DE19743692A1 - Multifunktionsschicht zur Verbesserung des Wirkungsgrades von kristallinen Dünnschicht Silizium Solarzellen - Google Patents
Multifunktionsschicht zur Verbesserung des Wirkungsgrades von kristallinen Dünnschicht Silizium SolarzellenInfo
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Description
In der Solarzellen Technologie werden Halbleiterstrukturen verwendet, die dazu dienen,
möglichst viele photogenerierte Ladungsträger im Solarstrom zu sammeln. Optische Verluste
in der Lichtabsorption bzw. Photoanregung und Verluste durch Rekombination der
photogenerierten Ladungsträger müssen minimiert werden, um einen möglichst hohen
Wirkungsgrad zu erreichen. Ein weiteres Anliegen der Solarzellen Technologie ist die
Kostenreduktion bei der Materialherstellung. In zunehmendem Maße wird versucht, durch
Verwendung dünner Schichten eine Kostenreduktion zu erreichen. Da kristallines Silizium ein
Halbleiter mit indirekter Bandlücke ist, wird in dünnen Silizium-Schichten je nach
Wellenlänge nur ein kleiner Bruchteil des eindringenden Lichtes absorbiert. Eine Reduktion
der Schichtdicke geht immer mit einer kleineren Absortion von Licht und damit einem
Verlust von Solarstrom einher. In der Dünnschicht-Solarzellen-Technologie muß der Weg des
Lichtes in der absorbierenden photovoltaisch aktiven Schicht verlängert werden, um
ausreichende Absorption zu erzielen. Dies wird durch geeignete Strukturierung oder durch
Rückseitenreflektoren erreicht [1]. Die am Rückseitenreflektor angelangende Strahlung wird
in die photovoltaisch aktive Schicht zurückreflektiert und kann dort zusätzliche
Ladungsträger generieren.
Die Rekombination von Ladungsträgern erfolgt im Volumen der Halbleiterschicht und
mit abnehmender Schichtdicke in zunehmendem Maß an den Grenzflächen. Die Solarzellen
Technologie versucht, neben der Verbesserung der Volumen-Materialqualität, durch eine
Passivierung der vorder- und rückseitigen Grenzflächen eine Verminderung der
Rekombination von Ladungsträgern, zu erreichen. Diese Passivierung ist bei Dünnschicht
Solarzellen von besonderer Bedeutung, da das Verhältnis Oberfläche zu Volumen im
Vergleich zu 300 µm dicken Solarzellen aus Silizium-Wafern groß ist. Zur Passivierung
dienen z. B. SiO2 und Si3N4 Schichten und/oder Kontakte mit möglichst kleinen Oberflächen.
Neuere Arbeiten [2, 3] berichten über eine Oberflächenpassivierung mittels einer dünnen
porösen Silizium Schicht. Eine andere bekannte Art der Passivierung ist der Einbau eines
rückseitigen Feldes (sog. "Back Surface Field") durch einen Sprung in der Dotierung (z. B.
p/p⁺-Silizium), welches Minoritätladungsträger an der Grenzfläche verarmen läßt und somit
die Rekombinationswahrscheinlichkeit vermindert.
In der Halbleitertechnologie allgemein wird versucht eine Verbesserung der Qualität
von Beschichtungen durch epitaktische Abscheidung des Materials auf einer
Keimvorgabeschicht zu erreichen. Um das zu erreichen, müssen die Kristallgitterabstände der
Keimvorgabeschicht denen des aufzuwachsenden Materials sehr nahe kommen. Weitere
Verbesserung der Materialqualität von Epitaxieschichten gelingt durch Verminderung von
Verunreinigungen, wie sie insbesondere bei der Dünnschicht-Silizium-Solarzellenproduktion
auf preisgünstigen Fremdsubstraten auftreten. Hierzu wird bei Silizium-Solarzellen auf
Fremdsubstraten eine Diffusions-Sperrschicht eingebaut [4, 5].
Um die photogenerierten Ladungsträger in einem äußeren Stromkreis zu nutzen,
müssen Solarzellen mit Kontakten versehen werden. Die Dünnschicht-Solarzellen-
Technologie hat Methoden und Prozesse entwickelt, geeignete Kontakte auf die Silizium-
Schichten aufzubringen. Solarzellen-Kontakte zur photovoltaisch aktiven Schicht müssen
niederohmig sein, aber aus den Kontaktmaterialien darf keine Eindiffusion von schädlichen
Verunreinigungen (insbesondere von Metallen, die als Rekombinationszentren wirken
können) in die photovoltaisch aktive Schicht erfolgen. Kontakte stellen
Rekombinationsstellen in der Solarzelle dar. Durch Verkleinerung der Kontaktfläche wird die
Rekombination vermindert, aber der Kontaktwiderstand wird erhöht. Kontakte bestehen bei
kristallinen Silizium-Solarzellen meist aus einer Al/Ag/Pd Mischung, welche als Paste
aufgebracht wird.
Der Nachteil aller bekannten Technologien zur Erhöhung der Lichteinkopplung bzw.
der Verminderung der Volumen- und Grenzflächenrekombination ist, daß die verschiedenen
Ziele zur Wirkungsgradverbesserung durch getrennte Methoden und damit in mehreren
Herstellungsprozessen erfolgen. Die bekannten Technologien sind somit insgesamt teuer in
der Produktion.
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Schichtstruktur zur Wirkungsgradverbesserung
von kristallinen Dünnschicht-Silizium-Solarzellen durch den Einbau einer
Multifunktionsschicht. Die Schichtstruktur ist in Abb. 2 gezeigt. Sie umfaßt die derzeit
bekannte Solarzellenstruktur wie sie in der Literatur vorgeschlagen wurde [5] und in
Abb. 1 gezeigt ist. Neu entsprechend der Erfindung wird eine poröse Silizium Schicht
zwischen den p⁺Rückseitenkontakt und die photovoltaisch aktive Schicht eingeschoben. Die
poröse Silizium Schicht wird mit bekannten Verfahren durch Ätzen [6] aus der bereits
abgeschiedenen p⁺Schicht erstellt. Die vergrabene poröse Siliziumschicht weist aufgrund des
von kristallinem Silizium abweichenden Brechungsindex und ihrer geeignet gewählten
Schichtdicke eine hohe Reflexion im Bereich infraroter Lichtwellenlängen auf [7]. Die
Herstellung von Interferenzfiltern auf Basis porösem Siliziums ist Stand der Technik [8]. Die
Multifunktionsschicht erfüllt weiterhin die Aufgabe der Rückseitenpassivierung sowie des
Rückseitenkontaktes. Zusätzlich wirkt die poröse Silizium Schicht als Diffusionssperrschicht
für Verunreinigungen, da ein hoher Anteil kristallinem Siliziums als Diffusionspfad wegfällt.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Schichtstruktur ist, eine Solarzelle derart herzustellen, daß
die poröse Silizium Schicht Rückseitenreflektor Rückseitenkontakt und
Rückseitenpassivierung darstellt, sowie - aufgrund der gleichen Gitterkonstante - als
Keimvorgabeschicht dient und ein epitaktisches Aufwachsen der photovoltaisch aktiven
Silizium Schicht [9] zuläßt. Die Epitaxie auf porösem Silizium ist Stand der Technik [10]. Die
erfindungsgemäße Struktur hat den Vorteil der mit bisheriger Technologie durchführbaren
Herstellung und nur eines zusätzlichen Produktionsschrittes. Die Realisierung der
Schichtstruktur führt damit zu einer deutlichen Wirkungsgradsteigerung, welche mit wenig
Mehraufwand bei der Herstellung verbunden ist.
In Abb. 2 ist eine Schichtstruktur gezeigt, welche eine vergrabene Multifunktionsschicht
enthält, auf der epitaktisch Silizium abgeschieden ist. Die Wellenlänge optimaler Reflexion ist
je nach Schichtdicke der Epitaxieschicht so gewählt, daß Licht welches höhere Eindringtiefe
als die Schichtdicke hat reflektiert wird und beim nochmaligen Durchgang durch die
photovoltaisch aktive Schicht zusätzliche Ladungsträger anregen kann. Eine Prinzipskizze
zeigt Abb. 3. Der Solarzellenprozeß liefert weiterhin eine eingebaute
Rückseitenpassivierung aufgrund einer Reduktion der Rekombination (sog. "Back Surface
Field") mit dem Vorteil einer leitfähigen Schicht zum Stromtransport. Die
Multifunktionsschicht ist mit chemischen oder elektrochemischen Methoden strukturierbar, so
daß innerhalb der Schichtenfolgen eine Serienverschaltung der durch die Strukturierung
entstehenden einzelnen Solarzellen zu einem Solarmodul vorgenommen werden kann. Die
Aufgabe des Rückseitenkontaktes und der Rückseitenpassivierung hatte die p⁺Schicht auch
in der bisherigen Technologie. Neu ist die Umwandlung eines kleinen Teils der p⁺Schicht in
poröses Silizium mit reflektierenden Eigenschaften. Eine Integration dieser
Multifunktionsschicht ist kostengünstig möglich und verbessert sowohl die optische als auch
die elektrische Funktion der Schichtfolge als Solarzelle, wie bereits erläutert. Der Ausbau der
in Abb. 1 bis 3 gezeigten Schichtfolgen zu Solarzellen ist Stand der Technik.
[1] R. Brendel, M. Hirsch, R. Plieninger, 13th
European Photovoltaic Solar Energy
Conference, (1995), Nice, p. 432
[2] L. Stahlmans et al., 14th
[2] L. Stahlmans et al., 14th
European Photovoltaic Solar Energy Conference, (1997),
Barcelona, to be published
[3] S. Strahlke et al., 14th
[3] S. Strahlke et al., 14th
European Photovoltaic Solar Energy Conference, (1997), Barcelona,
to be published
[4] A. M. Bamett et al., Progress in Photovoltaics, (1995), Vol 3, N°5
[5] H. v. Campe et al., 11th
[4] A. M. Bamett et al., Progress in Photovoltaics, (1995), Vol 3, N°5
[5] H. v. Campe et al., 11th
European Photovoltaic Solar Energy Conference, (1992), p. 1066
[6] M. G. Berger et al., Optical Interference Coatings, Florin Abeles ed., Proc. SPIE 2253, (1994), p. 865
[7] M. Thoenissen et al., Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 431, (1996), p. 373-378
[8] dt. Patent-Nr. DE: P 195 18 371.1, Forschungszentrum Jülich, M. Krüger, M. Marso, M. G. Berger, H. Münder, J. Gräber, R. Arens-Fischer, M. Thönissen, O. Glück, H. Lüth, "Verfahren zur Strukturierung porösem Siliziums, sowie eine poröses Silizium enthaltende Struktur"
[9] C. Oules et al., Materials Science and Engineering, (1989), B4, p. 435
[10] dt. Patent-Nr. DE: P 197 30 975.5, Max-Planck-Gesellschaft, R.Brendel, "Verfahren zur Herstellung von Schichten auf Gebilden auf einem Substrat, sowie des Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterbauelementen"
[6] M. G. Berger et al., Optical Interference Coatings, Florin Abeles ed., Proc. SPIE 2253, (1994), p. 865
[7] M. Thoenissen et al., Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 431, (1996), p. 373-378
[8] dt. Patent-Nr. DE: P 195 18 371.1, Forschungszentrum Jülich, M. Krüger, M. Marso, M. G. Berger, H. Münder, J. Gräber, R. Arens-Fischer, M. Thönissen, O. Glück, H. Lüth, "Verfahren zur Strukturierung porösem Siliziums, sowie eine poröses Silizium enthaltende Struktur"
[9] C. Oules et al., Materials Science and Engineering, (1989), B4, p. 435
[10] dt. Patent-Nr. DE: P 197 30 975.5, Max-Planck-Gesellschaft, R.Brendel, "Verfahren zur Herstellung von Schichten auf Gebilden auf einem Substrat, sowie des Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterbauelementen"
Claims (9)
1. Aufbau einer Dünnschicht-Silizium-Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Verbesserung des Wirkungsgrades zwischen Substrat und photovoltaisch aktive Schicht eine
Multifunktionsschicht eingebaut wird, welche die Funktionen eines optischen Reflektors,
einer Keimvorgabeschicht für Silizium-Epitaxie und mindestens eine oder mehrere der
folgenden Funktionen erfüllt: Rückseitenpassivierung, Diffusionssperrschicht und
Rückseitenkontakt.
2. Verfahren zur Herstellung einer Multifunktionsschicht nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß eine oberflächen-nahe Schicht einer kristallinen Siliziumschicht in eine
Schicht mit anderem Brechungsindex und geeigneter Dicke umgewandelt wird, derart, daß
eine erhöhte Reflexion für Licht auftritt.
3. Verfahren zur Herstellung einer Multifunktionsschicht nach Anspruch 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß diese Schicht aus porösem Silizium besteht.
4. Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Silizium-Solarzellen mit
Multifunktionsschicht nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche
der Multifunktionsschicht geeignet präpariert wird, um für den anschließenden
Beschichtungsvorgang als Keimvorgabeschicht zu wirken und epitaktisches Wachstum der
photovoltaisch aktiven Schicht zu ermöglichen.
5. Aufbau einer Dünnschicht-Silizium-Solarzelle mit Multifunktionsschicht nach Anspruch 1,
2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die umgewandelte poröse Silizium Schicht eine
Leitfähigkeit in der Größenordnung der photovoltaisch aktiven Schicht aufweist und als
Rückseitenkontakt dient.
6. Aufbau einer Dünnschicht-Silizium-Solarzelle mit Multifunktionsschicht nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die umgewandelte Silizium-Schicht eine Rückseitenpassivierung
darstellt, derart, daß Minoritätsladungsträger an der Multifunktionsschicht verarmt sind (Back
Surface Field).
7. Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Silizium-Solarzellen mit
Multifunktionsschicht nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die poröse
Silizium-Schicht als Keimschicht für die nachfolgende epitaktische Abscheidung des weiteren
Schichtaufbaus und insbesondere der photovoltaisch aktiven Schicht wirkt.
8. Aufbau einer Dünnschicht-Silizium-Solarzelle mit Multifunktionsschicht nach mindestens
einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die eingebaute Schicht strukturiert
oder mit chemischen und/oder elektrochemischen Methoden strukturierbar ist, und eine
integrierte Verschaltung zu Solarmodulen ermöglicht.
9. Aufbau einer Dünnschicht-Silizium-Solarzelle mit Multifunktionsschicht nach mindestens
einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß aufgrund der Porösität eine
gegenüber kristallinem Silizium verminderte Diffusion von Verunreinigungen in die
photovoltaisch aktive Epitaxieschicht auftritt.
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Country | Link |
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DE (1) | DE19743692A1 (de) |
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