DE10130850C2 - Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter - Google Patents

Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter

Info

Publication number
DE10130850C2
DE10130850C2 DE10130850A DE10130850A DE10130850C2 DE 10130850 C2 DE10130850 C2 DE 10130850C2 DE 10130850 A DE10130850 A DE 10130850A DE 10130850 A DE10130850 A DE 10130850A DE 10130850 C2 DE10130850 C2 DE 10130850C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature superconductor
sib
temperature
connection
stoichiometric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10130850A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10130850A1 (de
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE10130850A priority Critical patent/DE10130850C2/de
Publication of DE10130850A1 publication Critical patent/DE10130850A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10130850C2 publication Critical patent/DE10130850C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/5805—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials

Description

Die Erfindung bezieht sich auf die Verwendung einer stöchiome­ trischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter, wobei der Hochtemperatursupraleiter eine Sprungtemperatur oberhalb der Temperatur von Flüssigstickstoff (77 K) besitzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verwendung ei­ ner stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter zur Verfügung zu stellen, wobei der Hochtemperatursupraleiter eine Sprungtemperatur oberhalb der Temperatur von Flüssig­ stickstoff besitzt, und der für technische Anwendungen hinrei­ chend stabil ist.
Diese Aufgabe wird durch eine Verwendung nach Anspruch 1 ge­ löst.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Hochtemperatursupra­ leiter eine stöchiometrische Verbindung mit SiBx aufweist, wo­ bei x = 1, 2, 3, 4, 6, oder 8 ist.
Bei der Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters gemäß der erfindungsgemäßen Verwendung ist vorgesehen, dass in reinem Silizium durch einen Dotierprozess Bor als Fremdatome in hoher Konzentration eingebracht werden.
Hierbei ist vorgesehen, dass bei dem Dotierprozess durch Fest­ körperreaktionen polykristalline SiBx-Phasen ausgebildet wer­ den, wobei x = 1, 2, 3, 4, 6, oder 8 ist.
In Experimenten mit reinem Silizium wurde durch einen Dotier­ prozess mit Bor-Quellen dieses Fremdatom in derart hoher Kon­ zentration eingebracht, dass durch Festkörperreaktionen poly­ kristalline SiB3, SiB4 und SiB6-Pbasen ausgebildet wurden. In weiteren Versuchen wurden auch SiB2 und stabile SiB8-Phasen ge­ funden. Mit diesen Substanzen wurden Messungen des elektrischen Widerstandes mit Hilfe der sogenannten Vierpunktmethode bei verschiedenen Temperaturen durchgeführt. Dabei zeigt sich ein abrupter Abfall des elektrischen Widerstandes auf einen nicht mehr nachweisbaren Wert (0 Ohm) bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffes (77 K).
Der erfindungsgemäß Hochtemperatursupraleiter ist hinreichend mechanisch stabil und eignet sich für vielfältige technische Anwendungen, insbesondere zur Herstellung supraleitender elek­ tronischer Schaltungen und Schaltungskomponenten.

Claims (1)

  1. Verwendung einer stöchiometrischen Verbindung mit SiBx, wo­ bei x = 1, 2, 3, 4, 6 oder 8, als Hochtemperatursupraleiter.
DE10130850A 2001-06-28 2001-06-28 Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter Expired - Fee Related DE10130850C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10130850A DE10130850C2 (de) 2001-06-28 2001-06-28 Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10130850A DE10130850C2 (de) 2001-06-28 2001-06-28 Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10130850A1 DE10130850A1 (de) 2003-01-16
DE10130850C2 true DE10130850C2 (de) 2003-04-30

Family

ID=7689545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10130850A Expired - Fee Related DE10130850C2 (de) 2001-06-28 2001-06-28 Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10130850C2 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114538457B (zh) * 2020-11-27 2023-08-15 有研工程技术研究院有限公司 一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法
CN113582186A (zh) * 2021-09-06 2021-11-02 湖北中烟工业有限责任公司 一种发热元件及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1166162B (de) * 1959-12-30 1964-03-26 Allis Chalmers Mfg Co Verfahren zur Herstellung von Hexaborsilicid
US3138468A (en) * 1959-06-17 1964-06-23 Allis Chalmers Mfg Co Tetraboronsilicide
US3427131A (en) * 1964-04-13 1969-02-11 Allis Chalmers Mfg Co Method of preparing tetraboronsilicide (b4si)
GB1194225A (en) * 1966-07-08 1970-06-10 Dow Corning Tetraboron Silicide.
JPS5861254A (ja) * 1981-10-06 1983-04-12 Mitsubishi Metal Corp 切削および耐摩耗工具用高靭性窒化硼素基超高圧焼結材料
JPS6437413A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Production of ultrafine particle of silicon boride
JPH03155173A (ja) * 1989-11-14 1991-07-03 Toshio Hirai 熱電変換素子
JPH05319898A (ja) * 1992-05-21 1993-12-03 Kawasaki Refract Co Ltd 炭素含有耐火物

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3138468A (en) * 1959-06-17 1964-06-23 Allis Chalmers Mfg Co Tetraboronsilicide
DE1166162B (de) * 1959-12-30 1964-03-26 Allis Chalmers Mfg Co Verfahren zur Herstellung von Hexaborsilicid
US3427131A (en) * 1964-04-13 1969-02-11 Allis Chalmers Mfg Co Method of preparing tetraboronsilicide (b4si)
GB1194225A (en) * 1966-07-08 1970-06-10 Dow Corning Tetraboron Silicide.
JPS5861254A (ja) * 1981-10-06 1983-04-12 Mitsubishi Metal Corp 切削および耐摩耗工具用高靭性窒化硼素基超高圧焼結材料
JPS6437413A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Production of ultrafine particle of silicon boride
JPH03155173A (ja) * 1989-11-14 1991-07-03 Toshio Hirai 熱電変換素子
JPH05319898A (ja) * 1992-05-21 1993-12-03 Kawasaki Refract Co Ltd 炭素含有耐火物

Also Published As

Publication number Publication date
DE10130850A1 (de) 2003-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1775263B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Hydrierung von Chlorsilanen
DE1614540C3 (de) Halbleiteranordnung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1640502A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandselements
DE102006020829A1 (de) Supraleitfähige Verbindung der Endstücke zweier Supraleiter sowie Verfahren zur Herstellung dieser Verbindung
DE1299767B (de)
DE1298189B (de) Verfahren zum Herstellen von isolierten Bereichen in einer integrierten Halbleiter-Schaltung
DE10130850C2 (de) Verwendung eienr stöchiometrischen Verbindung als Hochtemperatursupraleiter
DE1514038B2 (de) Verfahren zum herstellen eines feldeffekt-transistors mit isolierter steuerelektrode
DE68922514T3 (de) Oxidischer Hochtemperatur-Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE60128510T2 (de) Leiterrahmen mit niedrigem Temperaturkoeffizienten für integrierte Schaltungen sowie integrierte Schaltungen mit einem solchen Leiterrahmen
DE3100839A1 (de) Integrierte schaltungsanordnung
EP1100297A2 (de) Lösbare Befestigung eines Anschlusskontaktes auf einer Leiterbahn eines Schaltungsträgers
DE2654979B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE10236896B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern
DE3614087C2 (de) Halbleitervorrichtungs-Baueinheit und Verfahren zum elektrischen Verbinden eines IC-Chips
DE1812130B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiter- oder dickfilmanordnung
DE102020000902A1 (de) Vorrichtung zum Produzieren von polykristallinem Silicium und polykristallines Silicium
EP3207594B1 (de) Klemmeneinrichtung mit einer stromschiene
WO2009026915A2 (de) Verfahren zur herstellung von polykristallinen siliziumstäben und polykristalliner siliziumstab
EP0483679B1 (de) Supraleitendes Bauelement
WO2007065460A1 (de) Dünnfilmwiderstand mit schichtstruktur und verfahren zur herstellung eines dünnfilmwiderstands mit schichtstruktur
DE202011051596U1 (de) Elektrische Verbindungsklemme
DE2819242B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters
DE2257897A1 (de) Verfahren zur herstellung von ueberkreuzungen in integrierten schaltungen
DE2746941A1 (de) Verfahren zur herstellung einer duennen oxidschicht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee