DE10048196A1 - Verbindungshalbleiter-Bauteil und Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents

Verbindungshalbleiter-Bauteil und Verfahren zum Herstellen desselben

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Abstract

Durch die Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter-Bauteils der III-V-Gruppe auf Galliumnitrid-Basis mit den folgenden Schritten geschaffen: DOLLAR A - Herstellen einer Halbleiter-Stapelstruktur auf einem Substrat (1), die über eine Verbindungshalbleiterschicht (3) der III-V-Gruppe auf n-Galliumnitird-Basis eine aktive Schicht und eine Verbindungshalbleiterschicht der III-V-Gruppe auf p-Galliumnitrid-Basis verfügt; DOLLAR A - Ätzen der Halbleiter-Stapelstruktur zum Freilegen eines Teils der n-Halbleiterschicht (3); DOLLAR A - Herstellen einer ersten Elektrode (8A) auf der n-Halbleiterschicht, wobei diese erste Elektrode eine Ohmsche Kontaktschicht (81), eine Sperrschicht (83) auf der Ohmschen Kontaktschicht und eine Kontaktfleckschicht (84) auf der Sperrschicht aufweist; DOLLAR A - Ausführen eines Temperprozesses zum Senken des Kontaktwiderstands zwischen der ersten Elektrode und der n-Halbleiterschicht und zum gleichzeitigen Aktivieren der p-Halbleiterschicht und; DOLLAR A - Herstellen einer zweiten Elektrode (8B) auf der p-Halbleiterschicht.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verbindungshalbleiter-Bauteil aus der III-V-Gruppe auf Galliumnitrid-Basis sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben.
Seit Epitaxieschichten aus der III-V-Gruppe auf Nitridbasis, wie Galliumnitrid (GaN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), In­ diumgalliumnitrid (InGaN) und Aluminiumindiumgalliumnitrid (AlInGaN) das erste Mal erfolgreich gezüchtet wurden, wurden sie zu vielversprechenden Materialien zur Verwendung in elektronischen Bauteilen für Betrieb bei hoher Temperatur/­ hoher Leistung sowie in optoelektronischen Bauteilen, und zwar wegen ihrer direkten, großen Bandlücke, ihrer hohen Sättigungs-Driftgeschwindigkeit, ihres hohen Durchbruchfelds und ihrer chemischen Inertheit. Jüngere Verbesserungen bei der Kristallqualität von Epitaxieschichten bei erhöhten Do­ tierstoffkonzentrationen haben zu Laserdioden, Licht emit­ tierenden Dioden, Fotodetektoren und Mikrowellen-Feldeffekt­ transistoren, die auf Grundlage dieser epitaktischen Nitrid­ strukturen aus der III-V-Gruppe entwickelt wurden, hoher Qualität geführt.
Im Allgemeinen ist das Funktionsvermögen eines Bauteils aus der III-V-Gruppe auf Nitridbasis durch den Kontaktwiderstand beschränkt. Daher besteht eine Schlüsseltechnologie zum Er­ zielen eines höheren Funktionsvermögens von Bauteilen der III-V-Gruppe auf Nitridbasis in der Realisierung zuverlässi­ gerer Metallkontakte. Obwohl über eine große Anzahl von als Kontakte zu GaN verwendeten Metallen berichtet wurde, wird die metallische Titan/Aluminium(Ti/Al)-Doppelschicht am ver­ breitetsten als herkömmlicher Ohmscher Kontakt für n-GaN verwendet. Jedoch neigt eine derartige Ti/Al-Doppelschicht während des Herstellprozesses und des Betriebs zu Oxidation, was seinerseits zu einem hohen Ohmschen Widerstand führt.
Um die Oxidationsneigung bei hohen Temperaturen zu senken, sollte eine Gold(Au)schicht mit geringem spezifischem Wider­ stand zum Passivieren einer Ti/Al-Doppelschicht wirkungsvoll sein. Jedoch würde Gold in die GaN-Halbleiterschicht eindif­ fundieren und diese durchdringen, was zu einer Beeinträchti­ gung der thermischen Stabilität und der Eigenschaften be­ treffend Ohmsche Kontakte des Halbleiterbauteils führen würde.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die einen typischen Aufbau eines Lichtemissions-Bauteils (LED) 100 aus einem Verbin­ dungshalbleiter der III-V-Gruppe auf GaN-Basis zeigt.
Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, verfügt eine LED 100 über ein isoliertes Substrat 1 aus z. B. Saphir. Das Substrat 1 verfügt über eine erste Hauptfläche 1a und eine zweite Hauptfläche 1b. Auf der ersten Hauptfläche 1a des Substrats 1 ist eine GaN-Pufferschicht 2 hergestellt. Auf dieser Puf­ ferschicht 2 ist eine Verbindungshalbleiterschicht 3 der III-V-Gruppe auf GaN-Basis hergestellt. Die n-Halbleiter­ schicht 3 ist mit n-Dotierstoffen wie Germanium (Ge), Selen (Se), Schwefel (S) oder Tellur (Te) dotiert. Außerdem kann die n-Halbleiterschicht 3 mit Silicium (Si) dotiert sein.
Auf der n-Halbleiterschicht 3 ist eine n-AlGaN-Schicht 4 hergestellt, auf der wiederum eine aktive Schicht 5 ausge­ bildet ist, die über Mehrfachquantentrog(MQW = Multiple Quantum Well)struktur, Einzelquantentrog(SQW = Single Quan­ tum Well)struktur oder Doppelheterostruktur (DH) aus z. B. InGaN/GaN verfügt. Auf der aktiven Schicht 5 ist eine p- AlGaN-Schicht 6 hergestellt, die mit p-Dotierstoffen wie Beryllium (Be), Strontium (Sr), Barium (Ba), Zink (Zn) oder Magnesium (Mg) dotiert ist.
Auf der p-AlGaN-Schicht 6 ist eine p-Verbindungshalbleiter­ schicht 7 der III-V-Gruppe auf GaN-Basis hergestellt, die mit p-Dotierstoffen wie Beryllium, Strontium, Barium, Zink oder Magnesium dotiert ist.
Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, verfügt die LED 100 über eine auf der n-Halbleiterschicht 3 hergestellte Elektrode 8A und eine auf der p-Halbleiterschicht 7 hergestellte Elek­ trode 8B. Herkömmlicherweise verfügt die Elektrode 8A über ein Metall wie Titan, Aluminium oder Gold, wie oben angege­ ben. Die Elektrode 8B ist eine Art Ohmscher Elektrode, und sie enthält ein Metall wie Nickel (Ni), Chrom (Cr), Gold oder Platin.
Unter Bezugnahme auf das Flussdiagramm der Fig. 2 werden nun Schritte eines herkömmlichen Herstellverfahrens für eine Licht emittierende Diode 100 erläutert.
Als Erstes werden, wie es in einem Schritt 201 dargestellt ist, die Pufferschicht 2, die n-Halbleiterschicht 3, die n- AlGaN-Schicht 4, die aktive Schicht 5, die p-AlGaN-Schicht 6 und die p-Halbleiterschicht 7 in dieser Reihenfolge auf dem Substrat 1 hergestellt.
Als Nächstes wird, wie es in einem Schritt 202 veranschau­ licht ist, ein thermischer Prozess zum Aktivieren der p- AlGaN-Schicht 6 und der p-Halbleiterschicht 7 ausgeführt. Da dotierte Magnesiumatome in der p-AlGaN-Schicht 6 und der p- Halbleiterschicht 7 Mg-H-Bindungen ausbilden, sind keine Lö­ cher vorhanden. Der thermische Prozess dient zum Zerstören der Mg-H-Bindungen und zum Aktivieren der p-AlGaN-Schicht 6 und der p-Halbleiterschicht 7. Der thermische Prozess wird bei einer Temperatur im Bereich von 650 bis 780°C für 15 bis 60 Minuten ausgeführt.
Dann werden, wie es in einem Schritt 203 dargestellt ist, die p-Halbleiterschicht 7, die p-AlGaN-Schicht 6, die aktive Schicht 5 und die n-AlGaN-Schicht 4 teilweise abgeätzt, um eine Fläche der n-Halbleiterschicht 3 freizulegen. Hierbei wird auch ein Teil der n-Halbleiterschicht 3 abgeätzt.
Als Nächstes werden, wie es in einem Schritt 204 veranschau­ licht ist, Elektroden 8A und 8B hergestellt, wobei die Elek­ trode 8A auf der n-Halbleiterschicht 3 hergestellt wird und die Elektrode 8B auf der p-Halbleiterschicht 7 hergestellt wird. Die Elektroden 8A und 8B können durch bekannte Ab­ scheidungsverfahren wie Verdampfen oder Sputtern hergestellt werden.
Als Nächstes wird, wie es in einem Schritt 205 veranschau­ licht ist, ein Temperprozess ausgeführt. Die Aufgabe dieses Schritts besteht im Senken des Ohmschen Kontaktwiderstands der Elektroden 8A und 8B. Der Temperprozess wird im Allge­ meinen bei einer Temperatur im Bereich von 300 bis 600°C ausgeführt.
Es sei darauf hingewiesen, dass die Elektroden 8A und 8B nicht gleichzeitig herzustellen sind, wie es für den Schritt 204 angegeben ist, sondern dass zuerst die Elektrode 8A und nach dem Temperprozess die Elektrode 8B hergestellt werden können.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verbindungs­ halbleiter-Bauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei denen der Ohmsche Kontakt an n-GaN bessere thermische Beständigkeit als eine herkömmliche Ti/Al/Au- Mehrfachschicht aufweist.
Diese Aufgabe ist hinsichtlich des Verfahrens durch die Leh­ re des beigefügten Anspruchs 1 und hinsichtlich des Bauteils durch die Lehre der beigefügten unabhängigen Ansprüche 7 und 8 gelöst.
Da der genannte Ohmsche Kontakt thermisch stabiler ist, kann das Herstellverfahren gegenüber dem herkömmlichen Verfahren vereinfacht werden, wodurch die Kosten gesenkt und die Aus­ beute erhöht werden können.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren ver­ anschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die eine herkömmliche Licht emittierende Verbindungshalbleiter-Diode der III-V-Gruppe auf GaN-Basis zeigt;
Fig. 2 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen von Her­ stellschritten für die Licht emittierende Diode 100 der Fig. 1;
Fig. 3 ist eine Schnittansicht, die den Elektrodenaufbau bei der Erfindung zeigt;
Fig. 4 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands von der Temperungszeit bei ver­ schiedenen Temperungstemperaturen für eine Ti/Al/Pt/Au-Elek­ trode in Kontakt mit n-GaN zeigt;
Fig. 5 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands von der Temperungszeit bei ver­ schiedenen Temperungstemperaturen für eine Ti/Al/Pt/Au-Elek­ trode in Kontakt mit n-GaN mit nicht erholtem implantiertem Si zeigt;
Fig. 6 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands von der Temperungszeit bei ver­ schiedenen Temperungstemperaturen für eine Ti/Al/Pt/Au-Elek­ trode in Kontakt mit n-GaN mit erholtem, implantiertem Si zeigt;
Fig. 7 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands von der Temperungszeit bei ver­ schiedenen Temperungstemperaturen für eine Ti/Al/Au-Elektro­ de in Kontakt mit n-GaN zeigt;
Fig. 8 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands von der Temperungszeit bei ver­ schiedenen Temperungstemperaturen für eine Ti/Al/Au-Elektro­ de in Kontakt mit n-GaN mit nicht erholtem implantiertem Si zeigt;
Fig. 9 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands von der Temperungszeit bei ver­ schiedenen Temperungstemperaturen für eine Ti/Al/Au-Elektro­ de in Kontakt mit n-GaN mit erholtem, implantiertem Si zeigt; und
Fig. 10 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen von Her­ stellschritten für eine erfindungsgemäße Licht emittierende Diode.
Bei der Beschreibung der Erfindung bedeutet der Begriff "Verbindungsleiter der III-V-Gruppe auf Galliumnitrid-Basis" einen Nitridhalbleiter eines Elements der Gruppe III, wozu Gallium gehört, wie GaN, AlGaN, InGaN oder InAlGaN.
Durch die Erfindung ist eine Struktur einer Elektrode 8A ge­ schaffen, die Folgendes aufweist: eine Ohmsche Kontakt­ schicht wie aus Titannitrid, Titan, Aluminium, Chrom, Indi­ um, Palladium oder einer Legierung aus den vorstehend ange­ gebenen Metallen; eine Sperrschicht über der Ohmschen Kon­ taktschicht aus z. B. Platin, Wolfram (W) oder Nickel; und eine Kontaktfleckschicht auf der Sperrschicht aus z. B. Gold. Da die Elektrode 8A bei der Erfindung über eine Sperr­ schicht verfügt, ist verhindert, dass das Gold der Kontakt­ fleckschicht in das Halbleiterbauteil eindiffundiert und dieses durchdringt.
Es wird nun auf Fig. 3 Bezug genommen, die ein Beispiel für die Elektrode 8A bei der Erfindung zeigt. Schichten der in Fig. 3 dargestellten Struktur sind mit denselben Bezugszah­ len gekennzeichnet, die entsprechende Schichten in Fig. 1 kennzeichnen. Wie es in Fig. 3 dargestellt ist, ist auf ei­ nem Substrat 1 eine GaN-Pufferschicht 2 hergestellt, auf der wiederum eine n-Halbleiterschicht 3 ausgebildet ist, die mit Silicium dotiert sein kann. Auf dieser Halbleiterschicht 3 ist eine Elektrode 8A ausgebildet, die eine Titanschicht 81, eine auf dieser hergestellte Aluminiumschicht 82, eine auf dieser hergestellte Platinschicht 83 und eine auf dieser hergestellte Goldschicht 84 aufweist. Die Elektrode 8A (Ti/Al/Pt/Au) als Beispiel wird unten mit ihren hervorragen­ den Eigenschaften als Ohmscher Kontakt für n-GaN veranschau­ licht.
