DE10125921A1 - Anordnung und Verfahren zur Reduktion der Anzahl der Fuses in einer Halbleitervorrichtung - Google Patents
Anordnung und Verfahren zur Reduktion der Anzahl der Fuses in einer HalbleitervorrichtungInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Reduktion der Anzahl von Fuses in einer Halbleitervorrichtung, bei der durch dynamische Zuordnung von Fuses (F, f) und Fuselatches (FL) sowie Kompression in Fuse-Datenstrings diese Anzahl vermindert ist.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Reduk
tion der Anzahl der Fuses in einer Halbleitervorrichtung,
insbesondere in einer Halbleiterspeichervorrichtung, umfas
send:
- - eine Fuseeinrichtung aus Masterfuses und Fuses, wobei je weils eine vorgegebene Anzahl von Fuses einer Masterfuse zugeordnet ist,
- - eine der Fuseeinrichtung nachgeschaltete Fuselatcheinrich tung aus den Masterfuses zugeordneten Master-Fuselatches und Fuselatches, wobei jede Master-Fuselatch mit einer Reihe von Fuselatches in der vorgegebenen Anzahl versehen ist, und
- - eine der Fuselatcheinrichtung nachgeschaltete Auswerte schaltung, wobei:
- - zwischen Masterfuses und Fuses einerseits und Master-Fuse latches und Fuselatches andererseits eine dynamische Zu ordnung gegeben ist.
Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren
zur Reduktion der Anzahl von Fuses in einer Halbleitervor
richtung.
Bekanntlich werden in Halbleitervorrichtungen und insbeson
dere in Halbleiterspeichervorrichtungen häufig redundante
Elemente eingesetzt, um defekte Schaltungsteile, bei Halb
leiterspeichervorrichtungen also defekte Speicherzellen,
durch entsprechende funktionale Schaltungsteile bzw. Speicherzellen
zu ersetzen. Um diesen Ersatz vorzunehmen, werden
in der Regel Fuseeinrichtungen aus jeweils einer Vielzahl
von Fuses verwendet, die durch einen durch sie geschickten
elektrischen Strom oder durch einen auf sie einwirkenden op
tischen Laserstrahl aktivierbar sind.
Unter Fuses sollen im folgenden auch Antifuses verstanden
werden. Bei Antifuses wird bekanntlich der leitende Zustand
durch Anlegen einer elektrischen Spannung bzw. Einwirkung
eines Laserstrahles hergestellt.
Die in den Fuses (bzw. Antifuses) gespeicherte Information
"Fuse getrennt" bzw. "Fuse intakt" wird in sogenannten Fuse
latches abgelegt. Die Weiterverarbeitung dieser Information
erfolgt dann in nachfolgenden Schaltungen.
Fig. 3 zeigt ein typisches Beispiel einer bestehenden Fuse
schaltung: zwischen einer Versorgungsspannung VDD und Be
zugspotential liegt eine Reihenschaltung aus einer Fuse F,
einem n-Kanal-MOS-Transistor NSET und einem p-Kanal-MOS-
Transistor Reset. An den Verbindungspunkt der beiden Transi
storen NSET und Reset ist ein Fuselatch FL aus zwei anti
parallel geschalteten Invertern I1, I2 angeschlossen, denen
eine weiterverarbeitende Schaltung S folgt, in welcher die
im Fuselatch FL abgelegte Information der Fuse F ("Fuse ge
trennt" bzw. "Fuse intakt") ausgewertet wird.
Zum Einschreiben der Information aus der Fuse F in das Fuse
latch FL werden der Transistor Reset gesperrt und der Tran
sistor NSET geöffnet, so dass die in der Fuse F abgelegte
Information in das Fuselatch FL übertragen wird. Sodann wer
den beide Transistoren NSET und Reset gesperrt, wodurch die
Information im Fuselatch FL erhalten bleibt, um gegebenen
falls zur Weiterverarbeitung an die Schaltung S abgegeben zu
werden.
Wie aus der Fig. 3 zu erkennen ist, wird das Fuselatch FL
zweckmäßigerweise in unmittelbarer Nähe der eigentlichen Fu
se F plaziert, um die Fuseinformation aus der Fuse F direkt,
d. h. ohne großen Verdrahtungsaufwand, in dem Fuselatch FL
abspeichern und sodann in der Schaltung S weiterverarbeiten
zu können. Eine lokale Nähe zwischen Fuselatch FL und der
weiterverarbeitenden Schaltung S ist dabei unbedingt notwen
dig.
Problematisch ist nun, dass in der Regel nicht die gesamte
zur Verfügung stehende Redundanz, also alle Fuses und Fuse
latches, zur Reparatur einer Halbleitervorrichtung einge
setzt werden muss, da sehr häufig in vielen Chipbereichen
der Halbleitervorrichtung voll funktionale Schaltkreise vor
handen sind, an denen allerdings Redundanz im Hinblick auf
statistische Verteilung der Fehlerquellen vorgesehen wurde.
Denn nur im Falle von defekten Schaltkreisen muss die lokal
zur Verfügung stehende Redundanz aktiviert werden.
Bei DRAM-Halbleiterspeichervorrichtungen beträgt üblicher
weise die aktivierte Anzahl an Fuses bzw. Redundanzelementen
aus Fuses und Fuselatches etwa nur 10 bis 20%, wobei aber
berücksichtigt werden muss, dass in einzelnen lokalen
Schaltkreisen bis zu 100% der zur Verfügung stehenden Red
undanz benötigt wird. Eine Reduktion der Redundanz ist damit
nicht möglich, da das Vorhalten von bis zu 100% der Redun
danz lokal gewährleistet werden muss.
Im Durchschnitt werden allerdings nicht mehr als die bereits
erwähnten 10 bis 20% der verfügbaren Redundanz tatsächlich
eingesetzt. Dies bedeutet im Umkehrschluss, dass etwa 80 bis
90% der vorhandenen, physikalisch und geometrisch einen
großen Raum beanspruchenden Fuses nicht benutzt werden, wo
mit wertvolle Chipfläche verschwendet wird. Bis vor kurzer
Zeit war eine feste Zuordnung zwischen Fuses und Fuselatches
als notwendig angesehen worden.
Nun wird aber in der US 5 859 801 ein Konzept vorgeschlagen,
bei dem Fuse und Fuselatch physikalisch voneinander getrennt
sind, um so flexiblere Chiparchitekturen zu ermöglichen. Mit
anderen Worten, es ist eine Entkopplung des Fuselatches von
der zugeordneten Fuse möglich.
Fig. 4 zeigt in einem schematischen Diagramm die herkömmli
che Zuordnung von Fuses und Fuselatches: es sind drei Redun
danzelemente I, II, III dargestellt. Das Redundanzelement I
besteht aus einer Masterfuse FI und Fuses fI0, fI1, fI2, fI3
und fI4 sowie aus einem Master-Fuselatch M und Fuselatches
0, 1, 2, 3, 4. Die Fuse fI0 ist dabei dem Fuselatch 0 zuge
ordnet. In ähnlicher Weise sind die Fuses fI1, fI2, fI3 und
fI4 den Fuselatches 1, 2, 3 bzw. 4 zugewiesen.
Die Redundanzelemente II und III sind in ähnlicher Weise
aufgebaut und bestehen insbesondere aus Masterfuses FII für
das Redundanzelement II und FIII für das Redundanzelement
III sowie aus Fuses fII0 bis fII4 für das Redundanzelement
II und Fuses fIII0 bis fIII4 für das Redundanzelement III.
Die Masterfuses FII bzw. FIII sind jeweils mit einem Master-
Fuselatch M verbunden, während die Fuses fII0 bis fII4 und
fIII0 bis fIII4 jeweils an die Fuselatches 0 bis 4 ange
schlossen sind.
Die Master-Fuselatches M und die Fuselatches 0 bis 4 der
Redundanzelemente I bis III sind jeweils mit einer Auswerte
schaltung S verbunden, wie dies schematisch in Fig. 4 ange
deutet ist.
Zur Aktivierung dieser Auswerteschaltung S werden die ent
sprechenden Masterfuses FI, FII und FIII aktiviert, und die
erforderlichen Fuses fI0 bis fI4, fII0 bis fII4 und fIII0
bis fIII4 des zugehörigen Redundanzelementes I, II bzw. III
entsprechend der zu ersetzenden Adresse werden ebenfalls aktiviert.
Bei Nicht-Aktivierung einer Masterfuse werden auch
keine zugehörigen Fuses aktiviert.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel, bei dem die Masterfuses FI und
FIII der Redundanzelemente I und III aktiviert sind, während
die Masterfuse FII des Redundanzelementes II nicht aktiviert
ist. Entsprechend sind auch die Fuses fII0 bis fII4 des Red
undanzelements II nicht aktiviert.
Der aktivierte bzw. nicht aktivierte Zustand der Masterfuses
bzw. Fuses wird in den Master-Fuselatches M bzw. in den Fu
ses 0 bis 4 gespeichert. Werden dem aktivierten Zustand eine
"1" und dem nicht-aktivierten Zustand eine "0" zugeordnet,
so stellt das Beispiel von Fig. 4 eine Bitfolge 1, 0, 1, 0,
0, 1; 0, 0, 0, 0, 0, 0; 1, 0, 1, 0, 0, 1 dar.
Es ist nun Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anord
nung der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß die
Anzahl von Fuses reduziert werden kann, um so Chipfläche
einzusparen; außerdem soll ein Verfahren zur Reduktion der
Anzahl von Fuses angegeben werden.
Diese Aufgabe wird bei einer Anordnung der eingangs genann
ten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass zwischen der
Fuseeinrichtung und der Fuselatcheinrichtung ein Dekompres
sor vorgesehen ist, der bei aktivierter Masterfuse die die
ser zugeordneten Fuses auslesen lässt, um so deren aktivier
ten oder nicht-aktivierten Zustand festzustellen und einen
den jeweiligen Zustand angebenden Fuse-Datenstring zu bil
den, und der bei nicht-aktivierter Masterfuse in den Fuse-
Datenstring für diese Masterfuse den nicht-aktivierten Zu
stand in der vorgegebenen Anzahl einbaut.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Ein Verfahren zur Reduktion der Anzahl von Fuses ist in Pa
tentanspruch 6 angegeben.
Die erfindungsgemäße Anordnung nutzt in vorteilhafter Weise
die an sich aus der bereits genannten US 5 859 801 bekannte
dynamische Zuordnung der Fuses zu den Fuselatches aus. Da
bei dieser dynamischen Zuordnung eine physikalische Trennung
von Fuses und Fuselatches gegeben ist, können nämlich Kom
pressionen zur Reduktion der Anzahl an Fuses eingesetzt wer
den, wodurch Chipfläche einzusparen ist. So kann als Bei
spiel bei der obigen Schaltung von Fig. 4 die Masterfuse M
des Redundanzelementes mit dem Wert M = 0 (nicht aktiviert)
so interpretiert werden, dass die folgenden Fuses 0 bis 4
des gleichen Redundanzelementes II ebenfalls nicht aktiviert
sind. Das heißt, diese Fuses 0 bis 4 können dann schlicht
weggelassen werden, so dass der für diese Fuses benötigte
Platz auf der Chipfläche nicht mehr benötigt wird.
Tatsächlich hat sich gezeigt, dass bei Anwendung der erfin
dungsgemäßen Anordnung bzw. des erfindungsgemäßen Verfahrens
ein großer Teil der sonst bisher erforderlichen Fuses einzu
sparen ist, ohne dadurch irgendwelche Funktionalität der
Redundanz auf dem Chip zu verlieren, so daß ein nicht uner
heblicher Flächenanteil auf dem Chip nicht mehr für Fuses
benötigt wird.
In einer externen Rechenschaltung wird ein Redundanzalgo
rithmus berechnet, um die Redundanzelemente festzulegen,
welche defekte Schaltungsteile bzw. Speicherzellen ersetzen
sollen. Dabei wird ein Kompressionsverfahren angewandt, so
dass nur die tatsächlich benötigten Fuses aktiviert werden.
Dies kann beispielsweise so geschehen, dass in einem Redun
danzelement aus einer Masterfuse und fünf Fuses einer nicht
aktivierten Masterfuse keine Fuses zugeordnet werden, wäh
rend eine Zuordnung von Fuses zu einer Masterfuse nur dann
erfolgt, wenn diese Masterfuse aktiviert ist. Auf diese Weise
können fünf Fuses eines Redundanzelementes durch Kompres
sion eingespart werden.
In einem chipinternen Dekompressor, der den eine Fuseein
richtung bildenden Masterfuses und Fuses nachgeschaltet ist,
wird in dem obigen Beispiel einer nicht-aktivierten Master
fuse eine Folge von fünf nicht-aktivierten Fuses zugewiesen.
Das heißt, bei Auswertung von M = 0 wird für physikalisch
nicht vorhandene fünf Fuses in den beim Auswerten der Fuses
gebildeten Fuse-Datenring fünfmal die Größe 0 eingesetzt.
Umgekehrt wird dann, wenn eine Masterfuse aktiviert ist, al
so beispielsweise den Wert 1 hat, ein Lesen der folgenden
fünf Fuses, die physikalisch vorhanden sind, vorgenommen.
Mit anderen Worten, bei einer Masterfuse mit dem Wert M = 0
wird eine Bitexpansion eingeführt.
Der so aus der Fuseeinrichtung ausgelesene Datenstring wird
sodann in die Fuselatches seriell eingelesen, um aus diesen
in üblicher Weise durch eine Auswerteschaltung ausgewertet
zu werden.
Die erfindungsgemäße Anordnung verbindet so in vorteilhafter
Weise die durch physikalische Trennung von Fuses und Fuse
latches ermöglichte dynamische Zuordnung von Fuses in Redun
danzelementen mit einer Kompression/Dekompression, um die
Anzahl der physikalischen Fuses auf dem Chip zu ermöglichen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein schematisches Schaltbild der erfindungsgemä
ßen Anordnung,
Fig. 2 ein schematisches Blockschaltbild zur Erläuterung
des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 3 ein schematisches Schaltbild einer Fuse und eines
Fuselatches und
Fig. 4 ein schematisches Schaltbild mit der herkömmli
chen Zuordnung von Fuses und Fuselatches.
Die Fig. 3 und 4 sind bereits eingangs erläutert worden. In
den Figuren werden einander entsprechende Bauteile jeweils
mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt zunächst eine externe Rechenschaltung R, in
welcher nach Ermittlung von fehlerhaften Schaltungsteilen
bzw. Speicherzellen auf einem Chip C in einem Redundanzalgo
rithmus die Redundanzelemente festgelegt werden, welche die
se fehlerhaften Schaltungsteile bzw. Speicherzellen ersetzen
sollen. So wird beispielsweise in der Rechenschaltung R
festgelegt, dass die Redundanzelemente I und II mit den Wer
ten "1, 0, 1, 0, 1, 0 bzw. 1, 0, 1, 0, 0, 1" benötigt wer
den. Demgemäß werden die Masterfuses FI und FIII aktiviert
und die Masterfuse FII wird nicht aktiviert. Von den Fuses
des Redundanzelementes I werden die Fuses fI1 und fI3 akti
viert und die Fuses fI0, fI2 und fI4 werden nicht aktiviert.
Von den Fuses des Redundanzelementes III werden die Fuses
fIII1 und fIII4 aktiviert, während die Fuses fIII0, fIII2
und fIII3 nicht aktiviert bleiben. Fuses für das Redundanze
lement II werden nicht benötigt, da die Masterfuse FII nicht
aktiviert ist.
Es ist zu ersehen, dass damit die fünf Fuses 0 bis 4 für das
Redundanzelement II durch diese "Kompression", bei der der
Masterfuse M des Redundanzelementes II mit dem Wert M = 0
fünfmal der Wert 0 für Fuses zugeordnet wird, eingespart
werden können.
In einem Dekompressor D, in dem die Masterfuses und Fuses
ausgelesen werden, werden dann, wenn eine Masterfuse den
Wert "1" hat, die folgenden fünf Fuses gelesen, während
dann, wenn einer Masterfuse der Wert M = 0 zugeordnet ist,
durch Bitexpansion fünfmal der Wert 0 eingefügt wird.
Durch serielles Auslesen des Dekompressors D werden so Bit
folgen "1, 0, 1, 0, 1, 0", "0, 0, 0, 0, 0, 0" und "1, 0, 1,
0, 0, 1" erhalten, die seriell in die Fuselatches 0, 1, 2,
3, 4 bzw. kurz FL der Redundanzelemente I, II und III einge
lesen werden. Diese Fuselatches FL werden sodann in üblicher
Weise von einer Auswerteschaltung S ausgewertet. Einem Red-
undanzelement können auch mehr oder weniger als fünf Fuse
latches zugeordnet sein, so daß die Anzahl der möglichen Fu
selatches bzw. zugewiesenen Fuses für jedes Redundanzelement
allgemein durch i gegeben ist.
Bei der erfindungsgemäßen Anordnung werden also dann, wenn
eine Masterfuse FI, FII, FIII usw. aktiviert ist, die näch
sten Fuses direkt, das heißt im Verhältnis 1 : 1 von der je
weiligen Fuse ausgelesen und mit ihrem Inhalt in den zu
transferierenden Fuse-Datenstring übertragen. Dabei wird
keine Kompression vorgenommen. Im obigen Beispiel gilt dies
für die Redundanzelemente I und III.
Ist dagegen die Masterfuse nicht aktiviert, was für das Red
undanzelement II gilt, so werden die Bits für folgende, phy
sikalisch nicht vorhandene Fuses, im obigen Ausführungsbei
spiel für fünf Fuses, durch einen Dekompressor mit dem Wert
"0" in den Fuse-Datenstring eingefügt. Dies ist im obigen
Beispiel für das Redundanzelement II der Fall.
Für dieses Redundanzelement II beträgt die Kompression dem
nach 6 : 1, da fünf Fuses weggelassen sind. Mit anderen Wor
ten, in diesem Beispiel können fünf Fuses von insgesamt
achtzehn Masterfuses und Fuses eingespart werden, ohne an
Funktionalität bei der Redundanz zu verlieren.
Der auf diese Weise generierte Fuse-Datenstring wird von dem
Dekompressor seriell zu den einzelnen lokalen Fuselatches FL
getaktet und steht dort zur Weiterverarbeitung in der Schal
tung S zur Verfügung.
Die obige Kompression und Dekompression stellt lediglich ein
Beispiel dar. Selbstverständlich sind auch andere Kompres
sionen und Dekompressionen möglich. Auch können einer
Masterfuse mehr oder weniger als fünf Fuses zugeordnet sein,
so daß allgemein i Fuses entsprechend i Fuselatches vorhan
den sind.
Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild zur Veranschaulichung des
erfindungsgemäßen Verfahrens: In der externen Rechenschal
tung R wird entsprechend den fehlerhaften Schaltungsteilen
auf dem Chip C, der beispielsweise ein ROM sein kann, die
benötigte Redundanz berechnet. Diese Redundanz wird vom
Rechner als unkomprimierter Redundanzstring angegeben und in
einem Kompressor K (in Hardware oder Software) komprimiert,
so daß ein komprimierter Redundanzstring vorliegt. Die Re
chenschaltung R und der Kompressor K können auch zu einer
Einheit zusammengefaßt sein.
Der komprimierte Redundanzstring wird dann in den Chip C
eingegeben, um dort Masterfuses Fi und Fuses fi entsprechend
der benötigten Redundanz beispielsweise elektrisch oder
durch Laserstrahl zu aktivieren. Nach Auslesen der Masterfu
ses Fi und Fuses fi erfolgt chipintern eine Dekompression im
Dekompressor (oder Bitexpander) D, so daß dann die Fuselat
ches FL mit dem dekomprimierten Redundanzstring versorgt
werden. Durch die Kompression des Redundanzstrings kann eine
erhebliche Anzahl an Masterfuses bzw. Fuses eingespart wer
den.
F Fuses
FL Fuselatch
S Auswerteschaltung
VDD Versorgungsspannung
nSET n-Kanal-MOS-Transistor
Reset p-Kanal-MOS-Transistor
FI, FII, FIII Masterfuses
fI0, . . . fII0, . . . fIII0, fi Fuses
I, II, III Redundanzelemente
R externe Rechenschaltung
D Dekompressor
C Chip
FL Fuselatch
S Auswerteschaltung
VDD Versorgungsspannung
nSET n-Kanal-MOS-Transistor
Reset p-Kanal-MOS-Transistor
FI, FII, FIII Masterfuses
fI0, . . . fII0, . . . fIII0, fi Fuses
I, II, III Redundanzelemente
R externe Rechenschaltung
D Dekompressor
C Chip
0, 1, 2, 3, 4,
. . . i Fuselatches
M Master-Fuselatches
K Kompressor
M Master-Fuselatches
K Kompressor
Claims (6)
1. Anordnung zur Reduktion der Anzahl von Fuses in einer
Halbleitervorrichtung, umfassend:
eine Fuseeinrichtung aus Masterfuses (Fi) und Fuses (fi) wobei jeweils eine vorgegebene Anzahl von Fuses einer Masterfuse zugeordnet ist,
eine der Fuseeinrichtung nachgeschaltete Fuselatcheinrich tung (FL) aus den Masterfuses zugeordneten Master-Fuse latches (M) und Fuselatches (0, 1, 2, 3, . . ., i), wobei jede Master-Fuselatch mit einer Reihe von Fuselatches in der vorgegebenen Anzahl versehen ist, und
einer der Fuselatcheinrichtung (FL) nachgeschaltete Auswer teschaltung (S), wobei:
zwischen Masterfuses und Fuses einerseits und Master-Fuse latches und Fuselatches andererseits eine dynamische Zu ordnung gegeben ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass
zwischen der Fuseeinrichtung und der Fuselatcheinrichtung ein Dekompressor (D) vorgesehen ist, der bei aktivierter Masterfuse (Fi) die dieser zugeordneten Fuses (fi) ausle sen lässt, um so deren aktivierten oder nicht-aktivierten Zustand festzustellen und einen den jeweiligen Zustand an gebenden Fuse-Datenstring zu bilden, und der bei nicht- aktivierter Masterfuse in den Fuse-Datenstring für diese Masterfuse den nicht-aktivierten Zustand in der vorgegebe nen Anzahl einbaut.
