DE10101375A1 - Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung - Google Patents
Punktkontakte für Halbleiter und deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE10101375A1 DE10101375A1 DE10101375A DE10101375A DE10101375A1 DE 10101375 A1 DE10101375 A1 DE 10101375A1 DE 10101375 A DE10101375 A DE 10101375A DE 10101375 A DE10101375 A DE 10101375A DE 10101375 A1 DE10101375 A1 DE 10101375A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- point contacts
- liquid
- metallic
- metal particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQLMHYSWFMLWBS-UHFFFAOYSA-N arsenite(1-) Chemical compound O[As](O)[O-] AQLMHYSWFMLWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- ZUGYBSSWYZCQSV-UHFFFAOYSA-N indium(3+);phosphite Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])[O-] ZUGYBSSWYZCQSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Punktkontakten zwischen einem Halbleiter und einem Elektronenleiter. Das erfindungsgemäße Verfahren macht sich eine vorherige Reduzierung einer Metallteilchen umfassenden Lösung zunutze, die beim Eintauchen eines Halbleiters in diese reduzierte Lösung ein Entstehen von Oberflächenzuständen regelmäßig verhindert.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Punktkontakte für Halb
leiter und deren Herstellungsverfahren.
Anstelle von großflächigen Kontaktierungen eines Halb
leiters werden häufig metallische Punktkontakte einge
setzt, da sie die Stromverluste durch Rekombination der
gebildeten Ladungsträger an der Oberfläche des Halblei
ters vermeiden sollen.
Diese Technik wird unter anderem in hocheffizienten
Solarzellen angewendet, bei denen ein Halbleiter über
metallische Punktkontakte mit einem Elektrolyten ver
bunden ist, wie aus "J. Knobloch, W. Wetting, Hocheffi
ziente Solarzellen, in Solarzellen, Hrsg. D. Meissner,
Vieweg, Braunschweig 1993" hervorgeht. Dabei wird der
nicht mit Punktkontakten belegte Teil der Oberfläche
beispielsweise chemisch passiviert werden, insbesondere
durch eine isolierende Oxidschicht. Weiterhin kann die
ser Teil der Oberfläche auch mit sogenannten "back sur
face fields" ausgestattet werden. Die beschriebenen
Punktkontakte werden in aufwendigen und teuren Prozes
sen lithographisch hergestellt.
Aus "A. Maier, I. Uhlendorf, D. Meissner, Electrochimi
ca Acta, 40 (1995) 1523-1535" ist bekannt, Punktkontak
te an einer Halbleiter/Elektrolyt Grenzfläche durch
einfaches Eintauchen eines Halbleiters in eine Suspen
sion oder eine kolloidale Lösung von Metallteilchen
herzustellen, so daß sich Metall auf der Oberfläche ab
scheidet. Bei dieser Technik stören jedoch die freien
Metallionen in der Lösung, die im Gleichgewicht mit den
kolloidalen Metallteilchen (Metallcluster) vorliegen.
Metallionen auf der Oberfläche führen regelmäßig zu
Stromverlusten durch Rekombination der gebildeten La
dungsträger an der Oberfläche des Halbleiters. Zur Ver
meidung dieses Problems wird daher die kolloidale Lö
sung kurz vor Eintauchen des Halbleiters chemisch redu
ziert. Nach der Abscheidung der Metallcluster auf der
Oberfläche des Halbleiters, die dann die Punktkontakte
bilden, kann der so modifizierte Halbleiter beispiels
weise in eine elektrochemische Zelle eingebaut werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfaches und zuver
lässiges Verfahren zur Herstellung von metallischen
Punktkontakten zwischen einem Halbleiter und einem
Elektronenleiter zu schaffen. Ferner ist es Aufgabe der
Erfindung, eine Vorrichtung zu schaffen, bei der die
metallischen Punktkontakte zwischen einem Halbleiter
und einem Elektronenleiter nicht die oben genannten
Nachteile aufweisen.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach An
spruch 1 sowie eine Vorrichtung gemäß Nebenanspruch.
Vorteilhafte Ausführungen ergeben sich aus den rückbe
zogenen Ansprüchen.
Das Verfahren zur Herstellung von Punktkontakten zwi
schen einem Halbleiter und einem Elektronenleiter nach
Anspruch 1 umfaßt folgende Schritte
- - eine Flüssigkeit, in der sich Metallteilchen befin den, wird chemisch reduziert,
- - ein Halbleiter wird zum Aufwachsen der metallischen Punktkontakte in diese Flüssigkeit eingetaucht,
- - die nicht mit metallischen Punktkontakten belegte Oberfläche des Halbleiters wird passiviert,
- - die aus Punktkontakten und passivierter Schicht be stehende Oberfläche wird mit einem Elektronenleiter belegt.
Geeignete Flüssigkeiten sind beispielsweise wäßrige
Lösungen oder organische Lösungsmittel, wie z. B. Ace
tonitril, in denen sich Metallteilchen lösen oder sus
pendieren lassen. Unter Metallteilchen versteht man
Metallionen, Komplexe mit Metallionen oder auch größere
(bis zu 10-8 mol/l, insbesondere 10-10 mol/l) ungeladene
metallische Partikel (Metallcluster). Geeignete Metalle
sind z. B. Pt, Ag oder Cu sowie Legierungen mit diesen
Metallen. Vorteilhaft für das Verfahren ist der Einsatz
einer Suspension oder einer kolloidalen Lösung mit Me
tallteilchen. Die Größe und die Konzentration der Me
tallcluster beeinflussen unter anderem die Größe und
die Anzahl der nach dem geltenden Verfahren auf der
Halbleiteroberfläche gebildeten metallischen Punktkon
takte.
Vor dem Eintauchen des Halbleiters in die Flüssigkeit
werden die geladenen Metallteilchen (z. B. Metallionen)
in der Flüssigkeit chemisch reduziert, so daß nur noch
wenig freie geladene Metallteilchen in der Flüssigkeit
vorhanden sind. Vorteilhaft wird die Konzentration an
freien geladenen Metallteilchen auf unter 10-8 mol/l,
insbesondere auf unter 10-10 mol/l gesenkt. Dadurch wird
verhindert, daß sich neben den erwünschten Metallclu
stern, die nach der Abscheidung auf der Oberfläche des
Halbleiters die Punktkontakte bilden, einzelne kleinere
Metallteilchen auf der Oberfläche abscheiden, die nach
teilig regelmäßig zu Rekombinationen der Ladungsträger
an der Oberfläche des Halbleiters führen. Die chemische
Reduktion der geladenen Metallteilchen wird beispiels
weise durch Zugabe eines starken Reduktionsmittels her
beigeführt. Ein geeignetes Reduktionsmittel ist z. B.
NaBH4 oder Natrium. Die Flüssigkeit, in der die Metall
teilchen suspendiert oder gelöst sind, und das Redukti
onsmittel sind aufeinander abgestimmt, so daß bei der
Zugabe des Reduktionsmittels keine unerwünschte Neben
reaktion auftritt. Beispielsweise wird bei dem Einsatz
von Natrium als Reduktionsmittel vorteilhaft keine wäß
rige Lösung mit Metallteilchen verwendet, sondern z. B.
Acetonitril, da es sonst zu einer unerwünschten Neben
reaktion des Wassers mit dem Natrium kommt. Ein Fach
mann auf dem Gebiet der Chemie ist in der Lage, die
Flüssigkeit und das Reduktionsmittel vorteilhaft so
auszuwählen, daß unerwünschten Nebenreaktionen verhin
dert werden.
Im Anschluß an die chemische Reduktion der geladenen
Metallteilchen wird der Halbleiter in diese Flüssigkeit
eingetaucht. Ein geeigneter Halbleiter ist beispiels
weise Silizium, Indiumphosphit oder Galliumarsenit. Die
zu größeren Clustern aggregierten Metallteilchen (Me
tallcluster) scheiden sich als Punktkontakte auf dem
eingetauchten Halbleiter ab, bzw. wachsen auf der Ober
fläche auf.
Die restliche, nicht durch Punktkontakte belegte, Ober
fläche des Halbleiter wird anschließend chemisch passi
viert. Dies wird beispielsweise durch die Oxidation des
Halbleiters mit Sauerstoff oder Luft erzielt. Dabei
entsteht dann eine passivierte Schicht aus z. B. Sili
ziumdioxid, Siliziumcarbid oder auch Siliziumnitrid.
Auf die derart behandelte Oberfläche des Halbleiters
(Punktkontakte und passivierte Schicht) wird anschlie
ßend ein Elektronenleiter aufgebracht. Dieser Elektro
nenleiter besteht vorteilhaft aus einem Metall. Es kann
beispielsweise ein dünner Aluminiumfilm aufgedampft
werden. Weitere geeignete Metalle sind insbesondere Au
oder Ag. Der aufgebrachte Elektronenleiter hat Kontakt
zu den Punktleitern, so daß ein Stromfluß vom Halblei
ter über die metallischen Punktkontakte zum Elektronen
leiter möglich ist.
Das anspruchsgemäße Bauelement nach Anspruch 2 weist
einen Halbleiter, einen Elektronenleiter, eine zwischen
Halbleiter und Elektronenleiter befindliche passivierte
Schicht sowie metallische Punktkontakte auf, die einen
elektronischen Kontakt zwischen dem Halbleiter und dem
Elektronenleiter bilden. Der anspruchsgemäße metalli
sche Punktkontakt zwischen dem Halbleiter und dem Elek
tronenleiter wird vorteilhaft nach einem Verfahren ge
mäß Anspruch 1 hergestellt. Die passivierte Schicht ist
für eine Elektronenleitung ungeeignet, wie beispiels
weise Siliziumdioxid, Siliziumcarbid oder auch Silizi
umnitrid. Die Elektronenleitung zwischen dem Halbleiter
und dem Elektronenleiter findet insbesondere nur über
die Punktkontakte statt. Die anspruchsgemäßen Punktkon
takte sind kleiner als 500 nm, insbesondere kleiner als
100 nm.
Vorteilhaft können solche Bauelemente als Rückkontakte
für Solarzellen oder in elektronischen Schaltungen ein
gesetzt werden.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von metallischen Festkör
per-Punktkontakten zwischen einem Halbleiter und
einem Elektronenleiter mit den Schritten
- - eine Flüssigkeit, in der sich Metallteilchen be finden, wird chemisch reduziert,
- - ein Halbleiter wird zum Aufwachsen der metalli schen Punktkontakte in diese Flüssigkeit einge taucht,
- - die nicht mit metallischen Punktkontakten beleg te Oberfläche des Halbleiters wird passiviert,
- - die aus Punktkontakten und passivierter Schicht bestehende Oberfläche wird mit einem Elektronen leiter belegt.
2. Bauelement mit einem Halbleiter und einem Elektro
nenleiter, mit einer zwischen Halbleiter und Elek
tronenleiter befindlichen passivierten Schicht so
wie metallischen Punktkontakten, wobei die Punkt
kontakte kleiner als 500 nm, insbesondere kleiner
als 100 nm sind.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10101375A DE10101375A1 (de) | 2001-01-13 | 2001-01-13 | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung |
| DE10290106T DE10290106D2 (de) | 2001-01-13 | 2002-01-05 | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung |
| PCT/DE2002/000021 WO2002056339A2 (de) | 2001-01-13 | 2002-01-05 | Punktkontakte für halbleiter und deren herstellung |
| AU33153/02A AU3315302A (en) | 2001-01-13 | 2002-01-05 | Point contacts for semiconductors and the production thereof |
| PCT/EP2002/000299 WO2002056346A2 (de) | 2001-01-13 | 2002-01-14 | Punktkontakt für halbleiter und deren herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10101375A DE10101375A1 (de) | 2001-01-13 | 2001-01-13 | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10101375A1 true DE10101375A1 (de) | 2002-07-18 |
Family
ID=7670475
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10101375A Withdrawn DE10101375A1 (de) | 2001-01-13 | 2001-01-13 | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung |
| DE10290106T Expired - Fee Related DE10290106D2 (de) | 2001-01-13 | 2002-01-05 | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10290106T Expired - Fee Related DE10290106D2 (de) | 2001-01-13 | 2002-01-05 | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU3315302A (de) |
| DE (2) | DE10101375A1 (de) |
| WO (2) | WO2002056339A2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009121604A2 (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Universität Stuttgart | Photovoltaic solar cell and method of production thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE8302798L (sv) * | 1982-06-07 | 1983-12-08 | Occidental Chem Co | Vattenhaltigt bad for stromlos utfellning av guld och sett att pa stromlos veg utfella guld med anvendning av badet |
| US5011565A (en) * | 1989-12-06 | 1991-04-30 | Mobil Solar Energy Corporation | Dotted contact solar cell and method of making same |
| DE19743692A1 (de) * | 1997-10-02 | 1999-04-08 | Zae Bayern | Multifunktionsschicht zur Verbesserung des Wirkungsgrades von kristallinen Dünnschicht Silizium Solarzellen |
| US6140234A (en) * | 1998-01-20 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Method to selectively fill recesses with conductive metal |
-
2001
- 2001-01-13 DE DE10101375A patent/DE10101375A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-01-05 WO PCT/DE2002/000021 patent/WO2002056339A2/de not_active Application Discontinuation
- 2002-01-05 DE DE10290106T patent/DE10290106D2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-05 AU AU33153/02A patent/AU3315302A/en not_active Abandoned
- 2002-01-14 WO PCT/EP2002/000299 patent/WO2002056346A2/de active Application Filing
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009121604A2 (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Universität Stuttgart | Photovoltaic solar cell and method of production thereof |
| DE102008017312A1 (de) | 2008-04-04 | 2009-10-15 | Universität Stuttgart | Photovoltaik-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
| WO2009121604A3 (en) * | 2008-04-04 | 2010-01-21 | Universität Stuttgart | Photovoltaic solar cell and method of production thereof |
| DE102008017312B4 (de) * | 2008-04-04 | 2012-11-22 | Universität Stuttgart | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10290106D2 (de) | 2003-12-04 |
| WO2002056346A2 (de) | 2002-07-18 |
| WO2002056346A3 (de) | 2002-09-19 |
| AU3315302A (en) | 2002-07-25 |
| WO2002056339A2 (de) | 2002-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0630525B1 (de) | Herstellungsverfahren einer Solarzelle mit kombinierter Metallisierung | |
| EP1792348B1 (de) | Verfahren zum aufbringen einer zinksulfid-pufferschicht auf ein halbleitersubstrat mittels chemischer badabscheidung, insbesondere auf die absorberschicht einer chalkopyrit-dünnschicht-solarzelle | |
| EP1153430B1 (de) | Verfahren zum galvanischen bilden von leiterstrukturen aus hochreinem kupfer bei der herstellung von integrierten schaltungen | |
| DE102008062591A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
| WO2009006988A1 (de) | Kontakt-struktur für euin halbleiter-bauelement sowie verfahren zur herstellung desselben | |
| DE102013111452A1 (de) | Halbleitervorrichtungen und Halbleiterverarbeitungsverfahren | |
| DE112013001641T5 (de) | Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle | |
| DE1614306C3 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Anschlüsse auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauelementes und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestelltes Bauelement | |
| DE10326273A1 (de) | Verfahren zur Reduzierung der Scheibenkontaminierung durch Entfernen von Metallisierungsunterlagenschichten am Scheibenrand | |
| DE102009010816A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements | |
| DE4311173A1 (de) | Verfahren zur stromlosen Abscheidung eines Metalls über einer Halbleiteroberfläche | |
| DE2158681C3 (de) | Verfahren zur Behandlung eines lichtemittierenden Halbleiter-Bauelements mit PN-Übergang | |
| WO1995009440A1 (de) | Verfahren zur metallisierung von solarzellen aus kristallinem silizium | |
| DE10101375A1 (de) | Punktkontakte für Halbleiter und deren Herstellung | |
| DE10228998B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum elektrochemischen Behandeln eines Substrats bei reduzierter Metallkorrosion | |
| DE102012111831B4 (de) | Integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung | |
| EP2028686B1 (de) | Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, und Verwendung dieses Verfahrens | |
| DE19631565A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Palladiumkontaktbumps auf Halbleiterschaltungsträgern | |
| DE1614310C3 (de) | Verfahren zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses auf einer Fläche eines elektronischen Bauelementes | |
| DE102009044823A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen und Verfahren zur Herstellung von Solarmodulen | |
| DE102016110464A1 (de) | Solarzellenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Solarzellenstruktur | |
| DE10360206B4 (de) | Verfahren zum selektiven galvanischen Abscheiden in einer integrierten Schaltungsanordnung, insbesondere auf Kupfer, und integrierte Schaltungsanordnung | |
| DE4012453C2 (de) | ||
| DE1614773C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer SotarzeWe | |
| DE3145008C2 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8143 | Withdrawn due to claiming internal priority |