DE10060439A1 - Kontaktmetallisierung für GaN-basierende Halbleiterstrukturen und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Kontaktmetallisierung für GaN-basierende Halbleiterstrukturen und Verfahren zu deren Herstellung

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Abstract

Die Erfindung beschreibt eine Kontaktmetallisierung für einen p-leitenden Bereich (2) einer GaN-basierenden Halbleiterstruktur (1) sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. In der Kontaktmetallisierung ist Kupfer enthalten, das vorzugsweise in der gesamten Kontaktmetallisierung gleichmäßig verteilt ist.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Kontaktmetallisierung für GaN-basierende Halbleiterstrukturen nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und Verfahren zu deren Herstellung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 16.
Unter GaN-basierenden Materialien sind hierbei neben GaN selbst von GaN abgeleitete oder mit GaN verwandte Materialien sowie darauf aufbauende ternäre oder quaternäre Mischkri­ stalle zu verstehen. Speziell fallen hierunter die Materia­ lien AlN, InN, AlGaN (Al1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InGaN (In1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InAlN (In1-xAlxN, 0 ≦ x ≦ 1) und AlInGaN (Al1-x-yInxGayN, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1). Die Bezeichnung "GaN-basierend" bezieht sich im folgenden neben GaN selbst insbesondere auf diese Materi­ alsysteme.
Kontaktmetallisierungen dienen im allgemeinen der elektri­ schen Kontaktierung von Halbleiterstrukturen. Üblicherweise werden diese Kontaktmetallisierungen unter der Maßgabe ausge­ bildet, einen möglichst geringen Kontaktwiderstand und ein weitgehend ohmsches Verhalten zu erzielen.
Bei Halbleiter-Metall-Kontakten hängt der Kontaktwiderstand wesentlich von der Höhe der Schottky-Barriere ab. Die Höhe dieser Barriere wiederum wird maßgeblich von dem energeti­ schen Bandabstand des Halbleiters beeinflußt. Aufgrund des großen Bandabstands (GaN: Eg = 3,39 eV bei 1 = 300 K) weisen Me­ tall-Halbleiter-Kontakte bei GaN-basierenden Halbleitern ei­ nen vergleichsweise hohen Kontaktwiderstand auf. Ein hoher Kontaktwiderstand ist insbesondere wegen der daran abfallen­ den Verlustleistung und der damit verbundenen Verlustwärme unerwünscht.
Kontaktmetallisierungen für GaN-basierende Halbleiterstruktu­ ren sind beispielsweise aus der Patentschrift US 6,093,965 bekannt. Hierin sind für p-leitende GaN-basierende Halbleiter Kontaktmetallisierungen mit einer mehrschichtigen Struktur beschrieben, deren Einzelschichten vor allem Gold, Nickel, Platin, Aluminium, Zink, Indium, Chrom oder Titan enthalten. Zur Herstellung der Kontaktmetallisierung werden die Einzel­ schichten nacheinander aufgedampft und bei 400°C ausgeheilt.
Bekannt ist weiterhin, den Kontaktwiderstand eines Metall- Halbleiter-Kontakts durch eine hohe Dotierung des Halbleiters zu vermindern. Bei p-leitenden GaN-basierenden Halbleitern wird die Höhe der erreichbaren p-Dotierung durch Selbstkom­ pensationseffekte und elektrisch inaktiven Einbau der Dotier­ stoffe stark begrenzt.
Aufgabe der Erfindung ist es, für p-leitende Bereiche GaN-ba­ sierender Halbleiter eine Kontaktmetallisierung mit einem er­ niedrigten Kontaktwiderstand zu schaffen. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren hierfür an­ zugeben.
Diese Aufgabe wird durch eine Kontaktmetallisierung nach Pa­ tentanspruch 1 sowie ein Herstellungsverfahren nach Patentan­ spruch 16 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Ansprüche 2 bis 15 und 17 bis 20.
Erfindungsgemäß ist eine Kontaktmetallisierung für p-leitende Bereiche GaN-basierender Halbleiter vorgesehen, in der Kupfer verteilt ist. Die Zugabe von Kupfer in geeigneter Menge be­ wirkt dabei mit Vorteil eine Reduzierung des Kontaktwider­ stands.
Bei der Erfindung kann Kupfer in einzelnen Teilvolumenberei­ chen der Kontaktmetallisierung, insbesondere in der Nähe der Halbleitergrenzfläche, oder vorzugsweise in der gesamten Kon­ taktmetallisierung verteilt sein, wobei eine näherungsweise Gleichverteilung des Kupfers besonders bevorzugt wird. Die Reduzierung des Kontaktwiderstands ist in diesem Fall beson­ ders gut ausgeprägt.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht die Kontaktmetallisierung aus einer Mehrzahl von Einzel­ schichten, die bevorzugt mindestens eines der Elemente Nic­ kel, Gold, Platin, Palladium, Tantal, Chrom, Wolfram, Sili­ zium, Kohlenstoff, Indium oder Magnesium enthalten. Durch den mehrschichtigen Aufbau können dabei weitere Anforderungen an die Kontaktmetallisierung wie beispielsweise einerseits die Haftung auf dem Halbleiterkörper und andererseits die Bond­ barkeit optimal erfüllt werden. Zudem kann dadurch die Her­ stellung der Kontaktmetallisierung vereinfacht werden.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist die Kontaktmetallisierung auf der an den Halbleiter grenzenden Seite eine Haftschicht auf, die vorzugsweise Titan oder Chrom enthält. Durch eine solche Haftschicht wird die mechanische Festigkeit und Haftung der Kontaktmetallisierung vorteilhaft erhöht.
Auf der von dem Halbleiter abgewandten Seite der Kontaktme­ tallisierung ist bevorzugt eine bondfähige Metallschicht in Form einer Gold oder Aluminium enthaltenden Einzelschicht ausgebildet. Die Materialien eignen sich insbesondere zur weiteren Kontaktierung mittels einer Lötverbindung wie bei­ spielsweise einer angelöteten Drahtverbindung oder eine Löt­ verbindung mit einem Leiterrahmen.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält die Kontaktmetallisierung eine Diffusionssperre. Diese Diffu­ sionssperre kann in Form einer Einzelschicht ausgebildet sein, die vorzugsweise mindestens eines der Element bzw. Ver­ bindungen Palladium, Platin, Titannitrid oder Titanwolframni­ trid enthält. Durch eine solche Diffusionssperre wird mit Vorteil eine zu starke Diffusion von Metallen aus der Kontaktmetallisierung in den Halbleiterkörper und die damit ver­ bundene Gefahr einer Beeinträchtigung der Halbleiterfunktio­ nalität reduziert.
Die erfindungsgemäße Kontaktmetallisierung ist vor allem zur Kontaktierung p-leitender Bereiche einer GaN-basierende Halb­ leiterstruktur vorgesehen. Zur Ausbildung eines p-leitenden Bereichs eignet sich bei GaN-basierenden Halbleitern vorzugs­ weise eine Magnesium-Dotierung. Alternativ kann als Dotier­ stoff Kohlenstoff, Beryllium, Kadmium oder Zink verwendet werden.
Mit Vorteil kann die Erfindung insbesondere bei GaN-basieren­ den optoelektronischen Bauelementen wie LEDs (light emitting diode) und Lasern sowie HEMTs (high electron mobility transi­ stor) und MESFETs (metal semiconductor field effect transi­ stor) eingesetzt werden.
Zur Herstellung der Kontaktmetallisierung ist erfindungsgemäß vorgesehen, zunächst auf einer p-leitenden GaN-basierenden Halbleiterstruktur oder einem p-leitenden Bereich einer GaN- basierenden Halbleiterstruktur eine Kontaktmetallisierung auszubilden, die Kupfer enthält. Danach wird die Kontaktme­ tallisierung bei erhöhter Temperatur, vorzugsweise etwa 500° C, ausgeheilt (Annealing), so daß sich das Kupfer zumindest in Teilvolumenbereichen der Kontaktmetallisierung verteilt.
Bevorzugt wird die Kontaktmetallisierung in Form mehrerer Einzelschichten aufgebracht, wobei mindestens eine Schicht Kupfer enthält. Besonders bevorzugt werden die Schichten mit­ tels eines PVD-Verfahrens (physical vapour deposition) abge­ schieden. Die Kupfer enthaltende Schicht kann als reine Kup­ ferschicht oder durch Coverdampfung mit mindestens einem wei­ teren Metall als gemischte Metallschicht ausgebildet werden.
Weitere Merkmale, Vorzüge und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus dem nachfolgenden Ausführungbeispiel in Ver­ bindung mit den Fig. 1 bis 3.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht des Ausführungs­ beispiels einer erfindungsgemäßen Kontaktmetalli­ sierung,
Fig. 2 die Verteilung einzelner Metalle in dem Ausfüh­ rungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Kontaktmetal­ lisierung und
Fig. 3 die Kennlinie eines GaN-basierenden Halbleiterbau­ elements mit einer dem Ausführungsbeispiel ent­ spechenden Kontaktmetallisierung.
Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind hierbei mit den­ selben Bezugszeichen versehen.
In Fig. 1 ist ein GaN-basierender Halbleiterkörper 1 darge­ stellt, auf dessen Oberseite eine p-GaN-Schicht 2 ausgebildet ist. In Verbindung mit einer n-leitenden Schicht (nicht dar­ gestellt) kann damit beispielsweise eine lichtemittierende Diode (LED) auf GaN-Basis gebildet werden. Als p-Dotierung dient Magnesium, das alternativ auch durch Zink, Kohlenstoff oder Kadmium ersetzt sein kann.
Weiterhin kann der Halbleiterkörper zusätzliche Strukturen wie zum Beispiel Quantentopfstrukturen und Wellenleiter­ schichten zur Bildung eines GaN-basierenden Halbleiterlasers enthalten. Bei all diesen Bauelementen ist eine niedriger Kontaktwiderstand von großem Vorteil, um einen hohen Wir­ kungsgrad zu erreichen.
Auf der p-leitenden Schicht 2 ist zur Strukturierung der nachfolgenden Kontaktschicht in Teilbereichen eine Silizium­ oxid Schicht 3 abgeschieden.
Auf die so gebildete Oberfläche des Halbleiterkörpers ist als Haftvermittler eine 10 nm dicke Titanschicht 4 aufgedampft, auf die wiederum eine Palladiumschicht 5 als Diffusionssperre aufgebracht ist. Oberseitig ist darauf eine bondfähige An­ schlußschicht 6 in Form einer 600 nm dicken Goldschicht aus­ gebildet. In der Kontaktmetallisierung ist zumindest in einem Teilvolumenbereich Kupfer mit einer Konzentration bis etwa 5% (Atomprozent) verteilt. Die Diffusionssperre verhindert ein Eindringen von Materialien der Kontaktmetallisierung, spezi­ ell Gold, in den Halbleiterkörper, insbesondere während des Ausheilens bei der Herstellung der Kontaktmetallisierung.
Hergestellt wird diese Kontaktmetallisierung, indem zunächst die Titanschicht 4, darauf die Palladiumschicht 5 und danach die Goldschicht mittels eines PVD-Verfahrens auf dem Halblei­ terkörper 1 abgeschieden wird. Dabei wird zusammen mit Palla­ dium Kupfer aufgedampft, so daß die Palladiumschicht 5 einen Kupferanteil von etwa 5% enthält. Nach der Abscheidung der Schichten 4, 5 und 6 wird die so gebildete Kontaktmetallisie­ rung etwa 300 s lang bei circa 500°C ausgeheilt, wobei sich die Kupferbeimengung gleichmäßig in der gesamten Kontaktme­ tallisierung verteilt.
Das Konzentrationsprofil der einzelnen Metalle der Kontaktme­ tallisierung ist in Fig. 2 dargestellt. Diese Profile wurden mittels Augerelektronenspektroskopie (AES) ermittelt.
Aufgetragen ist die Augerelektronenintensität für die einzel­ nen Metalle in Abhängigkeit der Bestrahlungszeit (sputter time t). Die Augerelektronenintensität ist dabei ein Maß für die Konzentration des zugehörigen Metalls, die Bestrahlungs­ zeit entspricht der Tiefe, in der diese Konzentration vor­ liegt. Das gemessene Profil gibt die Metallkonzentrationen entlang der in Fig. 1 eingetragenen Linie A-A an, wobei der Zeitnullpunkt der oberseitigen Grenzfläche der Kontaktmetal­ lisierung entspricht.
In Fig. 2a sind die Konzentrationsprofile vor dem Ausheilen der Kontaktmetallisierung dargestellt. Von links nach rechts, entsprechend in der Kontaktmetallisierung von oben nach un­ ten, dominiert zunächst das Gold-Profil 16 und danach das Palladiumprofil 15, das mit dem Titanprofil 14 überlappt. Dies entspricht der in Fig. 1 gezeigten Schichtenfolge. Die Palladiumschicht weist dabei einen auf diese Schicht lokal begrenzten Kupferanteil auf, wie das Kupferprofil 13 zeigt.
Die entsprechenden Profile nach dem Ausheilen bei 500°C über 300 s sind in Fig. 2b dargestellt. Die Profile von Gold 16 und Titan 14 sind im wesentlichen unverändert, das Palladium­ profil 15 weist einen deutlichen Ausläufer in die Goldschicht auf.
Die lokal begrenzte Kupferkonzentration innerhalb der Palla­ diumschicht hingegen ist stark reduziert und Kupfer über die gesamte Kontaktmetallisierung gleichmäßig verteilt, wie das flache Kupferprofil 13 zeigt.
In Fig. 3 ist die U-I-Kennlinie eines GaN-basierenden Halb­ leiterbauelements mit einer Fig. 1 entsprechenden Kontaktme­ tallisierung vor und nach dem Ausheilen dargestellt. Aufge­ tragen ist jeweils die Betriebsspannung eines GaN-basierenden Oxidstreifenlasers in Abhängigkeit des Betriebsstroms.
Die Kennlinie 7 entspricht der Kontaktmetallisierung vor dem Ausheilen, die Kennlinie 8 der Kontaktmetallisierung nach dem Ausheilen. Bei gleichem Betriebsstrom ist die Betriebsspan­ nung bei ausgeheilter Kontaktmetallisierung mit entsprechend gleichförmiger Kupferverteilung deutlich geringer als im nicht ausgeheilten Zustand. Ab einem Betriebsstrom von 100 mA beträgt die Reduktion der Betriebsspannung etwa 5 V.
Die Erläuterung der Erfindung anhand des beschriebenen Aus­ führungsbeispiels ist selbstverständlich nicht als Beschrän­ kung der Erfindung hierauf zu verstehen. Insbesondere umfaßt die Erfindung auch weitere Kupfer enthaltende, geeignete Schichtsysteme wie beispielsweise Nickel-Gold-, Nickel-Pla­ tin-, Palladium-Gold-, Tantal-Titan-, Chrom-Gold-, Titan-Pla­ tin-Gold-, Nickel-Platin-Gold-, Platin-Nickel-Gold-, Chrom- Nickel-Gold-, Nickel-Chrom-Gold-, Wolframsilizid-, Gold-Koh­ lenstoff-Nickel-, Nickel-Magnesium-Nickel-Silizium- und Nic­ kel-Indium-Schichtfolgen, jeweils mit der entsprechenden Kup­ ferverteilung.

Claims (20)

1. Kontaktmetallisierung für einen p-leitenden Bereich (2) eines GaN-basierenden Halbleiters, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest in einem Teilvolumenbereich der Kontaktmetallisie­ rung Kupfer verteilt ist.
2. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Kupfer in der gesamten Kontaktmetallisierung verteilt ist.
3. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Kupfer in der gesamten Kontaktmetallisierung gleichmäßig ver­ teilt ist.
4. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung zumindest eine Schicht (4, 5, 6) auf­ weist, die mindestens eines der Elemente Nickel, Gold, Pla­ tin, Palladium, Tantal, Titan, Chrom, Wolfram, Indium, Magne­ sium oder Silizium enthält.
5. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf der dem Halbleiter zugewandten Seite der Kontaktmetalli­ sierung eine Haftschicht (4) ausgebildet ist.
6. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftschicht (4) Titan oder Chrom enthält.
7. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der von dem Halbleiter abgewandten Seite der Kontaktme­ tallisierung eine Anschlußschicht (6) aus einem bondfähigen Material gebildet ist.
8. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußschicht (6) mindestens eines der Elemente Gold, Platin, Nickel oder Aluminium enthält.
9. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kontaktmetallisierung eine Diffusionssperre ausgebil­ det ist.
10. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionssperre in Form einer Einzelschicht (5) ausge­ bildet ist, die mindestens eines der Elemente bzw. eine der Verbindungen Palladium, Platin, Titannitrid oder Titanwolf­ ramnitrid enthält.
11. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung auf einem p-leitenden Bereich (2) einer GaN-basierenden Halbleiterstruktur (1) aufgebracht ist.
12. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterstruktur (1) Schichten enthält, die im wesent­ lichen aus GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlN, InAlN oder InN bestehen.
13. Kontaktmetallisierung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterstruktur (1) der Strahlungserzeugung dient.
14. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterstruktur (1) eine Leuchtdioden- oder Laser­ struktur darstellt, insbesondere mit einer Einfach- oder Mehrfachquantentopfstruktur als aktiver, der Strahlungser­ zeugnung dienenden Schicht.
15. Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferkonzentration zwischen 0% und 50%, vorzugsweise zwischen 0% und 10% liegt.
16. Verfahren zur Herstellung einer Kontaktmetallisierung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, gekennzeichnet durch die Schritte
  • - Aufbringung einer Kupfer enthaltenden Kontaktmetallisie­ rung auf einen p-leitenden Bereich (2) einer GaN-basie­ renden Halbleiterstruktur (1),
  • - Ausheilen der Kontaktmetallisierung bei erhöhter Tempera­ tur derart, daß sich Kupfer zumindest in Teilvolumenbe­ reichen der Kontaktmetallisierung verteilt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung vor dem Ausheilen ausgebildet wird durch die Schritte
  • - Aufbringung einer Titan oder Chrom enthaltenden ersten Schicht (4),
  • - Aufbringung einer Kupfer und Palladium enthaltenden zwei­ ten Schicht (5),
  • - Aufbringung einer Gold enthaltenden dritten Schicht (6).
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung aufgedampft wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (5) durch Coverdampfung von Kupfer und Palladium ausgebildet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausheilung bei etwa 500°C erfolgt.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003107443A2 (en) * 2002-06-17 2003-12-24 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US7002180B2 (en) 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
EP1722004A1 (de) * 2005-05-03 2006-11-15 Rosemount Aerospace Inc. Substrat mit einer Metallisierungshaftschicht
EP1949458A1 (de) * 2005-09-29 2008-07-30 Tinggi Technologies Private Limited Herstellung von halbleiteranordnungen für lichtemission
US7538401B2 (en) 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
US7628309B1 (en) 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
EP2793265A1 (de) * 2013-04-15 2014-10-22 Nxp B.V. Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19820777A1 (de) * 1997-05-08 1998-11-12 Showa Denko Kk Elektrode für lichtemittierende Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung der Elektrode
US5990500A (en) * 1998-03-25 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method
DE19934031A1 (de) * 1998-10-26 2000-05-04 Ind Tech Res Inst Ohmscher Kontakt zu Halbleitervorrichtungen und ein Verfahren zum Herstellen desselben
US6117700A (en) * 1998-09-09 2000-09-12 Matsushita Electronics Corporation Method for fabricating semiconductor device having group III nitride

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19820777A1 (de) * 1997-05-08 1998-11-12 Showa Denko Kk Elektrode für lichtemittierende Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung der Elektrode
US5990500A (en) * 1998-03-25 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method
US6117700A (en) * 1998-09-09 2000-09-12 Matsushita Electronics Corporation Method for fabricating semiconductor device having group III nitride
DE19934031A1 (de) * 1998-10-26 2000-05-04 Ind Tech Res Inst Ohmscher Kontakt zu Halbleitervorrichtungen und ein Verfahren zum Herstellen desselben

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003107443A2 (en) * 2002-06-17 2003-12-24 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
WO2003107443A3 (en) * 2002-06-17 2004-09-02 Kopin Corp WELDING AREA OF A GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE
US7002180B2 (en) 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US7538401B2 (en) 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
US7400042B2 (en) 2005-05-03 2008-07-15 Rosemount Aerospace Inc. Substrate with adhesive bonding metallization with diffusion barrier
EP1722004A1 (de) * 2005-05-03 2006-11-15 Rosemount Aerospace Inc. Substrat mit einer Metallisierungshaftschicht
US7628309B1 (en) 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
US7642115B2 (en) 2005-05-03 2010-01-05 Rosemount Aerospace Inc. Method for making a transducer
US7952154B2 (en) 2005-05-03 2011-05-31 Rosemount Aerospace Inc. High temperature resistant solid state pressure sensor
US8013405B2 (en) 2005-05-03 2011-09-06 Rosemount Aerospsace Inc. Transducer with fluidly isolated connection
US8460961B2 (en) 2005-05-03 2013-06-11 Rosemount Aerospace Inc. Method for forming a transducer
EP1949458A1 (de) * 2005-09-29 2008-07-30 Tinggi Technologies Private Limited Herstellung von halbleiteranordnungen für lichtemission
EP1949458A4 (de) * 2005-09-29 2011-05-04 Tinggi Technologies Private Ltd Herstellung von halbleiteranordnungen für lichtemission
EP2793265A1 (de) * 2013-04-15 2014-10-22 Nxp B.V. Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung
US9331155B2 (en) 2013-04-15 2016-05-03 Nxp B.V. Semiconductor device and manufacturing method

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