DE10121901A1 - Speichersystem und hierfür verwendbares Speichermodul - Google Patents

Speichersystem und hierfür verwendbares Speichermodul

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Speichersystem mit einer Systemplatine (10), einer Speichersteuerung (11) und mehreren Speichermodulen (12a bis 12d) sowie auf ein hierfür verwendbares Speichermodul. DOLLAR A Erfindungsgemäß erstrecken sich von der Speichersteuerung aus ein gemeinsamer Steuer- und Adressbus (CAB) sowie Datenbusse (DB1 bis DB4) eines ersten und Datenbusse (DB5 bis DB8) eines zweiten Kanals. Die Speichermodule einer ersten Gruppe sind mit den Datenbussen des ersten Kanals und die Speichermodule einer zweiten Gruppe mit den Datenbussen des zweiten Kanals gekoppelt, wobei sich die Speichermodule den gemeinsamen Steuer- und Adressbus teilen. Ein hierfür verwendbares Speichermodul umfasst einen Signaleingabe- und Signalausgabeberiech, einen Puffer oder ein Register sowie ein Steuer- und Adressbus. Eine Mehrzahl von Speicherbauelementen des Moduls sind sequentiell mit einer Ausgabeleitung des Puffers oder Registers verbunden. DOLLAR A Verwendung z. B. in Hochgeschwindigkeits-Computersystemen hoher Leistungsfähigkeit.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Speichersystem nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und auf ein hierfür verwendbares Speichermodul mit mehreren darauf montierten Speicherbauelementen.
Die Entwicklung von Speicherbauelementen schreitet weiter in Richtung höherem Integrationsgrad und darauf basierend höherer Kapazität fort. Gleichzeitig erfolgt die Entwicklung von Zentralprozessoreinheiten (CPU) für die Zentralbereiche von Computersystemen im Hinblick auf einen Be­ trieb mit erhöhter Geschwindigkeit. Als Resultat hiervon erhöht sich die Diskrepanz zwischen der Betriebsgeschwindigkeit der CPU und der Be­ triebsgeschwindigkeit des Speichers bis zu einem Punkt, an welchem in gegenwärtigen Systemen die Betriebsgeschwindigkeit des Speicherbau­ elementes dazu tendiert, das Gesamtleistungsvermögen des Computer­ systems zu begrenzen.
Um die Betriebsgeschwindigkeit des Computersystems zu erhöhen, wurde dementsprechend die Forschung auf die Entwicklung von Hochleistungs- Speichersystemen ebenso wie von Hochgeschwindigkeits-Speicherbauele­ menten gerichtet. Die Entwicklung von Hochleistungs-Speichersystemen richtet sich allgemein auf die Konstruktion von Speichern, die in der Lage sind, pro Zeiteinheit mehr Daten ein- und auszugeben. Um die Betriebsge­ schwindigkeit des Speichersystems zu steigern, muss zunächst ein Hoch­ geschwindigkeits-Speicherbauelement entwickelt werden. Von großer Be­ deutung sind aber auch Schnittstellenarchitekturen von Speichermodulen und Bussen, welche die Systembetriebsgeschwindigkeit hinsichtlich des Verbindens des Speicherbauelements mit externen Komponenten erhö­ hen. Mit anderen Worten sind Technologien von großer Bedeutung, die sich mit dem Anordnen von Kommunikationsbussen und der Konstruktion der Speichermodule befassen, um dies beim Installieren der Speicherbau­ elemente auf den Bussen zu nutzen.
Die Bandbreite des Speicherbauelements, d. h. die Menge an pro Zeitein­ heit in dieses einzugebenden und aus diesem auszugebenden Daten, ist von der Breite des Datenbusses und der Betriebsgeschwindigkeit des Speicherbauelementes und des Datenbusses abhängig. Die Breite des Da­ tenbusses wird von der physikalischen Fläche eines Systemspeicherbe­ reichs und der räumlichen Anordnung der Busleitungen beeinflusst. Die Betriebsgeschwindigkeit des Datenbusses wird durch die elektrischen Hochfrequenzeigenschaften des Datenbusses beeinflusst. Um daher die Bandbreite zu steigern, d. h. die Betriebsgeschwindigkeit des Speichersys­ tems zu erhöhen, müssen Wege zur größtmöglichen Ausnutzung des be­ schränkten, dem Speicherbereich im Computersystem zugewiesenen Plat­ zes gefunden werden, welche die verschiedenen elektrischen Eigenschaf­ ten erfüllen, die sich im Hochfrequenzbetrieb stellen.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Spei­ chersystems der eingangs genannten Art und eines hierfür verwendbaren Speichermoduls zugrunde, die es ermöglichen, die Betriebsgeschwindig­ keit eines Datenbusses zu steigern und die Breite des Datenbusses aus­ zudehnen.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Speicher­ systems mit den Merkmalen des Anspruchs 1 oder 10 sowie eines Spei­ chermoduls mit den Merkmalen des Anspruchs 15.
