebildet sind, und eines Potentialunterschiedes aufgrund einer äußeren Spannung, die während des Adressierintervalls anliegt, klei ner als eine Entladestartspannung und größer als die Diffe renz (Entladestartspannung - Randspannung) ist. Um darüber hinaus zu verhindern, dass eine Entladung zwischen der Abta stelektrode und der Halteelektrode in einem Zustand auf tritt, in dem ein Abtastimpuls an der Abtastelektrode liegt und eine bestimmte Spannung an der Halteelektrode während des Adressierintervalls liegt, ist es bevorzugt, Wandladun gen zwischen der Abtastelektrode und der Halteelektrode wäh rend des Rücksetzintervalls zu bilden, derart, dass die Sum me des Potenzialunterschiedes infolge der Wandladungen, die zwischen der Abtastelektrode und der Halteelektrode gebildet werden, und des Potenzialunterschiedes infolge einer äußeren Spannung, die während des Adressierintervalls anliegt, klei ner als die Entladestartspannung ist.

Dabei kann die Randspannung, die zu einem untersten Grenzwert in Bezug steht, auf 40 V festgelegt werden. Der Grund wird im Folgenden beschrieben. Es ist notwendig eine in einem gewissen Maß über der Entladestartspannung liegende Spannung anzulegen, um eine starke Entladung zwischen den Elektroden hervorzurufen. Wenn die Spannung eines Impulses, der für eine Adressenentladung an der Adressenelektrode liegt, bei etwa 60 bis 80 V liegt, kann die Wandspannung, die durch die Wandladungen nach dem Rücksetzintervall er zeugt wird, so festgelegt werden, dass sie um 25 bis 40 V unter der Entladestartspannung liegt. Wenn somit eine äußere Spannung von etwa (60~80 V) - (24~40 V) zwischen den Elektroden liegt, überschreitet die Spannung zwischen den beiden Elektroden die Entladestartspannung, so dass eine starke Entladung zwischen der Adresselektrode und der Abta stelektrode auftritt. Im Fall eines Anzeigefeldes mit den oben beschriebenen Verhältnissen kann daher die Randspannung auf etwa 40 V festgelegt werden. Bei einem Anzeigefeld mit anderen Verhältnissen, kann ein anderer passender Wert ver wandt werden.

Im Folgenden werden einige Beispiele für den Fall gege ben, in dem die Entladezelle den Adressierungsbedingungen nicht genügt. Bei einem ersten Beispiel haben sich positive Ladungen an einer Abtastelektrode Y und negative Ladungen an einer Adressenelektrode A angesammelt, wie es in Fig. 5A dargestellt ist. Bei einem zweiten Beispiel hat sich eine Wandspannung infolge negativer Ladungen, die sich an der Abtastelektrode Y angesammelt haben, und positiver Ladungen, die sich an der Adressenelektrode A angesammelt haben, auf gebaut, die unter einem bestimmten Bezugspegel liegt, so dass eine Adressen(Schreib)-Entladung selbst dann nicht auf tritt, wenn eine Adressenspannung an einer Adressenelektrode A liegt, wie es in Fig. 5B dargestellt ist. Die obigen bei den Beispiele zeigen, dass eine Zelle einen Wandladungsauf bau hat, bei dem eine Adressenentladung während eines Adres sierintervalls nicht auftritt, wenn eine Rücksetzentladung während eines Rücksetzintervalls nicht aufgetreten ist. Das heißt mit anderen Worten, dass dann, wenn bei den beiden Beispielen ein Adressenimpuls und ein Abtastimpuls an der Adressenelektrode und der Abtastelektrode während des Adres sierintervalls jeweils liegen, Wandladungen zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode derart gebildet werden, dass die Summe eines Potenzialunterschiedes infolge einer äußeren Spannung (einer Adressierungsspannung) und einem Potenzialunterschied infolge der Wandladungen, die zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode ge bildet sind, die Entladestartspannung nicht überschreitet.

Bei einem dritten Beispiel hat sich eine große Menge ne gativer Ladungen an der Halteelektrode X angesammelt, so dass eine Halteentladung während eines Halteintervalls selbst dann auftritt, wenn eine Adressenentladung während eines Adressierintervalls nicht auftritt, wie es in Fig. 5C dargestellt ist, was den Fall eines fehlerhaften Betriebes darstellt. Das heißt mit anderen Worten, dass trotz der Tat sache, dass eine Adressenentladung nicht aufgetreten ist, Wandladungen zwischen einer Adressenelektrode und einer Hal teelektrode derart gebildet werden, dass die Summe des Po tentialunterschiedes infolge der Wandladungen, die zwischen der Adressenelektrode und der Halteelektrode gebildet wer den, und eines äußeren Potentialunterschiedes die Entlade startspannung während eines Halteintervalls überschreitet.

Die vorliegende Erfindung verhindert, dass eine Rück setzentladung in einer Entladezelle auftritt, die die Adres sierungsbedingungen erfüllt, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, und bewirkt eine Rücksetzentladung in einer Entladezel le, die den Adressierungsbedingungen nicht genügt, wie es in den Fig. 5A bis 5C dargestellt ist. Eine derartige selektive Rücksetzladung kann dadurch erfolgen, dass eine Entladezel le, die die Adressierungsbedingungen erfüllt, und eine Ent ladezelle, die die Adressierungsbedingungen nicht erfüllt, verschiedene Entladecharakteristiken haben, selbst wenn das selbe Rücksetzimpulssignal anliegt, indem die Verteilung der Wandladungen unter den Entladezellen ausgenutzt wird.

Fig. 7 zeigt in einem Zeitdiagramm die Betriebswellen formen bei einem Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Ein einzelnes Bild besteht aus mehreren Teilbil dern. Jedes Teilbild ist in ein Rücksetzintervall, ein Adressierintervall, ein Halteintervall und ein Löschinter vall unterteilt. Es ist ersichtlich, dass dieses Ausfüh rungsbeispiel auf Plasmaanzeigen, bei denen ein Bild keinen Teilbildaufbau hat, sowie auf Plasmaanzeigen anwendbar ist, bei denen ein Bild einen Teilbildaufbau hat.

Ein rechtwinkliger Rücksetzimpuls liegt während einer frühen Phase eines Rücksetzintervalls an, wonach ein Impuls mit linearem Spannungsverlauf anliegt, der linear abnimmt. Eine bestimmte Spannung liegt an den Halteelektroden, so dass eine Entladung zwischen einer Abtastelektrode und einer Halteelektrode aufgrund eines Rücksetzimpulses, der während der frühen Phase des Rücksetzintervalls anliegt, nicht auf tritt. Beispielsweise liegt eine Spannung V_b mit einem be stimmten Potential an den Halteelektroden. Die Spannung V_b ist gleich der oder etwas höher als die Halteentladespannung V_m während des Rücksetzintervalls und höher als die oder gleich der Halteentladespannung V_m während eines Adres sierintervalls festgelegt. Eine Spannung gleich 0 liegt an den Adressenelektroden.

