DE10064124B4 - Schaltungsanordnung mit einer Lastunterbrechungserkennung zum Ansteuern einer Last - Google Patents

Schaltungsanordnung mit einer Lastunterbrechungserkennung zum Ansteuern einer Last Download PDF

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Abstract

Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last, die folgende Merkmale aufweist:
– eine erste Anschlussklemme (K1) zum Anlegen eines Versorgungspotentials (Vbb), eine zweite Anschlussklemme (OUT) zum Anschließen einer Last (Z) und eine Eingangsklemme (IN) zum Zuführen eines Ansteuersignals (SIN),
– einen Halbleiterschalter (T1) mit einer Laststrecke (D-S), die zwischen die erste und zweite Anschlussklemme (K1, OUT) geschaltet ist, und mit einem Steuereingang (G),
– eine Auswerteschaltung (30) mit einer Ausgangsklemme (ST), an der ein Statussignal (SST) zur Verfügung steht, einer ersten Eingangsklemme (E1), die an die Ausgangsklemme (OUT) der Schaltungsanordnung angeschlossen ist, einer zweiten Eingangsklemme (E2), die an den Steueranschluss (G) des Halbleiterschalters (T1) angeschlossen ist, und mit einem Pull-Up-Widerstand (Rp) der zwischen der Ausgangsklemme (OUT) der Schaltungsanordnung und einem Referenzpotential (Vp) verschaltet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Auswerteschaltung (30) ein erstes und ein zweites Vergleichssignal (KS1, KS2) erzeugt, die zur Erzeugung des Statussignals (SST) miteinander...

Description

  • Schaltungsanordnung mit einer Lastunterbrechungserkennung zum Ansteuern einer Last Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last.
  • Zum Ansteuern von Lasten, das heißt zum Anlegen einer Last an eine Versorgungsspannung, ist es bekannt, Schaltungsanordnungen mit einem Leistungstransistor als Schaltelement zu verwenden, wobei der Leistungstransistor zwischen einer Anschlussklemme zur Zuführung eines Versorgungspotentials und einer Ausgangsklemme zum Anschließen der Last verschaltet ist.
  • Des weiteren sind Schaltungsanordnungen bekannt, bei denen neben dem Halbleiterschaltelement eine Auswerteschaltung vorgesehen ist, die zur Erkennung einer Unterbrechung einer am Ausgang angeschlossenen Last dient. Derartige Schaltungsanordnungen sind beispielsweise sogenannte PROFET der Familie BTS 410, die von der Siemens AG, München, vertrieben werden.
  • In Stengl/Tihanyi: "Leistungs-MOS-FET Praxis", Pflaum Verlag, München, 1992, Seite 120, Bild 7.3.4 ist ausschnittsweise ein Blockschaltbild eines solchen PROFET der Familie BTS 410 dargestellt, der neben einem als Leistungs-MOSFET ausgebildeten Halbleiterschaltelement, dessen Drain-Source-Strecke zwischen einem Versorgungspotential und einer Ausgangsklemme verschaltet ist, eine Auswerteschaltung zur Erkennung einer Lastunterbrechung aufweist. Die Auswerteschaltung ist dabei an die Ausgangsklemme angeschlossen.
  • Lastunterbrechungsschaltungen weisen üblicherweise einen sogenannten Pull-Up-Widerstand auf, über den die Ausgangsklemme an ein Referenzpotential, das mit dem Versorgungspotential übereinstimmen kann, angeschlossen ist. Dieser Pull-Up- Widerstand ist üblicherweise wesentlich größer als der Widerstand einer an die Ausgangsklemme angeschlossenen Last und zieht das Potential an der Ausgangsklemme auf den Wert des Referenzpotentials, wenn keine Last angeschlossen ist und der Schalter sperrt. Ist eine Last zwischen die Ausgangsklemme und ein zweites Versorgungspotential geschaltet und sperrt der Schalter, so zieht die Last das Potential an der Ausgangsklemme annäherungsweise auf den Wert des zweiten Versorgungspotentials.
  • Das Erkennen einer Lastunterbrechung ist anhand der Auswertung des an der Ausgangsklemme anliegenden Potentials nur bei sperrendem Schalter möglich. Zur Detektion des sperrenden Schalters ist es bekannt, ein Ansteuersignal auszuwerten, das der Schaltungsanordnung zugeführt ist und nach dessen Maßgabe der Schalter leitet oder sperrt. Nachteilig ist hierbei, dass ein als Schalter eingesetzter Leistungstransistor üblicherweise erst zeitverzögert nach einer Schaltflanke des Ansteuersignals schaltet. Um zu verhindern, dass eine Auswertung des Potentials an der Ausgangsklemme bereits dann erfolgt, wenn der Schalter noch nicht sperrt, was zu einem fehlerhaften Auswerteergebnis führen könnte, wird das Potential an der Ausgangsklemme erst zeitverzögert nach der Schaltflanke des Ansteuersignals ausgewertet. Diese Zeitverzögerung beträgt aus Sicherheitsgründen und unter Einbeziehung des Temperaturverhaltens der Schaltungsanordnung und sonstiger Unsicherheitsfaktoren etwa das Dreifache der üblichen Schaltverzögerung des Leistungstransistors. Der Schalter muss während dieser Verzögerungszeit ausgeschaltet bleiben.
  • Um das Vorliegen einer Lastunterbrechung während des Betriebs zu untersuchen, ist es erforderlich, den Schalter kurz abzuschalten, und das Potential an der Ausgangsklemme auszuwerten. Die Abschaltdauer sollte dabei so kurz sein, dass es nicht zu einer Störung der angeschlossenen Last kommt. Bei einer Lampe als Last sollte die Abschaltdauer dabei so kurz sein, dass kein für das menschliche Auge sichtbares Flackern der Lampe auftritt.
  • Diesem Erfordernis genügen bekannte Schaltungsanordnungen, bei denen die Auswertung des Potentials an der Ausgangsklemme zeitverzögert nach einer Schaltflanke des Eingangssignals erfolgt und bei denen der Schalter vergleichsweise lange abgeschaltet bleiben muss, bis das Potential ausgewertet werden kann, nicht.
  • Die DE 40 26 398 A1 beschreibt eine Schaltungsanordnung zur Überwachung des Schaltstatus eines als High-Side-Schalters eingesetzten Halbleiterschalters, wobei die Schaltungsanordnung abhängig von einem Ansteuersignal des Halbleiterschalters die Spannung über der Laststrecke des Halbleiterschalters oder die Spannung über der Last auswertet und als Statussignal einem Mikroprozessor zur Verfügung stellt.
  • Die EP 0 525 522 A2 beschreibt eine Schaltungsanordnung zur Lastzustandserkennung eines als Low-Side-Schalters eingesetzten Halbleiterschalters, wobei parallel zur Last ein Pull-Up-Widerstand geschaltet ist. Eine Auswerteschaltung wertet abhängig von einem Ansteuersignal des Halbleiterschalters das Potential an einem der Last und dem Halbleiterschalter gemeinsamen Knoten aus.
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last zur Verfügung zu stellen, bei der eine für eine Lastunterbrechung erforderliche Abschaltung für eine kürzere Zeitdauer als bei derartigen Schaltungsanordnungen nach dem Stand der Technik erforderlich ist.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last weist eine erste Anschlussklemme zum Anlegen eines Versorgungspotentials, eine zweite Anschlussklemme zum Anschließen einer Last und eine Eingangsklemme zum Zuführen eines Ansteuersignals auf. Ein Schalter, vorzugsweise ein Leistungstransistor, insbesondere ein Leistungs-MOSFET, ist mit seiner Laststrecke zwischen die erste und zweite Anschlussklemme geschaltet und weist einen Steuereingang auf. Weiterhin weist die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung eine Auswerteschaltung mit einer Ausgangsklemme, an der ein Statussignal zur Verfügung steht, einer ersten Eingangsklemme, die an die Ausgangsklemme der Schaltungsanordnung angeschlossen ist, und mit einer zweiten Eingangsklemme, an der ein von dem Schaltzustand des Schalters abhängiges Signal anliegt, auf.
  • Das von dem Schaltzustand des Schalters abhängige Signal zeigt unmittelbar den Schaltzustand des Schalters an und ermöglicht eine Auswertung des Potentials an der Ausgangsklemme zur Erkennung einer Lastunterbrechung unmittelbar nach Vorliegen eines auf einen gesperrten Schalter hindeutenden Signalpegels dieses Signals.
  • Das von dem Schaltzustand des Schalters abhängige Signal ist vorzugsweise ein Potential an der Steuerelektrode des Schalters, eine Spannung zwischen der Steuerelektrode und dem zweiten Lastanschluss, das heißt die Gate-Source-Spannung bei Leistungs-MOSFET, oder ein Strom zwischen dem ersten und zweiten Lastanschluss des Schalters, das heißt der Drain-Strom, bei Leistungs-MOSFET.
  • Die Auswerteschaltung weist vorzugsweise eine erste Vergleicheranordnung zum Vergleich des an der Ausgangsklemme anliegenden Potentials mit einem ersten Referenzsignal und eine zweite Vergleicheranordnung zum Vergleich des von dem Schaltzustand des Schalters abhängigen Signals mit einem zweiten Referenzsignal auf.
  • Am Ausgang der ersten Vergleicheranordnung steht ein erstes Vergleichssignal zur Verfügung, das abhängig davon, ob das Ausgangssignal größer oder kleiner als das erste Referenzsignal ist, einen ersten oder einen zweiten Signalpegel annimmt. Am Ausgang der zweiten Vergleicheranordnung steht vorzugsweise ein zweites Vergleichssignal zur Verfügung, das abhängig davon, ob das von dem Schaltzustand abhängige Signal größer oder kleiner als das zweite Referenzsignal ist, einen ersten oder zweiten Signalpegel annimmt. Das zweite Referenzsignal und das von dem Schaltzustand abhängige Signal sind dabei vorzugsweise so aufeinander abgestimmt, dass der Schalter sicher sperrt, wenn ein bestimmter der beiden Signalpegel vorliegt. Bei Verwendung eines Leistungs-MOSFET als Schalter und bei Auswertung der Gate-Source-Spannung des MOSFET als von dem Schaltzustand abhängiges Signal ist das zweite Referenzsignal vorzugsweise kleiner als die Einsatzspannung des MOSFET gewählt.
  • Die Ausgangsklemme der Schaltungsanordnung ist über einen Pull-Up-Widerstand in der Auswerteschaltung, der vorzugsweise wesentlich größer als der Widerstand einer an die Ausgangsklemmen anschließbaren Last ist, an ein Referenzpotential angeschlossen. Ist keine Last angeschlossen, wird bei gesperrtem Schalter das Potential an der Ausgangsklemme der Schaltungsanordnung annäherungsweise auf den Wert des Referenzpotentials hochgezogen. Ist eine Last zwischen die Ausgangsklemme und ein zweites Versorgungspotential geschaltet, nimmt bei gesperrtem Schalter das Potential an der Ausgangsklemme annäherungsweise den Wert des zweiten Versorgungspotentials an, das sich von dem Referenzpotential unterscheidet. Das erste Referenzsignal, mit dem das Ausgangspotential mittels der ersten Vergleicheranordnung verglichen wird, ist so auf die Werte des Referenzpotentials und des zweiten Versorgungspotentials abgestimmt, dass das zweite Vergleichssignal abhängig davon, ob das Ausgangspotential den Wert des Referenzpotentials oder den Wert des zweiten Versorgungspotentials annimmt -ob also eine Last an die zweite Anschlussklemme angeschlossen ist oder nicht-, den ersten oder den zweiten Signalpegel annimmt.
  • Das erste und zweite Vergleichssignal sind einer Verknüpfungsschaltung, vorzugsweise einem NAND-Glied zugeführt, welche aus den Vergleichssignalen das am Ausgang der Auswerteschaltung zur Verfügung stehende Statussignal erzeugt.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigt:
  • 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last mit einem Schalter und einer Auswerteschaltung,
  • 2 Schaltungsanordnung nach 1 mit einer Auswerteschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
  • 3 Zeitliche Verläufe ausgewählter in 2 eingezeichneter Signale bei angeschlossener Last und nicht angeschlossener Last.
  • In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
  • 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung 10 zur Ansteuerung einer Last Z. Die Schaltungsanordnung weist eine erste Anschlussklemme K1 auf, die in 1 zur Veranschaulichung der Funktion der Schaltungsanordnung 10 an ein erstes Versorgungspotential Vbb angeschlossen ist. Die Schaltungsanordnung 10 weist weiterhin eine zweite Anschlussklemme OUT zum Anschließen der Last Z auf, wobei die Last in 1 zur Veranschaulichung der Funktion der Schaltungsanordnung 10 zwischen der Anschlussklemme OUT und einem zweiten Versorgungspotential GND verschaltet ist. Zwischen die erste Anschlussklemme K1 und die zweite Anschlussklemme OUT ist in der Schaltungsanordnung 10 ein Schalter T1 geschaltet, der in dem Ausführungsbeispiel als Leistungs-MOSFET ausgebildet ist, dessen Drain-Anschluss an die erste Anschlussklemme K1 und dessen Source-Anschluss an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen ist.
  • Die Schaltungsanordnung 10 weist des weiteren einen Steuereingang IN zur Zuführung eines Ansteuersignals SIN auf, wobei der Steuereingang IN in dem Ausführungsbeispiel über eine Treiberschaltung 20 an den Gate-Anschluss G des MOSFET T1 an geschlossen ist. Der MOSFET T1 leitet und sperrt nach Maßgabe des Ansteuersignals SIN, welches durch die Treiberschaltung 20 in ein Ansteuersignal mit geeigneten Ansteuerpegeln für den MOSFET T1 umgesetzt wird. Ist der MOSFET T1 leitend angesteuert, so fällt annäherungsweise die gesamte zwischen dem ersten Versorgungspotential Vbb und dem zweiten Versorgungspotential GND anliegende Versorgungsspannung über der Last Z ab und die Last Z ist angesteuert. Sperrt der MOSFET T1, so fällt die Versorgungsspannung an dem MOSFET T1 ab.
  • Die Schaltungsanordnung 10 stellt ein Statussignal SST zur Verfügung, welches mittels einer Schaltungsanordnung, beispielsweise einem Mikrocontroller μP, der auch das Ansteuersignal SIN erzeugt, ausgewertet werden kann und welches eine Information dahingehend beinhaltet, ob an die zweite Anschlussklemme OUT eine Last Z angeschlossen ist oder ob sich die Schaltungsanordnung 10 bei nicht angeschlossener Last Z im Leerlauf befindet. Zur Bereitstellung des Statussignals SST ist eine Auswerteschaltung vorgesehen, welche eine erste Eingangsklemme E1 aufweist, die an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen ist und welche eine zweite Eingangsklemme E2 aufweist, der ein von dem Schaltzustand des MOSFET T1 abhängiges Signal zugeführt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 ist die zweite Eingangsklemme E2 an den Gate-Anschluss G des MOSFET T1 angeschlossen. Das von dem Schaltzustand des MOSFET T1 abhängige Signal ist in diesem Fall das Gate-Potential des MOSFET T1 bzw. dessen Gate-Source-Spannung Ugs, die zwischen der zweiten Eingangsklemme E2 und der ersten Eingangsklemme E1 anliegt.
  • 2 zeigt die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung gemäß 1, wobei eine Ausführungsform der Auswerteschaltung 30 im Zusammenhang mit der Schaltungsanordnung 10 im Detail dargestellt ist.
  • Die Auswerteschaltung 30 weist einen Pull-Up-Widerstand Rp auf, der zwischen die erste Eingangsklemme E1 bzw. die zweite Anschlussklemme OUT der Schaltungsanordnung 10, und ein Referenzpotential Vp geschaltet ist. Dieses Referenzpotential Vp kann mit dem ersten Versorgungspotential Vbb übereinstimmen. Ist innerhalb einer integrierten Schaltung, in welcher die Schaltungsanordnung 10 zum Einsatz kommt, neben dem ersten Versorgungspotential Vbb ein weiteres Versorgungspotential vorhanden, so kann dies als Referenzpotential Vp herangezogen werden. Ein üblicher Wert für das erste Versorgungspotential Vbb ist 12V, ein üblicher Wert für das Referenzpotential Vp ist 5V.
  • Die Schaltungsanordnung 10 weist eine erste Vergleicheranordnung K1 auf, die in dem Ausführungsbeispiel als Komparator ausgebildet ist, dessen Plus-Eingang an die erste Eingangsklemme E1 zur Zuführung des Ausgangspotentials, bzw. der Ausgangsspannung Uout angeschlossen ist. Einem Minus-Eingang des Komparators K1 ist ein von einer Referenzspannungsquelle Vref1 bereitgestelltes erstes Referenzsignal RS1 zugeführt. An einem Ausgang des Komparators K1 steht ein erstes Vergleichssignal KS1 zur Verfügung, welches von einem Vergleich des Ausgangspotentials mit dem ersten Referenzsignal RS1 abhängig ist.
  • Die Auswerteschaltung 30 weist einen Subtrahierer oder einen Differenzverstärker DV auf, dessen Plus-Eingang an die zweite Eingangsklemme E2 und dessen Minus-Eingang an die erste Eingangsklemme E1 angeschlossen ist und an dessen Ausgang ein Differenzsignal DS zur Verfügung steht, welches von der zwischen der zweiten Eingangsklemme E2 und der ersten Eingangsklemme E1 anliegenden Gate-Source-Spannung Ugs des MOSFET T1 abhängig ist. Aufgabe des Differenzverstärkers DV ist es dabei im wesentlichen, ein von der Gate-Source-Spannung Ugs abhängiges Differenzsignal DS zur Verfügung zu stellen, welches auf ein Bezugspotential, im vorliegenden Fall zweit Versorgungspotential GND bezogen ist, um in einer dem Differenzverstärker DV nachgeschalteten Vergleicheranordnung einen Vergleich des Differenzsignals DS mit einem ebenfalls auf das Bezugspotential GND bezogenen Referenzsignal RS2 durchzuführen.
  • Die zweite Vergleicheranordnung, die dem Differenzverstärker DV nachgeschaltet ist, ist in dem Ausführungsbeispiel ebenfalls als Komparator K2 ausgebildet, wobei dem Minus-Eingang des Komparators K2 das Differenzsignal DS zugeführt ist und wobei dem Plus-Eingang des Komparators das zweite Referenzsignal RS2 zugeführt ist, das von einer zweiten Referenzspannungsquelle Vref2 zur Verfügung gestellt ist. Am Ausgang des zweiten Komparators K2 steht ein zweites Vergleichssignal KS2 zur Verfügung, welches von einem Vergleich des Differenzsignals DS mit dem zweiten Referenzsignal RS2 abhängig ist. Das erste und zweite Vergleichssignal KS1, KS2 sind eine in dem Ausführungsbeispiel als NAND-Glied ausgebildeten Verknüpfungsschaltung zugeführt, wobei am Ausgang des NAND-Glieds das Statussignal SST zur Verfügung steht.
  • Aufgabe der Auswerteschaltung 30 ist es, das Potential an der zweiten Anschlussklemme OUT der Schaltungsanordnung 10 bei sperrendem MOSFET T1 auszuwerten und abhängig von diesem Potential das Statussignal SST zu erzeugen, um eine Lastunterbrechung an der zweiten Anschlussklemme OUT zu erkennen. Ist eine Last Z an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen, so entspricht das Potential an der zweiten Anschlussklemme OUT bei sperrendem MOSFET T1 im wesentlichen dem zweiten Versorgungspotential GND; da der Pull-Up-Widerstand wesentlich größer als der maximale Widerstand einer an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossenen Last Z ist und an dem Pull-Up-Widerstand ein Großteil der Versorgungsspannung abfällt. Ist keine Last an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen so zieht der Pull-Up-Widerstand das Potential der Ausgangsklemme OUT annäherungsweise auf den Wert des Referenzpotentials Vp. Das Statussignal SST nimmt abhängig davon, ob eine Last an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen ist oder nicht, das heißt abhängig davon, ob das Potential an der Ausgangsklemme OUT dem zweiten Versorgungspotential GND oder dem Referenzpotential Vp entspricht, einen oberen oder einen unteren Signalpegel an, wie im folgenden anhand ausgewählter Signalverläufe in 3 erläutert ist.
  • 3 zeigt untereinander in den 3a bis 3f zeitliche Verläufe des Eingangssignals SIN, der Gate-Source-Spannung Ugs bzw. des Differenzsignals DS, des Ausgangspotentials Uout, des zweiten Vergleichssignals K2, des ersten Vergleichssignals KS1 und des Statussignals ST. Im linken Teil der Zeitdiagramme ist dabei der Fall dargestellt, dass eine Last an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen ist, während der rechte Teil der Zeitdiagramme den Fall veranschaulicht, bei welchem sich die Schaltungsanordnung im Leerlauf befindet.
  • Zunächst wird der Fall betrachtet, bei welchem eine Last an die Ausgangsklemme OUT angeschlossen ist. Der n-Kanal-MOSFET T1 ist dabei zunächst leitend angesteuert, d.h. das Eingangssignal SIN befindet sich auf einem oberen Signalpegel, wobei dieser obere Signalpegel durch die Treiberschaltung 20 in einen geeigneten Ansteuerpegel für den als High-Side-Schalter eingesetzten MOSFET T1 umgesetzt ist, wobei aus diesem Ansteuerpegel eine Gate-Source-Spannung resultiert, die sich ebenfalls auf einem oberen Pegel befindet.
  • Bei leitend angesteuertem MOSFET T1 fällt annäherungsweise die gesamte Versorgungsspannung über der Last Z ab, weshalb sich auch das Ausgangspotential Uout an der zweiten Anschlussklemme OUT auf einem oberen Signalpegel befindet. Sinkt das Eingangssignal SIN zum Zeitpunkt t0 auf einen unteren Signalpegel ab, so beginnt der MOSFET T1 angesteuert durch die Treiberschaltung 20 zu sperren, wobei die Gate-Source-Spannung Ugs ab dem Zeitpunkt t0 kontinuierlich absinkt. Die Zeitdauer innerhalb derer die Gate-Source-Spannung Ugs von dem oberen Signalpegel auf den unteren Signalpegel absinkt ist unter anderem von der Gate-Kapazität des MOSFET T1 abhängig, die bei leitendem Transistor geladen und bei sperrendem Transistor entladen werden muss. Mit dem kontinuierlichen Absinken der Gate-Source-Spannung des MOSFET T1 geht der MOSFET T1 in einen sperrenden Zustand über, wodurch auch das Ausgangspotential Uout beginnend mit dem Zeitpunkt t0 kontinuierlich über der Zeit absinkt.
  • Der Signalverlauf der Gate-Source-Spannung Ugs in 3b entspricht qualitativ dem Signalverlauf des Differenzsignals DS, welches von dem Differenzverstärker DV aus der Gate-Source-Spannung Ugs erzeugt wird. 3b zeigt auch das zweite Referenzsignal RS2, mit welchem das Differenzsignal DS verglichen wird. Das zweite Referenzsignal RS2 ist in dem Ausführungsbeispiel so gewählt, dass der MOSFET T1 sicher sperrt, wenn das Differenzsignal DS auf den Wert des zweiten Referenzsignals RS2 abgesunken ist. Dieser Wert ist in dem Zeitverlauf gemäß 3b zum Zeitpunkt t1 erreicht, wobei das Ausgangspotential Uout zu diesem Zeitpunkt bei angeschlossener Last Z und vollständig sperrendem MOSFET T1 auf den unteren Signalpegel abgesunken ist, der annäherungsweise dem zweiten Versorgungspotential GND entspricht.
  • Das zweite Vergleichssignal KS2 nimmt einen unteren Signalpegel an, solange das Differenzsignal DS größer als das zweite Referenzsignal RS2 ist und das Differenzsignal DS steigt zum Zeitpunkt t1, zu dem das Differenzsignal DS das zweite Referenzsignal RS2 unterschreitet, auf einen oberen Signalpegel an.
  • Das erste Vergleichssignal KS1 ist von einem Vergleich des Ausgangspotentials Uout mit dem ersten Referenzsignal RS1 abhängig, welches in 3c ebenfalls eingezeichnet ist. Das erste Vergleichssignal KS1 nimmt dabei einen oberen Signalpegel an, solange das Ausgangspotential Uout größer als das erste Referenzsignal RS1 ist und sinkt auf einen unteren Signalpegel ab, wenn das Ausgangspotential Uout das erste Referenzsignal RS1 unterschreitet. Der Wert des ersten Referenzsignals RS1 ist größer als der untere Signalpegel, welchen das Ausgangspotential Uout bei angeschlossener Last annehmen kann. Ein Zeitpunkt t3, zu dem das erste Vergleichssignal KS1 auf den unteren Signalpegel absinkt, liegt damit vor dem Zeitpunkt t1, zu welchem der MOSFET T1 vollständig sperrt und das Ausgangspotential Uout auf den unteren Signalpegel absinkt.
  • Das Statussignal ST resultiert aus einer NAND-Verknüpfung des ersten und zweiten Vergleichssignals KS1, KS2. Das Statussignal ST nimmt damit immer dann einen oberen Signalpegel an, wenn sich das erste und zweite Vergleichssignal KS1, KS2 nicht gleichzeitig auf einem oberen Signalpegel befinden. Dieser Fall tritt bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung nicht ein, wenn eine Last an die zweite Anschlussklemme OUT angeschlossen ist. Denn in diesem Fall nimmt das erste Vergleichssignal KS1 zum Zeitpunkt t3 einen unteren Signalpegel an, bevor das zweite Vergleichssignal KS2 zum Zeitpunkt t1 auf einen oberen Signalpegel ansteigt. Das Statussignal ST befindet sich somit bei angeschlossener Last dauerhaft auf einem oberen Signalpegel.
  • Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung kann das Statussignal ST bereits zum Zeitpunkt t1, zu welchem das Differenzsignal DS unter dem Wert des zweiten Referenzsignals RS2 gefallen ist und zu dem der MOSFET T1 vollständig sperrt, ausgewertet werden. Befindet sich das Statussignal ST ab diesem Zeitpunkt auf einem oberen Signalpegel, so deutet dies auf eine an die zweite Anschlussklemme Uout angeschlossene Last hin.
  • Ist keine Last an die zweite Anschlussklemme Uout angeschlossen, so sinkt das Statussignal ST ab einem Zeitpunkt t11, bei dem das Differenzsignal DS kleiner als das zweite Referenzsignal RS2 wird, auf einen unteren Signalpegel, wie im folgenden erläutert wird. Sinkt das Eingangssignal SIN zum Zeitpunkt t10 auf einen unteren Signalpegel ab, so sinken beginnend mit diesem Zeitpunkt t10 die Gate-Source-Spannung Ugs und das Differenzsignal DS ab, wobei das Differenzsignal DS zum Zeitpunkt t11 den Wert des zweiten Referenzsignals RS2 unterschreitet. Das zweite Vergleichssignal KS2 steigt dann von einem unteren Signalpegel auf einen oberen Signalpegel an. Das zeitliche Verhältnis der Zeitpunkte t10 und t11 entspricht dem Verhältnis der Zeitpunkte t0 und t1 im linken Teil der Zeitverläufe. Das Ausgangspotential Uout kann bei nicht angeschlossener Last nicht unter den Wert des zweiten Referenzpotentials Vp absinken, welches so gewählt ist, dass es größer als das erste Referenzsignal RS1 ist. Da das Ausgangspotential Uout nicht unter den Wert des ersten Referenzsignals RS1 absinken kann, bleibt das erste Vergleichssignal KS1 bei nicht angeschlossener Last dauerhaft auf einem oberen Signalpegel. Dies führt dazu, dass das Statussignal ST dem invertierten zweiten Vergleichssignal entspricht und zum Zeitpunkt t11 auf den unteren absinkt.
  • Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung weist das Statussignal SST, das abhängig von der Gate-Source-Spannung Ugs des MOSFET T1 erzeugt wird, damit bereits zu Zeitpunkten t10, t11, die kurz nach der Abschaltflanke des Eingangssignals SIN liegen, einen Signalpegel auf, der korrekt auf eine angeschlossene oder nicht angeschlossene Last an der zweiten Anschlussklemme hinweist.
  • Anstelle der Gate-Source-Spannung, die in den Ausführungsbeispielen der Auswerteschaltung 30 als ein von dem Schaltzustand des MOSFET T1 abhängiges Signal zugeführt ist, kann der Auswerteschaltung auch der Drain-Strom des MOSFET T1 oder ein weiteres von dem Schaltzustand des MOSFET T1 abhängiges Signal zugeführt werden.
  • Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung wurde vorstehend mit einem Leistungs-MOSFET beschrieben, der als sogenannter High-Side-Schalter verschaltet ist, der also zwischen einem höheren Versorgungspotential und der Last angeschlossen ist, wobei die Last mit einer dem Schalter abgewandten Klemme an ein niedrigeres Potential, insbesondere Masse, angeschlossen ist. Die vorliegende Erfindung ist selbstverständlich auch auf Schaltungsanordnungen mit einem Low-Side-Schalter anwendbar, bei welchen die Last zwischen dem positiven Versorgungspotential und dem Schalter liegt und der Schalter mit einer der Last abgewandten Anschlussklemme an ein niedrigeres Versorgungspotential, insbesondere Masse angeschlossen ist. Der Pull-Up-Widerstand ist dabei ebenfalls an ein niedrigeres Potential, insbesondere Masse anzuschließen.
  • 10
    Schaltungsanordnung
    20
    Treiberschaltung
    30
    Auswerteschaltung
    Vbb
    erstes Versorgungspotential
    GND
    zweites Versorgungspotential
    Z
    Last
    K1
    erste Anschlussklemme
    OUT
    zweite Anschlussklemme
    Vp
    Referenzpotential
    Rp
    Pull-Up-Widerstand
    D
    Drain-Anschluss
    S
    Source-Anschluss
    T1
    MOSFET
    G
    Gate-Anschluss
    E1
    erste Anschlussklemme der Auswerteschaltung
    E2
    zweite Anschlussklemme der Auswerteschaltung
    IN
    Ansteuereingang
    FIN
    Ansteuersignal
    SST
    Statussignal
    KS1
    erstes Vergleichssignal
    KS2
    zweites Vergleichssignal
    K1, K2
    Komparatoren
    Vref1, Vref2
    Spannungsquellen
    RS1, RS2
    Referenzsignale
    DV
    Differenzverstärker
    DS
    Differenzsignal

Claims (3)

  1. Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last, die folgende Merkmale aufweist: – eine erste Anschlussklemme (K1) zum Anlegen eines Versorgungspotentials (Vbb), eine zweite Anschlussklemme (OUT) zum Anschließen einer Last (Z) und eine Eingangsklemme (IN) zum Zuführen eines Ansteuersignals (SIN), – einen Halbleiterschalter (T1) mit einer Laststrecke (D-S), die zwischen die erste und zweite Anschlussklemme (K1, OUT) geschaltet ist, und mit einem Steuereingang (G), – eine Auswerteschaltung (30) mit einer Ausgangsklemme (ST), an der ein Statussignal (SST) zur Verfügung steht, einer ersten Eingangsklemme (E1), die an die Ausgangsklemme (OUT) der Schaltungsanordnung angeschlossen ist, einer zweiten Eingangsklemme (E2), die an den Steueranschluss (G) des Halbleiterschalters (T1) angeschlossen ist, und mit einem Pull-Up-Widerstand (Rp) der zwischen der Ausgangsklemme (OUT) der Schaltungsanordnung und einem Referenzpotential (Vp) verschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteschaltung (30) ein erstes und ein zweites Vergleichssignal (KS1, KS2) erzeugt, die zur Erzeugung des Statussignals (SST) miteinander verknüpft werden, wobei das erste Vergleichssignal (KS1) durch einen Vergleich des an der ersten Eingangsklemme (E1) anliegenden Signals mit einem ersten Referenzsignal (Vref1) gebildet wird und das zweite Vergleichssignal (KS2)durch einen Vergleich eines zweiten Referenzsignals (Vref2) mit einem aus einer Differenz des Signals an der zweiten Eingangsklemme (E2) und des Signals an der ersten Eingangsklemme (E1) gebildeten Differenzsignals (DS) gebildet wird.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei dem das Referenzpotential (Vp) das erste Versorgungspotential (Vbb) ist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Auswerteschaltung (30) ein NAND-Glied aufweist, dem das erste und zweite Vergleichssignal (KS1, KS2) zugeführt sind, wobei an einem Ausgang des NAND-Glieds das Status-Signal (SST) abgreifbar ist.
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