DE10104563A1 - Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements - Google Patents

Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements

Info

Publication number
DE10104563A1
DE10104563A1 DE10104563A DE10104563A DE10104563A1 DE 10104563 A1 DE10104563 A1 DE 10104563A1 DE 10104563 A DE10104563 A DE 10104563A DE 10104563 A DE10104563 A DE 10104563A DE 10104563 A1 DE10104563 A1 DE 10104563A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic
semiconductor element
transmitter
semiconductor
receiver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE10104563A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernhard Stegmueller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10104563A priority Critical patent/DE10104563A1/de
Priority to JP2002561985A priority patent/JP2004523900A/ja
Priority to US10/470,447 priority patent/US20040105609A1/en
Priority to PCT/DE2002/000258 priority patent/WO2002061473A2/de
Priority to EP02706628A priority patent/EP1358514A2/de
Publication of DE10104563A1 publication Critical patent/DE10104563A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
    • H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12107—Grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12109—Filter
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterelement (100) mit einer integrierten Halbleiterstruktur. Auf dieser integrierten Halbleiterstruktur sind ein optoelektronischer Sender (103) sowie ein optoelektronischer Empfänger (104) befestigt. Der optoelektronische Sender (103) und der optoelektronische Empfänger (104) sind zur Optoelektronischen Signalübertragung innerhalb des Halbleiterelements (100) eingerichtet und mittels eines Filterelementes (105) von ihrer Umgebung außer voneinander entkoppelt. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Erzeugen eines derartigen Halbleiterelements (100).

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterelement und ein Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements.
Zur Signalübertragung in einer integrierten Schaltung auf einem Halbleitersubstrat wird gemäß dem Stand der Technik ein elektrisches Verfahren oder ein elektronisches Verfahren eingesetzt. Diese Verfahren limitieren jedoch die Datenrate, mit der Signale innerhalb der integrierten Schaltung auf einem Halbleitersubstrat von einem Bauelement zu einem anderen Bauelement übertragen werden können. Bei einer Signalübertragung mit einer kleinen Trägerbandbreite von < 1 GHz kann deshalb lediglich eine maximale Datenrate von bis zu 10 GBit/s erreicht werden. Außerdem wird bei größer werdender Trägerbandbreite der Signalübertragung die maximale Datenrate zusätzlich kleiner.
Zusätzlich begrenzen elektrische Verfahren oder elektronische Verfahren bei der Signalübertragung in einer integrierten Schaltung durch die dabei notwendigen Leiterbahnen die Möglichkeit zur Miniaturisierung der integrierten Schaltung. Des weiteren bedingen die Leiterbahnen durch ihren elektrischen Widerstand einen hohen Energieverbrauch.
Besondere Bedeutung gewinnen diese Probleme bei einer hochintegrierten Schaltung (VLSI-Schaltung = very large scale integration).
Der Erfindung liegt somit das Problem zugrunde, ein Halbleiterelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements anzugeben, mit dem bei geringerem Energie- und Platzverbrauch und trotz großer Trägerbandbreite bei der Signalübertragung eine höhere maximale Datenrate erreicht werden kann.
Das Problem wird durch ein Halbleiterelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelements mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.
Ein Halbleiterelement weist eine integrierte Halbleiterstruktur auf. Auf der integrierten Halbleiterstruktur sind ein optoelektronischer Sender sowie ein optoelektronischer Empfänger befestigt. Der optoelektronische Sender und der optoelektronische Empfänger sind zur optoelektronischen Signalübertragung innerhalb des Halbleiterelements eingerichtet und mittels eines Filterelementes von ihrer Umgebung außer voneinander entkoppelt.
Bei einem Verfahren zum Erzeugen eines Halbleiterelements mit optoelektronischer Signalübertragung werden auf einer integrierten Halbleiterstruktur ein optoelektronischer Sender sowie ein optoelektronischer Empfänger angebracht. Weiterhin wird auf der integrierten Halbleiterstruktur auf allen Seiten außer an einander zugewandten Seiten des optoelektronischen Senders und des optoelektronischen Empfängers eine als Filterelement ausgebildete Bragg-Struktur angebracht.
Ein Vorteil der Erfindung ist, dass das erfindungsgemäße Halbleiterelement eine maximale Datenrate von über 10 GBit/s mit einer großen Trägerbandbreite bei der Signalübertragung erreichen kann. Diese große Datenrate wird vor allem ermöglicht durch optoelektronische Wandler, speziell den optoelektronischen Sender sowie den optoelektronischen Empfänger (beispielsweise einen Laserdioden-Sender und einen Photodioden-Empfänger), welche Signale mit einer Datenrate von mehr als 10 GBit/s wandeln können und noch dazu einen geringen Platzbedarf von maximal 20 × 5 µm2 haben, weshalb diese Wandler auch Mikrowandler genannt werden. Diese Mikrowandler weisen dementsprechend auch kleine elektrische Kontakte auf, die sich ebenfalls für die hohen Datenraten eignen. Die Mikrowandler können auf Grund ihrer Leistung einen maximalen Abstand von einigen Zentimetern zueinander haben, weshalb die Erfindung speziell für einen Einsatz in hochintegrierten Schaltungen vorgesehen ist.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Halbleiterelements ist eine Verringerung des Platzbedarfs auf dem Halbleiterelement, da zur Signalübertragung zwischen mehreren Bauelementen keine elektrischen Verbindungen dieser Bauelemente mehr erforderlich sind. Eine optische Signalübertragung kann prinzipiell auch an Luft erfolgen. Weiterhin ist es bei optischer Signalübertragung möglich, mehrere Signalübertragungspfade innerhalb einer Ebene zu kreuzen, ohne dabei die übertragenen Signale zu beeinträchtigen. Somit wird durch das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung eines solchen Halbleiterelements der Herstellungsaufwand von Halbleiterelementen reduziert, da weniger kreuzungsfreie elektrische Verbindungen in den unterschiedlichen aufgewachsenen und geätzten Schichten erforderlich sind. Dadurch werden der Designaufwand, und damit der Herstellungsaufwand, sowie die Herstellungskosten deutlich reduziert.
Vorteilhaft ist auch das in der Erfindung vorgesehene Filterelement. Dieses ermöglicht es, störende Einflüsse auf die optoelektronischen Wandler zu minimieren. Weiterhin kann durch geschickte Anordnung des Filterelements erreicht werden, dass mehrere optoelektronische Wandler ohne gegenseitige Beeinflussung sehr nahe nebeneinander positioniert werden können. Somit kann der relevante Platzbedarf auf dem Halbleitersubstrat minimiert werden und dennoch bleibt die Signalübertragung zwischen zwei optoelektronischen Wandlern gewährleistet. Folglich hat das vorgesehene Filterelement für den zugehörigen Wandler isolierende Wirkung gegenüber optischer Energie, die nicht von dem diesem Wandler zugehörigen optoelektronischen Sender gesendet wurde. Typischerweise hat ein im erfindungsgemäßen Halbleiterelement verwendetes Filterelement eine Dicke von bis zu 5 µm.
Schließlich ergibt sich noch als weiterer Vorteil, dass durch eine optische Signalübertragung auf dem Halbleiterelement weniger Abwärme durch elektrischen Widerstand, welcher einem Stromfluss in elektrischen Leiterbahnen entgegensteht, produziert wird, wodurch eine Kühlung des Halbleiterelements weniger aufwändig als bei üblichen Halbleiterelementen erfolgen kann. Außerdem wird bei optischer Signalübertragung im Vergleich zu elektrischer Signalübertragung durch den reduzierten elektrischen Widerstand und damit die reduzierte Abwärme der Energieverbrauch reduziert.
In einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterelements kann auch zwischen dem optoelektronischen Sender und dem optoelektronischen Empfänger ein Filterelement vorgesehen sein. Dadurch kann beispielsweise eine bessere Entkopplung des optoelektronischen Senders von der Signalübertragungsstrecke erreicht werden. Somit kann eine Beeinflussung des optoelektronischen Senders durch störende Rückwirkungseffekte weitestgehend vermieden werden. Im Gegensatz dazu sollte der optoelektronische Empfänger optisch möglichst gut an die Signalübertragungsstrecke angekoppelt sein. Folglich sollten optische Reflexionen am Eingang des optoelektronischen Empfängers, beispielsweise durch den Einsatz eines Filterelements direkt vor dem Eingang des optoelektronischen Empfängers, vermieden werden.