Beispiel 1
Auf ein Saphirsubstrat wird bei 520°C eine 300 nm dicke GaN- Pufferschicht aufgewachsen. Als Nächstes wird durch metall­ organische chemische Dampfniederschlagung (MOCVD) bei 1100°C eine 2 µm dicke n-GaN-Schicht auf der GaN-Pufferschicht her­ gestellt, wobei die Konzentration und die Beweglichkeit der Ladungsträger 6,7 × 1017 cm-3 bzw. 367 cm2/Vs betragen.
Als Nächstes wird die Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au (25/100/50/200 nm) gemäß der Erfindung auf der n-GaN-Schicht herge­ stellt. So hergestellte Proben wurden in Stickstoffatmosphä­ re (N2) bei verschiedenen Temperaturen (750, 850 und 950°C) für verschiedene Zeiten getempert, und es wurde der spezifi­ sche Kontaktwiderstand (ρc) gemessen. Versuchsergebnisse sind in Fig. 4 dargestellt.
Beispiel 2
Eine 300 nm dicke GaN-Pufferschicht wird bei 520°C auf ein Saphirsubstrat aufgewachsen. Als Nächstes wird auf dieser GaN-Pufferschicht durch MOCVD bei 1100°C eine 2 µm dicke n- GaN-Schicht hergestellt, wobei die Konzentration und die Be­ weglichkeit der Ladungsträger 6,7 × 1017 cm-3 bzw. 367 cm2/Vs betragen. Dann wird Si mit einer Energie von 50 keV und einer Dosis von 5 × 1015 cm-2 in die n-GaN-Schicht implan­ tiert.
Als Nächstes wird auf der n-GaN-Schicht mit implantiertem Si eine Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au (25/100/50/200 nm) gemäß der Erfindung hergestellt. So hergestellte Proben wurden in N2- Atmosphäre bei verschiedenen Temperaturen (750, 850 und 950°C) für verschiedene Zeiten getempert, und es wurden spe­ zifische Kontaktwiderstände (ρc) gemessen. Versuchsergebnis­ se sind in Fig. 5 dargestellt.
Beispiel 3
Eine 300 nm dicke GaN-Pufferschicht wird bei 520°C auf ein Saphirsubstrat aufgewachsen. Als Nächstes wird auf dieser GaN-Pufferschicht durch MOCVD bei 1100°C eine 2 µm dicke n- GaN-Schicht hergestellt, wobei die Konzentration und die Be­ weglichkeit der Ladungsträger 6,7 × 1017 cm-3 bzw. 367 cm2/Vs betragen. Dann wird Si mit einer Energie von 50 keV und einer Dosis von 5 × 1015 cm-2 in die n-GaN-Schicht implan­ tiert. Als Nächstes wird die n-GaN-Schicht mit implantiertem Si in N2-Atmosphäre für 30 Minuten bei 1050°C getempert, um die Erholung des Kristalls zu unterstützen und um das im­ plantierte Si in der n-GaN-Schicht zu aktivieren.
Als Nächstes wird auf der n-GaN-Schicht mit implantiertem Si und erholtem Si eine Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au (25/100/50/200 nm) gemäß der Erfindung hergestellt. So hergestellte Proben wurden in N2-Atmosphäre bei verschiedenen Temperatu­ ren (750, 850 und 950°C) für verschiedene Zeiten getempert, und es wurden spezifische Kontaktwiderstände (ρc) gemessen. Versuchsergebnisse sind in Fig. 6 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 1
Eine 300 nm dicke GaN-Pufferschicht wird bei 520°C auf ein Saphirsubstrat aufgewachsen. Als Nächstes wird auf dieser GaN-Pufferschicht durch MOCVD bei 1100°C eine 2 µm dicke n- GaN-Schicht hergestellt, wobei die Konzentration und die Be­ weglichkeit der Ladungsträger 6,7 × 1017 cm-3 bzw. 367 cm2/Vs betragen.
Als Nächstes wird auf der n-GaN-Schicht eine Vergleichselek­ trode aus Ti/Al/Au (25/100/200 nm) hergestellt. So herge­ stellte Proben wurden in N2-Atmosphäre bei verschiedenen Temperaturen (750, 850 und 950°C) für verschiedene Zeiten getempert, und es wurden spezifische Kontaktwiderstände (ρc) gemessen. Versuchsergebnisse sind in Fig. 7 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 2
Eine 300 nm dicke GaN-Pufferschicht wird bei 520°C auf ein Saphirsubstrat aufgewachsen. Als Nächstes wird auf dieser GaN-Pufferschicht durch MOCVD bei 1100°C eine 2 µm dicke n- GaN-Schicht hergestellt, wobei die Konzentration und die Be­ weglichkeit der Ladungsträger 6,7 × 1017 cm-3 bzw. 367 cm2/Vs betragen. Dann wird Si mit einer Energie von 50 keV und einer Dosis von 5 × 1015 cm-2 in die n-GaN-Schicht implan­ tiert.
Als Nächstes wird auf der n-GaN-Schicht mit implantiertem Si eine Vergleichselektrode aus Ti/Al/Au (25/100/200 nm) herge­ stellt. So hergestellte Proben wurden in N2-Atmosphäre bei verschiedenen Temperaturen (750, 850 und 950°C) für ver­ schiedene Zeiten getempert, und es wurden spezifische Kon­ taktwiderstände (ρc) gemessen. Versuchsergebnisse sind in Fig. 8 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 3
Eine 300 nm dicke GaN-Pufferschicht wird bei 520°C auf ein Saphirsubstrat aufgewachsen. Als Nächstes wird auf dieser GaN-Pufferschicht durch MOCVD bei 1100°C eine 2 im dicke n- GaN-Schicht hergestellt, wobei die Konzentration und die Be­ weglichkeit der Ladungsträger 6,7 × 1017 cm-3 bzw. 367 cm2/Vs betragen. Dann wird Si mit einer Energie von 50 keV und einer Dosis von 5 × 1015 cm-2 in die n-GaN-Schicht implan­ tiert. Als Nächstes wird die n-GaN-Schicht mit implantiertem Si in N2-Atmosphäre für 30 Minuten bei 1050°C getempert, um die Erholung des Kristalls zu unterstützen und um das im­ plantierte Si in der n-GaN-Schicht zu aktivieren.
Als Nächstes wird auf der n-GaN-Schicht mit implantiertem Si und erholtem Si eine Vergleichselektrode aus Ti/Al/Au (25/100/200 nm) hergestellt. So hergestellte Proben wurden in N2-Atmosphäre bei verschiedenen Temperaturen (750, 850 und 950°C) für verschiedene Zeiten getempert, und es wurden spe­ zifische Kontaktwiderstände (ρc) gemessen. Versuchsergebnis­ se sind in Fig. 9 dargestellt.
Die unten angegebene Tabelle 1 zeigt Einzelheiten jedes der Beispiele der Erfindung.
Tabelle 1
Das Beispiel 1 gilt für die Elektrode Ti/Al/Pt/Au gemäß der Erfindung in Kontakt mit n-GaN, und Fig. 4 ist ein Kurven­ bild, das die Abhängigkeit des spezifischen Kontaktwider­ stands ρc für Ti/Al/Pt/Au in Kontakt mit GaN von der Tempe­ rungszeit bei verschiedenen Temperungstemperaturen zeigt. Gemäß Fig. 4 beträgt der niedrigste spezifische Kontaktwi­ derstand ρc ungefähr 8 × 10-6 Ωcm2 bei 750°C, 7 × 10-6 Ωcm2 bei 850°C und 7 × 10-6 Ωcm2 bei 950°C. Das Vergleichsbei­ spiel 1 gilt für die Elektrode Ti/Al/Au in Kontakt mit n- GaN, und Fig. 7 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifischen Kontaktwiderstands ρc für Ti/Al/Au in Kontakt mit GaN von der Temperungszeit bei verschiedenen Temperungs­ temperaturen zeigt. Wenn die Fig. 4 und 7 verglichen werden, zeigt sich, dass Kontakte von Ti/Al/Pt/Au- und Ti/Al/Au- Mehrfachschichten auf n-GaN ähnliche Werte des minimalen spezifischen Kontaktwiderstands zeigen. Jedoch zeigt die Ti/Al/Pt/Au-Mehrfachschicht viel bessere thermische Bestän­ digkeit als die Ti/Al/Au-Mehrfachschicht.
Das Beispiel 2 gilt für die Elektrode Ti/Al/Pt/Au in Kontakt mit n-GaN mit implantiertem, nicht erholtem Si, und Fig. 5 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifischen Kontaktwiderstands ρc für Ti/Al/Pt/Au in Kontakt mit GaN mit implantiertem Si von der Temperungszeit bei verschiedenen Temperungstemperaturen zeigt. Das Vergleichsbeispiel 2 gilt für die Elektrode Ti/Al/Au in Kontakt mit n-GaN mit implant­ iertem, nicht erholtem Si, und Fig. 8 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifischen Kontaktwiderstands ρc für Ti/Al/Au in Kontakt mit GaN mit implantiertem Si von der Temperungszeit bei verschiedenen Temperungstemperaturen zeigt. Wie es in den Fig. 5 und 8 dargestellt ist, zeigen die zwei Arten von Elektroden bei einer Temperungstemperatur von 750°C und einer Temperungszeit von 60 Minuten einen ähn­ lichen spezifischen Kontaktwiderstand. Es ist zu beachten, dass beim Vergleichsbeispiel 2 der minimale spezifische Kon­ taktwiderstand bei 750°C nach 60 Minuten erhalten wird, wo­ raufhin er jedoch mit zunehmender Zeit stark ansteigt. Je­ doch nimmt beim Beispiel 2, wie es in Fig. 5 dargestellt ist, der spezifische Kontaktwiderstand beim Tempern bei 750°C allmählich mit zunehmender Temperungszeit ab.
In Fig. 5 beträgt der minimale spezifische Kontaktwiderstand ρc 7 × 10-4 Ωcm2 bei 750°C (jenseits von 600 Minuten), 7 × 10-5 Ωcm2 bei 850°C (bei 540 Minuten) und 2 × 10-5 Ωcm2 bei 950°C (bei 90 Minuten). Gemäß den in den Fig. 5 und 8 dargestellten Versuchsergebnissen zeigt die Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au gemäß der Erfindung eine Viel bessere thermische Stabilität als die Vergleichselektrode aus Ti/Al/Au. Die thermische Beständigkeit des Ohmschen Kontakts der bei 850 und 950°C getemperten Ti/Al/Pt/Au-Mehrfachschicht beträgt ungefähr 540 bzw. ungefähr 60 Minuten, jedoch mehr als 600 Minuten, wenn bei 750°C getempert wird.
Das Beispiel 3 gilt für die Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au in Kontakt mit n-GaN mit implantiertem und erholtem Si, und Fig. 6 ist ein Kurvenbild, das die Abhängigkeit des spezifi­ schen Kontaktwiderstands ρc für Ti/Al/Pt/Au in Kontakt mit GaN mit implantiertem und erholtem Si von der Temperungszeit bei verschiedenen Temperungstemperaturen zeigt. In Fig. 6 beträgt der minimale spezifische Kontaktwiderstand ρc für Temperungstemperaturen von 750, 850 und 950°C ungefähr 3 × 10-6 Ωcm2. Das Vergleichsbeispiel 3 gilt für die Elektrode aus Ti/Al/Au in Kontakt mit n-GaN mit implantiertem und er­ holtem Si, und Fig. 9 ist ein Kurvenbild, das die Abhängig­ keit des spezifischen Kontaktwiderstands ρc für Ti/Al/Au in Kontakt mit GaN mit implantiertem und erholtem Si von der Temperungszeit bei verschiedenen Temperungstemperaturen zeigt. Wenn die in den Fig. 6 und 9 dargestellten Versuchs­ ergebnisse verglichen werden, weisen die Vergleichselektrode aus Ti/Al/Au und die Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au gemäß der Erfindung bei derselben Temperungstemperatur ähnlich minima­ le spezifische Kontaktwiderstände auf. Jedoch zeigt die Elektrode aus Ti/Al/Pt/Au gemäß der Erfindung viel bessere thermische Beständigkeit als die Ti/Al/Au-Mehrfachschicht.
Wie oben angegeben, wird, da in die p-AlGaN-Schicht 6 eindo­ tierte Magnesiumatome und die p-Halbleiterschicht 7 Mg-H- Bindungen ausbilden würden und keine Löcher vorhanden wären, herkömmlicherweise nach dem Herstellen der p-Halbleiter­ schicht 7 ein thermischer Prozess ausgeführt, um die Mg-H- Bindungen aufzubrechen und die p-AlGaN-Schicht 6 und die p-Halbleiterschicht 7 zu aktivieren. Der thermische Prozess wird im Allgemeinen bei einer Temperatur im Bereich von 700 bis 750°C für 15 bis 60 Minuten ausgeführt. Da jedoch die Ti/Al/Pt/Au-Mehrfachschicht bei der Erfindung hohe thermi­ sche Beständigkeit aufweist, steht es außer Frage, dass der Aktivierungseffekt der p-AlGaN-Schicht 6 und der p-Halblei­ terschicht 7 gleichzeitig erzielt werden können, wenn im Temperungsprozess ein Ohmscher Kontakt ausgebildet wird. Da­ her kann der erfindungsgemäße Herstellprozess für ein Licht emittierendes Bauteil gemäß der Erfindung den herkömmlichen Aktivierungsschritt weglassen und in einem anschließenden Herstellschritt denselben Effekt erzielen. Der erfindungsge­ mäße Herstellprozess für ein Licht emittierendes Bauteil wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 10 beschrieben.
Als Erstes werden, wie es in einem Schritt 101 dargestellt ist, eine Pufferschicht 2, eine n-Halbleiterschicht 3, eine n-AlGaN-Schicht 4, eine aktive Schicht 5, eine p-AlGaN- Schicht 6 und eine p-Halbleiterschicht 7 in dieser Reihen­ folge auf dem Substrat 1 hergestellt.
Als Nächstes werden, wie es in einem Schritt 102 dargestellt ist, die p-Halbleiterschicht 7, die p-AlGaN-Schicht 6, die aktive Schicht 5 und die n-AlGaN-Schicht 4 teilweise wegge­ ätzt, um eine Oberfläche der n-Halbleiterschicht 3 freizule­ gen, wobei auch ein Teil derselben abgeätzt wird.
