DE10008813A1 - Verfahren zur Herstellung einer Flachgrabenisolationsstruktur - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer FlachgrabenisolationsstrukturInfo
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Abstract
Ein Verfahren zur Bildung einer STI-Struktur wird offenbart. Eine Oxidzwischenschicht, eine erste Hartmaterialschicht, eine Ätzstoppschicht und eine zweite Hartmaterialschicht werden nacheinander über einem Substrat gebildet. Die zweite Hartmaterialschicht, die Ätzstoppschicht, die erste Hartmaterialschicht und die Oxidzwischenschicht werden gemustert, um im Substrat einen Graben zu bilden. Ein Rücknahme-Prozess wird auf der ersten Hartmaterialschicht ausgeführt, während gleichzeitig die zweite Hartmaterialschicht unter Verwendung der Ätzstoppschicht als einer Ätzstoppschicht entfernt wird. Anschließend wird isolierendes Material in den Graben und über die Ätzstoppschicht abgeschieden. Danach werden die Isolationsschicht und die Ätzstoppschicht oberhalb der ersten Hartmaterialschicht entfernt. Abschließend werden die erste Hartmaterialschicht und die Oxidzwischenschicht entfernt.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer
Flachgrabenisolationsstruktur (STI-Struktur). Insbesonders betrifft die vorliegende
Erfindung ein Verfahren zur Halbleiterverarbeitung zur Bildung einer ebenen
Flachgrabenisolationsstruktur (STI-Struktur).
Siliziumnitrid ist bei der Halbleiterherstellung ein wichtiges Material. Da Siliziumnitrid
Eigenschaften aufweist, die vom Siliziumsubstrat abweichen, und eine größere Härte als
Siliziumoxid besitzt, wird Siliziumnitrid beim Ätzen oder chemisch-mechanischen Polieren
(CMP), speziell bei der Herstellung von STI-Strukturen, häufig als eine Stoppschicht
eingesetzt.
Fig. 1 ist ein schematisches Querschnittsdiagramm, das eine herkömmliche
Flachgrabenisolationsstruktur (STI-Struktur) zeigt. Eine Siliziumnitrid-Schicht wird
normalerweise bei der Herstellung der STI-Struktur als eine harte Maske verwendet, um
einen Graben 102 in einem Substrat 100 zu bilden. Nach dem Grabenbildungsvorgang wird
isolierendes Material in den Graben 102 abgeschieden. Im Allgemeinen ist das isolierende
Material ein Oxid. Abschließend wird unter Verwendung der Siliziumnitrid-Schicht als eine
Polierstoppschicht chemisch-mechanisches Polieren durchgeführt, um einen Teil der
Isolationsschicht zu entfernen, wodurch eine wie in Fig. 1 gezeigte Isolationsstruktur 104
gebildet wird.
Bei der Ätzbehandlung des Substrats 100 zur Bildung eines Grabens 102 wird oftmals ein
Teil der Siliziumnitrid-Schicht entfernt, was zu Störstellen in der Oberfläche und zur Bildung
einer ungleichmäßigen Siliziumnitrid-Schicht führt. Da zusätzlich die Siliziumnitrid-Schicht
härter als die Oxidschicht ist, wird nach dem chemisch-mechanischen Polieren die
Oxidisolationsschicht im Graben 102 deutlich schneller entfernt als die den Graben
umgebene Siliziumnitrid-Schicht. Da die Zentral- und Randbereiche eines Siliziumchips mit
unterschiedlichen Raten poliert werden, wird die fehlende Einheitlichkeit der Siliziumnitrid-
Schicht weiter verschlechtert. Daher werden häufiger Vertiefungen an den Übergängen
zwischen einer Flachgrabenisolationsstruktur (STI-Struktur) 104 und dem Substrat 100
gebildet als keine. Ein Höhenunterschied ist in den Bereichen 106 zwischen der oberen
Oberfläche des Substrats 100 und der STI-Struktur 104A vorhanden. Die STI-Struktur weist
im Allgemeinen eine unebene obere Oberfläche auf. Eine Schwellenspannung des
nachfolgend gebildeten Bauteils wird beeinflusst. Dies wird gewöhnlich als "Kink"-Effekt
bezeichnet.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es folglich ein zur gesteigerten
Gleichmäßigkeit einer Flachgrabenisolationsstruktur (STI-Struktur) geeignetes Verfahren zur
Bildung der STI-Struktur bereitzustellen, so dass der Schwelleneffekt infolge einer
ungleichmäßigen Oberfläche auf ein Minimum reduziert wird.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der
Erfindung, wie hierin dargestellt und ausführlich beschrieben, liefert die Erfindung ein
Verfahren zur Bildung einer STI-Struktur. Eine Oxidzwischenschicht (pad oxide layer), eine
erste Hartmaterialschicht, eine Ätzstoppschicht und eine zweite Hartmaterialschicht werden
nacheinander auf einem Substrat gebildet. Die zweite Hartmaterialschicht, die .
Ätzstoppschicht, die erste Hartmaterialschicht und die Oxidzwischenschicht werden derart
gemustert, dass im Substrat ein Graben gebildet wird. Ein Rücknahmeprozess wird auf der
ersten Hartmaterialschicht bei gleichzeitiger Entfernung der zweiten Hartmaterialschicht
durchgeführt, wobei die Ätzstoppschicht als eine Ätzstoppschicht verwendet wird.
Anschließend wird isolierendes Material in den Graben und auf die Ätzstoppschicht
abgeschieden. Danach werden die Isolationsschicht und die Ätzstoppschicht oberhalb der
ersten Hartmaterialschicht entfernt. Abschließend werden die erste Hartmaterialschicht und
die Oxidzwischenschicht entfernt.
Beim Musterungsprozess des Grabens durch Ätzen wird ein Teil des Materials in der Nähe
der Oberfläche der zweiten Hartmaterialschicht zufällig entfernt, was zu einer stark unebenen
Oberfläche führt. Deshalb ist Entfernen der zweiten Hartmaterialschicht unter Verwendung
der Ätzstoppschicht als Ätzstoppschicht dazu geeignet, eine relativ flache Oberfläche für
nachfolgende Vorgänge zu regenerieren.
Es ist klar, dass die vorstehende allgemeine Beschreibung sowie die folgende ausführliche
Beschreibung beispielhaft sind und eine weitere Erläuterung dieser Erfindung, wie
beansprucht, liefern sollten.
Die begleitenden Zeichnungen sind beigefügt, um ein besseres Verständnis der Erfindung zu
liefern, und sie sind hier mit aufgenommen und stellen einen Teil dieser Beschreibung dar.
Die Zeichnungen erläutern erfindungsgemäße Ausführungsformen und dienen, zusammen
mit der Beschreibung, zur Erläuterung der Grundlagen der Erfindung. In den Zeichnungen
ist Fig. 1 ein schematisches Querschnittsdiagramm, das eine herkömmliche
Flachgrabenisolationsstruktur (STI-Struktur) zeigt;
Die Fig. 2A bis 2E sind schematische Querschnittsansichten, die die Abfolge der
Produktionsschritte einer STI-Struktur gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen
Ausführungsform zeigen; und
Die Fig. 3A bis 3D sind schematische Querschnittsansichten, die die Abfolge der
Produktionsschritte einer erfindungsgemäßen, gleichmäßigen Oberfläche an der Oberseite
einer Materialschicht im Herstellungsprozess eines Halbleiterbauteiles zeigen.
Im Folgenden werden die vorliegenden bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung
ausführlich erläutert, die in den begleitenden Zeichnungen beispielhaft gezeigt sind. Wo
immer möglich werden sowohl in den Zeichnungen als auch in der Beschreibung die
gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen oder ähnliche Teile zu bezeichnen.
In dieser Erfindung wird eine sandwichartige Hartmaskenschicht auf einem Substrat
gebildet. Die Sandwichhartmaskenschicht ist eine Verbundstruktur, die eine erste
Nitridschicht, eine Oxidschicht und eine zweite Nitridschicht aufweist. Die
Hartmaskenschicht wird beim Ausätzen eines Grabens im Substrat als Maske verwendet. Da
die zweite Nitridschicht während des Grabenbildungsschrittes dem Ätzmittel ausgesetzt ist,
kann ein Teil der Schicht entfernt werden, wobei deren Oberfläche etwas beschädigt wird.
Anschließend wird die zweite Nitridschicht unter Verwendung der Oxidschicht als eine
Ätzstoppschicht entfernt. Da die ungleichmäßige zweite Nitridschicht oberhalb der
Oxidschicht vollständig entfernt werden kann, um die Oberfläche einer gleichmäßigen
Oxidschicht auszusetzen, kann die nachfolgend gebildete Flachgrabenisolationsstruktur (STI-
Struktur) nach chemisch-mechanischem Polieren eine bessere Strukturgleichmäßigkeit
aufweisen.
Die Fig. 2A bis 2E sind schematische Querschnittsansichten, die die Abfolge der
Produktionsschritte einer STI-Struktur einer bevorzugten erfindungsgemäßen
Ausführungsform zeigen. Wie in Fig. 2A gezeigt, wird eine Oxidzwischenschicht 202 auf
einem Substrat 200 gebildet. Das Substrat 200 kann beispielsweise ein Silizium-
Halbleitersubstrat sein und die Oxidzwischenschicht 202 kann beispielsweise eine durch
thermische Oxidation gebildete Oxidschicht mit einer Dicke zwischen 50 Å und 100 Å sein.
Eine erste Hartmaterialschicht 204 wird als eine Deckschicht auf der Oxidzwischenschicht
202 gebildet. Die erste Hartmaterialschicht 204 kann eine beispielsweise durch chemische
Dampfabscheidung gebildete Siliziumnitrid-Schicht sein. Die Oxidzwischenschicht 202 dient
als eine Bindeschicht zur Verstärkung der Haftung zwischen der ersten Hartmaterialschicht
204 und dem Substrat 200. Eine Ätzstoppschicht 206 wird anschließend auf der ersten
Hartmaterialschicht 204 gebildet, und danach wird eine zweite Hartmaterialschicht 208 als
eine Deckschicht auf der Ätzstoppschicht 206 gebildet. Die zweite Hartmaterialschicht 208
kann eine beispielsweise durch chemische Dampfabscheidung gebildete Siliziumnitrid-
Schicht sein. Da die Ätzstoppschicht 206 als ein Ätzstopp dient, wenn nachfolgend die
zweite Hartmaterialschicht 208 entfernt wird, muss die Ätzstoppschicht eine von der zweiten
Hartmaterialschicht 208 verschiedene Materialeigenschaft aufweisen. Im Allgemeinen ist die
Ätzstoppschicht 206 vorzugsweise eine Siliziumoxid-Schicht, wenn die zweite
Hartmaterialschicht eine Siliziumnitrid-Schicht ist.
Wie in Fig. 2B gezeigt, wird über der zweiten Hartmaterialschicht 208 eine Fotolackschicht
bzw. Fotoresistschicht (nicht gezeigt) gebildet. Unter Verwendung von fotolithografischen
und Ätzprozessen werden die zweite Hartmaterialschicht 208, die Ätzstoppschicht 206 und
die erste Hartmaterialschicht 204 mit einem Muster versehen und anschließend nacheinander
geätzt, um eine gewünschte Öffnung (nicht gezeigt) zu bilden. Die Fotolackschicht wird
entfernt. Die zweite Hartmaterialschicht 208, die Ätzstoppschicht 206 und die erste
Hartmaterialschicht 204 werden, beispielsweise durch Trockenätzen, geätzt. Wenn die erste
Hartmaterialschicht 204 und die zweite Hartmaterialschicht beide Siliziumnitrid-Schichten
sind, dann kann eine Schwefelhexafluorid (SF6), Ammoniak und Sauerstoff beinhaltende
Mischung als Ätzmittel verwendet werden. Andererseits können die Ätzstoppschicht 206 und
die Oxidzwischenschicht 202 unter Verwendung einer Trifluorkohlenstoff (CHF3),
Sauerstoff und Ammoniak beinhaltenden Mischung als Ätzmittel entfernt werden.
Ein anisotropes Ätzen des Substrats 200 wird durchgeführt, um unter Verwendung der
zweiten Hartmaterialschicht 208 als einer harten Maske einen Graben 210 zu bilden. Das
Substrat 200 kann beispielsweise durch Ätzen mit reaktiven Ionen (RIE) unter Verwendung
einer Chlor, Ammoniak, Bromwasserstoff und Sauerstoff enthaltenden Mischung als
Ätzmittel geätzt werden.
Beim Ätzen des Substrates 200 wird die zweite Hartmaterialschicht 208 auch einem
Plasmaätzen ausgesetzt. Deshalb wird, wie in Fig. 2B gezeigt, eine ziemlich unebene
Oberfläche auf der zweiten Hartmaterialschicht 208a gebildet. Diese ungleichmäßige
Oberfläche kann zu unerwarteter Schwellenspannungsschwankung in nachfolgend gebildeten
Bauteilen führen. Um Schwierigkeiten mit der Zuverlässigkeit aufgrund der Variation der
zweiten Hartmaterialschicht 208a zu beseitigen, wird zwischen der ersten
Hartmaterialschicht 204 und der zweiten Hartmaterialschicht 208 eine Ätzstoppschicht 206
ausgebildet. Deshalb kann die ungleichmäßige zweite Hartmaterialschicht 208 entfernt
werden, um die flache Oberseite der Ätzstoppschicht 206a, wie in Fig. 2C gezeigt,
auszusetzen. Das zur Entfernung der zweiten Hartmaterialschicht 208a verwendete Ätzmittel
besitzt ein hohes Ätzselektivitätsverhältnis zwischen der zweiten Hartmaterialschicht 208
und der Ätzstoppschicht 206a. Deshalb hört das Ätzen genau an der Verbindung zur
Ätzstoppschicht 206a auf. Zusätzlich muss die Ätzstoppschicht 206 eine zum Widerstehen
eines Angreifens durch das Ätzmittel bei einem Über-Ätzen ausreichende Dicke aufweisen.
Die Entfernung der zweiten Hartmaterialschicht 208a kann mit dem sogenannten
"Rücknahme"-Prozess zur Bildung einer STI-Struktur kombiniert werden. Der
"Rücknahme"-Prozess ist ein Vorgang, der die Aufbauregel der Halbleiterherstellung betrifft.
Sinkt die Abmessung des Grabens, dann wird die Weite der Grabenöffnung ebenfalls
verringert. Deshalb wird Abscheiden des gewünschten isolierenden Materials in den Graben
sehr schwierig. Wenn ein Teil der ersten Hartmaterialschicht 204a und der Ätzstoppschicht
206a von den Seitenwänden des Grabens 210 entfernt wird, dann wird ein geweiteter
Öffnungsbereich 212 (in Fig. 2C) gebildet. Deshalb wird Abscheiden von isolierenden
Material erleichtert. Um den "Rücknahme"-Prozess durchzuführen, kann eine Flusssäure und
Äthyl-Glykol enthaltende Lösung zur Entfernung eines Teils der ersten Hartmaterialschicht
204a verwendet werden. Ferner kann die Dicke der zweiten Hartmaterialschicht 208
sorgfältig gesteuert werden, so dass ungefähr gleiche Dicken der zweiten Hartmaterialschicht
und der ersten Hartmaterialschicht 204a unter Verwendung des gleichen Ätzmittels entfernt
werden. Deshalb werden Verarbeitungszeit und Produktionskosten eingespart.
Wie in Fig. 2D gezeigt, wird eine Isolationsschicht 214 über der Ätzstoppschicht 206a und
dem Graben 210 gebildet. Die Isolationsschicht 214 kann eine, beispielsweise durch
Umsetzen von Ozon und TEOS oder durch chemische Dampfabscheidung (CVD) von TEOS
gebildete Oxidschicht sein. Herkömmliche CVD-Techniken beinhalten chemische
Dampfabscheidung bei Atmosphären-Druck (APCVD), chemische Dampfabscheidung bei
Unterdruck (LPCVD) und Plasma-verstärkte, chemische Dampfabscheidung (PECVD). Ein
Teil der Isolationsschicht 214 wird beispielsweise durch Durchführung chemisch
mechanischen Polierens entfernt, wobei die erste Hartmaterialschicht 204a als
Polierstoppschicht verwendet wird. Abschließend wird eine Isolationsschicht 214a innerhalb
des Grabens, wie in Fig. 2E gezeigt, gebildet. Da die ungleichmäßige zweite
Hartmaterialschicht 208a vor dem chemisch-mechanischen Polieren entfernt wird, um die
darunterliegende, flache Ätzstoppschicht 206a auszusetzen, wird das Polieren eher auf einer
gleichmäßigen Schicht als auf einer unebenen Schicht. Die erste Hartmaterialschicht 214a
kann beispielsweise durch eine heiße Phosphorsäurelösung entfernt werden und die
Oxidzwischenschicht 202 kann beispielsweise durch eine Flusssäurelösung entfernt werden.
In der vorstehend aufgeführte Ausführungsform der Erfindung wird die ungleichmäßige
Hartmaterialschicht unter Verwendung der Ätzstoppschicht als ein Ätzstopp entfernt, so dass
vor der Durchführung irgendeines chemisch-mechanischen Polierens eine flache Oberfläche
erhalten wird. Deshalb wird eine gleichmäßige Oberfläche über der STI-Struktur gebildet
und Schwierigkeiten mit der Zuverlässigkeit aufgrund einer
Schwellenspannungsschwankung werden auf ein Minimum reduziert.
Obwohl die Erfindung auf das Verfahren zur Bildung einer STI-Struktur gerichtet ist, gibt es
auch andere Anwendungen. In Praxis kann der "erste Hartmaterialschicht 1 Ätzstoppschicht/
zweite Hartmaterialschicht" Aufbau der Erfindung auch bei anderen Prozessen eingesetzt
werden, die eine ebene Oberfläche zum chemisch-mechanischen Polieren benötigen. Die
Fig. 3A bis 3D sind schematische Querschnittsansichten, die die Abfolge der
Produktionsschritte einer erfindungsgemäßen, gleichmäßigen Oberfläche an der Oberseite
einer Materialschicht im Herstellungsprozess eines Halbleiterbauteiles zeigen.
Wie in Fig. 3A gezeigt, werden eine erste Hartmaterialschicht 302, eine Ätzstoppschicht
304 und eine zweite Hartmaterialschicht 306 nacheinander auf einem Substrat 300 gebildet.
Die Ätzstoppschicht 304 wird zwischen der ersten Hartmaterialschicht 302 und der zweiten
Hartmaterialschicht 306 gebildet. Aufgrund Ätzens oder chemisch-mechanischen Polierens
in einem nachfolgenden Prozessschritt, beispielsweise Einebnen oder Rückätzen, wird die
Oberseite der zweiten Hartmaterialschicht 306a beschädigt. Die Oberseite der
Hartmaterialschicht kann aufgrund des verlängerten Kontakts mit dem Ätzmittel, wie in
Fig. 3B gezeigt, aufgeraut sein. Alternativ kann die Dicke der zweiten Hartmaterialschicht
zwischen dem Zentral- und dem Randbereich eines Siliziumchips aufgrund Polierens
variieren. Deshalb wird die Ätzstoppschicht 304 als ein Ätzstopp zur Entfernung der zweiten
Hartmaterialschicht 306a verwendet, so dass letztendlich die Ätzstoppschicht 304, wie in
Fig. 3C gezeigt, ausgesetzt wird. Ein Ätzmittel mit einem hohen Ätzselektivitätsverhältnis
zwischen der Ätzstoppschicht 304 und der ersten Hartmaterialschicht 302 wird zur
Entfernung der Ätzstoppschicht 304, wie in Fig. 3D gezeigt, verwendet. Das die erste
Hartmaterialschicht 302 und die zweite Hartmaterialschicht 306 bildende Material kann
beispielsweise Siliziumnitrid sein, wobei das die Ätzstoppschicht 302 bildende Material
beispielsweise ein Oxid sein kann.
Es ist für Fachleute auf dem Gebiet offensichtlich, dass an dem Aufbau der vorliegenden
Erfindung verschiedenen Modifikationen und Variationen vorgenommen werden können,
ohne den Bereich oder den Geist der Erfindung zu verlassen. Mit Blick auf das vorstehende
soll die vorliegende Erfindung Modifikationen und Variationen der Erfindung abdecken, die
in den Bereich der folgenden Ansprüche und deren Äquivalente fallen.
Claims (17)
1. Verfahren zur Bildung einer Flachgrabenisolationsstruktur, welches die Schritte umfasst:
Bereitstellen eines Substrates;
Bilden einer Oxidzwischenschicht, einer ersten Hartmaterialschicht, einer Ätzstoppschicht und einer zweiten Hartmaterialschicht auf dem Substrat;
Mustern der zweiten Hartmaterialschicht, der Ätzstoppschicht, der ersten Hartmaterialschicht und der Oxidzwischenschicht, um in dem Substrat einen Graben zu bilden;
gleichzeitiges Durchführen eines Rücknahmevorgangs auf der ersten Hartmaterialschicht und Entfernen der zweiten Hartmaterialschicht;
Abscheiden eines isolierenden Materials in den Graben und über der Ätzstoppschicht, um eine Isolationsschicht zu bilden;
Entfernen der Isolationsschicht und der Ätzstoppschicht oberhalb der ersten Hartmaterialschicht; und
Entfernen der ersten Hartmaterialschicht und der Oxidzwischenschicht.
Bereitstellen eines Substrates;
Bilden einer Oxidzwischenschicht, einer ersten Hartmaterialschicht, einer Ätzstoppschicht und einer zweiten Hartmaterialschicht auf dem Substrat;
Mustern der zweiten Hartmaterialschicht, der Ätzstoppschicht, der ersten Hartmaterialschicht und der Oxidzwischenschicht, um in dem Substrat einen Graben zu bilden;
gleichzeitiges Durchführen eines Rücknahmevorgangs auf der ersten Hartmaterialschicht und Entfernen der zweiten Hartmaterialschicht;
Abscheiden eines isolierenden Materials in den Graben und über der Ätzstoppschicht, um eine Isolationsschicht zu bilden;
Entfernen der Isolationsschicht und der Ätzstoppschicht oberhalb der ersten Hartmaterialschicht; und
Entfernen der ersten Hartmaterialschicht und der Oxidzwischenschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Bildung der ersten Hartmaterialschicht
Abscheiden von Siliziumnitrid-Material beinhaltet, um eine Siliziumnitrid-Schicht zu
bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Bildung der Ätzstoppschicht
Abscheiden von Oxidmaterial beinhaltet, um eine Oxidschicht zu bilden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Bildung der zweiten
Hartmaterialschicht Abscheiden von Siliziumnitrid-Material beinhaltet, um eine
Siliziumnitrid-Schicht zu bilden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ätzstoppschicht eine hinreichende Dicke
aufweist, so dass das bei dem Rücknahmevorgang verwendete Ätzmittel zur Entfernung
der zweiten Hartmaterialschicht ohne Entfernung der Ätzstoppschicht in der Lage ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Durchführung des
Rücknahmevorgangs Verwendung von Flusssäure (HF) und Ethylenglykol (EG)
beinhaltet.
7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Durchführung der Entfernung der
Isolationsschicht und der Ätzstoppschicht oberhalb der ersten Hartmaterialschicht
chemisch-mechanisches Polieren beinhaltet.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Entfernung der ersten
Hartmaterialschicht Verwendung einer Phosphorsäurelösung beinhaltet.
9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zur Entfernung der Oxidzwischenschicht
Verwendung einer Flusssäurelösung beinhaltet.
10. Verfahren zum Einebnen der Oberfläche einer Materialschicht in einer
Halbleiterbauteilherstellung, welches die Schritte umfasst:
Bereitstellen einer ersten Hartmaterialschicht;
Bilden einer ersten Ätzstoppschicht auf der ersten Hartmaterialschicht;
Bilden einer zweiten Hartmaterialschicht auf der Ätzstoppschicht;
Einebnen der zweiten Hartmaterialschicht;
Entfernen der zweiten Hartmaterialschicht unter Verwendung der Ätzstoppschicht als ein Ätzstopp; und
Entfernen der Ätzstoppschicht.
Bereitstellen einer ersten Hartmaterialschicht;
Bilden einer ersten Ätzstoppschicht auf der ersten Hartmaterialschicht;
Bilden einer zweiten Hartmaterialschicht auf der Ätzstoppschicht;
Einebnen der zweiten Hartmaterialschicht;
Entfernen der zweiten Hartmaterialschicht unter Verwendung der Ätzstoppschicht als ein Ätzstopp; und
Entfernen der Ätzstoppschicht.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt zur Einebnung der zweiten
Hartmaterialschicht chemisch-mechanisches Polieren beinhaltet.
12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt zur Einebnung der zweiten
Hartmaterialschicht Ätzen beinhaltet.
13. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt zur Bildung der ersten
Hartmaterialschicht Abscheiden von Siliziumnitrid-Material beinhaltet, um eine
Siliziumnitrid-Schicht zu bilden.
14. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt zur Bildung der zweiten
Hartmaterialschicht Abscheiden von Siliziumnitrid-Material beinhaltet, um eine
Siliziumnitrid-Schicht zu bilden.
15. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt zur Bildung der Ätzstoppschicht
Abscheiden von Oxidmaterial beinhaltet, um eine Oxidschicht zu bilden.
16. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Schritt zur Entfernung der zweiten
Hartmaterialschicht Verwenden von Flusssäure (HF) und Ethylenglykol (EG) beinhaltet.
17. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Ätzselektivität des Ätzmittels zur Entfernung
der Ätzstoppschicht dergestalt ist, dass das Ätzmittel zur vollständigen Entfernung der
Ätzstoppschicht ohne vollständige Entfernung der ersten Hartmaterialschicht in der Lage
ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2000108813 DE10008813B4 (de) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | Verfahren zur Herstellung einer Flachgraben- Isolationsstruktur und Verfahren zum Einebnen der Oberfäche einer Materialschicht in einer Halbleitervorrrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2000108813 DE10008813B4 (de) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | Verfahren zur Herstellung einer Flachgraben- Isolationsstruktur und Verfahren zum Einebnen der Oberfäche einer Materialschicht in einer Halbleitervorrrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10008813A1 true DE10008813A1 (de) | 2001-09-13 |
| DE10008813B4 DE10008813B4 (de) | 2005-12-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE2000108813 Expired - Fee Related DE10008813B4 (de) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | Verfahren zur Herstellung einer Flachgraben- Isolationsstruktur und Verfahren zum Einebnen der Oberfäche einer Materialschicht in einer Halbleitervorrrichtung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10008813B4 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115084815A (zh) * | 2022-05-22 | 2022-09-20 | 上海图灵智算量子科技有限公司 | 一种制备t形波导的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728621A (en) * | 1997-04-28 | 1998-03-17 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Method for shallow trench isolation |
| US5910018A (en) * | 1997-02-24 | 1999-06-08 | Winbond Electronics Corporation | Trench edge rounding method and structure for trench isolation |
| US6001704A (en) * | 1998-06-04 | 1999-12-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of fabricating a shallow trench isolation by using oxide/oxynitride layers |
-
2000
- 2000-02-25 DE DE2000108813 patent/DE10008813B4/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| DE10008813B4 (de) | 2005-12-22 |
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