Bei einer Entladezelle, die den Adressierungsbedingungen genügt, ist die Rücksetzimpulsspannung (oder der Potentia lunterschied zwischen einer Adressenelektrode und einer Ab tastelektrode infolge eines Rücksetzimpulses) so gewählt, dass die Summe des Potentialunterschiedes infolge der Wand ladungen zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelek trode und des Potentialunterschiedes, der zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode infolge des Rück setzimpulses liegt, die Entladestartspannung nicht über schreitet. Es ist beispielsweise bevorzugt, dass die Rück setzimpulsspannung so festgelegt wird, dass sie unter einem Wert liegt, der durch Addieren einer Randspannung (bei spielsweise 40 V) zum Zweifachen der Entladestartspannung erhalten wird (das wird später beschrieben).

Was den höchsten Grenzwert der Rücksetzimpulsspannung anbetrifft, so sollte eine Spannung, die die Entladestart spannung überschreitet, zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode aufgebaut werden, um eine ausreichende Entladung im Anzeigefeld hervorzurufen. Die überschreitende Spannung entspricht der Randspannung. Wenn somit die Randspannung als ein Wert definiert wird, der dadurch erhal ten wird, dass die Entladestartspannung von dem gesamten Potentialunterschied abgezogen wird, der zwischen der Adres senelektrode und der Abtastelektrode während der Adressen entladung liegt (ein Wert, der dadurch erhalten wird, dass die rechte Seite von der linken Seite in der Gleichung 3 abgezogen wird, was später beschrieben wird, das heißt, der Wert in der Gleichung 4) kann dieser selbst auf ein Anzei gefeld mit anderen Bedingung angewandt werden.

Bei einer Entladezelle, die den Adressierungsbedingungen nicht genügt, wird die Rücksetzimpulsspannung (oder der Po tentialunterschied zwischen einer Adressenelektrode und ei ner Abtastelektrode infolge eines Rücksetzimpulses) so ge wählt, dass die Summe eines Potentialunterschiedes infolge von Wandladungen zwischen der Adressenelektrode und der Ab tastelektrode und des Potentialunterschiedes, der zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode infolge des Rücksetzimpulses auftritt, die Entladestartspannung über schreitet. Es ist beispielsweise bevorzugt, dass die Rück setzimpulsspannung auf einen Wert festgelegt wird, der grö ßer als ein Wert ist, der dadurch erhalten wird, dass eine Adressenimpulsspannung vom Zweifachen der Entladestartspan nung abgezogen wird, oder ein Wert ist, der dadurch erhalten wird, dass das Zweifache der Adressenimpulsspannung vom Zweifachen der Entladestartspannung abgezogen wird (das wird später beschrieben).

Wenn einmal ein rechteckiger Rücksetzimpuls an einer Ab tastelektrode liegt, tritt eine Rücksetzentladung in einer Entladezelle, die den Adressierungsbedingungen genügt nicht jedoch in einer Zelle auf, die den Adressierungsbedingungen nicht genügt, so dass eine große Menge an negativen Ladungen an der Abtastelektrode und eine große Menge an positiven Ladungen an der Adressenelektrode angesammelt werden kann. Dabei werden ausreichende Ladungen angesammelt, um eine Adressenentladung zu erzeugen, wenn eine Adressenspannung anliegt (siehe Fig. 6A). Wenn bei einer derartigen Vertei lung der Ladungen unter den Elektroden in einer Entladezelle ein Impuls mit linearem Spannungsverlauf, der linear ab nimmt, an der Abtastelektrode liegt, wird der Spannungsun terschied zwischen der Halteelektrode und der Abtastelektro de in geeigneter Weise so gehalten, dass die Entladezelle einen Wandladungsaufbau hat, der der Adressierungsbedingung genügt, wie es Fig. 6B dargestellt ist. Der Impuls mit li nearem Spannungsverlauf, der in der späteren Phase des Rück setzintervalls anliegt, kann als ein Impuls verwirklicht sein, der einen Schrägverlauf hat, der von einer Spannung mit einem bestimmten Pegel, bei der eine Entladung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode, sowie zwi schen der Abtastelektrode und der Halteelektrode nicht auf tritt, bis zu einer Spannung mit einem niedrigerem Pegel eines Abtastimpulses oder einer Spannung mit einem Pegel abnimmt, der um einen bestimmten Wert höher als der niedri gere Pegel des Abtastimpulses ist.

Der Entlademechanismus während des Rücksetzintervalls wird im Folgenden anhand der in Fig. 7 dargestellten Wellen formen beschrieben. In dem Zustand, in dem eine konstante Spannung an der Halteelektrode sowie an der Adressenelektro de beibehalten wird, wird eine Rücksetzspannung an die Abta stelektrode gelegt derart, dass eine Rücksetzladung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode auftreten kann, eine Entladung zwischen der Abtastelektrode und Hal teelektrode jedoch unterdrückt ist. Um eine Rücksetzentla dung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode hervorzurufen, ist es bevorzugt, dass ein rechteckiger Rück setzimpuls, der an der Abtastelektrode liegt, eine Rücksetz spannung derart hat, dass ein äußerer Potentialunterschied zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode klei ner als ein Wert 2V_fay + 40 V ist, der dadurch erhalten wird, dass ein bestimmter Randwert (beispielsweise 40 V) zum Zwei fachen der Entladestartspannung addiert wird, und größer als ein Wert 2V_fay - V_a ist, der dadurch erhalten wird, dass eine Adressenimpulsspannung vom Zweifachen der Entladestartspan nung abgezogen wird, oder ein Wert 2V_fay - 2V_a ist, der da durch erhalten wird, dass das Zweifache der Adressenimpuls spannung vom Zweifachen der Entladestartspannung abgezogen wird (das wird später im einzelnen beschrieben).

Das Rücksetzintervall mit einer derartigen Impulsstruk tur kann zu Beginn jedes Teilbildes ausgeführt werden oder kann wahlweise an einem gegebenen Bild oder Teilbild ausge führt werden oder nicht.

Wenn ein einzelnes Bild in mehrere Teilbilder beim Be treiben des Anzeigefeldes unterteilt wird, kann die Spannung eines Rücksetzimpulses, der während eines Rücksetzintervalls für ein erstes Teilbild oder einige Teilbilder jedes Bildes anliegt, oder die Spannung eines Rücksetzimpulses, der wäh rend eines Rücksetzintervalls für ein oder mehrere Teilbil der von einigen Bildern unter einer Vielzahl von Bildern anliegt, so festgelegt werden, dass sie über der Spannung des Rücksetzimpulses liegt, der bei anderen Teilbildern an liegt. Das heißt mit anderen Worten, dass die Spannungen der Rücksetzimpulse, die während eines Rücksetzintervalls anlie gen, unter allen Teilbildern die gleichen sein können, oder nach Maßgabe der Position eines Teilbildes verschieden sein können. Die Spannung eines Rücksetzimpulses in einem ersten Teilbild jedes Bildes kann beispielsweise auf einen Wert festgelegt sein, der höher als der in anderen Teilbildern ist.