Vorzugsweise weist das verwendete Filterelement mindestens eine im wesentlichen vollständig reflektierende Grenzfläche auf. D. h. die Grenzfläche hat einen Reflexionskoeffizienten von nahezu 100% für jegliche optische Strahlung, welche ohne Filterelement ungewollt in einen der beiden optoelektronischen Wandler eindringen würde. Unter einer im wesentlichen vollständig reflektierenden Grenzfläche ist dabei eine Grenzfläche zwischen einem ersten Medium, in welches die optische Strahlung zurückreflektiert wird, mit einem ersten Brechungsindex n1 und einem zweiten Medium mit einem zweiten Brechungsindex n2 zu verstehen, wobei sich das Verhältnis der beiden Brechungsindizes n1/n2 wesentlich von eins unterscheidet. Durch den Einsatz des Filterelements kann somit eine eventuelle Beeinträchtigung bei der Erzeugung oder dem Empfang der zu übertragenden Signale vermieden werden.
Als im wesentlichen vollständig reflektierende Grenzfläche wird vorzugsweise eine mehrdimensionale Bragg-Struktur eingesetzt, beispielsweise ein photonischer Kristall. Mehrdimensionale Bragg-Strukturen sind periodische Strukturen und haben den Vorteil, dass sie ganz gezielt in bezug auf ihre Filterwirkung hergestellt werden können, beispielsweise epitaktisch oder monolithisch.
In einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterelements ist zwischen dem optoelektronischen Sender und dem optoelektronischen Empfänger ein optoelektronischer Modulator vorgesehen.
In einer weiteren bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterelements ist zwischen dem optoelektronischen Sender und dem optoelektronischen Empfänger ein optoelektronischer Verstärker vorgesehen.
Vorzugsweise kann zur Signalübertragung zwischen dem optoelektronischen Sender und dem optoelektronischen Empfänger ein Wellenleiter vorgesehen sein, welcher entweder eine Wellenleiterstruktur oder ein photonischer Kristall sein kann. Der Wellenleiter kann geradlinig oder auch in beliebiger Form gebogen sein und muss dabei nur gewährleisten, dass vom optoelektronischen Sender emittierte Signale den optoelektronischen Empfänger erreichen können.
Das erfindungsgemäße Halbleiterelement ist bevorzugt derart eingerichtet, dass zumindest eine der folgenden Komponenten ein Halbleitermaterial aufweist: der Wellenleiter, die Bragg- Struktur, der optoelektronische Sender, der optoelektronische Empfänger, der optoelektronische Modulator, der optoelektronische Verstärker.
Vorzugsweise handelt es sich bei dem Halbleitermaterial um einen III-V-Halbleiter. Alternativ kann es sich bei dem Halbleitermaterial aber auch um einen II-VI-Halbleiter handeln. Des weiteren könnte auch zumindest eine der oben genannten Komponenten einen III-V-Halbleiter aufweisen, während zumindest eine weitere der oben genannten Komponenten einen II-VI-Halbleiter aufweisen könnte. Ferner kann das Halbleitermaterial auch einen IV-Halbleiter, beispielsweise Silizium, aufweisen. Der Wellenleiter und/oder das Filterelement können jedoch auch ein anderes elektrooptisch passives Material aufweisen.
In einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterelements sind der optoelektronische Sender als Laserdiode, der optoelektronische Empfänger als Photodiode und das Filterelement als photonischer Kristall ausgebildet. Als optoelektronischer Modulator kann ein Elektroabsorptionsmodulator (EAM) vorgesehen sein. Eine Laserstruktur mit induzierter Emission könnte als optoelektronischer Verstärker verwendet werden. Selbstverständlich sind unterschiedlichste Kombinationen von optoelektronisch aktiven Komponenten zur Verwirklichung der optoelektronischen Wandler möglich.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird auf der integrierten Halbleiterstruktur vorzugsweise zwischen dem optoelektronischen Sender und dem optoelektronischen Empfänger eine als Filterelement ausgebildete Bragg-Struktur angebracht.
Vorzugsweise wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auf der integrierten Halbleiterstruktur zwischen dem optoelektronischen Sender und dem optoelektronischen Empfänger ein optoelektronischer Modulator angebracht.
Zusätzlich oder alternativ zu dem optoelektronischen Modulator kann auch ein optoelektronischer Verstärker auf der integrierten Halbleiterstruktur angebracht werden.
