DE1000878B - Modulationsschaltung fuer Halbleiterverstaerker - Google Patents

Description

DEUTSCHES

Die Erfindung bezieht sich auf eine Modulationsschaltung für Halbleiterverstärker, insbesondere Spitzentransistoren, mit einem als Oszillator arbeitenden Transistor und einem damit zusammengeschalteten weiteren Transistor, dessen Eingangskreis an der Modulationsspannung liegt. Mit der Erfindung wird die Aufgabe gelöst, einen besonders klein dimensionierten Sender zu schaffen, bei dem besondere zusätzliche Schaltelemente, wie zusätzliche Batterien usw., vermieden sind.

Es ist bereits eine Modulationsschaltung für in Kathodenbasisschaltung betriebene Elektronenröhren, bekannt, bei der die Modulationsröhre zwischen Kathode der Hochfrequenzröhre und den negativen Pol der Anodenspannungsquelle eingeschaltet ist. Demgegenüber ist die erfindungsgemäße Schaltung schon dadurch verschieden, daß die ihr entsprechende analoge Röhrenschaltung die Gitterbasisschaltung ist.

Die erfindungsgemäße Modulationsschaltung ist in der Weise ausgeführt, daß die Basis-Kollektor-Strecken des Oszillatortransistors und des Modulatortransistors gleichsinnig derart hintereinandergeschaltet sind, daß die Basis des Modulatortransistors an Masse und der Kollektor dieses Transistors unmittelbar an der Basis des Oszillatortransistors liegt, daß der Ausgangskreis des Modulatortransistors und die Kollektorspannungsquelle für die Oszillatorfrequenz durch einen Kondensator überbrückt sind und daß eine mit einer Anzapfung versehene Spannungsquelle, insbesondere Batterie, vorgesehen ist, die zwischen dem Kollektor des Oszillatortransistors und dem Gitter des Modulatortransistors eingeschaltet ist und deren an Masse gelegte Anzapfung mit der Basis des Modulatortransistors verbunden ist.

Es ist auch eine Modulationsschaltung für Transistoren bekannt, bei der der Kollektor des HochfrequenztransistoTs mit der Basiselektrode des Modulationstransistors verbunden ist. Bei der bekannten Schaltung ist somit die Lage von Generator und Modulator gegenüber der erfindungsgemäßen Schaltung vertauscht. Auch sind die Anschlußpunkte für die Batterie und Erdung bei der bekannten Schaltung nicht angegeben. Im übrigen wird bei der Erfindung im Gegensatz zur bekannten Schaltung ein selbstschwingender Transistor an Stelle eines fremderregten verwendet, was bei der Verwendung als besonders klein dimensionierter Sender von Vorteil ist. Die erfindungsgemäße Schaltung besitzt ferner den Vorteil, daß eine niederfrequente Selbsterregung vermieden ist. Auch ist die Schaltung nach der Erfindung unempfindlich gegenüber Handkapazitätseinflüssen und in einfacher Weise aus Batterien zu speisen, die für andere Schaltungen gleichzeitig mitbenutzt werden können.

Modulationsschaltung
für Halbleiterverstärker

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 4

Heinrich Tigler, Karlsruhe,
ist als Erfinder genannt worden

Die Erfindung und dazugehörige Einzelheiten sind an Hand des in der Zeichnung wiedergegebenen Ausführungsbeispiels näher erläutert.

Im Kolle'ktorkreis des Oszillatortransistors 1 ist der aus Spule 2 und Kondensator 3 bestehende Oszillatorschwingkreis angeordnet, dessen induktive Anzapfung über einen Kondensator 4 mit dem Emitter des Transistors 1 in Verbindung steht. Um das Anschwingen des Oszillators sicherzustellen, ist eine Batterie 5 vorgesehen, von der der eine Pol an der Basis des Transistors 1 liegt, während der andere Pol über einen Schalter 6 mit dem Emitterableitwiderstand 7 verbunden werden kann. Mit dem Kollektorkreis des Transistors 1 ist der Kollektorkreis des Modulatortransistors 8 und über die Masseverbindung von dessen Basisanschluß der rechte Teil einer Batterie 9 in Reihe geschaltet. Der linke Teil der Batterie 9 liefert die Emittervorspanung für den Transistor 8, der Emitterableitwiderstand ist mit 10 und ein am Eingang der Schaltung vorgesehener Trennkondensator mit 11 bezeichnet. Durch die an den Eingangsklemmen 12 der Schaltung angelegte Modulationsspannung wird der KollektoTwiderstand des Transistors 8 beeinflußt und dadurch die Größe der am Oszillatorkreis 2,3 auftretenden Schwingspannung entsprechend der Kurvenform der Modulationsspannung geändert. Die modulierte Schwingspannung kann an den Ausgangsklemmen 13 abgenommen werden. Der Ausgangskreis des Modulatortransistors 8 und die Batterie 9 sind für die Oszillatorfrequenz durch einen Kondensator 14 überbrückt, so daß der Kollektorkreis des Transistors 8 durch den Hochfrequenzstrom nicht belastet wird. Für die Ein- und Ausschaltung der Anordnung ist

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ein zweipoliger Schalter 15 vorgesehen, der mit dem Schalter 6 der Batterie 5 gekuppelt sein kann.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH:

   Modulatorschaltung für Halbleiterverstärker, insbesondere Spitzentransistoren, mit einem als Oszillator arbeitenden Transistor und einem damit zusammengeschalteten weiteren Transistor, dessen Eingangskreis an der Modulationsspannung liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiskollektor-Strecken des Oszillatortransistors (1) und des Modulatortransistors (8) gleichsinnig derart hintereinandergeschaltet sind, daß die Basis des Modulatortransistors an Masse und der Kollektor dieses Transistors unmittelbar an der Basis des Oszilla-

   tortransistors liegt, daß der Ausgangskreis des Modulatortransistors (8) und die Kollektorspannungsquelle für die Oszillatorfrequenz durch einen Kondensator (14) überbrückt sind und daß eine mit einer Anzapfung versehene Spannungsquelle, insbesondere Batterie (9), vorgesehen ist, die zwischen dem Kollektor des Oszillatortransistors (1) und dem Emitter des Modulatortransistors (8) eingeschaltet ist und deren an Masse gelegte Anzapfung mit der Basis des Modulatortransistors (8) verbunden ist.

   In Betracht gezogene Druckschriften:
   Deutsche Patentschriften Nr. 574 954, 882 103;
   »The Bell System Techn. Journal«, 1951, S. 412 bis 414.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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