Als Nächstes wird auf der n-Halbleiterschicht 3, wie es in einem Schritt 103 dargestellt ist, eine Elektrode 8A herge­ stellt. Elektroden 8A können durch bekannte Abscheidungsver­ fahren wie Verdampfen oder Sputtern hergestellt werden. Au­ ßerdem können, wie bei den oben genannten Beispielen be­ schrieben, vor dem Herstellen der Elektrode 8A auf der n- Halbleiterschicht 3 ein Schritt zum Implantieren von Sili­ ciumatomen in die n-Halbleiterschicht und eine Erholung der n-Halbleiterschicht ausgeführt werden.
Dann wird, wie es in einem Schritt 104 veranschaulicht ist, ein Temperprozess ausgeführt. Die Aufgabe dieses Schritts besteht darin, den Ohmschen Kontaktwiderstand der Elektrode 8A zu senken. Der Temperprozess wird bei einer Temperatur im Bereich von 400 bis 950°C ausgeführt. Unter diesen Temper­ bedingungen kann gleichzeitig ein Aktivierungseffekt für die p-Halbleiterschicht 7 erzielt werden.
Als Nächstes wird, wie es in einem Schritt 105 veranschau­ licht ist, die Elektrode 8B durch z. B. Verdampfen oder Sputtern auf der p-Halbleiterschicht 7 hergestellt. Nach dem Herstellen der Elektrode 8B kann ein Tempern bei einer nie­ drigen Temperatur von unter 700°C ausgeführt werden, um den Ohmschen Kontaktwiderstand der Elektrode 8B zu senken.
Wie oben angegeben, ist, da der Temperungs- und Aktivie­ rungseffekt im Schritt 104 gleichzeitig erzielbar sind, das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines Verbindungs­ halbleiter-Bauteils einfacher als herkömmliche Herstellpro­ zesse, wodurch die Kosten gesenkt und die Ausbeute erhöht werden können.

Claims (10)

1. Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter- Bauteils der III-V-Gruppe auf Galliumnitrid-Basis, mit den folgenden Schritten:
  • - Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche;
  • - Herstellen einer Halbleiter-Stapelstruktur auf der ersten Hauptfläche des Substrats, die über eine Verbindungshalblei­ terschicht (3, 4) der III-V-Gruppe auf n-Galliumnitrid-Basis eine aktive Schicht (5) und eine Verbindungshalbleiter­ schicht (6, 7) der III-V-Gruppe auf p-Galliumnitrid-Basis verfügt;
  • - Ätzen der Halbleiter-Stapelstruktur zum Freilegen eines Teils der n-Halbleiterschicht (3);
  • - Herstellen einer ersten Elektrode (8A) auf der n-Halblei­ terschicht, wobei diese erste Elektrode über eine Ohmsche Kontaktschicht (81), eine Sperrschicht (83) auf der Ohmschen Kontaktschicht und eine Kontaktfleckschicht (84) auf der Sperrschicht aufweist;
  • - Ausführen eines Temperprozesses zum Senken des Kontaktwi­ derstands zwischen der ersten Elektrode und der n-Halblei­ terschicht und zum gleichzeitigen Aktivieren der p-Halblei­ terschicht und;
  • - Herstellen einer zweiten Elektrode (8B) auf der p-Halblei­ terschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den Schritt des Implantierens von Siliciumatomen in die n-Halb­ leiterschicht vor dem Schritt des Herstellens einer ersten Elektrode (8A) auf derselben.
3. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch den Schritt des Ausführens eines Erholungsvorgangs für die n- Halbleiterschicht nach dem Schritt des Implantierens von Si­ liciumatomen in dieselbe.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass die Sperrschicht (83) aus Platin, Wolfram oder Nickel besteht.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (8A) aus Ti­ tan/Aluminium/Platin/Gold besteht.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass der Temperprozess bei einer Tem­ peratur im Bereich von 400 bis 950°C ausgeführt wird.
7. Verbindungshalbleiter-Bauteil der III-V-Gruppe auf Gal­ liumnitrid-Basis, mit:
einer Verbindungshalbleiterschicht (4) der III-V-Gruppe auf n-Galliumnitrid-Basis und
einer Elektrode (8A) auf dieser Schicht, wobei die Elek­ trode eine Ohmsche Kontaktschicht (81), eine Sperrschicht (83) auf dieser und eine Kontaktfleckschicht (84) auf dieser aufweist.
8. Verbindungshalbleiter-Bauteil der III-V-Gruppe auf Gal­ liumnitrid-Basis, mit:
einem Substrat (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche;
einer auf der ersten Hauptfläche des Substrats hergestell­ ten Halbleiter-Stapelstruktur mit einer Verbindungshalblei­ terschicht (3, 4) der III-V-Gruppe auf n-Galliumnitrid-Ba­ sis, einer aktiven Schicht (5) und einer Verbindungshalblei­ terschicht (6, 7) der III-V-Gruppe auf p-Galliumnitrid-Ba­ sis;
einer ersten Elektrode (8A) auf der n-Halbleiterschicht (3), wobei diese Elektrode eine Ohmsche Kontaktschicht (81) eine Sperrschicht (83) auf dieser und eine Kontaktfleck­ schicht (84) auf dieser aufweist; und
einer zweiten Elektrode (8B) auf der p-Halbleiterschicht (7).
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Sperrschicht (83) aus Platin, Wolf­ ram oder Nickel besteht.
10. Bauteil nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Elektrode (8A) aus Titan/Aluminium/­ Platin/Gold besteht.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006049081A1 (de) * 2006-10-13 2008-04-24 Noctron Holding S.A. Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002031865A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-18 Emcore Corporation Method of making an electrode
JP4148664B2 (ja) * 2001-02-02 2008-09-10 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
US6791120B2 (en) * 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
JP4104891B2 (ja) * 2002-04-01 2008-06-18 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
TWI273217B (en) * 2002-04-17 2007-02-11 Accent Optical Tech Inc Scatterometric measurement of undercut multi-layer diffracting structures
US7002180B2 (en) * 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US6955985B2 (en) * 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
KR100484486B1 (ko) * 2002-10-18 2005-04-20 한국전자통신연구원 질화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
US8089093B2 (en) 2004-02-20 2012-01-03 Nichia Corporation Nitride semiconductor device including different concentrations of impurities
JP2006134935A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
DE102006015606A1 (de) * 2006-04-04 2007-10-18 Noctron Holding S.A. Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen
TWI411124B (zh) * 2007-07-10 2013-10-01 Delta Electronics Inc 發光二極體裝置及其製造方法
US8460959B2 (en) * 2009-11-06 2013-06-11 Ultratech, Inc. Fast thermal annealing of GaN LEDs
US8658451B2 (en) 2009-11-06 2014-02-25 Ultratech, Inc. Activating GaN LEDs by laser spike annealing and flash annealing
KR20130011933A (ko) * 2011-07-20 2013-01-30 울트라테크 인크. ＧａＮ ＬＥＤ 및 이것의 고속 어닐링 방법
KR20130023069A (ko) * 2011-08-24 2013-03-07 울트라테크 인크. ＧａＮ ＬＥＤ 및 이것의 고속 열 어닐링 방법
US8716743B2 (en) * 2012-02-02 2014-05-06 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device and the manufacturing method thereof
US10153394B2 (en) 2012-11-19 2018-12-11 Genesis Photonics Inc. Semiconductor structure
TWI663745B (zh) * 2012-11-19 2019-06-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
CN103077964A (zh) * 2013-01-18 2013-05-01 中国科学院半导体研究所 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
TWI738640B (zh) 2016-03-08 2021-09-11 新世紀光電股份有限公司 半導體結構
TWI717386B (zh) 2016-09-19 2021-02-01 新世紀光電股份有限公司 含氮半導體元件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125655A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Sony Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法
EP1005123A2 (de) * 1998-11-26 2000-05-31 Sony Corporation Halbleiterlaser, Halbleitervoorichtung und Hertsellungsverfahren

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69433926T2 (de) * 1993-04-28 2005-07-21 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JPH10294531A (ja) * 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 窒化物化合物半導体発光素子
US6198116B1 (en) * 1998-04-14 2001-03-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Complementary heterostructure integrated single metal transistor fabrication method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125655A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Sony Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法
EP1005123A2 (de) * 1998-11-26 2000-05-31 Sony Corporation Halbleiterlaser, Halbleitervoorichtung und Hertsellungsverfahren

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GAO, G.B. *
MORKOC, H.: Recent developments in ohmic contacts for III-V compound seminconductors. In: J.Vac.Sci.Technol. B, Vol. 10, No. 5, 1992, S. 2113-2132 *
MÜNCH, Waldemar von: Einführung in die Halbleiter-technologie, Stuttgart: Teubner, 1993, Abschnitte 4.6 und 7.l1. - ISBN 3-519-061867-8 *
SHEN, T.C. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006049081A1 (de) * 2006-10-13 2008-04-24 Noctron Holding S.A. Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen
DE102006049081B4 (de) * 2006-10-13 2012-06-14 Noctron Soparfi S.A. Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen

Also Published As

Publication number Publication date
TW451504B (en) 2001-08-21
US20030073274A1 (en) 2003-04-17
JP2002057321A (ja) 2002-02-22
US6531383B1 (en) 2003-03-11

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