Bei einem Teilbild, das einen Rücksetzimpuls aufweist, der auf eine Spannung festgelegt ist, die relativ niedriger als ein Rücksetzimpuls ist, der an einem anderen Teilbild während eines Rücksetzintervalls liegt, ist die Impulsspan nung, die an der Abtastelektrode und an der Adressenelektro de liegt, so festgelegt, dass die Summe eines äußeren Poten tialunterschiedes zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode infolge des Rücksetzimpulses und eines Adressenimpulses und eines Potentialunterschiedes infolge der Wandladungen, die sich zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode angesammelt haben, die Entladestart spannung in Zellen nicht überschreitet, die den Adressenbe dingungen genügen, und die Entladestartspannung in Zellen überschreitet, die den Adressenbedingungen nicht genügen. Im Falle eines Teilbildes mit einem Rücksetzimpuls, der auf eine relativ höhere Spannung festgelegt ist, wird die Im pulsspannung so gewählt, dass die Summe eines äußeren Poten tialunterschiedes zwischen einer Abtastelektrode und einer Adressenelektrode und eines Potentialunterschiedes infolge von Wandladungen, die sich zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode angesammelt haben, die Entladestart spannung in allen Zellen überschreitet. Der äußere Potentia lunterschied zwischen der Abtastelektrode und der Adressen elektrode infolge des Rücksetzimpulses, der auf eine relativ höhere Spannung festgelegt ist, ist größer als der Potentia lunterschied infolge des Rücksetzimpulses, der auf eine re lativ niedrigere Spannung festgelegt ist, und gleich dem oder größer als das Zweifache der Entladestartspannung.

Im Folgenden wird der Arbeitsablauf in einer Entladezel le während eines Rücksetzintervalls anhand einiger Fälle beschrieben. Wenn ein rechteckiger Rücksetzimpuls an der Abtastelektrode einer Abtastzelle liegt, die der Adressie rungsbedingung genügt, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, wird die Spannung des Rücksetzimpulses durch eine Wandspan nung ausgeglichen, die sich zwischen der Abtastelektrode mit einer großen Menge an negativen Ladungen und einer Adres senelektrode mit einer großen Menge an positiven Ladungen aufgebaut hat, so dass die tatsächlich zwischen der Abtaste lektrode und der Adressenelektrode in der Entladezelle lie gende Spannung niedriger als die Spannung des Rücksetzimpul ses ist. Dementsprechend tritt keine Entladung in der Entla dezelle auf.

Im Fall einer Entladezelle, die den Adressierungsbedin gungen nicht genügt, da sich positive Ladungen an der Abta stelektrode und negative Ladungen an der Adressenelektrode angesammelt haben, wie es in Fig. 5A dargestellt ist, ist dann, wenn ein rechteckiger Rücksetzimpuls an der Abtaste lektrode liegt, die tatsächliche Spannung zwischen der Abta stelektrode und der Adressenelektrode in der Entladezelle gleich der Summe der Spannung des Rücksetzimpulses und einer Spannung, die durch die Wandladungen gebildet wird, da das elektrische Feld zwischen der Abtastelektrode und der Adres senelektrode dieselbe Polarität wie der Rücksetzimpuls hat.

Dementsprechend tritt eine Rücksetzentladung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode auf, was zu einer Ansammlung von positiven Ladungen an der Adressenelek trode und von negativen Ladungen an der Abtastelektrode führt. Wenn danach ein Impuls mit linearem Spannungsverlauf an der Abtastelektrode liegt, kann die Abtastzelle einen Wandladungsaufbau haben, der den Adressierungsbedingungen genügt.

Im Fall einer Entladezelle, bei der eine Adres sen(Schreib)-Entladung selbst dann nicht auftritt, wenn eine Adressenspannung anliegt, da die Wandspannung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode unter einer Be zugsspannung liegt, wird ein internes elektrisches Feld zwi schen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode gebil det, wobei jedoch der Wert dieses internen elektrischen Fel des klein ist. Wenn eine Spannung an der Abtastelektrode unter Verwendung eines Rücksetzimpulses liegt, wird die Spannung zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelek trode durch die Wandspannung ausgeglichen, die zwischen die sen Elektroden aufgebaut wurde. Wenn jedoch der Pegel der Spannung des rechteckigen Rücksetzimpulses, der an der Abta stelektrode liegt, so gewählt ist, dass er über einem be stimmten Pegel unter Berücksichtigung des Pegels der Wandspannung liegt, kann eine Rücksetzentladung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode selbst dann auf treten, wenn die anliegende Spannung durch die Wandspannung ausgeglichen wird. Es können sich daher ausreichende positi ve Ladungen an der Adressenelektrode und ausreichende nega tive Ladungen an der Abtastelektrode ansammeln, so dass die Entladezelle einen Wandladungsaufbau haben kann, der den Adressierungsbedingungen genügt, wenn ein Impuls mit linea rem Spannungsverlauf danach an der Abtastelektrode liegt. Da dabei die Wandladungen an der Abtastelektrode und der Adres senelektrode in einer Richtung erzeugt werden, in der die Wandladungen das elektrische Feld des Rücksetzimpulses aus gleichen, lässt sich sagen, dass die Entladezelle sich in einem Zustand befindet, in dem es relativ schwierig ist, eine Rücksetzentladung unter Verwendung eines Rücksetzimpul ses zu erzeugen, von dem angenommen wird, dass er eine Rück setzentladung in einer Zelle erzeugt, die den Adressierungs bedingungen gemäß der vorliegenden Erfindung nicht genügt. In anderen Fällen, in denen die Adressierungsbedingungen nicht erfüllt sind, beispielsweise bei einer Zelle, deren Abtast- und Adressenelektroden keine Wandladungen haben und einer Zelle, bei der die Abtast- und Adressenelektroden Wandladungen der gleichen Polarität haben, kann eine Rück setzentladung erzeugt werden, in dem das Verfahren angewandt wird, das für den Fall benutzt wird, der in Fig. 5B darge stellt ist.

In dem Fall, in dem ein Fehler im Betrieb auftreten kann, da eine große Menge negativer Ladungen an der Hal teelektrode in der Entladezelle angesammelt wurde, wie es in Fig. 5C dargestellt ist, tritt dann, wenn ein rechteckiger Rücksetzimpuls an der Abtastelektrode liegt, eine Rücksetz entladung zwischen der Abtastelektrode und der Halteelektro de auf, wodurch zu hohe negative Ladungen an der Halteelek trode herabgesetzt werden. Danach in einer späteren Phase des Rücksetzintervalls liegt ein Impuls mit linearem Span nungsverlauf an der Abtastelektrode und wird die Menge an Wandladungen an jeder Elektrode durch diesen Impuls in pas sender Weise so eingestellt, dass die Entladezelle einen Wandladungsaufbau haben kann, der den Adressierungsbedingun gen genügt.

Auf das Rücksetzintervall folgt ein Adressierungsintver all und eine Halteintervall. Während dieser Intervalle wer den im Wesentlichen die gleichen Arbeitsvorgänge ausgeführt, wie sie anhand von Fig. 3 beschrieben wurden. Eine Beschrei bung im Einzelnen wird daher nicht gegeben. Danach wird ein Löschvorgang zum Löschen einer Wandladungen ausgeführt, die durch eine Halteentladung während des Halteintervalls bezüg lich eines einzelnen Teilbildes gebildet wurde, indem ein Impuls mit linearem Spannungsverlauf verwandt wird, der li near von einer bestimmten Spannung zu einer Spannung zu nimmt, die gleich einer oder höher als eine Hochpegelspan nung eines Halteimpulses ist, was in einem Löschintervall erfolgt, wie es in Fig. 7 dargestellt ist. Alternativ kann auch ein Impuls mit einer schmalen Breite, ein Impuls mit einer Spannung unter der Spannung für eine Halteentladung und mit einer Breite, die größer als die eines Impulses für die Halteentladung ist, oder ein Impuls verwandt werden, der ähnlich wie eine logarithmische Wellenform geformt ist. Der Löschvorgang zum Löschen von Wandladungen, die durch eine Halteentladung gebildet wurden, kann auch nicht ausgeführt werden.

Fig. 8 zeigt in einem Zeitdiagramm die Betriebswellen formen gemäß eines Verfahrens zum Betreiben einer Plasmaan zeige bei einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Während eines Rücksetzintervalls sind die Wellen formen in Fig. 8 die gleichen wie in Fig. 7. Während eines Löschintervalls liegt jedoch der Löschimpuls, der in Fig. 7 an den Halteelektroden liegt, an den Abtastelektroden in Fig. 8. Abgesehen von diesem Unterschied sind die Wellenfor men von Fig. 8 im Wesentlichen die gleichen wie in Fig. 7. Darüber hinaus ist der Betrieb des Anzeigefeldes der gleiche in Fig. 7 und Fig. 8.

Fig. 9 zeigt in einem Blockschaltbild eine Vorrichtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige gemäß eines Ausführungs beispiels der vorliegenden Erfindung. Ein analoges Bildsig nal, das an einem Anzeigefeld 97 anzuzeigen ist, wird in digitale Daten umgewandelt und in einem Bildspeicher 91 ge speichert. Ein Bildgenerator 92 teilt die im Bildspeicher 91 gespeicherten digitalen Daten in der notwendigen Weise und gibt geteilte digitale Daten an eine Abtastschaltung 94 aus. Für die Grauskala an dem Anzeigefeld 97 teilt beispielsweise der Bildgenerator 92 ein einzelnes Bild mit Bildpunktdaten, die im Bildspeicher 91 gespeichert sind, einer Graustufe entsprechend in mehrere Teilbilder auf und gibt der Bildge nerator 92 Daten für jedes Teilbild aus.

Eine Abtastschaltung 94 tastet eine Abtastelektro den(Y)treiber 96 und einen Halteelektroden(X)treiber 95 des Anzeigefeldes 97 ab und enthält einen Rücksetzimpulsgenera tor 942, einen Adressenimpulsgenerator 943, einen Halteim pulsgenerator 944 und einen Löschimpulsgenerator 941, um die Signalwellenformen zu erzeugen, die an den Elektroden wäh rend eines Rücksetzintervalls, eines Adressierintervalls, eines Halteintervalls und eines Löschintervalls jeweils lie gen. Der Rücksetzimpulsgenerator 942 erzeugt ein Rücksetzsi gnal zum Initialisieren des Zustandes jeder Zelle. Der Adressenimpulsgenerator 943 erzeugt ein Adressensignal zum Unterscheiden der anzuschaltenden von den nicht anzuschal tenden Zellen und zum Ausführen eines Adressierungsvorgangs. Der Halteimpulsgenerator 944 erzeugt ein Haltesignal zum Entladen derjenigen Zellen, die durch den Adressenimpulsge nerator 943 adressiert worden sind. Der Löschimpulsgenerator 941 erzeugt Löschimpulse zum Löschen der Wandladungen, die durch eine Halteentladung an den Elektroden angesammelt wur den. Die Abtastschaltung 94 enthält weiterhin eine Synthesi zerschaltung 945 zum Zusammenführen der obigen Signale und zum Anlegen des zusammengeführten Signals an jede Elektrode. Eine Zeitsteuerung 93 erzeugt eine Vielzahl von Zeitsigna len, die für die Arbeit des Bildgenerators 92 und der Ab tastschaltung 94 notwendig sind.

Die folgende Beschreibung betrifft die Arbeitsweise zum Betreiben eines Anzeigefeldes gemäß eines Ausführungsbei spieles der vorliegenden Erfindung und insbesondere die Ar beitsvorgänge während eines Rücksetzintervalls. Es sei dar auf hingewiesen, dass die Wellenformen, Arbeitsvorgänge oder gewählten Spannungen während des Rücksetzintervalls, die anhand der Fig. 7 oder 8 beschrieben wurden, auch auf die Vorrichtung angewandt werden können. Während anderer Inter valle kann das Anzeigefeld über ein typisches Verfahren be trieben werden, das daher nicht im Einzelnen beschrieben wird.

Der Rücksetzimpulsgenerator 942 legt während eines Rück setzintervalls, das in Fig. 7 oder 8 dargestellt ist, ein Rücksetzsignal an die Abtastelektroden. Der Rücksetzimpuls generator 942 erzeugt das Rücksetzsignal derart, dass eine Rücksetzentladung in Zellen, die den Adressierungsbedingun gen genügen, das heißt in einer Zelle nicht auftreten kann, die sich in einem Zustand befindet, in dem während eines Adressierintervalls eine Adressierung der als während eines Halteintervalls anzuschaltenden Zellen im Unterschied zu den während eines Halteintervalls nicht anzuschaltenden Zellen genau erfolgen kann, und eine Rücksetzentladung in Zellen auftreten kann, die den Adressierungsbedingungen genügen.

Um eine derartige Funktion zu erfüllen, ist es bevor zugt, dass der Rücksetzimpulsgenerator 942 einen Rücksetzim puls mit einem bestimmten Spannungspegel in der frühen Phase des Rücksetzintervalls anlegt und einen Impuls mit linearem Spannungsverlauf, dessen Spannungspegel allmählich abnimmt, in der späteren Phase des Rücksetzintervalls anlegt. Während des Rücksetzintervalls tritt dadurch eine Rücksetzentladung in Zellen mit einem Wandladungsaufbau am Anfang des Rückset zintervalls derart, dass eine Adressenentladung während des Adressierintervalls selbst dann nicht auftreten kann, wenn eine Adressenspannung anliegt, oder in Zellen auf, die am Anfang des Rücksetzintervalls einen Wandladungsaufbau haben, bei dem eine Halteentladung während eines Halteintervalls auftritt, obwohl die Adressenentladung während des Adres sierintervalls nicht aufgetreten ist.

Die folgende Beschreibung betrifft die Arbeitsvorgänge bei dem Ausführungsbeispiel, das in Fig. 7 oder Fig. 8 dar gestellt ist, wobei V_s 170 V (Anfangsspannung während ei nes Rücksetzintervalls), V_set1 = 210 V (Spannung eines Rück setzimpulses im ersten Teilbild), V_set2 = 200 V (Spannung eines Rücksetzimpulses in den anderen Teilbildern), V_b = 180 V (Spannung einer Halteelektrode während des Rücksetzin tervalls und des Adressierintervalls), V_a = 75 V (Adressen spannung) und V_sc = 70 V (Abtastspannung). V_set1 oder V_set2 ist dabei eine Spannung, die einem Potentialunterschied zwischen der Anfangsspannung V_s des Rücksetzintervalls und der höch sten Spannung eines Rücksetzimpulses entspricht.

(a) Im Fall einer Entladezelle, die den Adressierungs bedingungen genügt, erzeugt eine Rücksetzimpuls unter den folgenden Bedingungen keine Entladung.

Wandladungen wurden so gebildet, dass eine Adressenent ladung in einer Entladezelle auftreten kann. Eine Wandspan nung infolge von Wandladungen, die sich an der Adressenelek trode angesammelt haben, wird mit V_aw1 wiedergegeben, eine Wandspannung infolge von Wandladungen, die sich an der Abta stelektrode angesammelt haben, wird mit V_yw1 wiedergeben und die Entladestartspannung zum Erzeugen einer Entladung zwi schen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode wird mit V_fay bezeichnet. Während eines Adressierintervalls wird die Abtastelektrode an Massepotential gehalten und liegt eine Spannung V_a an der Adressenelektrode.

Wenn ein Rücksetzimpuls an der Abtastelektrode liegt, tritt eine interne Spannung zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode auf, die durch die linke Seite der Gleichung (1) ausgedrückt ist. Da die Entladezelle einen Wandladungsaufbau hat, der die Adressierungsbedingungen er füllt, sollte die Spannung zwischen der Adressen- und der Abtastelektrode nicht größer als die Entladestartspannung sein. Die Spannung zwischen den beiden Elektroden kann daher durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden. Das heißt, dass das Ergebnis einer Subtraktion einer Wandspannung zwi schen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode von der Spannung des Rücksetzimpulses kleiner als die Entladestart spannung ist.

(V_s + V_set) - (V_aw1 - V_yw1) < V_fay (1)

Das heißt V_s + V_set < V_fay - V_yw1 + V_aw1 (2)

Da weiterhin der Wandladungsaufbau der Entladezelle den Adressierungsbedingungen genügt, tritt eine Entladung auf, wenn eine Adressenspannung an die Entladezelle gelegt wird. Dementsprechend kann die Beziehung zwischen den Spannungen durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden.

V_a + (V_aw + V_yw1) ≧ V_fay (3)

Wenn in der obigen Gleichung V_a auf die rechte Seite ge bracht wird und ein Wert, der dadurch erhalten wird, dass die rechte Seite von der linken Seite abgezogen wird, als α bezeichnet wird, ergibt sich die folgende Gleichung.

V_aw1 - V_yw1 = V_fay - V_y + α
und somit α = V_a + (V_aw1 - V_yw1) - V_fay (<0) (4)

Wenn die Gleichung (4) mit der Gleichung (2) kombiniert wird, ergibt sich eine Gleichung bezüglich der Rücksetzim pulsspannung wie folgt.

V_s + V_set < 2V_fay - V_a + α (5)

In Gleichung (5) bezeichnet α einen Wert, der dadurch erhalten wird, dass die Entladestartspannung V_fay von der Summe der Adressenspannung V_a und einem Potentialunterschied V_aw1 - V_yw1 infolge einer Wandladung, die auf einer Adressene lektrode und einer Abtastelektrode gebildet wurde, abgezogen wird. Wenn eine Wandspannung, die zwischen der Adressenelek trode und der Abtastelektrode gebildet wird, gleich der Ent ladestartspannung ist, dann ist α gleich der Adressenspan nung V_a und wird die Rücksetzspannung V_s + V_set in Gleichung (5) gleich 2.V_fay, das heißt gleich dem Zweifachen der Entla destartspannung. Wenn mit anderen Worten eine Rücksetzspan nung, die gleich dem Zweifachen der Entladestartspannung ist, während eines Rücksetzintervalls anliegt, dann wird die Wandspannung, die zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode während des Rücksetzintervalls aufgebaut wird, gleich der Entladestartspannung. Wenn beim tatsächli chen Rücksetzvorgang der Randwert von etwa 40 V unter Be rücksichtigung der Impulsbreite, der Entladeverzögerung und der Stärke der Entladung gewählt ist, liegt der höchste Grenzwert der Rücksetzspannung bei 2.V_fay + 40 V.

(b) Im Fall einer Entladezelle mit einem Wandladungs aufbau, bei dem eine Adressenentladung während eines Adres senintervalls nicht auftreten kann, wie es in Fig. 5A oder 5B dargestellt ist, werden die Wandspannungen infolge der Wandentladungen, die sich an der Abtastelektrode und der Adressenelektrode angesammelt haben, unmittelbar bevor ein Rücksetzimpuls während eines Rücksetzintervalls anliegt, mit V_ywz und V_awz jeweils bezeichnet, während die anderen Parame ter die gleichen wie im Fall (a) sind. Wenn ein Rücksetzim puls anliegt, kann das interne elektrische Feld zwischen der Adressenelektrode und Abtastelektrode durch die linke Seite der folgenden Gleichung ausgedrückt werden und sollten die folgenden Bedingungen erfüllt sein, um eine Rücksetzentla dung zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode unter Verwendung des Rücksetzimpulses während des Rückset zintervalls zu erzeugen. Das heißt mit anderen Worten, dass das Ergebnis der Addition einer Rücksetzimpulsspannung und einer Wandspannung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode gleich der oder größer als die Entlade startspannung ist.

(V_s + V_set) + (V_yw2 - Y_aw2) < V_fay (6)

Das heißt V_s + V_set < V_fay - V_yw2 + V_aw2 (7)

Da weiterhin eine Adressenentladung während eines Adres sierintervalls bei dem vorliegenden Wandladungsaufbau nicht auftreten kann, sind die folgenden Bedingungen während des Adressierintervalls erfüllt. Das heißt, dass eine Spannung zwischen der Abtastelektrode und der Adressenelektrode nied riger als die Entladestartspannung ist, selbst wenn eine Adressenspannung an der Adressenelektrode während des Adres sierintervalls liegt.

V_a + (V_aw2 + V_yw2) < V_fay (8)

V_aw2 - V_yw2 = V_fay - V_a - β,
und somit β = V_fay - (V_a + V_aw2 - V_yw2) (<0) (9)

Wenn die Gleichung (9) mit Gleichung (7) kombiniert wird, ergibt sich die folgende Gleichung bezüglich der Rück setzimpulsspannung.

V_s + V_set < 2V_fay - V_a - β (10)

In Gleichung (10) bezeichnet β den Unterschied zwischen der Entladestartspannung V_fay und der Summe der Adressenspan nung V_a und der Wandspannung V_aw2 - V_yw2, die sich zwischen einer Adressenelektrode und einer Abtastelektrode aufbaut. Wenn eine Zelle nicht adressiert werden kann, besteht eine geringe Wandspannung zwischen der Adressenelektrode und der Abtastelektrode oder überschreitet die Wandspannung bei An liegen einer Adressenspannung die Entladespannung nicht, selbst wenn einige Wandladungen sich zwischen den beiden Elektroden angesammelt haben.

In dem Fall, in dem eine geringe Wandspannung vorliegt, ist die Wandspannung V_aw2 - V_yw2 nahezu gleich null und wird β in Gleichung (10) gleich dem Unterschied zwischen der Entla destartspannung und der Adressenspannung. Folglich sollte die Rücksetzspannung größer als die Entladestartspannung sein. In dem Fall, in dem die Wandspannung die Entladestart spannung nicht überschreitet, wenn die Summe der Adressen spannung und der Wandspannung, das heißt V_a + V_aw2 - V_yw2 nur wenig kleiner als die Entladestartspannung ist, wird β annä hernd gleich null. Folglich sollte die Rücksetzspannung grö ßer als 2V_fay - V_a, das heißt größer als ein Wert sein, der dadurch erhalten wird, das die Adressenspannung vom Zweifa chen der Entladestartspannung abgezogen wird. Unter Berück sichtigung der beiden oben beschriebenen Fälle ist es bevor zugt, den untersten Grenzwert der Rücksetzspannung auf 2(V_fay - V_a) unter Berücksichtigung von Fehlern und Arbeits grenzwerten festzulegen, obwohl der theoretische unterste Grenzwert gleich 2V_fay - V_a ist.

Das heißt mit anderen Worten, dass die Rücksetzspannung am höchsten sein sollte, wenn positive Ladungen an einer Adressenelektrode und negative Ladungen an einer Abtastelek trode in einem Zustand gebildet sind, in dem etwas mehr Wandspannung zusätzlich zu der Adressenspannung V_a zugegeben werden muss, um eine Adressenentladung hervorzurufen. Eine Wandspannung, die in einer Richtung aufgebaut ist, die zur Polarität des Rücksetzimpulses umgekehrt ist, sollte dabei ausgeglichen werden und eine Entladestartspannung sollte neu gebildet werden. Dementsprechend ist ein Wert 2V_fay - V_a, der dadurch erhalten wird, dass die Adressenspannung vom Zweifa chen der Entladestartspannung abgezogen wird, der niedrigste Spannungswert des Rücksetzimpulses, der alle Bedingungen erfüllt. Ein bestimmtes Maß an Spielraum kann unter Berück sichtigung der Arbeitscharakteristik eines Anzeigefeldes zusätzlich zu einem derartigen theoretischen untersten Grenzwert in Betracht kommen.

(c) In diesem Fall hat die Entladezelle einen Wandla dungsaufbau, wie er in Fig. 5C dargestellt ist, das heißt tritt eine Entladung zwischen der Adressenelektrode und der Halteelektrode auf, da eine extrem hohe Menge an negativen Ladungen an der Halteelektrode ausgebildet wurde, wobei das Potential der Halteelektrode am Ende des Adressierintervalls das Massepotential ist. Für eine Entladezelle mit einem der artigen Wandladungsaufbau wird eine Entladung zwischen der Halteelektrode und der Abtastelektrode unter Verwendung ei nes Rücksetzimpulses erzeugt, um die sehr hohen negativen Ladungen von der Halteelektrode zu entfernen. Das hat zur Folge, dass sich positive Ladungen an der Halteelektrode ansammeln. Diese positiven Ladungen beeinflussen nicht die Adressierung, da sie durch einen Impuls mit linearem Span nungsverlauf während eines Rücksetzintervalls gelöscht wer den können. Im Gegensatz dazu bilden die an der Halteelek trode angesammelten positiven Ladungen ein geeignetes elek trisches Feld zwischen der Halteelektrode und der Abtaste lektrode, so dass sie günstig auf die Adressierung wirken können.

Wenn Wandspannungen infolge von Wandladungen an der Ab tastelektrode und der Adressenelektrode unmittelbar bevor der Rücksetzimpuls während des Rücksetzintervalls anliegt, mit V_yw3 und V_aw3 jeweils bezeichnet werden, die Wandspannung infolge von Wandladungen an der Halteelektrode, die das Auf treten einer Entladung zwischen der Adressenelektrode und der Halteelektrode erlaubt, wenn das Potential der Hal teelektrode von V_b auf Masse am Ende der Adressierungsperi ode fällt, mit V_xx bezeichnet wird, die Entladestartspannung zwischen der Adressenelektrode und der Halteelektrode mit V_fax bezeichnet wird und die Entladestartspannung zwischen der Abtastelektrode und der Halteelektrode mit V_fxy bezeich net wird, tritt eine fehlerhafte Entladung zwischen der Adressenelektrode und der Halteelektrode unter der folgenden Bedingung auf.

V_aw3 - V_xx ≧ V_fax (11)

- V_xx = V_fax - V_aw3 + γ und somit γ = V_aw3 - V_xx - V_fax (<0) (12)

Um eine Entladung zwischen der Halteelektrode und der Abtastelektrode unter Verwendung eines Rücksetzimpulses zu bewirken, sollte die folgende Bedingung erfüllt sein.

(V_s + V_set) - V_b + (V_yw3 - V_xx) < V_fxy (13)

Wenn die Gleichung (12) mit der Gleichung (13) kombi niert wird, ergibt sich die folgenden Gleichung.

(V_s + V_set) - V_b < V_fxy - V_yw3 - V_fax + V_aw3 - γ (14)

Wenn beispielsweise V_fay = 230 V, V_fxy = 260 V und V_a = 70 V sind, dann wird die Spannungsbedingung für den Rück setzimpuls durch die folgende aus Gleichung (5) erhaltende Gleichung ausgedrückt. Das heißt, dass die Bedingung, unter der eine Rücksetzentladung in einer Entladezelle nicht auf tritt, die die Adressierungsbedingungen erfüllt, durch die folgende Gleichung (15) ausgedrückt werden kann.

V_s + V_set < 390 V + α (15)

Die Bedingung, unter der eine Rücksetzentladung in einer Entladezelle auftritt, die die Adressierungsbedingungen nicht erfüllt, wie es in Fig. 5A oder 5B dargestellt ist, wird durch die folgende Gleichung ausgedrückt, die aus der Gleichung (10) erhalten wird.

V_s + V_set < 390 V - β (16)

Weiterhin sollte im Fall einer Entladezelle, an der eine fehlerhafte Entladung auftreten kann, wie es in Fig. 5C dar gestellt ist, unter der Annahme dass V_aw1 = 70 V und V_yw2 = -80 V die folgende Bedingung erfüllt sein, um eine Entladung in der Entladezelle unter Verwendung eines Rücksetzimpulses zu erzeugen.

V_s + V_set - V_b < 180 V - γ (17)

Wenn die Spannung des Rücksetzimpulses nach Maßgabe der Bedingungen der Gleichungen (15) bis (17) festgelegt ist, tritt eine Rücksetzentladung nur in einer Zelle, die die Adressierungsbedingungen nicht erfüllt, und nicht in einer Zelle auf, die die Adressierungsbedingungen erfüllt. Das heißt mit anderen Worten, dass unter der Bedingung, dass die Spannung des Rücksetzimpulses kleiner als die rechte Seite der Gleichung (15) ist, Gleichung (16) im Fall der Fig. 5A oder 5B und Gleichung (17) im Fall der Fig. 5C erfüllt sein sollte. Der Bereich der Spannung des Rücksetzimpulses wird somit unter Berücksichtigung der Elektrodenstruktur oder der Verteilung der Wandladungen festgelegt. Selbst wenn der Wandladungsaufbau der Entladezellen von dem in Fig. 4 bis Fig. 5C dargestellten Aufbau verschieden ist, kann die Span nung eines Rücksetzimpulses in geeigneter Weise aus dem Be reich gewählt werden, der durch die obigen Gleichungen fest gelegt ist, wodurch eine selektive Rücksetzentladung erfol gen kann.

Hinsichtlich des Falls, in dem eine Zelle, die die Adressierungsbedingungen erfüllt hat, auf natürliche Weise ihre Wandladungen mit der Zeit verliert, bis die Adressie rungsbedingungen nicht mehr erfüllt sind, oder des Falls, in dem ein Unterschied in der Entladestartspannung unter den Zellen aufgrund verschiedener physikalischer Charakteristi ken unter den Zellen besteht, kann der Arbeitsbereich der Wellenform in vorteilhafter Weise dadurch gesichert werden, dass bestimmte Bereich von α, β und γ in Gleichung (15) bis (17) festgelegt werden. Dazu wird die Spannung des Rück setzimpulses so festgelegt, dass sie in einem ersten Teil bild jedes Bildes oder in einem gegebenen Teilbild unter einer Vielzahl von Bildern höher als in anderen Teilbildern ist. Obwohl somit eine Rücksetzentladung in einigen Zellen, die die Adressierungsbedingungen erfüllen, im Teilbild mit der höheren Spannung des Rücksetzimpulses auftritt, kann es vorteilhaft sein, das Auftreten einer Rücksetzentladung in Zellen mit einem unklaren Zustand an der Grenze zwischen dem Zustand, der die Adressierungsbedingungen erfüllt, und dem Zustand, der die Adressierungsbedingungen nicht erfüllt, zu erlauben.

Während der Kontrast 500 : 1 beträgt, wenn ein Rücksetzen nach dem herkömmlichen Verfahren erfolgt, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, ergibt sich eine Erhöhung des Kontrastes auf über 15 000 : 1, wenn ein Rücksetzen nach Maßgabe eines Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erfolgt. Wäh rend darüber hinaus die Zeit des Rücksetzintervalls bei dem herkömmlichen Verfahren etwa 290.12 = 3480 µs beträgt, liegt gemäß eines Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung die Zeit des Rücksetzintervalls bei etwa 120.12 = 1440 µs. Da gemäß der Erfindung eine Rücksetzentladung se lektiv erfolgt, kann die Zeit des Rücksetzintervalls um etwa 41% reduziert werden.

Wie es oben beschrieben wurde, tritt bei dem Verfahren und der Vorrichtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige gemäß der vorliegenden Erfindung während eines Rücksetzintervalls eine Rücksetzentladung nur in Zellen, die die Adressierungs bedingungen nicht erfüllen, und nicht in Zellen auf, die die Adressierungsbedingungen erfüllen, so dass eine nicht not wendige Rücksetzentladung unterdrückt werden kann, wodurch ein dunkler Teil dunkler gemacht wird. Der Kontrast kann daher stark verbessert werden und die Zeit des Rücksetzin tervalls kann verringert werden.

Claims

1. Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige, wel ches ein Rücksetzintervall zum Initialisieren des Zustandes jeder Zelle, ein Adressierintervall zum Unterscheiden der während eines Halteintervalls anzuschaltenden von den wäh rend des Halteintervalls nicht anzuschaltenden Zellen und ein Halteintervall zum Entladen der adressierten Zellen um fasst, dadurch gekennzeichnet, dass ein Rücksetzsignal ange legt wird, das ein Auftreten einer Rücksetzentladung in Zel len verhindert, deren Verhältnisse derart sind, dass eine Adressenentladung während des Adressierintervalls auftreten kann, und dass Auftreten einer Rücksetzentladung in Zellen zugelassen wird, die diese Verhältnisse nicht haben.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rücksetzsignal so angelegt wird, dass eine Rück setzentladung in einer Zelle, die einen Wandladungsaufbau hat, bei dem eine Adressenentladung selbst dann nicht auf treten kann, wenn eine Adressenspannung während des Adres sierintervalls anliegt, oder in einer Zelle auftritt, die einen Wandladungsaufbau hat, bei dem eine Halteentladung während des Halteintervalls selbst dann auftritt, wenn eine Adressenentladung während des Adressierintervalls nicht auf getreten ist, was auf der Grundlage des Wandladungsaufbaus der Zelle zu Beginn des Rücksetzintervalls bestimmt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rücksetzsignal so angelegt wird, dass das Auftreten einer Rücksetzentladung in einer Zelle mit Verhältnissen verhindert wird, unter denen eine Adressenentladung auftre ten kann, wenn eine Adressenspannung während des Adres sierintervalls anliegt, da sich eine große Menge negativer Ladungen an der Abtastelektrode, eine große Menge positiver Ladungen an der Adressenelektrode und eine kleine Menge ne gativer Ladungen oder eine angemessene Menge positiver La dungen an der Halteelektrode in der Zelle angesammelt hat.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rücksetzsignal so angelegt wird, dass eine Rück setzentladung in einer Zelle mit Verhältnissen erzeugt wird, unter denen eine Adressenentladung selbst dann nicht auftre ten kann, wenn eine Adressenspannung während des Adres sierintervalls anliegt, da sich positive Ladungen an der Abtastelektrode und negative Ladungen an der Adressenelek trode angesammelt haben.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rücksetzsignal so angelegt wird, dass eine Rück setzentladung in einer Zelle mit Verhältnissen erzeugt wird, unter denen eine Adressenentladung selbst dann nicht auftre ten kann, wenn eine Adressenspannung während des Adres sierintervalls angelegt wird, da eine Wandspannung, die aus negativen Ladungen, die sich an der Abtastelektrode angesam melt haben, und positiven Ladungen gebildet ist, die sich an der Adressenelektrode angesammelt haben, niedriger als eine bestimmte Bezugsspannung ist.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rücksetzsignal so angelegt wird, dass eine Rück setzentladung in einer Zelle erzeugt wird, in der im Wesent lichen keine Wandladungen an der Abtast- oder Adressenelek trode gebildet sind oder Wandladungen mit derselben Polari tät an der Abtast- und der Adressenelektrode gebildet sind.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Rücksetzsignal so angelegt wird, dass eine Rück setzentladung in einer Zelle mit Verhältnissen erzeugt wird, unter denen eine Halteentladung während des Halteintervalls selbst dann auftreten kann, wenn eine Adressenentladung wäh rend des Adressierintervalls nicht auftritt.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn ein einzelnes Bild in eine Vielzahl von Teilbildern unterteilt wird, die Spannung des Rücksetzimpul ses, der während des Rücksetzintervalls in einem oder mehre ren Teilbildern jedes Bildes oder in einem oder mehreren Teilbildern in einem oder mehreren Bildern anliegt, so fest gelegt wird, dass sie höher als die Spannung des Rücksetzim pulses ist, der während des Rücksetzintervalls in anderen Teilbildern anliegt.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Rücksetzwellenform während des Rücksetzintervalls angelegt wird, wobei ein Rücksetzimpuls mit einem bestimmten Spannungspegel in einer frühen Phase des Rücksetzintervalls angelegt wird und ein Impuls mit linearem Spannungsverlauf und allmählich abnehmenden Spannungspegel in einer späteren Phase des Rücksetzintervalls angelegt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ablauf des Halteintervalls ein Impulssignal mit einer bestimmten Breite an eine Halte- oder Abtastelek trode gelegt wird, oder ein Signal mit linearem Verlauf an gelegt wird, das eine Spannung hat, die allmählich von einer bestimmten Spannung auf eine Spannung zunimmt, die gleich der oder höher als die Hochpegelspannnung eines Halteimpul ses ist, um dadurch eine Löschentladung auszuführen.

11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die an der Halteelektrode liegende Spannung im Rück setzintervall konstant ist.

12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn ein einzelnes Bild in mehrere Teilbilder unterteilt wird, der Spannungspegel des Rücksetzimpulses, der bei wenigstens einem Teilbild anliegt, von dem Span nungspegel in anderen Teilbildern verschieden ist.

13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn eine Rücksetzspannung an einer Abtastelek trode im Rücksetzintervall liegt, während die Spannungen an den Halte- und Adressenelektroden jeweils konstant gehalten werden, eine Rücksetzentladung im Wesentlichen zwischen der Abtast- und der Adressenelektrode erzeugt wird und ihr Auf treten zwischen der Abtast- und der Halteelektrode im We sentlichen verhindert wird.

14. Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige, das ein Rücksetzintervall zum Initialisieren des Zustandes jeder Zelle, ein Adressierintervall zum Unterscheiden der während eines Halteintervalls anzuschaltenden Zellen von den während des Halteintervalls nicht anzuschaltenden Zellen und ein Halteintervall zum Entladen adressierter Zellen umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass eine Rücksetzwellenform während des Rücksetzintervalls angelegt wird, bei der ein Rück setzimpuls mit einem bestimmten Spannungspegel in einer frü hen Phase des Rücksetzintervalls angelegt wird und ein Im puls mit linearem Spannungsverlauf und allmählich abnehmen den Spannungspegel in einer späteren Phase des Rücksetzin tervalls angelegt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass nach Ablauf des Halteintervalls ein Impulssignal mit einer bestimmten Breite an die Halte- oder Abtastelektrode gelegt wird oder ein Signal mit linearem Spannungsverlauf angelegt wird, das eine Spannung hat, die allmählich von einer bestimmten Spannung auf eine Spannung gleich der oder höher als die Hochpegelspannung des Halteimpulses zunimmt, wodurch eine Löschentladung durchgeführt wird.

16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die an der Halteelektrode gelegte Spannung im Rück setzintervall konstant ist.

17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn ein einzelnes Bild in eine Vielzahl von Teilbildern unterteilt ist, ein Spannungspegel des Rück setzimpulses der in wenigstens einem Teilbild anliegt, von dem in anderen Teilbildern verschieden ist.

18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Impuls mit linearem Spannungsverlauf von einer be stimmten Spannung allmählich auf eine Spannung abnimmt, die gleich der oder höher als die Niederpegelspannung des Abta stimpulses ist.

19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn ein einzelnes Bild in mehrere Teilbilder unterteilt wird, die Spannung des Rücksetzimpulses, der in wenigstens einem Teilbild anliegt, so festgelegt wird, dass sie höher als die Spannung des Rücksetzimpulses ist, der in anderen Teilbildern anliegt.

20. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftreten einer Rücksetzentladung in einer Zelle mit Verhältnissen verhindert wird, unter denen eine Adres senentladung infolge einer Adressenspannung während des Adressierintervalls auftreten kann, was auf der Grundlage des Wandladungsaufbaus der Zelle zu Beginn des Rücksetzin tervalls bestimmt wird.

21. Verfahren zum Betreiben einer Plasmaanzeige, wel ches eine Rücksetzintervall zum Initialisieren des Zustandes jeder Zelle, ein Adressierintervall zum Unterscheiden der während eines Halteintervalls anzuschaltenden Zellen von den während des Halteintervalls nicht anzuschaltenden Zellen und ein Halteintervall zum Entladen adressierter Zellen umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass im Rücksetzintervall eine Rück setzspannung an eine Abtastelektrode gelegt wird, während die an den Halte- und Adressenelektroden jeweils liegenden Spannungen konstant gehalten werden, so dass eine Rücksetz entladung im Wesentlichen zwischen den Abtast- und Adres senelektroden auftritt, und ihr Auftreten zwischen den Ab tast- und den Halteelektroden im Wesentlichen verhindert ist.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Rücksetzspannung an die Abtastelektrode in einer Wellenform eines rechtwinkligen Impulses angelegt wird.

23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn ein einzelnes Bild in mehrere Teilbilder unterteilt ist, der Spannungspegel des Rücksetzimpulses, der in wenigstens einem Teilbild anliegt, von dem in anderen Teilbildern verschieden ist.

24. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Anliegen des rechtwinkligen Impulses ein Im puls mit linearem Spannungsverlauf angelegt wird, der all mählich von einer bestimmten Spannung auf eine Spannung ab nimmt, die gleich der oder höher als die Niederpegelspannung eines Abtastimpulses ist.

25. Vorrichtung zum Betreiben einer Plasmaanzeige mit
einem Rücksetzsignalgenerator zum Erzeugen eines Rück setzsignals, um den Zustand jeder Zelle zu initialisieren,
einem Adressensignalgenerator zum Erzeugen eines Adres sensignals, um die anzuschaltenden Zellen von den nicht an zuschaltenden Zellen zu unterscheiden, und
einem Haltesignalgenerator zum Erzeugen eines Haltesig nals, um eine durch den Adressensignalgenerator adressierte Zelle zu entladen, dadurch gekennzeichnet, dass
der Rücksetzsignalgenerator das Rücksetzsignal so er zeugt, dass das Auftreten einer Rücksetzentladung in einer Zelle verhindert ist, die Bedingungen erfüllt, bei denen eine Adressenentladung normalerweise infolge eines Adressen signals ausgeführt werden kann, und eine Rücksetzentladung in einer Zelle erzeugt wird, die diese Bedingungen nicht erfüllt.

26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich net, dass der Rücksetzsignalgenerator einen Rücksetzimpuls mit einem bestimmten Spannungspegel in einer frühen Phase des Rücksetzintervalls anlegt und einen Impuls mit linearem Spannungsverlauf und allmählich abnehmenden Spannungspegel in einer späteren Phase des Rücksetzintervalls anlegt.

27. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich net, dass der Rücksetzsignalgenerator das Rücksetzsignal so erzeugt, dass eine Rücksetzentladung in einer Zelle mit Ver hältnissen erzeugt wird, unter denen eine Halteentladung selbst dann auftreten kann, wenn eine Adressenentladung wäh rend eines Adressierintervalls nicht auftritt, was auf der Grundlage des Zustandes der Zelle zu Beginn des Rücksetzin tervalls bestimmt wird.

28. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich net, dass der Rücksetzsignalgenerator ein Rücksetzsignal mit einem konstanten Spannungspegel im Rücksetzintervall er zeugt.

29. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich net, dass dann, wenn ein einzelnes Bild in mehrere Teilbil der unterteilt ist, die Spannung des Rücksetzimpulses, der während des Rücksetzintervalls in einem oder mehreren Teil bildern jedes Bildes oder in einem oder mehreren Teilbildern in einem oder mehreren Bildern unter einer Vielzahl von Bil dern anliegt, höher als die Spannung des Rücksetzimpulses ist, der während des Rücksetzintervalls in anderen Teilbil dern anliegt.

30. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich net, dass dann, wenn das Rücksetzsignal an einer Abtastelek trode im Rücksetzintervall anliegt, während die Spannungen, die an den Halte- und Adressenelektroden liegen, jeweils konstant gehalten werden, eine Rücksetzentladung im Wesent lichen zwischen den Abtast- und Adressenelektroden erzeugt und ihr Auftreten zwischen den Abtast- und Halteelektroden im Wesentlichen verhindert wird.