Ferner kann in einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens auf der integrierten Halbleiterstruktur ein Wellenleiter angebracht werden, welcher ein vom optoelektronischen Sender emittiertes optisches Signal zum optoelektronischen Empfänger übertragen kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Komponenten.
Es zeigen
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 einen Längsschnitt durch das Halbleiterelement aus Fig. 1 entlang der Schnittlinie L1-L1;
Fig. 3 eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 4 eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 5 eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement 100 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das Halbleiterelement 100 weist eine integrierte Halbleiterstruktur an einer Substratoberfläche 102 eines Substrates 101 auf. In diesem Ausführungsbeispiel sind eine als optoelektronischer Sender 103 ausgebildete Laserdiode und eine als optoelektronischer Empfänger 104 ausgebildete Photodiode in dem Substrat 101 vorgesehen, welche derart aufeinander ausgerichtet sind, dass von dem optoelektronischen Sender 103 emittiertes Licht von dem optoelektronischen Empfänger 104 detektiert werden kann.
Sowohl der optoelektronische Sender 103 als auch der optoelektronische Empfänger 104 sind gegen Beeinträchtigung durch optische Energie, die nicht aus dem optoelektronischen Sender 103 stammt, durch erste Filterelemente 105 optisch isoliert. Die ersten Filterelemente 105 bewirken somit eine Entkopplung der optoelektronischen Wandler 103 und 104 von ihrer Umgebung, aber nicht eine Entkopplung voneinander.
Zur Vermeidung von störenden Rückwirkungseffekten sind die optoelektronischen Wandler 103 und 104 durch zweite Filterelemente 106 zusätzlich voneinander entkoppelt. In diesem Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, dass sowohl der optoelektronische Sender 103 als auch der optoelektronische Empfänger 104 durch die zweiten Filterelemente 106 vor unerwünschten Reflexionen bzw. Resonanzen geschützt werden. Ein Schutz ist dabei vorwiegend für den optoelektronischen Sender 103 notwendig, so dass auf die zweiten Filterelemente 106 am Eingang des optoelektronischen Empfängers 104 in anderen Ausführungsbeispielen verzichtet werden kann.
Die ersten Filterelemente 105 und die zweiten Filterelemente 106 können, wie gezeigt, in einem gewissen Abstand zu den optoelektronischen Wandlern 103 und 104 angeordnet sein. Es ist jedoch auch möglich, auf einen Abstand zwischen den Filterelementen 105 bzw. 106 und den optoelektronischen Wandlern 103 und 104 zu verzichten. D. h. die Filterelemente 105 bzw. 106 können als Grenzflächen der optoelektronischen Wandler 103 und 104 verwirklicht sein.
Die Funktionsweise der Filterelemente 105 bzw. 106 ist derart beschaffen, dass optische Energie aus einer ersten Richtung an einer Oberfläche der Filterelemente 105 bzw. 106 total reflektiert wird, während optische Energie aus einer zweiten Richtung, welche der ersten Richtung entgegengerichtet ist, durch die Filterelemente 105 bzw. 106 ungehindert transmittiert werden. Es kann jedoch auch optische Energie unabhängig oder abhängig von der Einfallsrichtung von den Filterelementen 105 bzw. 106 gefiltert werden. Unter Filterung von optischer Energie ist dabei beispielsweise die Auswahl bevorzugter Wellenlängen aus einem Spektrum und/oder die Minderung der Intensität des transmittierten Spektrums zu verstehen.
Als Filterelemente 105 bzw. 106 kommen in diesem Ausführungsbeispiel quasi-eindimensionale photonische Kristalle in Form von Bragg-Strukturen zur Anwendung. Die Bragg-Strukturen haben eine gewisse Wahrscheinlichkeit dafür, dass Photonen durch die Bragg-Strukturen hindurchtunneln können, so dass eine Totalreflexion von optischer Energie an den Bragg-Strukturen nicht möglich ist. Deshalb sind die Filterelemente 105 bzw. 106 derart vorgesehen, dass immer zwei Bragg-Strukturen nebeneinander angeordnet sind.
Zur Signalübertragung zwischen den optoelektronischen Wandlern 103 und 104 ist in dem Substrat 101 ein Wellenleiter 107 mit umgebendem Wellenleitermantel 108 vorgesehen. Der Wellenleiter 107 gewährleistet den optischen Energiefluss zwischen dem optoelektronischen Sender 103 und dem zugehörigen optoelektronischen Empfänger 104.