eine Fuseeinrichtung aus Masterfuses (Fi) und Fuses (fi) wobei jeweils eine vorgegebene Anzahl von Fuses einer Masterfuse zugeordnet ist,
eine der Fuseeinrichtung nachgeschaltete Fuselatcheinrich tung (FL) aus den Masterfuses zugeordneten Master-Fuse latches (M) und Fuselatches (0, 1, 2, 3, . . ., i), wobei jede Master-Fuselatch mit einer Reihe von Fuselatches in der vorgegebenen Anzahl versehen ist, und
einer der Fuselatcheinrichtung (FL) nachgeschaltete Auswer teschaltung (S), wobei:
zwischen Masterfuses und Fuses einerseits und Master-Fuse latches und Fuselatches andererseits eine dynamische Zu ordnung gegeben ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass
zwischen der Fuseeinrichtung und der Fuselatcheinrichtung ein Dekompressor (D) vorgesehen ist, der bei aktivierter Masterfuse (Fi) die dieser zugeordneten Fuses (fi) ausle sen lässt, um so deren aktivierten oder nicht-aktivierten Zustand festzustellen und einen den jeweiligen Zustand an gebenden Fuse-Datenstring zu bilden, und der bei nicht- aktivierter Masterfuse in den Fuse-Datenstring für diese Masterfuse den nicht-aktivierten Zustand in der vorgegebe nen Anzahl einbaut.
2. Anordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Dekompressor (D) zusammen mit der Fuseeinrichtung
und der Fuselatcheinrichtung sowie der Auswerteschaltung (S)
auf einem Chip integriert sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass jeder Masterfuse wenigstens eine Fuse zugeordnet ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Fuses im aktivierten Zustand unterbrochen sind.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Fuses im aktivierten Zustand leitend sind (Anti
fuses).
6. Verfahren zur Reduktion der Anzahl von Fuses (fi) in ei
ner Halbleitervorrichtung (C), bei der von einer externen
Rechenschaltung Fuse-Information in der Form eines Daten
strings zugeführt wird,
dadurch gekennzeichnet,
dass
der Datenstring extern komprimiert wird,
der komprimierte Datenstring zu der Halbleitervorrichtung (C) übertragen wird,
die Fuseinformation in den Fuses (fi) der Halbleitervor richtung (C) aufgezeichnet wird und
der aus den ausgelesenen Fuses (fi) gewonnene Datenstring dekomprimiert wird.
dass
der Datenstring extern komprimiert wird,
der komprimierte Datenstring zu der Halbleitervorrichtung (C) übertragen wird,
die Fuseinformation in den Fuses (fi) der Halbleitervor richtung (C) aufgezeichnet wird und
der aus den ausgelesenen Fuses (fi) gewonnene Datenstring dekomprimiert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001125921 DE10125921A1 (de) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | Anordnung und Verfahren zur Reduktion der Anzahl der Fuses in einer Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001125921 DE10125921A1 (de) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | Anordnung und Verfahren zur Reduktion der Anzahl der Fuses in einer Halbleitervorrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10125921A1 true DE10125921A1 (de) | 2002-12-12 |
Family
ID=7686380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2001125921 Ceased DE10125921A1 (de) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | Anordnung und Verfahren zur Reduktion der Anzahl der Fuses in einer Halbleitervorrichtung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10125921A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004047330B4 (de) * | 2004-09-29 | 2011-04-07 | Qimonda Ag | Integrierter Halbleiterspeicher |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6205063B1 (en) * | 1998-08-26 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for efficiently correcting defects in memory circuits |
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2001
- 2001-05-28 DE DE2001125921 patent/DE10125921A1/de not_active Ceased
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DE102004047330B4 (de) * | 2004-09-29 | 2011-04-07 | Qimonda Ag | Integrierter Halbleiterspeicher |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |