DE10145719A1 - Optischer Wasserstoff-Sensor und Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff - Google Patents
Optischer Wasserstoff-Sensor und Verfahren zur Erfassung von WasserstoffInfo
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 title abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 55
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
- G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/005—H2
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Wasserstoff-Sensor und ein Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff auf optischer Basis durch resonante Anregung von Oberflächenplasmawellen. Durch derartige Sensoren kann ohne Gefahr auch im Bereich der Explosionsgrenze von Wasserstoff in Umgebungsluft die Wasserstoffkonzentration der Umgebungsluft bestimmt werden.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Wasserstoff-Sensor und ein Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff auf optischer Basis durch resonante Anregung von Oberflächenplasmawellen. Durch derartige Sensoren kann ohne Gefahr auch im Bereich der Explosionsgrenze von Wasserstoff in Umgebungsluft die Wasserstoffkonzentration der Umgebungsluft bestimmt werden.
- Stand der Technik sind elektronische Wasserstoff- Sensoren, wie z. B. ISFET's, MOSFETs oder Widerstands-Sensoren, die jedoch im Bereich der Explosionsgrenze eine Zündquelle bilden und daher für diese Aufgabe nicht geeignet sind.
- Weiterhin sind optische Wasserstoff-Sensoren bekannt auf Basis der resonanten Anregung von Oberflächenplasmawellen. Oberflächenplasmawellen sind longitudinale Schwingungen freier oder schwach gebundener Elektronen in der Grenzfläche eines Metalls oder Halbleiters zu seiner Umgebung. Die resonante Anregung von Oberflächenplasmawellen kann beispielsweise in einer Anordnung erfolgen, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist. Bei dieser Anordnung ist auf einem Substrat 1 mit einem Brechungsindex n0 eine Metallschicht 2 mit einem Brechungsindex n2 angeordnet. Oberhalb dieser Metallschicht befindet sich eine Grenzschicht zur Umgebung mit einem Brechungsindex n3, deren Wasserstoffkonzentration gemessen werden soll. Durch das Substrat wird nun eine Lichtwelle auf die Grenzfläche zwischen Substrat 1 und Metall 2 unter einem Einfallswinkel α geleitet, die an der Grenzfläche eine Totalreflektion unterläuft. Durch die Totalreflexion der Lichtwelle an dieser Grenzfläche zwischen Substrat 1 und Metall 2 entsteht ein evaneszentes Feld der Lichtwelle im Metall. Dieses evaneszente Feld regt an der Grenzfläche Metall/Umgebung eine Oberflächenplasmawelle an. Dabei wird jedoch lediglich durch die TM (transversal magnetisch) polarisierte Lichtwelle mit einer Schwingungsebene wie in Fig. 1 dargestellt, eine Plasmawelle angeregt. Die TM-Polarisation ist eine Vorzugsrichtung der Lichtwellenpolarisation in bezug auf die Oberfläche, an der die Lichtwelle gebrochen bzw. reflektiert wird. TE (transversal elektrisch) polarisiertes Licht mit einer Schwingungsebene senkrecht zu der TM-Welle, in Fig. 1 schwingt diese aus der Zeichnungsebene heraus, wird jedoch unbeeinflußt total reflektiert. Dies bedeutet, daß die Anregung der Oberflächenplasmawelle nur durch eine TM polarisierte Lichtwelle erfolgt.
- Nachteilig an diesen optischen Wasserstoff-Sensoren ist es, daß diese keine ausreichende Empfindlichkeit bzw. keine ausreichende Stabilität und Reproduzierbarkeit aufweisen. Weiterhin können mit dieser Anordnung aufgrund der ungünstigen optischen Konstanten (Brechungsindex und Absorptionskoeffizient) keine Oberflächenplasmawellen in Palladium oder sonstigen wasserstoffsensitiven Metallen angeregt werden.
- Weiterhin sind derartige Sensoren aufgrund der Erzeugung der Oberflächenplasmawelle an der Grenzschicht zwischen Metall und Umgebung empfindlich gegenüber Ablagerungen auf der Metalloberfläche bzw. Veränderungen dieser, z. B. durch Oxidation.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen optischen Wasserstoff-Sensor mit hoher Reproduzierbarkeit, Empfindlichkeit und Stabilität sowie ein entsprechendes optisches Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff anzubieten.
- Diese Aufgabe wird durch den optischen Wasserstoff- Sensor gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren gemäß einer der Ansprüche 23 bis 25 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Sensors und des erfindungsgemäßen Verfahrens werden in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen gegeben.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung weist der optische Wasserstoff-Sensor ein Substrat und an dessen Oberfläche eine wasserstoffsensitive Schicht auf wie beim Stand der Technik. Erfindungsgemäß ist jedoch zwischen dem Substrat und der wasserstoffsensitiven Schicht ein Dielektrikum als Feststoff angeordnet, wobei Substrat und Dielektrikum so ausgewählt sind, daß der Brechungsindex des Dielektrikums kleiner ist als der Brechungsindex des Substrates im Bereich der Grenzfläche zwischen Dielektrikum und Substrat.
- Mit dieser Anordnung erfolgt nunmehr die Totalreflexion der eingestrahlten Lichtquelle an der Grenzschicht zwischen dem Substrat und dem Dielektrikum, während die Plasmawelle an der Grenzschicht zwischen Dielektrikum und wasserstoffsensitiver Schicht erzeugt wird. Damit wird der erfindungsgemäße Sensor unabhängig von Oberflächeneinflüssen durch die Umgebung auf die freie Oberfläche der wasserstoffsensitiven Metall- oder Metalloxidschicht oder Legierungen hiervon. Weiterhin wird der Sensor bezüglich der Bedingungen für die Totalreflexion der eingestrahlten Lichtquelle unabhängig von den optischen Eigenschaften der wasserstoffsensitiven Schicht, da für die Totalreflexion lediglich noch die optischen Eigenschaften und der Einstrahlwinkel bezüglich der Grenzschicht zwischen Substrat und Dielektrikum eine Rolle spielen.
- Erfindungsgemäß erfolgt also durch die Zwischenschicht aus einem Dielektrikum, z. B. Siliziumdioxid oder dergleichen eine Totalreflexion unabhängig von den optischen Eigenschaften der wasserstoffsensitiven Schicht. Für eine Totalreflexion müssen lediglich die Bedingungen n1 < n0 und α > sin(n1/n0) erfüllt sein, die unabhängig von den optischen Eigenschaften dieser Schicht sind, wobei durch eine geeignete Materialauswahl für die Zwischenschicht und das Substrat die Erfüllung dieser Bedingungen immer gelingen wird.
- Stand der Technik ist, daß sich die Plasmawelle an der Grenzfläche zwischen wasserstoffsensitiver Schicht und Umgebung ausbreitet und damit sehr empfindlich auf Ablagerungen auf dieser Grenzfläche wie z. B. Wasserdampf oder anderen Kondensaten und natürlich auch auf Veränderungen dieser, z. B. durch Oxidation etc. reagiert. Dies gilt jedoch nicht für die vorliegenden erfindungsgemäßen Sensoren, da die Plasmawelle sich auf der Grenzfläche zwischen Dielektrikum und wasserstoffsensitiver Schicht ausbreitet und folglich im Inneren des Sensors verläuft und so durch die wasserstoffsensitive Schicht geschützt und von deren Oberflächenbeschaffenheit unabhängig ist.
- Die Messung der resonanten Anregung von Oberflächenplasmawellen kann insbesondere in drei Anordnungen erfolgen. Bei der einen wird eine Lichtquelle mit einer festen Emissionswellenlänge λ (monochromatische Lichtquelle) verwendet und der Einfallswinkel α verändert. Es ergibt sich dann eine Resonanzkurve I(α). In der zweiten Anordnung wird der Winkel α festgehalten und die Wellenlänge λ verändert, auch hier ergibt sich eine typische Resonanzkurve I(λ). Dringt nun Wasserstoff in die wassersensitive Schicht ein und ändern sich die optischen Eigenschaften der wasserstoffsensitiven Schicht, so kommt es zu einer Verschiebung der Resonanzkurve. Dabei gilt, je mehr Wasserstoff in die wasserstoffsensitive Schicht eindringt, um so größer ist die Verschiebung.
- Bei dem dritten Verfahren wird unter total reflektierenden Bedingungen unter einem Einfallswinkel α Licht mit einer Emissionswellenlänge λ für eine monochomatische Lichtquelle oder ein Spektrum um eine derartige Wellenlänge λ auf die Grenzschicht zwischen dem Substrat und dem Dielektrikum eingestrahlt. Der Einfallswinkel und die Wellenlänge werden dabei so ausgewählt, daß bereits eine resonante Anregung von Oberflächenplasmawellen erfolgt. Dies bedeutet, daß die Anregung sich im Bereich der Resonanz der Resonanzkurve liegt. Dringt nun Wasserstoff in die wasserstoffsensitive Schicht ein, so kommt es auch hier zu einer Verschiebung der Resonanzkurve, was zu einer Änderung der Lage des Anregungspunktes auf der Resonanzkurve führt. Folglich ändert sich auch die Intensität der angeregten Oberflächenplasmawellen und damit auch die Intensität der total reflektierten transversal magnetisch polarisierten Lichtwelle. Auf diese Weise ist es nicht erforderlich, die Wellenlänge λ oder den Einfallswinkel α während der Messung zu verändern.
- Zusammenfassend läßt sich feststellen, daß der erfindungsgemäße optische Wasserstoff-Sensor gefahrlos im Bereich der Explosionsschwelle von Wasserstoff und darüber hinaus eingesetzt werden kann. Er ist unempfindlich gegenüber Ablagerungen und Veränderungen der sensitiven Metalloberfläche.
- Sofern eine Messung sowohl der TE-Polarisation als auch der TM-Polarisation getrennt voneinander erfolgt, so kann auf die TE-Polarisation referenziert werden und dadurch eine hohe Stabilität und Reproduzierbarkeit des Meßsignals erzielt werden. Weiterhin kann der Sensor nicht nur eine der Umgebung ausgesetzte wasserstoffsensitive Schicht aufweisen, sondern auch einen Bereich mit einer gleichen wasserstoffsensitiven Schicht, die Wasserstoff undurchlässig abgedeckt ist. Werden nun von beiden Bereichen Signale gemessen, so können dadurch Störeffekte, wie z. B. Temperaturschwankungen, kompensiert werden.
- Im folgenden werden einige Beispiele erfindungsgemäßer Sensoren und Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff gegeben. Es zeigen:
- Fig. 1 einen Sensor nach dem Stand der Technik (Kretschmann Anordnung);
- Fig. 2 eine Veranschaulichung der beiden möglichen Meßverfahren;
- Fig. 3 eine weitere Veranschaulichung eines Meßverfahrens;
- Fig. 4 einen erfindungsgemäßen Sensor;
- Fig. 5 einen weiteren erfindungsgemäßen Sensor;
- Fig. 6 Meßergebnisse eines erfindungsgemäßen Sensors;
- Fig. 7 einen weiteren erfindungsgemäßen Sensor;
- Fig. 8 einen weiteren erfindungsgemäßen Sensor;
- Fig. 9 und 10 Meßergebnisse und Auswertungen eines erfindungsgemäßen Sensors;
- Fig. 11 und 12 Meßergebnisse und Auswertungen eines weiteren erfindungsgemäßen Sensors.
- Fig. 13 einen weiteren Wasserstoffsensor.
- Im folgenden werden in sämtlichen Figuren für gleiche oder ähnliche Elemente gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet.
- Fig. 2 zeigt in den Teilbildern A und B die Resonanzkurven von zwei der möglichen Meßverfahren. In Fig. 2A wird eine Lichtwelle unter einem variablen Winkel α auf die Grenzfläche zwischen Substrat und Dielektrikum eingestrahlt. Dabei wird die Wellenlänge festgehalten und der Winkel α variiert. Im Bereich des Resonanzwinkels αR nimmt die gemessene reflektierte Intensität stark ab, da über das erzeugte evaneszente Feld Plasmawellen erzeugt werden.
- In Fig. 2B wird unter einem festen Winkel α bei einer variablen Lichtwellenlänge eingestrahlt. Bei einer bestimmten Wellenlänge λR erfolgt eine resonante Anregung von Plasmawellen an der Grenzfläche zwischen Dielektrikum und Metall, so daß hier die gemessene reflektierte Intensität der eingestrahlten Lichtwelle abnimmt. Es ergibt sich auch hier eine typische Resonanzkurve.
- Dringt nun Wasserstoff in die Metallschicht ein, dann ändern sich die optischen Eigenschaften des Metalls und die Metallschicht quillt auf. Dadurch kommt es zu einer Verschiebung der Resonanzkurve. Dies ist in Fig. 3 dargestellt, wobei hier eine Messung entsprechend Fig. 2A mit variablen Einstrahlwinkeln α erfolgt. Kurve 20 stellt die Resonanzkurve dar, wie sie vor Eindringen von Wasserstoff in die Metallschicht gemessen wird. Wird Wasserstoff in die Metallschicht eingebracht, so verschiebt sich der Resonanzwinkel αR und damit die Kurve 20 zur Kurve 21.
- Die Richtung der Verschiebung, also zu größeren und kleineren Winkeln, ist dabei abhängig vom verwendeten Metall, Metalloxid oder Polymer als wasserstoffsensitivem Schichtmaterial.
- Fig. 4 zeigt einen erfindungsgemäßen Sensor mit einer Substratschicht 1, einer Metallschicht 2 und einer dazwischen angeordneten Zwischenschicht 3 aus einem Dielektrikum. Weiterhin ist die einfallende Lichtwelle 10, die total reflektierte Lichtwelle 11 sowie das evaneszente Feld 12 und eine angeregte Plasmawelle 13 eingezeichnet. Dieser Figur läßt sich auch die Definition des Einfallswinkels α, d. h. der Winkel zwischen einfallender Lichtwelle 10 und der Normalen auf die Grenzfläche zwischen Substrat 1 und Dielektrikum 3, entnehmen.
- Bei diesem Sensor sind die Bedingungen n1 < n0 und α > sin(n1/n0) erfüllt, wobei n2 der Brechungsindex der Metallschicht 2, n1 der Brechungsindex der Zwischenschicht 3 und n0 der Brechungsindex des Substrates 1 ist.
- Bei diesem Sensor erfolgt eine Totalreflexion der Lichtwelle an der Grenzfläche zwischen Substrat 1 und Zwischenschicht 3, wodurch ein evaneszentes Feld 12 in die Zwischenschicht 3 eindringt. An der Grenzfläche zwischen Zwischenschicht 3 und Metallschicht 2 wird eine Plasmawelle 13 angeregt durch das evaneszente Feld 12 der Lichtwelle. Dabei erfolgt eine Anregung ausschließlich durch die TM-polarisierte Lichtwelle, deren Schwingungsebene in Fig. 4 dargestellt ist. TE-polarisiertes Licht, dessen Schwingungsebene senkrecht zu der TM-polarisierten Lichtwelle ist und aus der Zeichnungsebene herausschwingt, wird unbeeinflußt reflektiert.
- Fig. 5 zeigt einen weiteren erfindungsgemäßen Sensor, der eine nahezu monochromatische Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 850 nm aufweist, die nach Parallelisierung durch eine Linse 7 paralleles Licht unter einem festen Winkel α von 80° auf die Grenzschicht zwischen Substrat 1 und Dielektrikum 3 einstrahlt.
- Der Lichtstrahl 10 dringt über die Seitenfläche des als Prisma gestalteten Substrates 1 aus BK7 als Material ungebrochen in das Substrat 1 ein und fällt unter dem Winkel α auf die Zwischenschicht 3. Die Zwischenschicht 3 besteht aus Siliziumdioxid mit einer Dicke von 420 nm. An dieser Grenzschicht kommt es zur Totalreflexion. Der TM-polarisierte Teil des Lichtstrahls 10 regt über ein evaneszentes Feld in der Zwischenschicht 3 eine Plasmawelle wie oben beschrieben an. Bei dem hier vorgestellten Sensor wurde eine Metallschicht aus Palladium und bis zu 15% Nickel mit einer Dicke von 100 nm verwendet.
- Der reflektierte Lichtstrahl 11 wird von einem polarisationsabhängigen Strahlteiler 8 in seine beiden Polarisationsanteile (TM, TE) zerlegt und die Intensität der jeweiligen Anteile 11a, 11b werden nach Fokussierung durch Sammellinsen 9a, 9b mittels Siliziumphotodioden 5a, 5b vermessen. Als polarisationsabhängiger Strahlteiler wurde ein Wollaston Prisma verwendet.
- Durch diese Anordnung ist es nun möglich, den von der Plasmawellenerzeugung unbeeinflußten TE-polarisierten Anteil 11b des reflektierten Lichtes 11 separat zu vermessen und zur Referenzierung zu verwenden.
- Fig. 6 zeigt schematisch das Meßergebnis mit einem Sensor gemäß Fig. 5.
- Kurve 20 in Fig. 6 stellt eine Messung dar, bei der kein Wasserstoff in die Metallschicht eingedrungen ist. Das eingestrahlte Licht besitzt dabei eine vorbestimmte Wellenlänge nach einem vorbestimmten Einstrahlwinkel, die so gewählt wurden, daß das eingestrahlte Licht im Bereich der Resonanzkurve liegt.
- Die Anregung der Plasmawelle erfolgt hier auf der rechten Flanke der Resonanzkurve im Punkt 17. Die Intensität des reflektierten Lichts mit TM-Polarisationsanteil entspricht dabei ITM1. Wenn Wasserstoff in der Umgebung vorhanden ist, dringt dieser in die Metallschicht ein und führt zu einer Verschiebung der Resonanzkurve zur Kurve 21. Die Anregung der Plasmawelle erfolgt nun in Punkt 18 mit der reflektierten Intensität ITM2. Dem gegenüber ändert sich die Intensität des TI-polarisierten Anteils 11b ITE hierbei nicht.
- Damit ist die Änderung der Intensität des TM- polarisierten Lichtes proportional zur Wasserstoffkonzentration. Um optische Signalschwankungen und Langzeitänderungen zu kompensieren wird nun als Ausgangssignal des Sensors der Quotient der Intensitäten aus TM-polarisiertem Licht 11a zu TE-polarisiertem Licht 11b verwendet, also S = ITM/ITE.
- Fig. 7 zeigt einen ähnlichen optischen Sensor wie Fig. 5 jedoch mit vereinfachtem optischem Aufbau, der aus wenigen und einfach aufgebauten Komponenten besteht. Statt eines polarisationsabhängigen Strahlteilers, zwei Sammellinsen und zwei Detektoren wird nun ein geteilter Detektor 5 verwendet, der zwei Bereiche 5a und 5b aufweist. Jeder dieser beiden Bereiche ist mit einer Polarisationsvorrichtung 4a bzw. 4b versehen, die auf den Detektor lediglich TM-polarisiertes Licht (Polarisator 4a) bzw. TE-polarisiertes Licht (Polarisator 4b) auftreffen lassen.
- Als Polarisator eignen sich dabei beispielsweise Folienpolarisatoren.
- Fig. 8 zeigt einen weiteren Sensor, bei dem die Metallschicht 2 zwei Metallschichtbereiche 2a, 2b aufweist. Einer der beiden Bereiche 2b ist dabei nicht abgedeckt und tritt mit der Umgebung in Kontakt. Er dient der Bestimmung des Wasserstoffgehaltes der Umgebung. Dem gegenüber ist der zweite Bereich 2a mit einer wasserstoffundurchlässigen Schicht 15 abgedeckt, so daß das Signal, das im Bereich der Metallschicht 2a entsteht nicht von der Wasserstoffkonzentration der Umgebung abhängt. Der Bereich 2b dient folglich als Meßsensor, während der Bereich 2a als Referenzsensor dient.
- Wird das Meßsignal des Meßsensors auf den Referenzsensor bezogen, so können Effekte wie Temperaturschwankungen kompensiert werden ohne weitere andere Sensoren wie z. B. einen Temperatursensor oder dergleichen, zu verwenden. Insgesamt wird so die Herstellung und die Aufbautechnik des erfindungsgemäßen Sensors vereinfacht.
- Auch hier kann für jeden der reflektierten Lichtstrahlen von den Bereichen 2a bzw. 2b eine getrennte Erfassung der TM-polarisierten reflektierten Lichtwelle und der TE-polarisierten reflektierten Lichtwelle, also mit insgesamt vier Lichtdetektoren bzw. einem viergeteilten Lichtdetektor erfolgen.
- Fig. 9 zeigt Meßergebnisse eines erfindungsgemäßen Sensors wie in Fig. 5 dargestellt, wobei das Prisma aus BK7 (Schott Glas, Geschäftsbereich Optik, D-55122 Mainz) besteht und mit einer 425 nm dicken Beschichtung aus SiO2 und einer 50 nm dicken Beschichtung aus Pd-Ni mit einem Ni-Anteil von 10% besteht.
- Fig. 9A zeigt dabei die Ansprechkurve ITM des TM- polarisierten Lichtanteils dieses Sensors auf verschiedene Wasserstoffkonzentrationen, die als Prozentangaben über den jeweiligen Signalen angegeben sind.
- Fig. 9B zeigt die Ansprechkurve ITE des TE-polarisierten Lichtanteils dieses Sensors.
- Fig. 10A zeigt nun das Signalverhältnis ITM/ITE der beiden Meßergebnisse aus den Fig. 9A und 9B. Aus diesem Meßsignal läßt sich nun für die einzelnen Wasserstoffkonzentrationen eine Kalibrierfunktion wie in Fig. 10B dargestellt für den Quotienten ITM/ITE des genannten Sensors ermitteln. Es ist zu erkennen, daß mit einem derartigen Sensor nunmehr sehr exakt Wasserstoffkonzentrationen in der Umgebung bestimmt werden können.
- Die Fig. 11 und 12 zeigen entsprechende Messungen wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, für einen Sensor wie in Fig. 5 mit einem Prisma aus SF11 (Schott Glas, Geschäftsbereich Optik, D-55122 Mainz) mit einer 317 nm dicken Beschichtung aus MgF2 und einer 20 nm dicken wasserstoffsensitiven Beschichtung aus Pd-Ni mit einem Ni-Anteil von 10%.
- Auch bei diesem Sensor ist zu erkennen, daß im wesentlichen die in Fig. 11A dargestellte Ansprechkurve ITM des TM-polarisierten Lichtanteils von der Wasserstoffkonzentration, die in der Figur in Volumen- Prozent-Anteilen angegeben ist, abhängt. Dem gegenüber hängt die Ansprechkurve ITE des TE-polarisierten Lichtanteils gemäß Fig. 11B nicht wesentlich von dem Wasserstoffgehalt der Umgebung ab.
- Die Fig. 12A und 12B zeigen nun die Erzeugung einer Kalibrierkurve aus den Messungen gemäß Fig. 11A und Fig. 11B. Fig. 12A zeigt den Quotienten ITM/ITE aus TM-polarisiertem Licht gemäß Fig. 11A und TE- polarisiertem Licht gemäß Fig. 11B. Aus den für die Wasserstoffkonzentration 2,5, 5,0 bzw. 7,5 Vol.-% gemessenen Werten kann nun die Kalibrierkurve gemäß Fig. 12B erzeugt werden, wobei hier über die Wasserstoffkonzentration die relative Differenz zwischen der Grundlinie und dem jeweils bei der jeweiligen Wasserstoffkonzentration gemessenen Quotienten der Signale aufgetragen ist.
- Fig. 13 zeigt einen weiteren optischen Wasserstoffsensor, bei dem als Substrat ein zylindrischer Lichtwellenleiter 1 verwendet wurde. Dieser Lichtwellenleiter 1 ist auf seiner Oberfläche mit einer dielektrischen Zwischenschicht 3 und einer wasserstoffsensitiven Schicht 2 beschichtet. In diesem Falle kann das Meßlicht innerhalb des Lichtwellenleiters 1 geführt werden, wobei bei entsprechender Strahlführung ebenfalls die Bedingungen für eine Totalreflexion an der Grenzfläche zwischen dem Substrat 1 und dem Dielektrikum 2 erfüllt werden. Dieses Beispiel zeigt, daß nicht notwendigerweise ein flächiges Substrat verwendet werden muß, sondern beliebige Substratformen, insbesondere jedoch auch zylinderförmige Substratformen verwendet werden können. Auch der Sensor in Fig. 13 kann so abgewandelt werden, daß der Lichtwellenleiter lediglich bereichsweise mit der Zwischenschicht 3 und/oder der wasserstoffsensitiven Schicht 2 beschichtet ist. Auch alle weiteren Varianten, beispielsweise mit teilweise wasserstoffundurchlässig abgedeckter wasserstoffsensitiver Schicht 2, wie in den vorigen Beispielen beschrieben, ist mit einer derartigen Anordnung möglich.
- Zusammenfassend läßt sich feststellen, daß mit dem erfindungsgemäßen Sensor und den erfindungsgemäßen Verfahren zuverlässig und mit der Möglichkeit zur Kalibrierung Wasserstoffkonzentrationen gemessen werden können.
Claims (28)
1. Optischer Wasserstoff-Sensor mit einem optisch
transparenten Substrat mit einer ersten
Oberfläche sowie einer auf der ersten Oberfläche
zumindest bereichsweise angeordneten
wasserstoffsensitive Schicht enthaltend oder bestehend aus
einem wasserstoffsensitiven Metall, Metalloxid
und/oder Polymer sowie mit einer Lichtquelle und
einem optischen Detektor, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen dem Substrat und der
wasserstoffsensitiven Schicht eine diese voneinander
trennende Schicht aus einem Dielektrikum
angeordnet ist, wobei an der Grenzfläche zwischen
Substrat und Dielektrikum der Brechungsindex n1
des Dielektrikums kleiner ist als der
Brechungsindex n0 des Substrates und wobei die
Lichtquelle und der Detektor derart angeordnet ist, daß
der von der Lichtquelle ausgesandte Lichtstrahl
unter einem Winkel α > sin(n1/n0) auf die
Grenzfläche zwischen Substrat und Dielektrikum trifft
und mit dem optischen Detektor die Intensität
des an der Grenzfläche reflektierten Lichtes
erfaßbar ist.
2. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein
Lichtwellenleiter ist.
3. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein
planarer oder zylindersymmetrischer
Lichtwellenleiter ist.
4. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein
monomodiger oder multimodiger Lichtwellenleiter
ist.
5. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die
wasserstoffsensitive Schicht als Metall oder Metalloxid
Palladium mit bis zu 15% Nickelanteil, Platin,
Hafnium, Wolframoxid (WO3), Zinndioxid (SnO2),
Yttrium, Ruthenium, Titandioxid (TiO2) und/oder
Lantanoxid (La2O3) enthält oder daraus besteht.
6. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum ein
Gas, Luft, eine Flüssigkeit und/oder ein
Feststoff ist.
7. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum
Siliziumdioxid (SiO2), Magnesiumfluorid (MgF2),
Calziumfluorid (CaF2), Kryolite (Na3AlF6),
Polytetrafluorethylen und/oder
Antireflexbeschichtungsmaterialien enthält oder daraus besteht.
8. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das das Dielektrikum
senkrecht zur Grenzfläche zwischen Substrat und
Dielektrikum eine Dicke zwischen 1 nm und 10 µm
aufweist.
9. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die
wasserstoffsensitive Schicht senkrecht zur Grenzfläche
zwischen Dielektrikum und wasserstoffsensitiver
Schicht eine Dicke zwischen 1 nm und 10 µm
aufweist.
10. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat die
Form eines Prismas aufweist, dessen Basis die
Grenzfläche zu dem Dielektrikum bildet.
11. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus
Kunststoff besteht oder diesen enthält.
12. Sensor nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch
gekennzeichnet, daß das Substrat aus
Cycloolefin-Copolymer (COC) oder Polymethylmethacrylat
(PMMA) besteht.
13. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die
wasserstoffsensitive Schicht in einem vorbestimmten Bereich
von einer wasserstoffundurchlässigen Schicht
abgedeckt ist.
14. Sensor nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch
gekennzeichnet, daß die wasserstoffsensitive
Schicht zwei voneinander getrennt angeordnete
Bereiche aufweist, von denen einer mit einer
wasserstoffundurchlässigen Schicht abgedeckt
ist.
15. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der optische
Detektor eine lineare oder flächenhafte Anordnung von
lichtempfindlichen Elementen als
Detektorelemente aufweist.
16. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei
Lichtdetektoren vorgesehen sind derart
angeordnet sind, um mittels jeweils eines der
Lichtdetektoren das von einem Bereich, der von keiner
wasserstoffunduchlässigen Schicht abgedeckt ist,
bzw. das von einem Bereich, der von einer
wasserstoffundurchlässigen Schicht abgedeckt ist,
reflektierte Licht zu erfassen.
17. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der
Grenzfläche zwischen Substrat und Dielektrikum und
dem Lichtdetektor ein Strahlteiler angeordnet
ist.
18. Sensor nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen dem Strahlteiler
und dem Lichtdetektor in jedem Teilstrahl
jeweils ein Polarisationsfilter, deren
Polarisationsrichtung senkrecht aufeinander steht,
angeordnet ist.
19. Sensor nach einem der beiden vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Strahlteiler ein polarisationsabhängiger Strahlteiler
ist, wobei die Teilstrahlen senkrecht zueinander
polarisiert sind.
20. Sensor nach einem der drei vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden
der Teilstrahlen ein Lichtdetektor vorgesehen
ist.
21. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei
Lichtdetektoren vorgesehen sind, wobei vor den
Lichtdetektoren Polarisationsfilter angeordnet
sind, die für einen der Lichtdetektoren die
reflektierte transversal magnetisch polarisierte
Strahlung und für den anderen Lichtdetektor die
transversal elektrisch polarisierte
Lichtstrahlung durchlassen.
22. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die verschiedenen
Lichtdetektoren als Bereiche eines einzigen oder
mehrerer geteilter Detektorelemente ausgebildet
sind.
23. Verfahren zum Betrieb eines optischen
Wasserstoffsensors mit einem optisch transparenten
Substrat mit einer ersten Oberfläche sowie einer
auf der ersten Oberfläche zumindest
bereichsweise angeordneten wasserstoffsensitive Schicht
enthaltend oder bestehend aus einem
wasserstoffsensitiven Metall, Metalloxid und/oder
Polymer sowie mit einer Lichtquelle und einem
optischen Detektor, dadurch gekennzeichnet, daß
die Grenzfläche zwischen Substrat und
Dielektrikum unter einem Winkel α mit Licht einer
bestimmten Wellenlänge oder eines bestimmten
Spektrums bestrahlt wird, wobei der Winkel α
variiert, das von der Grenzfläche reflektierte
Licht mit dem optischen Detektor erfaßt sowie
der Winkel mit der geringsten Intensität des
reflektierten Lichtes als Resonanzwinkel αR bzw.
dessen Verschiebung ΔαR gegenüber αR bei einer
bestimmten Wasserstoffkonzentration,
vorzugsweise 0%, bestimmt und daraus die
Wasserstoffkonzentration in der Umgebung der
wasserstoffsensitiven Schicht bestimmt wird.
24. Verfahren zum Betrieb eines optischen
Wasserstoffsensors mit einem optisch transparenten
Substrat mit einer ersten Oberfläche sowie einer
auf der ersten Oberfläche zumindest
bereichsweise angeordneten wasserstoffsensitive Schicht
enthaltend oder bestehend aus einem
wasserstoffsensitiven Metall, Metalloxid und/oder
Polymer sowie mit einer Lichtquelle und einem
optischen Detektor, dadurch gekennzeichnet, daß
die Grenzfläche zwischen Substrat und
Dielektrikum unter einem bestimmten Winkel α mit Licht
einer bestimmten Wellenlänge oder eines
Spektrums mit bestimmter Maximumswellenlänge
bestrahlt wird, wobei die Wellenlänge oder die
Maximumswellenlänge des Spektrums variiert wird,
das von der Grenzfläche reflektierte Licht mit
dem optischen Detektor erfaßt sowie die
Wellenlänge bzw. die Wellenlänge mit der geringsten
Intensität des reflektierten Lichtes als
Resonanzwellenlänge λR bzw. Resonanzfrequenz bzw.
deren Verschiebung ΔλR gegenüber λR bei einer
vorbestimmten Wasserstoffkonzentration,
vorzugsweise 0%, bestimmt und daraus die
Wasserstoffkonzentration in der Umgebung der
wasserstoffsensitiven Schicht bestimmt wird.
25. Verfahren zum Betrieb eines optischen
Wasserstoffsensors mit einem optisch transparenten
Substrat mit einer ersten Oberfläche sowie einer
auf der ersten Oberfläche zumindest
bereichsweise angeordneten wasserstoffsensitive Schicht
enthaltend oder bestehend aus einem
wasserstoffsensitiven Metall, Metalloxid und/oder
Polymer sowie mit einer Lichtquelle und einem
optischen Detektor, dadurch gekennzeichnet, daß
die Grenzfläche zwischen Substrat und
Dielektrikum unter einem bestimmten Winkel α mit Licht
einer bestimmten Wellenlänge λ oder eines
bestimmten Spektrums bestrahlt wird, bei denen
eine resonante Anregung von Plasmawellen in der
Grenzschicht zwischen dem Dielektrikum und der
wasserstoffsensitiven Schicht erfolgt und die
Intensität des reflektierten Lichtes bzw. deren
Änderung gegenüber der Intensität des
reflektierten Lichtes bei einer vorbestimmten
Wasserstoffkonzentration, vorzugsweise 0%, in der
wasserstoffsensitiven Schicht mit dem optischen
Detektor bestimmt und daraus die
Wasserstoffkonzentration in der Umgebung der
wasserstoffsensitiven Schicht bestimmt wird.
26. Verfahren nach einem der drei vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Resonanzwinkel, die Resonanzwellenlänge/frequenz
und/oder die Intensität des reflektierten
Lichtes zusätzlich zu einem Bereich der
wasserstoffsensitiven Schicht, der nicht von einer
wasserstoffundurchlässigen Schicht abgedeckt
ist, auch für einen Bereich der
wasserstoffsensitiven Schicht, der von einer
wasserstoffundurchlässigen Schicht abgedeckt ist, bestimmt
und hieraus Meßsignale ermittelt werden, die zur
Korrektur der Meßwerte zur Bestimmung der
Wasserstoffkonzentration beitragen, die nicht von
der zu bestimmenden Wasserstoffkonzentration
abhängen.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 26,
dadurch gekennzeichnet, daß der Resonanzwinkel,
die Resonanzwellenlänge/frequenz und/oder die
Intensität des reflektierten Lichtes lediglich
für die transversal magnetisch polarisierte (TM)
Lichtwelle erfaßt wird.
28. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
dadurch gekennzeichnet, daß der Resonanzwinkel,
die Resonanzwellenlänge/frequenz und/oder die
Intensität des reflektierten Lichtes zusätzlich
für die transversal elektrisch polarisierte (TE)
Lichtwelle erfaßt und daraus Signalschwankungen
und Langzeiteinflüsse, die nicht mit der
Wasserstoffkonzentration korrelieren, bestimmt und zur
Korrektur der Meßwerte zur Bestimmung der
Wasserstoffkonzentration verwendet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10145719A DE10145719A1 (de) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | Optischer Wasserstoff-Sensor und Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10145719A DE10145719A1 (de) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | Optischer Wasserstoff-Sensor und Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10145719A1 true DE10145719A1 (de) | 2003-04-10 |
Family
ID=7699274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10145719A Ceased DE10145719A1 (de) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | Optischer Wasserstoff-Sensor und Verfahren zur Erfassung von Wasserstoff |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE10145719A1 (de) |
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