Beim erfindungsgemäßen Speichersystem erstrecken sich von einer Spei­ chersteuerung aus Datenbusse eines ersten und eines zweiten Kanals, wobei eine erste Gruppe von Speichermodulen mit den Datenbussen des ersten Kanals und eine zweite Gruppe von Speichermodulen mit den Da­ tenbussen des zweiten Kanals gekoppelt sind. Die Speichermodule beider Gruppen teilen sich einen gemeinsamen Steuer- und Adressbus.
Ein für das Speichersystem verwendbares, erfindungsgemäßes Speicher­ modul beinhaltet mehrere darauf montierte Speicherbauelemente, einen auf einer Modulseite angeordneten Signaleingabe- und Signalausgabebe­ reich zum Anschließen des Speichermoduls an einen Verbinder einer Sys­ templatine, einen Puffer oder ein Register und einen zwischen den Puffer bzw. das Register und den Signaleingabe- und Signalausgabebereich ein­ geschleiften Steuer- und Adressbus. Die Speicherbauelemente sind se­ quentiell mit einer Ausgabeleitung des Puffers bzw. Registers verbunden, so dass ein über den Steuer- und Adressbus geleitetes Signal in Zeitinter­ vallen über den Puffer bzw. das Register in die jeweiligen Speicherbau­ elemente eingegeben wird.
Der erfindungsgemäße Aufbau des Speichersystems und des hierfür ver­ wendbaren Speichermoduls ermöglicht eine Steigerung der Betriebsge­ schwindigkeit des Datenbusses und eine Erhöhung der Datenbusbreite.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines ersten erfindungsgemäßen Speichersys­ tems,
Fig. 2 ein detaillierteres Blockschaltbild des Speichermoduls von Fig. 1,
Fig. 3 ein Entwurfsdiagramm der Verdrahtung einer Platine im erfin­ dungsgemäßen Speichersystem gemäß Fig. 1,
Fig. 4 ein Blockschaltbild eines zweiten erfindungsgemäßen Speicher­ systems und
Fig. 5 ein Entwurfsdiagramm der Verdrahtung einer Platine im erfin­ dungsgemäßen Speichersystem gemäß Fig. 4.
Die in Fig. 1 gezeigte erste Realisierung des erfindungsgemäßen Spei­ chersystems weist eine Speichersteuerung 11 in einem vorgegebenen Be­ reich einer Systemplatine 10 sowie einen gemeinsamen Steuer- und Ad­ ressbus CAB auf, der sich von der Speichersteuerung 11 aus erstreckt. Des weiteren erstrecken sich von der Speichersteuerung 11 aus Daten­ busse DB1 bis DB4 eines ersten Kanals, die auf der linken Seite des ge­ meinsamen Steuer- und Adressbusses CAB angeordnet sind. Datenbusse DB5 bis DB8 eines zweiten Kanals gehen ebenfalls von der Speichersteu­ erung 11 ab und sind auf der rechten Seite des gemeinsamen Steuer- und Adressbusses CAB angeordnet. Speichermodule 12a und 12b einer ersten Gruppe sind in die Datenbusse DB1 bis DB4 des ersten Kanals eingekop­ pelt, und Speichermodule 12c und 12d einer zweiten Gruppe sind in die Datenbusse DB5 bis DB8 des zweiten Kanals eingekoppelt.
Somit ist bei diesem Speichersystem die Datenbusbreite auf der System­ platine 10 doppelt so groß wie die Datenbusbreite auf den Speichermodu­ len. Daher ist es möglich, ein breitbandiges Speichersystem unter Benut­ zung relativ kleiner Speichermodule aufzubauen. Dabei teilen sich alle Speichermodule 12a bis 12d den zentralen, gemeinsamen Steuer- und Ad­ ressbus CAB, auf dessen linker und rechter Seite sie angeordnet sind. Deshalb ist die Anzahl an Anschlüssen der Speichersteuerung 11 und die Anzahl an Busleitungen auf der Systemplatine 10 kleiner als im herkömm­ lichen Fall, bei dem der Kanal einen eigenen Steuer- und Adressbus auf­ weist. Dementsprechend vereinfacht sich die Anordnung von Verbindungs­ leitungen auf der Systemplatine 10.
Im Betrieb des Systems werden Adresssignale zum Adressieren von Spei­ cherbauelementen der Speichermodule 12a bis 12d und Steuersignale zur Steuerung der Speicherbauelemente auf den Speichermodulen 12a bis 12d, beispielsweise Steuerbefehle, von der Speichersteuerung 11 zu den Speichermodulen 12a bis 12d über den Steuer- und Adressbus GAB über­ tragen. Datensignale werden von der Speichersteuerung 11 zu den Spei­ chermodulen 12a bis 12d oder von den Speichermodulen 12a bis 12d zur Speichersteuerung 11 über die Datenbusse DB1 bis DB4 des ersten Ka­ nals und die Datenbusse DB5 bis DB8 des zweiten Kanals übertragen.
Im Speichersystem von Fig. 1 sind die Speichermodule 12a bis 12d so an­ geordnet, dass die mit dem gemeinsamen Steuer- und Adressbus GAB verbundenen Komponenten miteinander überlappen und die Speichermo­ dule 12a und 12b der ersten Gruppe in einer Linie mit den Speichermodu­ len 12c und 12d der zweiten Gruppe liegen. Dementsprechend kann das Speichersystem geeignet in einem begrenzten Bereich eines Gesamtsys­ tems angeordnet sein, da die Abmessung des Speichersystems entlang einer mit x-Achse bezeichneten Richtung reduziert ist. Zudem ist es in ei­ nem Datenbusbereich, in welchem während Hochgeschwindigkeitsbetrieb viel Wärme erzeugt wird, einfacher, die überschüssige Wärme abzuführen, da genügend Zwischenräume zwischen den Speichermodulen vorhanden sind.
Fig. 2 veranschaulicht eines der Speichermodule von Fig. 1 in einem detaillierteren Blockschaltbild. Wie daraus ersichtlich, umfasst dieses erfin­ dungsgemäße Speichermodul 12 eine Mehrzahl von Speicherbauelemen­ ten 20a bis 20d, einen Kontaktstreifen 21, mehrere Datenbusse MDB1 bis MDB4, einen Steuer- und Adressbus MCAB und einen Puffer 22.
Die Speicherbauelemente 20a bis 20d sind an vorgegebenen Bereichen auf dem Speichermodul 12 montiert. Die Datenbusse MDB1 bis MDB4 sind von einer kurzen Durchschleifungskonfiguration und zwischen den Kon­ taktstreifen 21 und die Speicherbauelemente 20a bis 20d eingeschleift. Der Kontaktstreifen 21, d. h. ein Signaleingabe- und Signalausgabebereich, ist an einer Kante des Speichermoduls 12 positioniert und schließt letzteres an einen Verbinder einer Systemplatine an.
Wenn das Speichermodul 12 in das Speichersystem von Fig. 1 einge­ bracht wird, werden die Datenbusse MDB1 bis MDB4 des Speichermoduls 12 mit den Datenbussen DB1 bis DB4 des ersten Kanals oder den Daten­ bussen DB5 bis DB8 des zweiten Kanals auf der Systemplatine 10 ver­ bunden. Der Steuer- und Adressbus MCAB auf dem Speichermodul 12 wird mit dem gemeinsamen Steuer- und Adressbus CAB auf der System­ platine 10 verbunden.
Der Steuer- und Adressbus MCAB und der Puffer 22 sind auf einer Seite des Moduls angeordnet, z. B. auf der in Fig. 2 rechten Seite, und erstrecken sich senkrecht zur Kante, an welcher der Kontaktstreifen 21 positioniert ist. Der Steuer- und Adressbus MCAB ist von einer kurzen Durchschleifungs­ konfiguration und zwischen den Kontaktstreifen 21 und den Puffer 22 ein­ geschleift. Eine Busleitung MCABB, die z. B. eine Stichleitungskonfiguration aufweist, ist mit dem Ausgangsanschluss des Puffers 22 verbunden. Die Speicherbauelemente 20a bis 20d sind sequentiell mit der Busleitung bzw. der Stichleitung MCABB verbunden, so dass ein Signal, das über den Steuer- und Adressbus MCAB geleitet wird, in gleichmäßigen Zeitinterval­ len über den Puffer 22 in die jeweiligen Speicherbauelemente 20a bis 20d eingegeben wird. Der Puffer 22 wird zur Verbesserung der Integrität des Signals benutzt, das über den Steuer- und Adressbus MCAB geleitet wird. In alternativen Konfigurationen kann anstelle des Puffers 22 ein Register verwendet werden.
In den erfindungsgemäßen Speichermodulen ist simultanes Schaltrau­ schen hoher Frequenz reduziert, das erzeugt wird, wenn Daten gleichzeitig von den Speicherbauelementen 20a bis 20d ausgegeben werden, da die Speicherbauelemente 20a bis 20d während des Systembetriebs in gleich­ mäßigen Zeitintervallen sequentiell betrieben werden. Dies verbessert folg­ lich die Hochgeschwindigkeits-Betriebseigenschaften.
Im Speichermodul von Fig. 2 weist der Steuer- und Adressbus MCAB eine kurze Durchschleifungskonfiguration auf. Alternativ kann er von einem Stichleitungskonfigurationstyp sein. Wenn er vom in Fig. 2 gezeigten kur­ zen Durchschleifungstyp ist, führt eine Busleitung über einen Eingabean­ schluss des Kontaktstreifens 21 zum Speichermodul 12, passiert den Puf­ fer 22 und geht über einen Ausgabeanschluss des Kontaktstreifens 21 ab. Im Fall einer Stichleitungskonfiguration des Steuer- und Adressbusses ist die zugehörige Stichleitung zwischen den Kontaktstreifen 21 und dem Puf­ fer 22 eingeschleift. Wenn das Speichermodul in das Speichersystem von Fig. 1 eingekoppelt ist, zweigt die Steuer- und Adress-Stichleitung des Speichermoduls vom gemeinsamen Steuer- und Adressbus CAB auf der Systemplatine 10 ab.
Im Speichersystem von Fig. 1 und dem Speichermodul von Fig. 2 wird eine Datenbuskonfiguration vom kurzen Durchschleifungstyp verwendet. Der Datenfluss kreuzt hierbei die Speichermodule 12a bis 12d, wie durch die Pfeile der Datenbusse DB1 bis DB8 von Fig. 1 repräsentiert. Im jeweiligen Speichermodul führt, wie in Fig. 2 zu erkennen, die jeweilige Busleitung in das Speichermodul 12, wird über die Speicherbauelemente 20a bis 20d geleitet und führt dann wieder heraus. In diesem Prozess umfasst der Kon­ taktstreifen 21 für jedes Bit des Datenbusses sowohl einen Eingabean­ schluss als auch einen Ausgabeanschluss.
Wie oben erläutert, teilen sich beim Speichersystem von Fig. 1 die Spei­ chermodule 12a und 12b der ersten Gruppe, die mit dem ersten Kanal ver­ bunden sind, und die Speichermodule 12c und 12d der zweiten Gruppe, die mit dem zweiten Kanal verbunden sind, den gemeinsamen Steuer- und Adressbus CAB und sind symmetrisch auf der linken bzw. rechten Seite desselben angeordnet. Dementsprechend sind im Kontaktstreifen 21, wie aus Fig. 2 ersichtlich, Anschlüsse in den Speichermodulen 12a und 12b der ersten Gruppe in einer umgekehrten Reihenfolge angeordnet wie An­ schlüsse in den Speichermodulen 12c und 12d der zweiten Gruppe. Dem­ gemäß sind Eingabe- und Ausgabeanschlüsse für den Steuer- und Ad­ ressbus MCAB der Speichermodule 12a bis 12d nicht parallel zur Richtung des Busses angeordnet. Dies kann die Verdrahtung des Busses etwas er­ schweren.
Um diesem Problem abzuhelfen, können spiegelbildliche Module, bei de­ nen die linke und rechte Modulseite vertauscht sind, zusätzlich entworfen und benutzt werden. Dies kann je nach Fall den Herstellungsaufwand er­ höhen, da zwei Modultypen zu entwerfen und herzustellen sind. Vorzugs­ weise wird daher vorliegend eine Platinenverdrahtungsmethode benutzt, die in Fig. 3 wiedergegeben ist und es ermöglicht, dass nur ein Speicher­ modultyp benötigt wird.
Mit der in Fig. 3 illustrierten Methode lässt sich die Platine des Speicher­ systems von Fig. 1 verdrahten. Dabei bezeichnen die Bezugszeichen 22a bis 22d Bereiche, in welche Modulsockel auf der Systemplatine 10 einge­ bracht werden. Die Datenbusse DB1 bis DB8 werden in geraden Linien verdrahtet, und der gemeinsame Steuer- und Adressbus CAB wird so ver­ drahtet, dass er von einer zur anderen Seite hin und her wechselt. Um eine solche Verdrahtung zu ermöglichen, sind im Speichermodul von Fig. 2 die Eingabeanschlüsse und die Ausgabeanschlüsse des Steuer- und Adress­ busses MCAB auf entgegengesetzten Seiten des Puffers 22 angeordnet.
Die Ausgabeanschlüsse des Steuer- und Adressbusses MCAB sind dem­ gemäß in einem Speichermodul, z. B. dem im Bereich 22d installierten Speichermodul, im gleichen Punkt angeordnet wie die Eingabeanschlüsse des Steuer- und Adressbusses MCAB im nächsten Speichermodul, z. B. im Speichermodul, das in den Bereich 22a eingebracht ist, bei dem die An­ schlüsse in umgekehrter Reihenfolge angeordnet sind. Des weiteren sind die Ausgabeanschlüsse des Steuer- und Adressbusses MCAB im einen Modul und die Eingabeanschlüsse im anderen Modul miteinander durch gerade Linien auf der Systemplatine 10 verbunden, wie in Fig. 3 ersichtlich. Auf diese Weise reicht ein einziger Typ von Speichermodul für den Aufbau des Speichersystems von Fig. 1 aus, wenn die erwähnte Verdrahtungsme­ thode benutzt wird.
Fig. 4 zeigt als Blockschaltbild eine zweite Realisierung des erfindungsge­ mäßen Speichersystems. Dieses beinhaltet eine Speichersteuerung 41 in einem vorgegebenen Bereich einer Systemplatine 40 und einen sich von der Speichersteuerung 41 aus erstreckenden, gemeinsamen Steuer- und Adressbus CAB. Die Datenbusse DB1 bis DB4 des ersten Kanals und die Datenbusse DB5 bis DB8 des zweiten Kanals gehen ebenfalls von der Speichersteuerung 41 ab und sind alternierend auf der linken und rechten Seite entlang der Richtung des Steuer- und Adressbusses CAB verlaufend angeordnet. In die Datenbusse DB1 bis DB4 des ersten Kanals sind Spei­ chermodule 42a und 42c eingekoppelt, und in die Datenbusse DB5 bis DB8 des zweiten Kanals sind Speichermodule 42b und 42d einer zweiten Gruppe eingekoppelt.
Dementsprechend ist in diesem Speichersystem die Datenbusbreite auf der Systemplatine 40 doppelt so groß wie die Datenbusbreite auf den Speichermodulen, analog zum Speichersystem der Fig. 1 und 2. Dadurch ist es wiederum möglich, ein breitbandiges Speichersystem unter Verwen­ dung relativ kleiner Speichermodule aufzubauen.
Des weiteren teilen sich beim Speichersystem von Fig. 4 alle Speichermo­ dule 42a bis 42d den in der Modulmitte positionierten, gemeinsamen Steu­ er- und Adressbus CAB. Dabei sind die Speichermodule der ersten Grup­ pe, d. h. die in die Datenbusse DB1 bis DB4 des ersten Kanals eingekop­ pelten Speichermodule 42a und 42c, abwechselnd zu den Speichermodu­ len der zweiten Gruppe, d. h. den in die Datenbusse DB5 bis DB8 des zwei­ ten Kanals eingekoppelten Speichermodulen 42b und 42d, in alternieren­ den Orientierungen im wesentlichen in einer geradlinigen Weise angeord­ net, wie gezeigt.
Dementsprechend sind im Speichersystem von Fig. 4 wie beim Speicher­ system der ersten Realisierung die Anzahl von Anschlüssen der Speicher­ steuerung 41 und die Anzahl von Busleitungen auf der Systemplatine 40 reduziert. Da alle Speichermodule 42a bis 42d in einer Linie angeordnet sind, ist außerdem die Abmessung des Speichersystems in der als x- Achse bezeichneten Richtung reduziert. Dementsprechend ist die vom System belegte Fläche relativ klein, und das Anordnen der Linien auf der Systemplatine 40 wird verglichen mit herkömmlichen Auslegungen einfa­ cher.
Da im Speichersystem von Fig. 4 alle Speichermodule 42a bis 42d in einer Linie angeordnet sind, ist die Architektur des Steuer- und Adressbusses auf dem Speichermodul weniger Beschränkungen unterworfen als beim Speichersystem von Fig. 1. Wie beim Speichersystem der ersten Realisie­ rung können beim Speichersystem von Fig. 4 je nach Wahl Speichermodu­ le, in denen die Datenbusse und der Steuer- und Adressbus vom kurzen Durchschleifungstyp sind, und Speichermodule verwendet werden, in de­ nen die Datenbusse vom kurzen Durchschleifungstyp und der Steuer- und Adressbus vom Stichleitungstyp sind. Im Gegensatz zum Speichermodul von Fig. 2 sind bei dem im Speichersystem von Fig. 4 verwendeten Spei­ chermodultyp der Steuer- und Adressbus und der Puffer im Mittenbereich des jeweiligen Moduls angeordnet.
Fig. 5 veranschaulicht ein Verfahren zur Verdrahtung einer Platine im Speichersystem von Fig. 4. Ein Sockel vom Typ für Oberflächenmontage von Bauelementen (SMD), wie er für ein kleines Speichermodul mit Außen­ linien-Doppelreihenstruktur (SoDIMM) verwendet wird, oder ein Durchkon­ taktlochsockel eines üblicherweise verwendeten Doppelreihen-Speicher­ moduls (DIMM) werden bei diesem Verfahren verwendet. Die Bezugszei­ chen 52a bis 52d bezeichnen Bereiche, in denen Modulsockel auf der Sys­ templatine vorgesehen sind.
Der Sockel vom SoDIMM-Typ weist eine ausgezeichnete elektrische Cha­ rakteristik bei hoher Frequenz auf und ist klein, da er die SMD-Struktur be­ sitzt. Da der Durchkontaktlochsockel relativ groß ist, gibt es mehr Platz zur Verdrahtung auf der Systemplatine, wenn der Sockel vom SoDIMM-Typ verwendet wird, was von Vorteil ist.
Wie aus der obigen Beschreibung vorteilhafter Ausführungsbeispiele deut­ lich wird, ermöglichen das erfindungsgemäße Speichersystem und das hierfür verwendbare, erfindungsgemäße Speichermodul eine Verbesse­ rung der Betriebsgeschwindigkeit der Datenbusse und eine Erhöhung der Bandbreite durch Ausdehnen der Datenbusbreite.

Claims (19)

1. Speichersystem mit
einer Systemplatine (10),
einer Speichersteuerung (11) auf der Systemplatine und
mehreren Speichermodulen (12a bis 12d) auf der Systemplatine,
dadurch gekennzeichnet, dass
Datenbusse (DB1 bis DB4) eines ersten Kanals und Datenbusse (DB5 bis DB8) eines zweiten Kanals vorgesehen sind, die sich von der Speichersteuerung (11) aus erstrecken, und
Speichermodule (12a, 12b) einer ersten Gruppe mit den Datenbus­ sen des ersten Kanals und Speichermodule (12c, 12d) einer zweiten Gruppe mit den Datenbussen des zweiten Kanals gekoppelt sind und sich die Speichermodule der ersten und zweiten Gruppe einen gemeinsamen Steuer- und Adressbus (CAB) teilen, der sich von der Speichersteuerung (11) aus erstreckt.
2. Speichersystem nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Speichermodule so angeordnet sind, dass sie in Teilbereichen miteinander überlappen.
3. Speichersystem nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Speichermodule der ersten Gruppe und die Speicher­ module der zweiten Gruppe sich kreuzend angeordnet sind.
4. Speichersystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Speichermodule der ersten Gruppe und die Speichermodule der zweiten Gruppe von identischer Konfiguration sind.
5. Speichersystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Speichermodule der ersten Gruppe spiegelbild­ lich zu den Speichermodulen der zweiten Gruppe konfiguriert sind.
6. Speichersystem nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das jeweilige Speichermodul folgende Elemente enthält:
mehrere auf dem Speichermodul montierte Speicherbauelemente (20a bis 20d),
einen Signaleingabe- und Signalausgabebereich (21), der auf einer Seite des Speichermoduls angeordnet ist, um das Speichermodul an einen Verbinder auf der Systemplatine anzuschließen,
einen Puffer (22) oder ein Register auf dem Speichermodul und
einen zwischen den Signaleingabe- und Signalausgabebereich und den Puffer oder das Register eingeschleiften Steuer- und Adressbus (MCAB), wobei die Speicherbauelemente sequentiell mit der Ausgabelei­ tung des Puffers oder Registers verbunden sind, so dass ein über ein Steuer- und Adressbus geleitetes Signal über den Puffer oder das Register in Zeitintervallen in das jeweilige Speicherbauelement eingegeben wird.
7. Speichersystem nach Anspruch 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Datenbusse zwischen einem Eingabeanschluß und einem Aus­ gabeanschluß des Signaleingabe- und Signalausgabebereichs in Form ei­ ner kurzen Durchschleifungskonfiguration angeordnet und mit jeweils we­ nigstens einem Speicherbauelement verbunden sind.
8. Speichersystem nach Anspruch 6 oder 7, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Steuer- und Adressbus sowie der Puffer oder das Re­ gister auf einer Seite des Speichermoduls angeordnet sind und sich senk­ recht zu einer Seitenkante des Speichermoduls erstrecken, an der sich der Signaleingabe- und Signalausgabebereich befindet.
9. Speichersystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Datenbusse des ersten Kanals auf der linken Seite und die Datenbusse des zweiten Kanals auf der rechten Seite des gemeinsamen Steuer- und Adressbusses (CAB) angeordnet sind.
10. Speichersystem mit
einer Systemplatine (40),
einer Speichersteuerung (41) auf der Systemplatine und
mehreren Speichermodulen (42a bis 42d) auf der Systemplatine,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein gemeinsamer Steuer- und Adressbus (CAB), der sich von der Speichersteuerung (41) aus erstreckt, sowie Datenbusse (DB1 bis DB4) eines ersten Kanals und Datenbusse (DB5 bis DB8) eines zweiten Kanals vorgesehen sind, die sich von der Speichersteuerung aus erstrecken und alternierend sowie in derselben Richtung wie die Erstreckungsrichtung des gemeinsamen Steuer- und Adressbusses verlaufend angeordnet sind,
wobei Speichermodule einer ersten Gruppe an die Datenbusse des ersten Kanals und Speichermodule einer zweiten Gruppe an die Daten­ busse des zweiten Kanals gekoppelt sind und die Speichermodule der ers­ ten und zweiten Gruppe an den gemeinsamen Steuer- und Adressbus an­ geschlossen und in alternierender Orientierung angeordnet sind.
11. Speichersystem nach Anspruch 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das jeweilige Speichermodul folgende Elemente enthält:
mehrere auf dem Speichermodul montierte Speicherbauelemente,
einen auf einer Seite des Speichermoduls angeordneten Signalein­ gabe- und Signalausgabebereich zum Anschließen des Speichermoduls an einen Verbinder auf der Systemplatine,
einen Puffer oder ein Register auf dem Speichermodul,
einen zwischen den Signaleingabe- und Signalausgabebereich und den Puffer oder das Register eingeschleiften Steuer- und Adressbus (MCAB) und
mehrere zwischen einem Eingabeanschluss und einem Ausgabean­ schluss des Signaleingabe- und Signalausgabebereichs in einer Durch­ schleifungskonfiguration gebildete Datenbusse (MDB1 bis MDB4), die je­ weils mit wenigstens einem Speicherbauelement verbunden sind, wobei die Speicherbauelemente mit einer Ausgabeleitung des Puffers oder Re­ gisters verbunden sind.
12. Speichersystem nach einem der Ansprüche 6 bis 11, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Steuer- und Adressbus über einen Eingabe­ anschluss des Signaleingabe- und Signalausgabebereichs zugeführt ist, über den Puffer oder das Register führt und über einen Ausgabeanschluss des Signaleingabe- und Signalausgabebereichs abführt.
13. Speichersystem nach Anspruch 11 oder 12, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Steuer- und Adressbus vom gemeinsamen Steuer- und Adressbus auf der Systemplatine abzweigt.
14. Speichersystem nach einem der Ansprüche 11 bis 13, weiter da­ durch gekennzeichnet, dass der Steuer- und Adressbus und der Puffer o­ der das Register im Mittenbereich des Speichermoduls angeordnet sind.
15. Speichermodul mit
mehreren darauf montierten Speicherbauelementen (20a bis 20d),
dadurch gekennzeichnet, dass
auf einer Seite des Speichermoduls ein Signaleingabe- und Signal­ ausgabebereich (21) angeordnet ist, um das Speichermodul an einen Verbinder auf einer Systemplatine anzuschließen,
ein Puffer (22) oder ein Register auf dem Speichermodul vorgesehen ist und
ein zwischen den Signaleingabe- und Signalausgabebereich und den Puffer oder das Register eingeschleifter Steuer- und Adressbus (MCAB) vorgesehen ist,
wobei die Speicherbauelemente sequentiell mit einer Ausgabelei­ tung des Puffers oder Registers verbunden sind, so dass ein über den Steuer- und Adressbus geleitetes Signal in Zeitintervallen über den Puffer oder das Register in das jeweilige Speicherbauelement eingegeben wird.
16. Speichermodul nach Anspruch 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Steuer- und Adressbus in Form einer kurzen Durchschleifungs­ konfiguration über einen Eingabeanschluss des Signaleingabe- und Sig­ nalausgabebereichs zugeführt, über den Puffer oder das Register geführt und über einen Ausgangsanschluss des Signaleingabe- und Signalausga­ bebereichs abgeführt ist.
17. Speichermodul nach Anspruch 15 oder 16, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Steuer- und Adressbus vom gemeinsamen Steuer- und Adressbus auf der Systemplatine in Form einer Stichleitungskonfiguration abzweigt.
18. Speichermodul nach einem der Ansprüche 15 bis 17, weiter dadurch gekennzeichnet, dass es mehrere Datenbusse beinhaltet, die zwischen einen Eingabeanschluss und einen Ausgabeanschluss des Signaleingabe- und Signalausgabebereichs in einer Durchschleifungskonfiguration gebil­ det und jeweils mit wenigstens einem Speicherbauelement verbunden sind.
19. Speichermodul nach einem der Ansprüche 15 bis 18, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Steuer- und Adressbus und der Puffer oder das Register senkrecht zu derjenigen Seite des Speichermoduls angeordnet sind, auf der sich der Signaleingabe- und Signalausgabebereich befindet.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009021944A1 (de) * 2009-05-19 2010-12-02 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtungen und Verfahren zum Speichern von Daten in einem Speicher

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6643752B1 (en) * 1999-12-09 2003-11-04 Rambus Inc. Transceiver with latency alignment circuitry
US7404032B2 (en) * 2000-01-05 2008-07-22 Rambus Inc. Configurable width buffered module having switch elements
US7356639B2 (en) * 2000-01-05 2008-04-08 Rambus Inc. Configurable width buffered module having a bypass circuit
US6502161B1 (en) 2000-01-05 2002-12-31 Rambus Inc. Memory system including a point-to-point linked memory subsystem
US7363422B2 (en) * 2000-01-05 2008-04-22 Rambus Inc. Configurable width buffered module
US20050010737A1 (en) * 2000-01-05 2005-01-13 Fred Ware Configurable width buffered module having splitter elements
US7266634B2 (en) * 2000-01-05 2007-09-04 Rambus Inc. Configurable width buffered module having flyby elements
US7010642B2 (en) * 2000-01-05 2006-03-07 Rambus Inc. System featuring a controller device and a memory module that includes an integrated circuit buffer device and a plurality of integrated circuit memory devices
KR100335501B1 (ko) * 2000-06-09 2002-05-08 윤종용 향상된 데이터 버스 성능을 갖는 메모리 모듈
GB2379543B (en) * 2000-09-05 2003-09-10 Samsung Electronics Co Ltd System comprising memory module
US6889304B2 (en) 2001-02-28 2005-05-03 Rambus Inc. Memory device supporting a dynamically configurable core organization
US7610447B2 (en) 2001-02-28 2009-10-27 Rambus Inc. Upgradable memory system with reconfigurable interconnect
US6646903B2 (en) * 2001-12-03 2003-11-11 Intel Corporation Ferroelectric memory input/output apparatus
EP1474747B1 (de) * 2002-02-06 2006-09-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adressenraum, bussystem, speicherungssteuerung und einrichtungssystem
JP4173970B2 (ja) * 2002-03-19 2008-10-29 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム及びメモリモジュール
JP4159415B2 (ja) * 2002-08-23 2008-10-01 エルピーダメモリ株式会社 メモリモジュール及びメモリシステム
KR100468761B1 (ko) * 2002-08-23 2005-01-29 삼성전자주식회사 분할된 시스템 데이터 버스에 연결되는 메모리 모듈을구비하는 반도체 메모리 시스템
KR100929143B1 (ko) 2002-12-13 2009-12-01 삼성전자주식회사 컴퓨터 및 그 제어방법
US8190808B2 (en) 2004-08-17 2012-05-29 Rambus Inc. Memory device having staggered memory operations
US7280428B2 (en) 2004-09-30 2007-10-09 Rambus Inc. Multi-column addressing mode memory system including an integrated circuit memory device
US7254075B2 (en) 2004-09-30 2007-08-07 Rambus Inc. Integrated circuit memory system having dynamic memory bank count and page size
US8595459B2 (en) 2004-11-29 2013-11-26 Rambus Inc. Micro-threaded memory
US11328764B2 (en) 2005-09-26 2022-05-10 Rambus Inc. Memory system topologies including a memory die stack
US7464225B2 (en) * 2005-09-26 2008-12-09 Rambus Inc. Memory module including a plurality of integrated circuit memory devices and a plurality of buffer devices in a matrix topology
US7562271B2 (en) 2005-09-26 2009-07-14 Rambus Inc. Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device
DE102006006571A1 (de) * 2006-02-13 2007-08-16 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung und Verfahren zum Betreiben einer Halbleiteranordnung
US20070260841A1 (en) 2006-05-02 2007-11-08 Hampel Craig E Memory module with reduced access granularity
US20080024997A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Apple Computer, Inc. Staggered memory layout for improved cooling in reduced height enclosure
DE102006051514B4 (de) * 2006-10-31 2010-01-21 Qimonda Ag Speichermodul und Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls
US20080123305A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-channel memory modules for computing devices
KR100833601B1 (ko) 2007-03-07 2008-05-30 삼성전자주식회사 반도체 메모리 시스템 및 메모리 모듈
JPWO2008139691A1 (ja) * 2007-04-26 2010-07-29 パナソニック株式会社 光ディスク用レーベルプリンタ、感熱記録型プリンタ及び感熱記録方法
KR101854251B1 (ko) 2010-11-30 2018-05-03 삼성전자주식회사 멀티 채널 반도체 메모리 장치 및 그를 구비하는 반도체 장치
US9268719B2 (en) 2011-08-05 2016-02-23 Rambus Inc. Memory signal buffers and modules supporting variable access granularity
US20130111122A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-02 Futurewei Technologies, Inc. Method and apparatus for network table lookups
CN102890961B (zh) * 2012-09-28 2015-08-12 无锡江南计算技术研究所 存储体结构
KR102365111B1 (ko) 2014-07-07 2022-02-18 삼성전자주식회사 메모리 모듈 세트, 이를 포함한 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 시스템
KR102229942B1 (ko) 2014-07-09 2021-03-22 삼성전자주식회사 멀티 다이들을 갖는 멀티 채널 반도체 장치의 동작 방법 및 그에 따른 반도체 장치
KR102179297B1 (ko) * 2014-07-09 2020-11-18 삼성전자주식회사 모노 패키지 내에서 인터커넥션을 가지는 반도체 장치 및 그에 따른 제조 방법
KR102064873B1 (ko) 2018-02-21 2020-01-10 삼성전자주식회사 메모리 모듈 및 이를 구비하는 메모리 시스템
KR20200065762A (ko) * 2018-11-30 2020-06-09 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템
CN113360432B (zh) * 2020-03-03 2024-03-12 瑞昱半导体股份有限公司 数据传输系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5597077A (en) * 1979-01-16 1980-07-23 Hitachi Ltd Memory circuit
CA1232355A (en) * 1983-09-02 1988-02-02 Wang Laboratories, Inc. Single in-line memory module
GB2204163B (en) * 1987-04-11 1991-10-16 Apple Computer Self-identifying scheme for memory
GB2229557B (en) * 1989-03-08 1993-04-07 Plus 5 Eng Ltd An addressable memory cartridge
EP0458516B1 (de) 1990-05-25 1997-11-05 AT&T Corp. Busanordnung für Speicherzugriff
JPH0776942B2 (ja) * 1991-04-22 1995-08-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション マルチプロセッサ・システムおよびそのデータ伝送装置
US5479624A (en) * 1992-10-14 1995-12-26 Lee Research, Inc. High-performance interleaved memory system comprising a prime number of memory modules
US5367632A (en) * 1992-10-30 1994-11-22 International Business Machines Corporation Flexible memory controller for graphics applications
IN188196B (de) * 1995-05-15 2002-08-31 Silicon Graphics Inc
US5860080A (en) 1996-03-19 1999-01-12 Apple Computer, Inc. Multicasting system for selecting a group of memory devices for operation
JP3559415B2 (ja) * 1997-02-27 2004-09-02 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5896346A (en) * 1997-08-21 1999-04-20 International Business Machines Corporation High speed and low cost SDRAM memory subsystem
JPH11251539A (ja) * 1998-03-06 1999-09-17 Mitsubishi Electric Corp 回路モジュール
US6128748A (en) * 1998-03-25 2000-10-03 Intel Corporation Independent timing compensation of write data path and read data path on a common data bus
US6003121A (en) * 1998-05-18 1999-12-14 Intel Corporation Single and multiple channel memory detection and sizing
US6016282A (en) 1998-05-28 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Clock vernier adjustment
US6334159B1 (en) * 1998-12-22 2001-12-25 Unisys Corporation Method and apparatus for scheduling requests within a data processing system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009021944A1 (de) * 2009-05-19 2010-12-02 Texas Instruments Deutschland Gmbh Elektronische Vorrichtungen und Verfahren zum Speichern von Daten in einem Speicher

Also Published As

Publication number Publication date
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