Als Material für das Substrat 101, die optoelektronischen Wandler 103 und 104, die Filterelemente 105 bzw. 106 sowie den Wellenleiter 107 und den Wellenleitermantel 108 der integrierten Halbleiterstruktur des Halbleiterelements 100 können beispielsweise II-VI-, III-V-, oder IV-IV- Halbleitermaterialien gewählt werden. Dabei ist lediglich folgendes zu beachten:
  • - Das für die optoelektronischen Wandler 103 und 104 gewählte Material muss elektrooptisch aktiv sein.
  • - Das für die Filterelemente 105 bzw. 106 gewählte Material muss die gewünschten Filtereigenschaften aufweisen.
  • - Das für den Wellenleiter 107 gewählte Material muss das vom optoelektronischen Sender 103 emittierte Lichtspektrum übertragen können.
  • - Das für den Wellenleitermantel 108 gewählte Material muss in bezug auf seinen Brechungsindex relativ zum Wellenleiter 107 derart abgestimmt sein, dass an der Grenzfläche zwischen Wellenleiter 107 und Wellenleitermantel 108 das vom optoelektronischen Sender 103 emittierte Lichtspektrum total reflektiert wird.
Eine Herstellung des Halbleiterelements 100 ist mittels üblichen Herstellungsverfahren in der Halbleiterproduktion möglich. Dazu gehören beispielsweise Ätzung, Diffusion, Dotierung, Epitaxie, Implantation und Lithographie.
Die optoelektronischen Wandler 103 und 104, die Filterelemente 105 bzw. 106 sowie der Wellenleiter 107 mit dem Wellenleitermantel 108 können im Substrat 101 integriert oder auch auf der Substratoberfläche 102 eines Wafers derart aufgebracht sein, dass sie zumindest teilweise aus dem Wafer herausragen.
Fig. 2 zeigt zur Verdeutlichung der Anordnung einen Längsschnitt durch das in Fig. 1 gezeigte Halbleiterelement 100 entlang der Schnittlinie L1-L1. In dieser Darstellung wird deutlich, dass die ersten Filterelemente 105 die optoelektronischen Wandler 103 und 104 in diesem Ausführungsbeispiel nur in quasi-zweidimensionaler Anordnung umgeben. Das bedeutet, dass die ersten Filterelemente 105 eine optische Isolierung vor allem in Richtungen parallel zur Substratoberfläche 102 ermöglichen.
In anderen Ausführungsbeispielen kann auch eine optische Isolierung der optoelektronischen Wandler 103 und 104 derart vorgesehen sein, dass die ersten Filterelemente 105 käfigförmig die optoelektronischen Wandler 103 und 104 umgeben, d. h. auch auf der Substratoberfläche 102 zugewandten und/oder abgewandten Seiten der optoelektronischen Wandler 103 und 104 erste Filterelemente 105 vorgesehen sind. Dies ist vor allem dann vorteilhaft, wenn die optoelektronischen Wandler 103 und 104 auf der Substratoberfläche 102 befestigt und zur Signalübertragung zwischen den optoelektronischen Wandlern 103 und 104 weder Wellenleiter 107 noch Wellenleitermantel 108 vorgesehen sind, so dass die Signalübertragung beispielsweise an Luft durchgeführt werden muss.
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement 300 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Auf die in Fig. 1 und Fig. 2 bereits beschriebenen Komponenten wird hier nicht erneut eingegangen. Im Unterschied zum Halbleiterelement 100 sind im Halbleiterelement 300 zusätzlich ein optoelektronischer Modulator 301 und ein optoelektronischer Verstärker 302 zwischen den optoelektronischen Wandlern 103 und 104 integriert.
Der optoelektronische Modulator 301 dient der Modulation von Licht, welches vom optoelektronischen Sender 103 emittiert wurde, und ist deshalb am Ausgang des optoelektronischen Senders 103 positioniert. Um den optoelektronischen Modulator 301 ebenfalls vor störenden Rückwirkungseffekten zu schützen, ist zwischen dem Wellenleiter 107 und dem optoelektronischen Modulator 301 ein weiteres Filterelement 303 vorgesehen.
Der optoelektronische Verstärker 302 dient der Verstärkung des von dem Wellenleiter 107 übertragenen Lichts, bevor dieses vom optoelektronischen Empfänger 104 detektiert wird. In diesem Ausführungsbeispiel ist auch der optoelektronische Verstärker 302 gegen Beeinträchtigung durch optische Energie, die nicht aus dem optoelektronischen Sender 103 stammt, durch ein weiteres Filterelement 303 geschützt.
In Fig. 4 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement 400 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt. Das Halbleiterelement 400 dieses Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von dem Halbleiterelement 300 dadurch, dass lediglich zwischen dem optoelektronischen Sender 103 und dem optoelektronischen Modulator 301 zweite Filterelemente 106 vorgesehen sind. Ein Schutz vor störenden Rückwirkungseffekten wird somit ausschließlich für den optoelektronischen Sender 103 bereitgestellt.
Auf einen separaten Schutz des optoelektronischen Empfängers 104 vor optischer Energie, die nicht aus dem optoelektronischen Sender 103 stammt, wird in diesem Ausführungsbeispiel bewusst verzichtet. Dadurch wird gleichzeitig eine ungewollte Filterung von Licht, welches vom optoelektronischen Sender 103 emittiert und vom optoelektronischen Modulator 301 moduliert wurde, vermieden. Dies erhöht im Vergleich zum Halbleiterelement 300 die Detektionsempfindlichkeit sowie die Datenrate des gesamten Halbleiterelements 400.
Fig. 5 zeigt schließlich eine Draufsicht auf ein Halbleiterelement 500 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das besondere an diesem Halbleiterelement 500 im Vergleich zu den bereits beschriebenen Halbleiterelementen ist, dass alle Filterelemente 105 bzw. 106 sowie der Wellenleitermantel 108 durch Bragg-Strukturen (quasi- zweidimensionale photonische Kristalle) verwirklicht sind, welche im Substrat 101 integriert sind.
Als optoelektronischer Sender 103 kommt eine DBR-Laserdiode (DBR = distributed Bragg reflector) oder eine DFB-Laserdiode (DFB = distributed feedback reflector) zur Anwendung, welche auf den optoelektronischen Empfänger 104 mittels des Wellenleiters 107 ausgerichtet ist. Die Bragg-Strukturen innerhalb des Halbleiterelements 500 sind je nach Aufgabe (beispielsweise Filterung und Wellenführung) unterschiedlich gestaltet. Dabei können auch beliebige Kombinationen von DBR- Strukturen (quasi-eindimensionale photonische Kristalle) und DFB-Strukturen (quasi-zweidimensionale photonische Kristalle) zur Anwendung kommen.
Die Wellenführung durch den Wellenleiter 107 erfolgt in dieser Darstellung geradlinig zwischen den beiden optoelektronischen Wandlern 103 und 104. Es ist jedoch auch die Verwendung eines in einer beliebigen Form gebogenen Wellenleiters 107 möglich.
Bezugszeichenliste
100
Halbleiterelement gemäß erster Ausführungsform
101
Substrat
102
Substratoberfläche
103
optoelektronischer Sender
104
optoelektronischer Empfänger
105
erste Filterelemente
106
zweite Filterelemente
107
Wellenleiter
108
Wellenleitermantel
300
Halbleiterelement gemäß zweiter Ausführungsform
301
optoelektronischer Modulator
302
optoelektronischer Verstärker
303
weitere Filterelemente
400
Halbleiterelement gemäß dritter Ausführungsform
500
Halbleiterelement gemäß vierter Ausführungsform

Claims (17)

1. Halbleiterelement (100) mit einer integrierten Halbleiterstruktur,
bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur ein optoelektronischer Sender (103) befestigt ist,
bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur weiterhin ein optoelektronischer Empfänger (104) befestigt ist,
bei dem der optoelektronische Sender (103) und der optoelektronische Empfänger (104) zur optoelektronischen Signalübertragung innerhalb des Halbleiterelements (100) eingerichtet sind, und
bei dem der optoelektronische Sender (103) und der optoelektronische Empfänger (104) mittels eines Filterelementes (105) von ihrer Umgebung außer voneinander entkoppelt sind.
2. Halbleiterelement (100) gemäß Anspruch 1, bei dem zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein Filterelement (106) vorgesehen ist.
3. Halbleiterelement (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das Filterelement (105, 106) mindestens eine im wesentlichen vollständig reflektierende Grenzfläche aufweist.
4. Halbleiterelement (100) gemäß Anspruch 3, bei dem die im wesentlichen vollständig reflektierende Grenzfläche eine mehrdimensionale Bragg-Struktur ist.
5. Halbleiterelement (100) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein optoelektronischer Modulator (301) vorgesehen ist.
6. Halbleiterelement (100) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein optoelektronischer Verstärker (302) vorgesehen ist.
7. Halbleiterelement (100) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein Wellenleiter (107) vorgesehen ist.
8. Halbleiterelement (100) gemäß Anspruch 7, bei dem der Wellenleiter (107) eine Wellenleiterstruktur oder ein photonischer Kristall ist.
9. Halbleiterelement (100) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine der folgenden Komponenten ein Halbleitermaterial aufweist: der Wellenleiter (107), die Bragg-Struktur, der optoelektronische Sender (103), der optoelektronische Empfänger (104), der optoelektronische Modulator (301), der optoelektronische Verstärker (302).
10. Halbleiterelement (100) gemäß Anspruch 9, bei dem als Halbleitermaterial ein III-V-Halbleiter verwendet wird.
11. Halbleiterelement (100) gemäß Anspruch 9, bei dem als Halbleitermaterial ein II-VI-Halbleiter verwendet wird.
12. Halbleiterelement (100) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche,
bei dem der optoelektronische Sender (103) eine Laserdiode ist,
bei dem der optoelektronische Empfänger (104) eine Photodiode ist, und
bei dem das Filterelement (105, 106) ein photonischer Kristall ist.
13. Verfahren zum Erzeugen eines Halbleiterelements (100),
bei dem auf einer integrierten Halbleiterstruktur ein optoelektronischer Sender (103) angebracht wird,
bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur weiterhin ein optoelektronischer Empfänger (104) angebracht wird,
und
bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur eine als Filterelement (105) ausgebildete Bragg-Struktur auf allen Seiten außer an einander zugewandten Seiten des optoelektronischen Senders (103) und des optoelektronischen Empfängers (104) angebracht wird.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) eine als Filterelement (106) ausgebildete Bragg-Struktur angebracht wird.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 oder 14, bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein optoelektronischer Modulator (301) angebracht wird.
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein optoelektronischer Verstärker (302) angebracht wird.
17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, bei dem auf der integrierten Halbleiterstruktur zwischen dem optoelektronischen Sender (103) und dem optoelektronischen Empfänger (104) ein Wellenleiter (107) angebracht wird, der ein optisches Signal vom optoelektronischen Sender (103) zum optoelektronischen Empfänger (104) übertragen kann.
DE10104563A 2001-02-01 2001-02-01 Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements Ceased DE10104563A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10104563A DE10104563A1 (de) 2001-02-01 2001-02-01 Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements
JP2002561985A JP2004523900A (ja) 2001-02-01 2002-01-25 光電子信号を伝送する半導体素子、および、そのような半導体素子の製造方法
US10/470,447 US20040105609A1 (en) 2001-02-01 2002-01-25 Optoelectronic signal transmission semi-conductor element and method for producing a semi-conductor element of said type
PCT/DE2002/000258 WO2002061473A2 (de) 2001-02-01 2002-01-25 Halbleiterelement mit optoelektronischer signalübertragung und verfahren zum erzeugen eines solchen halbleiterelements
EP02706628A EP1358514A2 (de) 2001-02-01 2002-01-25 Halbleiterelement mit optoelektronischer signalübertragung und verfahren zum erzeugen eines solchen halbleiterelements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10104563A DE10104563A1 (de) 2001-02-01 2001-02-01 Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10104563A1 true DE10104563A1 (de) 2002-08-22

Family

ID=7672516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10104563A Ceased DE10104563A1 (de) 2001-02-01 2001-02-01 Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20040105609A1 (de)
EP (1) EP1358514A2 (de)
JP (1) JP2004523900A (de)
DE (1) DE10104563A1 (de)
WO (1) WO2002061473A2 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005274927A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Furukawa Electric Co Ltd:The フォトニック結晶デバイス
US7894699B2 (en) 2006-10-16 2011-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photonic based interconnects for interconnecting multiple integrated circuits
DE102008003089A1 (de) * 2007-08-06 2009-02-26 Siemens Ag Datenübertragungssystem und Verfahren zum Übertragen von Daten in einem Datenübertragungssystem
EP2668529A4 (de) * 2011-01-25 2017-07-26 Opalux Incorporated Photonenkristallvorrichtung mit infiltrationskomponente
US9423560B2 (en) * 2011-12-15 2016-08-23 Alcatel Lucent Electronic/photonic integrated circuit architecture and method of manufacture thereof
US9508879B2 (en) * 2013-10-23 2016-11-29 Alcatel Lucent Detector device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0685432B2 (ja) * 1985-03-18 1994-10-26 株式会社日立製作所 半導体装置
FR2677490B1 (fr) * 1991-06-07 1997-05-16 Thomson Csf Emetteur-recepteur optique a semiconducteurs.
US5434426A (en) * 1992-09-10 1995-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical interconnection device
CA2153485A1 (en) * 1993-01-08 1994-07-21 Robert Meade Low-loss integrated circuits
JPH06224406A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 光集積回路
JPH09205223A (ja) * 1995-11-24 1997-08-05 Denso Corp 半導体装置
DE19746350A1 (de) * 1997-10-21 1999-04-22 Bosch Gmbh Robert Transceiver für Wellenlängemultiplex-Verfahren
KR100567974B1 (ko) * 1998-02-10 2006-04-07 인피니언 테크놀로지스 아게 광학 구조 및 광학 구조를 제조하는 방법
US6085005A (en) * 1998-02-26 2000-07-04 Lucent Technologies, Inc. Optical assembly with a coated component
JPH11271546A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Fujitsu Ltd 光送受信デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002061473A2 (de) 2002-08-08
EP1358514A2 (de) 2003-11-05
US20040105609A1 (en) 2004-06-03
JP2004523900A (ja) 2004-08-05
WO2002061473A3 (de) 2002-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19913355B4 (de) Integrierte opto-elektronische Schaltung mit ZnO-Schicht als Lichtwellenleiter
DE102004028117B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Bilden eines optoelektronischen Bauelements
EP0600267A1 (de) Bidirektionaler optischer Sende- und Empfangsmodul
DE69534989T2 (de) Integriertes optisches Regelelement und Verfahren zu seiner Herstellung und integriertoptisches Element und es verwendende integriertoptische Schaltkreisanordnung
DE3783420T2 (de) Gerichtete kopplung zwischen schichten in antiresonant reflektierenden optischen wellenleitern.
DE102014119717B4 (de) Integrierte optoelektronische Vorrichtung und System mit Wellenleiter und Herstellungsverfahren derselben
DE102011005422A1 (de) Elektrooptischer Modulator
DE102016014938A1 (de) Lichtemittervorrichtung, basierend auf einem photonischen Kristall mit säulen- oder wandförmigen Halbleiterelementen, und Verfahren zu deren Betrieb und Herstellung
DE60304961T2 (de) VCSEL mit einer reflektierenden Schicht aus Harz zur Emission einer transversalen Mode
DE112013003336T5 (de) Integrierte optoelektronische Vorrichtung mit Wellenleiter und Herstellungsverfahren derselben
DE102009041774B4 (de) Photoempfängeranordnung und Verfahren zum Betreiben eines Photoempfängers
DE112006001457T5 (de) Integrierte-Schaltung-Bauelement mit optisch gekoppelten Schichten
WO2002103867A1 (de) Opto-elektronisches lasermodul
EP3011648B1 (de) Optoelektronischer oszillator
DE10201126A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10104563A1 (de) Halbleiterelement mit optoelektronischer Signalübertragung und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Halbleiterelements
DE3809396A1 (de) Optischer sende- und empfangsmodul
DE3851764T2 (de) Hybridlaser für optisches Nachrichtenwesen.
EP1055141B1 (de) Optische struktur und verfahren zu deren herstellung
DE102004038530B3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer optischen Verbindung zwischen einem optoelektronischen Bauelement und einem Lichtwellenleiter
DE3737251C2 (de) Halbleiter-Trägerelement für ein elektro-optisches Modul
EP0948752B1 (de) Optoelektronischer modul
DE60034768T2 (de) Antireflektionsbeschichtung im signalband für eine pumpfacette
EP1618636B1 (de) Mehrsektionslaser
DE10105731A1 (de) Laserstruktur und Verfahren zur Einstellung einer definierten Wellenlänge

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection