DE10004629C2 - Verfahren zur Entfernung von Partikeln von einem Tisch sowie Reinigungsplatte - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Entfernung von Partikeln (Staub) von einem ein ebenes Werkstück, beispielsweise eine Halbleiterscheibe, hal­ ternden Tisch, sowie eine Reinigungsplatte, die beim erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt wird.

Bei der Herstellung bzw. Bearbeitung von ebenen Werk­ stücken (plattenförmigen Werkstücken) wird das platten­ förmige Werkstück üblicherweise auf einem Tisch gehal­ tert, der eine ebene Aufnahmefläche aufweist. So wird beispielsweise während eines Herstellungsverfahrens für elektronische Bauteile zur Herstellung bzw. Bearbeitung einer Halbleiterscheibe die Halbleiterscheibe mit Hilfe eines elektrostatischen Ansaugverfahrens oder eines Va­ kuumansaugverfahrens auf dem Tisch gehaltert bzw. arre­ tiert. Dabei erfolgt die Halterung bzw. Arretierung der Halbleiterscheibe auf dem Tisch beispielsweise während der folgenden Bearbeitungsschritte: während eines Li­ thographieverfahrens, bei dem ein verkleinerndes Step- und-Repeat-Photolithographiesystem bzw. ein Elektronen­ strahl-Lithographiesystem eingesetzt wird; während ei­ nes Schichtbehandlungsverfahrens unter Verwendung einer Sputterätzanlage, einer Beschichtungsanlage, einer An­ lage zur chemischen Aufdampfung (CVD-Anlage) und einer Ätzanlage; während eines elektrischen Prüfverfahrens zur Prüfung von auf einer Halbleiterscheibe abgebilde­ ter Chips mit Hilfe einer Prüfanordnung und eines Test­ geräts; und während eines Verfahrens zur optischen Kon­ trolle von auf einer Halbleiterscheibe aufgezeichneten Mustern. Daneben wird aber auch zur Herstellung eines Paneels für eine Flüssigkristallanzeige oder eine Plasmaanzeige ein Glassubstrat zur Durchführung verschiede­ ner Arten von Bearbeitungsschritten, einschließlich der Strukturierung, auf einem Tisch gehaltert bzw. arre­ tiert. In der folgenden Erläuterung wird zum besseren Verständnis beispielhaft auf einen Tisch zur Halterung einer Halbleiterscheibe während der Durchführung eines Lithographieverfahrens Bezug genommen. Die vorliegende Erfindung beschränkt sich jedoch nicht auf diese Art von Tisch. Vielmehr kann die vorliegende Erfindung in bezug auf jeden Tischtyp Verwendung finden, sofern der Tisch ein flaches (plattenförmiges) Werkstück zur prä­ zisen Herstellung bzw. Bearbeitung haltert.

Fig. 1 zeigt den grundlegenden Aufbau eines Halbleiter­ scheibentisches, der während eines Lithographieverfah­ rens o. ä. zum Einsatz kommt. Wie sich Fig. 1 entnehmen läßt, haltert und arretiert ein Tisch 1 eine Halblei­ terscheibe an seiner Oberseite, wobei er auf einer in einer Y-Richtung beweglichen Basis 2 angeordnet ist. Die in Y-Richtung bewegliche Basis 2 ist ihrerseits so gehaltert, daß sie entlang von Bewegungsnuten bewegt werden kann, die in einer in eine X-Richtung bewegli­ chen Basis 3 ausgebohrt sind. Die in Y-Richtung beweg­ liche Basis 2 wird zur Bewegung in der Y-Richtung von einem Gleichstrom-Servomotor 5 angetrieben. Die in X- Richtung bewegliche Basis 3 ist wiederum so gehaltert, daß sie sich entlang von in einer Basis 4 ausgebohrten Bewegungsnuten in einer X-Richtung bewegen läßt, wobei sie zur Bewegung in der X-Richtung von einem Gleich­ strom-Servomotor 6 angetrieben wird. Durch diesen Me­ chanismus läßt sich der Tisch 1 sowohl in X- als auch in Y-Richtung bewegen. In der Praxis läßt sich der Tisch in Z- bzw. in vertikale Richtungen bewegen. Der Tisch enthält ein Laser-Interferometer oder ein ähnliches Element zur präzisen Messung des Umfangs der je­ weiligen Bewegung, auf das hier jedoch nicht weiter eingegangen werden soll.

Zur Halterung und Arretierung einer auf dem Tisch pla­ zierten Halbleiterscheibe werden ein Vakuumansaugver­ fahren oder ein elektrostatisches Ansaugverfahren ein­ gesetzt. Fig. 2 zeigt schematisch den Aufbau eines im Halbleiterscheibentisch enthaltenen Vakuumansaugmecha­ nismus. Wie sich Fig. 2 entnehmen läßt, sind in der Oberseite des Tisches 1 eine Vielzahl von Bohrungen vorgesehen, die über einen im Tisch 1 ausgebildeten Luftkanal 11 mit einem Verbindungsschlitz in Verbindung stehen. Der Verbindungsschlitz ist über einen Schlauch 12 und ein Luftventil 13 mit einer Vakuumpumpe 15 ver­ bunden. Nachdem eine Halbleiterscheibe 100 auf der Oberseite des Tisches 1 plaziert wurde, wird das Luft­ ventil 13 so gedreht, daß es sich zur Vakuumpumpe 15 hin öffnet. Hierdurch wird die (mit einer Vakuumkammer verbundene) Vakuumpumpe 15 aktiviert und der Druck im Inneren des Luftkanals 11 entsprechend gesenkt. Die Halbleiterscheibe 100 wird nun an die Oberseite des Ti­ sches 1 angesaugt und dort arretiert. Um die Halblei­ terscheibe 100 vom Tisch 1 zu entfernen, wird das Luft­ ventil 13 so gedreht, daß es sich zu einem Auslaßkanal 14 hin öffnet, wodurch Umgebungsluft in den Luftkanal 11 gelangt und der Vakuumansaugmechanismus dementspre­ chend die Halbleiterscheibe freigibt. Danach wird ein auf dem Tisch 1 ausgebildeter, nicht dargestellter Ver­ tikalbewegungsstift nach oben geschoben und die hier­ durch mit nach oben bewegte Halbleiterscheibe 100 wird von einem Halbleiterscheiben-Transportmechanismus er­ faßt. Zur Plazierung der Halbleiterscheibe 100 auf die Oberseite des Tisches 1 wird der Vertikalbewegungsstift nach oben bewegt, woraufhin der Halbleiterscheiben- Transportmechanismus die Halbleiterscheibe 100 auf den Vertikalbewegungsstift ablegt. Nachdem der Halbleiter­ scheiben-Transportmechanismus entfernt wurde, bewegt sich der Vertikalbewegungsstift nach unten, wodurch die Halbleiterscheibe 100 auf dem Tisch plaziert wird.

Der beschriebene Vakuumansaugmechanismus wird häufig als Ansaugmechanismus für Halbleiterscheibentische ein­ gesetzt. Allerdings läßt sich ein solcher Vakuuman­ saugmechanismus bei Systemen, in denen sich Halb­ leiterscheibe und Tisch in einer Vakuumumgebung (Unterdruckumgebung) befinden, etwa bei einem Elektro­ nenstrahl-Lithographiesystem, nicht einsetzen. Hierbei findet dann vielmehr ein elektrostatischer Ansaugmecha­ nismus Verwendung.

In den letzten Jahren hat sich die Größe von Halblei­ terbauteilen erheblich verringert. Das Vorhandensein mikroskopisch kleiner Partikel (Staub) während eines Halbleiterherstellungsverfahrens beeinträchtigt dabei wesentlich die Ausbeute an Halbleiterbauteilen. Im we­ sentlichen wird das Halbleiterherstellungsverfahren in einer sehr staubfreien Umgebung, und zwar insbesondere in einem Reinraum, durchgeführt. Insbesondere bei Li­ thographieverfahren zur Herstellung von Halbleiterbau­ teilen müssen die Bearbeitungsschritte mit hoher Präzi­ sion ablaufen, weshalb sie in einem Reinraum des höchsten Reinheitgrades durchgeführt werden. Allerdings ist es selbst bei Ausführung der Bearbeitungsschritte in einer solchen Umgebung nicht möglich, das Vorhanden­ sein von Partikeln vollständig zu vermeiden. Bisher wurde vor allem eine durch ein Anhaften von Partikeln an der Oberseite von Halbleiterscheiben verursachte Verringerung der Ausbeute diskutiert und ein Verfahren zur Entfernung von Partikeln aus der in einem Reinraum zirkulierenden Luft mit Hilfe eines Filters oder ähnli­ cher Elemente eingesetzt. Der den Reinheitsgrad eines Reinraums festlegende Standard beschreibt die Anzahl der in der Luft vorhandenen Partikel.

Allerdings können auch Partikel, die nicht in der Luft schweben, sondern an der Oberfläche eines Tisches an­ haften, während der Plazierung bzw. des Entfernens ei­ ner Halbleiterscheibe in die Luft aufgewirbelt werden. Es ist dabei sehr gut möglich, daß die Partikel dann an der Oberfläche einer anderen Halbleiterscheibe anhaften und so einen Faktor bei der Verringerung der Ausbeute bilden. Die beim Plazieren bzw. Entfernen einer Halb­ leiterscheibe möglicherweise in die Luft aufgewirbelten Partikel besitzen eine vergleichsweise geringe Größe. Derartige Partikel werden beim Entfernen einer Halblei­ terscheibe in die Luft aufgewirbelt und unmittelbar da­ nach wird eine weitere Halbleiterscheibe zur Bearbei­ tung angeliefert. Die Wahrscheinlichkeit, daß die auf­ gewirbelten Partikel an der Oberfläche der nächsten Halbleiterscheibe anhaften, ist daher sehr groß, was sich wiederum erheblich auf die Ausbeute an Halbleiter­ scheiben auswirkt.

Darüber hinaus werden relativ große Partikel zwar weni­ ger leicht aufgewirbelt als kleinere Partikel. Wenn al­ lerdings eine Halbleiterscheibe auf der Oberfläche ei­ nes Tisches abgelegt wird, an dem die relativ großen Partikel anhaften, so wird beim regulären Ansaugen der Scheibe die Ebenheit der Halbleiterscheibe aufgrund der Partikel beeinträchtigt, wie sich dies den Fig. 3A und 3B entnehmen läßt. Wird die Halbleiterscheibe 100, wie in Fig. 3A gezeigt, auf dem Tisch 1 plaziert, auf dem sich ein Partikel 21 befindet, und dann angesaugt, so ist der Teil der Halbleiterscheibe, der auf dem Parti­ kel 21 aufliegt, gegenüber den anderen Teilen der Scheibe erhöht, was die Ebenheit der Scheibe beein­ trächtigt. Außerdem wird die Halbleiterscheibe 100 wäh­ rend der Ansaugung rund um den Partikel 21 verformt. Ist der Partikel vergleichsweise klein, so kann die Be­ einträchtigung der Ebenheit der Halbleiterscheibe bzw. ihre Verformung vernachlässigt werden. Aus diesem Grund wurden bisher kaum Maßnahmen ergriffen, um an der Ober­ fläche eines Tisches anhaftende Partikel zu entfernen.

Allerdings hat sich die Größe der Halbleiterbauteile in den letzten Jahren verringert. Eine numerische Apertur (NA) kann heute bei einem verkleinernden Step-und-Re­ peat-Photolithographiesystem 0,5 oder mehr betragen. Da die Fokustiefe sehr gering (flach) ist, verursacht be­ reits eine geringfügige Abnahme der Ebenheit Probleme. Darüber hinaus ermöglichen die Elektronenstrahl-Litho­ graphiesysteme eine größere Fokustiefe als die verklei­ nernden Step-und-Repeat-Photolithographiesysteme. Die Verringerung der Ebenheit zeigt sich hier in einer Po­ sitionsabweichung. Außerdem sind die durch das Elektro­ nenstrahl-Lithographiesystem gezeichneten Linien feiner als die durch die verkleinernden Step-und-Repeat-Photo­ lithographiesysteme erzeugten Linien, so daß die Aus­ wirkung von am Tisch anhaftenden Partikeln nicht länger ignoriert werden darf.

Wie bereits erwähnt, wurden bisher kaum Maßnahmen ge­ troffen, um an der Oberfläche eines Tisches anhaftende Partikel zu entfernen. Üblicherweise wird zur Entfer­ nung von an der Oberfläche einer Vorrichtung anhaftenden Partikeln die Oberfläche mit reinem Wasser oder ei­ nem anderen Fluid abgewaschen, unter Verwendung eines Reinigungstuches abgewischt oder mit einem Luftstrahl abgeblasen. Da jedoch hier der Tisch auf einer Vorrich­ tung gehaltert ist, läßt er sich nicht unter Verwendung eines Fluids abwaschen. Würde man die Oberfläche des Tisches mit einem Reinigungstuch abwischen oder mit ei­ nem Luftstrahl abblasen, so würden Partikel innerhalb der Vorrichtung aufgewirbelt, so daß durch diese Tätig­ keit neue Partikel in Erscheinung treten würden.

Insbesondere bei Elektronenstrahl-Lithographiesystemen bzw. Schichtbehandlungsanlagen, wie etwa Sputterätzan­ lagen, Beschichtungsanlagen, CVD-Anlagen oder Ätzanla­ gen, muß der Tisch in einem Unterdruckzustand oder in einer bestimmten Gasatmosphäre angeordnet sein. Wird versucht, die Partikel in der genannten Weise vom Tisch zu entfernen, so ist es nötig, die den Tisch enthal­ tende Atmosphäre zur Außenluft hin zu öffnen, was wie­ derum die Ausbeute des Systems beeinträchtigt und zu einem Anhaften neuer Partikel am Tisch führt.

Partikel entstehen, wenn eine Halbleiterscheibe mit der Oberfläche des Tisches oder der Vertikalbewegungsstift mit der Halbleiterscheibe in Kontakt kommt, und sie bilden sich an der Oberfläche des Tisches bzw. der Halbleiterscheibe. Außerdem geht man davon aus, daß von einer zur Bearbeitung von außen in das System einge­ brachten Halbleiterscheibe abfallende bzw. in der Atmo­ sphäre des Systems schwebende Partikel an Halbleiter­ scheiben anhaften. Es ist außerdem möglich, daß an der Oberfläche des Tisches anhaftende Partikel beim Einle­ gen bzw. Entfernen der Halbleiterscheiben an die Halb­ leiterscheibe anhaften und so aus einem System hinaustransportiert werden oder in einen anderen Bereich des Systems oder in die Luft aufgewirbelt werden. Wer­ den die Partikel nicht durch eine gründliche Reinigung entfernt, so sammeln sie sich an und die Anzahl der Partikel steigt. Wie bereits erwähnt, ist es schwierig, den Tisch zu reinigen, sobald er in einem System mon­ tiert ist, und es ist dementsprechend keineswegs ein­ fach, Partikel vom Tisch zu entfernen.

Wie sich den obigen Ausführungen entnehmen läßt, wurde die Entfernung von auf einem Tisch befindlichen Parti­ keln bisher nicht wirklich ernsthaft diskutiert. Die Entfernung der Partikel ist problematisch; gleichzeitig ist es heute aufgrund der Fortschritte der Mikroprozes­ sortechnologie wichtig, Partikel von einem Tisch zu entfernen, um die Ausbeute zu erhöhen.

Aus der DD 81 048 A ist ein Verfahren zum Dekontaminie­ ren von Oberflächen, insbesondere bei kerntechnischen Anlagen bekannt. Hierbei wird nach einer bereits aufge­ tretenen Kontamination eine filmbildende Schutzschicht auf die zu behandelnde Fläche aufgebracht. Durch das Auftragen einer oder mehrerer Schichten wird erreicht, daß die kontaminierten Radionuklide vom Filmbindner gänzlich umschlossen und durch nachträgliches Abziehen der Schutzschicht von der Oberfläche entfernt werden. Als Filmbildner kommt hier eine Lösung von Polyvinylal­ kohol zur Anwendung, welche mittels Pinsel oder Spritz­ apparaturen aufgebracht wird.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur einfachen Entfernung von Partikeln von einem Tisch zu beschreiben und die Ausbeute durch die Entfernung der Partikel zu erhöhen, ohne daß es beim dabei eingesetzten Verfahren zu einer nennenswer­ ten Verringerung der Betriebsrate kommt.

Zur Lösung der genannten Aufgabe besteht ein Verfahren zur Entfernung von Partikeln von einem Tisch gemäß der vorliegenden Erfindung darin, einen in Form einer ebe­ nen Platte ausgebildeten Harzfilm auf einem Tisch zu plazieren und ihn wieder vom Tisch zu entfernen, sobald die Partikel an ihm anhaften, wodurch die Partikel vom Tisch entfernt werden.

Anders ausgedrückt, besteht das erfindungsgemäße Ver­ fahren zur Entfernung von Partikeln von einem Tisch in einem entsprechenden Verfahren, bei dem Partikel von einem zur Halterung eines ebenen Werkstücks dienenden Tisch entfernt werden, während der Tisch in einem Sy­ stem zur Herstellung und Bearbeitung des ebenen Werk­ stücks angeordnet ist. Das Verfahren ist dadurch ge­ kennzeichnet, daß ein Harzfilm auf dem Tisch plaziert und sodann wieder vom Tisch entfernt wird.

Der Harzfilm weist eine geringere Härte und eine grö­ ßere Elastizität auf als ein zur Herstellung des Ti­ sches verwendetes Keramikmaterial oder ein Metall. Es ist daher wahrscheinlich, daß mehr Partikel am Harzfilm anhaften, als an der Oberfläche des Tisches. Wenn daher der Harzfilm auf dem Tisch plaziert wird, an dem Parti­ kel anhaften, so heften sich die Partikel an den Harz­ film. Wird der Harzfilm wieder entfernt, so werden beinahe alle Partikel, die jetzt am Harzfilm anhaften, ebenfalls entfernt. Da gemäß diesem Verfahren die Par­ tikel entfernt werden, während sie am Harzfilm anhaf­ ten, steht nicht zu befürchten, daß die Partikel in die Luft aufgewirbelt werden oder sich an ein anderes Bau­ teil heften.

Der Harzfilm kann in Form einer ebenen Platte ausgebil­ det sein, die nur aus einem Harzfilm besteht. Aller­ dings sollte vorzugsweise wenigstens eine Oberfläche eines ebenen Werkstücks, etwa einer Halbleiterscheibe oder eines Glassubstrats, mit dem Harzfilm beschichtet und das ebene Werkstück dann so plaziert werden, daß die den Harzfilm aufweisende Seite mit dem Tisch in Kontakt kommt. Darüber hinaus kann anstatt des ebenen Werkstücks selbst auch ein speziell dafür vorgesehenes ebenes Element, das ähnlich dem ebenen Werkstück ge­ formt ist, beispielsweise eine dünne, sehr glatte Me­ tallplatte, mit dem Harzfilm beschichtet werden. In diesem Fall lassen sich Partikel vom Tisch durch Verwendung desselben Be-/Entladewegs entfernen, über den auch das ebene Werkstück angeliefert bzw. abtranspor­ tiert wird, was eine schnelle und effektive Entfernung der Partikel gestattet. Darüber hinaus wird der ver­ wendete Harzfilm vorzugsweise vom ebenen Werkstück bzw. dem speziell vorgesehenen ebenen Element abgezogen und das ebene Werkstück bzw. das spezielle ebene Element zur Wiederverwendung mit einem anderen Harzfilm neu be­ schichtet. Um einen automatischen Transport der Harz­ schicht bzw. eine sehr effiziente Entfernung der Parti­ kel zu ermöglichen, muß der Harzfilm sehr flach sein. Abweichungen in der Filmdicke sollten vorzugsweise 100 µm, und besonders bevorzugt 20 µm oder weniger betra­ gen. Im folgenden wird der Harzfilm bzw. das mit dem Harzfilm beschichtete plattenförmige Werkstück als Rei­ nigungsplatte bezeichnet.

Die vorliegende Erfindung läßt sich in jedem beliebigen System einsetzen, sofern das System einen Tisch zum Haltern und Arretieren eines ebenen Werkstücks auf­ weist. Die vorliegende Erfindung erweist sich dabei insbesondere beim Einsatz in einem zur Herstellung bzw. Bearbeitung von Halbleiterscheiben dienenden und für Partikel anfälligen Halbleiterherstellungssystem als besonders vorteilhaft.

Die Härte des Harzfilms sollte vorzugsweise so gewählt sein, daß der Harzfilm sich leicht verformen läßt, wenn er auf einen Partikel trifft, und es dem Partikel mög­ lich ist, am Harzfilm anzuhaften.

Der Harzfilm wird beispielsweise erzeugt, indem ein Harz im Siebdruckverfahren direkt auf das ebene Werk­ stück oder das speziell vorgesehene ebene Element auf­ gebracht und sodann gehärtet wird. Ein Harz kann aber auch unter Einsatz verschiedener entsprechender Gieß­ verfahren zu einem Film geformt werden.

Vor dem Einsatz muß der Harzfilm in einem Zustand ge­ halten werden, in dem wenige Partikel an ihn anhaften. Es ist daher nötig, den Harzfilm mit Hilfe eines Lö­ sungsmittels, etwa Alkohol, Azeton oder Isopropylalko­ hol, zu reinigen. Aus diesem Grund sollte vorzugsweise etwa ein Akrylgummi, ein Butadiengummi, ein Styrol­ gummi, ein Nitrylgummi oder ein Silikonharz, beispiels­ weise ein Silikonelastomer oder ein Silikongummi, ver­ wendet werden, welche gegen das Lösungsmittel unemp­ findlich sind. Bekannte Silikongummiarten (Elastomere) sind dabei vernetzte Harze (Anlagerungsharze) oder Kon­ densationsharze. Vorzugsweise sollte ein Silikongummi aus einem vernetzten Harz (Anlagerungsharz) verwendet werden, der beim Härten nur in geringem Umfang zur Kon­ traktion bzw. Verdunstung neigt.

Wie bereits erwähnt, kann der Harzfilm hergestellt wer­ den, indem das Harz durch Einsatz einer Siebdrucktech­ nik o. ä. direkt auf die Halbleiterscheibe oder ein ent­ sprechendes Element aufgebracht und dann gehärtet wird. Stattdessen kann ein als gesonderter Film hergestellter Harzfilm aber auch später mit Hilfe eines Haftmittels an einer Halbleiterscheibe befestigt werden. Als Haft­ mittel kann ein Silikonhaftmittel oder ein Epoxidhaftmittel verwendet werden, allerdings wird kein speziel­ les Haftmittel bevorzugt, vielmehr kann jedes beliebige Haftmittel eingesetzt werden, sofern es eine bestimmte Verbindungskraft ausübt.

Der Film sollte vorzugsweise ein Füllmittel oder ein Additiv, etwa Pigmente, enthalten. Um eine sekundäre Verschmutzung durch den Film zu verhindern, sollte das Füllmittel vollständig mit Harz bedeckt sein bzw. - in anderen Worten - das Füllmittel sollte nicht an der Oberfläche des Films freiliegen.

Um ein Freiliegen des Füllmittels zu verhindern, wird die Oberfläche des Füllmittels mit einem Verbindungsma­ terial oder einem Grundlack versehen, wodurch sich die Benetzbarkeit der mit Harz in Kontakt kommenden Füll­ mitteloberfläche erhöht.

Der Film wird nach dem Reinigen wiederverwendet, sofern der Harzfilm durch die Reinigung unter Verwendung eines Lösungsmittels wieder in seinen Ausgangszustand zurück­ versetzt wird, in dem er nur wenige Partikel aufweist.

Sofern der Tisch einen Vakuumansaugmechanismus oder einen elektrostatischen Ansaugmechanismus aufweist, sollte der Film vorzugsweise nach dem Plazieren auf dem Tisch angesaugt, freigegeben und dann entfernt werden. Hierdurch können die Partikel zuverlässig am Harzfilm anhaften. Wie bereits erwähnt, kann der im Elektronen­ strahl-Lithographiesystem verwendete Tisch in einer Un­ terdruckumgebung angeordnet werden, wobei dann ein elektrostatischer Ansaugmechanismus verwendet wird.

Im folgenden werden die Merkmale und Vorteile der vor­ liegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen

Fig. 1 eine Schemadarstellung eines Beispiels für den Aufbau eines in einem Lithogra­ phieverfahren zur Herstellung von Halb­ leiterbauteilen verwendeten Tisches sowie des zugehörigen Bewegungsmechanismus;

Fig. 2 eine Schemadarstellung eines zur Ansau­ gung dienenden Vakuumansaugmechanismus des Tisches;

Fig. 3A und 3B Diagramme zur Erläuterung der durch einen an der Oberfläche eines Tisches anhaften­ den Partikel verursachten Probleme;

Fig. 4 den Aufbau eines Elektronenstrahl-Litho­ graphiesystems, wie es bei einem Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zum Einsatz kommt;

Fig. 5 ein Diagramm zur Erläuterung des grundle­ genden Aufbaus eines elektrostatischen Ansaugmechanismus für den Tisch, der zu dem bei diesem Ausführungsbeispiel ver­ wendeten Elektronenstrahl-Lithographiesy­ stem gehört;

Fig. 6A und 6B den Aufbau einer bei diesem Ausführungs­ beispiel verwendeten Reinigungsscheibe;

Fig. 7 ein Flußdiagramm zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung der Reini­ gungsscheibe;

Fig. 8 ein Flußdiagramm zur Erläuterung eines Verfahrens zur Entfernung von Partikeln vom Tisch des Elektronenstrahl-Lithogra­ phiesystems unter Verwendung der erfin­ dungsgemäßen Reinigungsscheibe; und

Fig. 9 eine Tabelle, in der zur Erläuterung der Vorteile der vorliegenden Erfindung der Umfang aufgelistet ist, in dem die Parti­ kel entfernt werden, wenn beim erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel ein Fak­ tor verändert wird, und in der der Umfang angegeben ist, in dem die Partikel beim Einsatz eines anderen Reinigungsverfah­ rens entfernt werden.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel beschrieben, bei dem die Erfindung dazu eingesetzt wird, Partikel von einem zu einem Elektronenstrahl-Lithographiesystem gehörenden Tisch zu entfernen. Allerdings beschränkt sich die vorliegende Erfindung nicht auf diesen Ein­ satzzweck.

Bei dem Elektronenstrahl-Lithographiesystem handelt es sich um ein System zur Ausstrahlung eines Elektronen­ strahls auf eine mit Fotolack versehene Halbleiter­ scheibe (bzw. ein Substrat) sowie zum Aufzeichnen ge­ wünschter Mustern auf die Halbleiterscheibe. Das Elek­ tronenstrahl-Lithographiesystem zeichnet sich dadurch aus, daß es feinere Muster erzeugen kann, als ein verkleinerndes Step-und-Repeat-Photolithographiesystem. Bei Verwendung eines einzigen dünnen Strahls zum Zeich­ nen der Muster wird für die Belichtung viel Zeit benö­ tigt. Zur Erhöhung der Produktivität wurden bereits verschiedene Verfahren vorgeschlagen, so etwa ein Lithographieverfahren unter Verwendung eines Strahls mit variablem rechteckförmigem Querschnitt, ein Blocklithographieverfahren und ein Mehrstrahl-Lithogra­ phieverfahren. Die vorliegende Erfindung kann bei allen genannten Verfahren eingesetzt werden. Die Anordnung des Elektronenstrahl-Lithographiesystems wird im folgenden beispielhaft unter Bezugnahme auf das Blocklithographieverfahren kurz beschrieben.

Fig. 4 zeigt den Aufbau einer Strahlaussendungssystems, das in einem mit dem Blocklithographieverfahren arbei­ tenden Elektronenstrahl-Lithographiesystem eingesetzt wird. Das Blocklithographieverfahren läuft folgender­ maßen ab: Auf einer transparenten Maske werden Muster, die als Einheiten einer sich wiederholenden Graphik dienen, aufgezeichnet; ein Elektronenstrahl wird zum Zeichnen jeweils einzelner Mustereinheiten in die transparente Maske gerichtet; und die Mustereinheiten werden miteinander verbunden, um die sich wiederholende Graphik herzustellen. Ein von einem Elektronenstrahler 33 ausgesandter Elektronenstrahl wird beschleunigt und dann durch eine elektromagnetische Linse 34 in einen Parallelstrahl kollimiert. Danach passiert der Strahl einen ersten Schlitz 35, wodurch er umgeformt wird. Ei­ nes der auf einer transparenten Maske 38 aufgezeichne­ ten Muster wird ausgewählt und der Strahl wird mit Hilfe eines elektrostatischen Ablenkers 36 und einer elektromagnetische Linse 37 in den ausgewählten Muster­ bereich der transparenten Maske 38 geleitet. Der Strahl kann ggf. mit Hilfe einer elektromagnetischen Linse 39 und eines elektrostatischen Ablenkers 40 durch eine Austastblende 41 geleitet werden, wodurch er einer Gül­ tigkeitsprüfung unterzogen wird. Der Strahl wird dann mit Hilfe elektromagnetischer Linsen 42 bis 45 und ei­ nes elektrostatischen Ablenkers 46 in der vierten Stufe abgelenkt. Danach wird eine gewünschte Stelle mit dem Strahl bestrahlt. Tatsächlich werden für die zur Her­ stellung der Konvergenz dienenden elektromagnetische Linsen Spulen und Polschuhe verwendet, die jedoch in Fig. 4 nicht dargestellt sind. Die genannten Bauteile sind in einem Gehäuse angeordnet, daß als Säule 31 be­ zeichnet wird. Im Inneren der Säule, durch die der Elektronenstrahl verläuft, wird mit Hilfe einer Vakuum­ dichtung 32 ein Unterdruck erzeugt. Die entsprechenden Bauteile sind bereits bekannt und für die vorliegende Erfindung nicht von Bedeutung, weshalb sich eine wei­ tergehende Beschreibung erübrigt.

Unterhalb der Säule 31 sind ein Tisch 1 und ein Tisch­ bewegungsmechanismus 10 angeordnet. Der Tisch 1 und der Tischbewegungsmechanismus 10 befinden sich in einem in­ nerhalb einer Vakuumkammer 50 angeordneten Vakuumge­ häuse 51, in dem ein Unterdruck herrscht. Das Vakuumge­ häuse 51 steht mit einem durch eine Vakuumdichtung 32 abgeteilten Bereich der Säule in Verbindung, in dem ein Unterdruck herrscht. Der Tisch 1 und der Tischbewe­ gungsmechanismus 10 weisen den in Fig. 1 gezeigten grundlegenden Aufbau auf. Da der Tisch 1 und der Tisch­ bewegungsmechanismus 10 in dem einen Unterdruck aufwei­ senden Vakuumgehäuse 51 eingesetzt werden, ist der Tisch 1 so ausgeführt, daß er eine Halbleiterscheibe 100 mit Hilfe des elektrostatischen Ansaugverfahrens haltern und arretieren kann.

Fig. 5 zeigt den grundlegenden Aufbau des Tisches 1 zum Haltern und Arretieren der Halbleiterscheibe 100 unter Verwendung des elektrostatischen Ansaugverfahrens. Wie sich der Zeichnung entnehmen läßt, erstrecken sich zwei Elektroden 61 und 62 innerhalb des Tisches 1 entlang der Oberseite des Tisches 1, der aus einem dielektri­ schen Material besteht. Von Spannungsquellen 63 und 64 werden an die Elektroden große Spannung entgegengesetz­ ter Polarität angelegt. Dementsprechend werden in die plazierte Halbleiterscheibe 100 Spannungen induziert und es werden Anziehungskräfte erzeugt. Die Halbleiter­ scheibe 100 wird mit einer Kraft von 100 kgf angesaugt. Ähnlich wie beim Einsatz des Vakuumansaugverfahrens ist auch hier ein, in Fig. 5 allerdings nicht dargestellter Vertikalbewegungsstift vorgesehen.

Wie sich wiederum Fig. 4 entnehmen läßt, erhält der Tisch 1 die nicht belichtete Halbleiterscheibe 100 aus einem Halbleiterscheibenmagazin 54. Zum Zurücklegen der belichteten Halbleiterscheibe 100 in das Halbleiter­ scheibenmagazin 54 wird der Tisch 1 in eine Be- /Entladeposition gebracht, die mit einer gestrichelten Linie angedeutet ist. Eine das Halbleiterscheibenmaga­ zin 54 enthaltende Magazinkammer 53 ist vom Vaku­ umgehäuse 51 durch eine Trennwand 52 getrennt, die sich öffnen und schließen läßt. Um das Halbleiterscheibenma­ gazin 54 in die Magazinkammer 53 einzulegen oder das Halbleiterscheibenmagazin aus der Magazinkammer 53 zu entnehmen, wird die Trennwand 52 geschlossen, um in der Magazinkammer 53 einen der Umgebung entsprechenden nor­ malen Druckzustand herzustellen.

Danach wird die Tür der Magazinkammer 53 geöffnet, um das Halbleiterscheibenmagazin 54 zu entnehmen oder in die Magazinkammer zu legen. Ist das Einsetzen des Halbleiterscheibenmagazins 54 abgeschlossen, so wird die Tür der Magazinkammer 53 geschlossen, um im Kammer­ inneren einen Unterdruck herzustellen. Befindet sich die Magazinkammer 53 wieder in einem festgelegten Zu­ stand, so wird die Trennwand 52 geöffnet. Nun wird die nicht belichtete Halbleiterscheibe 100 mit Hilfe eines Transportarms 56 aus dem Halbleiterscheibenmagazin 54 entnommen und dann auf dem in der durch die ge­ strichelte Linie angedeuteten Position befindlichen Tisch 1 plaziert. Die Halbleiterscheibe wird sodann mit Hilfe des elektrostatischen Ansaugverfahrens angesaugt und so arretiert und in eine Belichtungsposition trans­ portiert.

Nach Beendigung der Belichtung wird der Tisch wieder in die durch die gestrichelte Linie angedeutete Position gebracht. Die belichtete Halbleiterscheibe 100 wird durch Ausführung der obigen Schritte in umgekehrter Reihenfolge wieder in das Halbleiterscheibenmagazin 54 abgelegt. Das Halbleiterscheibenmagazin 54 wird mit Hilfe eines der Bewegung des Halbleiterscheibenmagazins 54 dienenden Vertikalbewegungsmechanismus 55 verschoben und eine andere, neue Halbleiterscheibe 100 wird auf dem Tisch 1 plaziert. Diese Abfolge wiederholt sich bis die Belichtung aller im Halbleiterscheibenmagazin 54 befindlichen Halbleiterscheiben 100 abgeschlossen ist. Sind alle Halbleiterscheiben 100 des Halbleiterschei­ benmagazins 54 belichtet, so wird die Trennwand 52 wie oben erwähnt geschlossen, das Halbleiterscheibenmagazin 54 wird entnommen und durch ein anderes ersetzt.

Die Halbleiterscheiben werden beim Elektronenstrahl-Li­ thographiesystem unter Verwendung der genannten An­ ordnung eingelegt und entnommen. Dabei ist es alles an­ dere als einfach einen am Tisch 1 anhaftenden Partikel zu entfernen.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel wird zur Entfer­ nung eines am Tisch 1 anhaftenden Partikels eine Reini­ gungsscheibe (Reinigungsplatte) verwendet, die in den Fig. 6A und 6B dargestellt ist. Fig. 6A zeigt ein Bei­ spiel für eine Reinigungsscheibe, die durch Beschichten einer Seite einer Halbleiterscheibe mit einem Harzfilm erzeugt wird. Bei Fig. 7 handelt es sich um ein Flußdia­ gramm zur Erläuterung einer Abfolge von Herstellungs­ schritten für die Reinigungsscheibe gemäß Fig. 6A. Im folgenden wird die Reinigungsscheibe gemäß Fig. 6A unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschrieben.

Im Bearbeitungsschritt 201 wird eine Halbleiterscheibe 101 bereitgestellt, die dieselbe Form aufweist wie die zu belichtende Halbleiterscheibe 100 und die bereits abgewaschen wurde. Beim vorliegenden Ausführungsbei­ spiel wird hierfür eine Siliziumscheibe 101 mit einem Durchmesser von 8 Inches (etwa 200 mm) und einer Dicke von 700 µm verwendet. Im Arbeitsschritt 202 wird ein Silikonelastomer mit doppelter Fluidhärte an einer Seite der Halbleiterscheibe 101 aufgetragen. Im Bear­ beitungsschritt 203 wird das Silikonelastomer zur Her­ stellung einer Harzfilmschicht 110 mit einer Dicke von 200 µm vernetzt. Im Bearbeitungsschritt 204 wird die mit der Harzfilmschicht 110 versehene Halbleiterscheibe 101 in einen mit Azeton gefüllten Ultraschall-Reini­ gungsbehälter eingetaucht und einer Ultraschallreini­ gung unterzogen. Im Bearbeitungsschritt 205 wird die Halbleiterscheibe 101 schließlich getrocknet. Durch dieses Vorgehen erhält man eine staubfreie Halbleiter­ scheibe.

Zur Herstellung der in Fig. 6A dargestellten Reinigungs­ scheibe kann eine Harzfilmschicht allerdings auch auf einer Metallplatte anstatt auf einer Halbleiterscheibe 101 ausgebildet werden. Dabei kann beispielsweise eine ebene Harzplatte 120 mit denselben Abmessungen wie die Halbleiterscheibe gemäß Fig. 6B verwendet werden. Aller­ dings darf die Härte der Harzplatte nicht nennenswert verringert werden, da für Ihren Transport derselbe Transportmechanismus eingesetzt wird wie für den Trans­ port der Halbleiterscheiben. Außerdem ist ihre Dicke auf einen bestimmten Wert beschränkt. Material und Form müssen also den genannten Bedingungen entsprechend ge­ wählt werden.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 8 eine Ab­ folge von Arbeitsschritten zum Entfernen von Partikeln von der Oberseite des Tisches 1 unter Verwendung der in Fig. 6A dargestellten Reinigungsscheibe näher erläutert.

Im Arbeitsschritt 211 wird eine Reinigungsscheibe ent­ sprechend der in Fig. 6A dargestellten Scheibe in das Halbleiterscheibenmagazin 54 eingelegt. Die Anzahl der Reinigungsscheiben hängt von dem Umfang ab, in dem Par­ tikel entfernt werden sollen. Es kann also eine einzige Reinigungsscheibe oder auch eine Vielzahl von Reini­ gungsscheiben vorgesehen werden. Im Arbeitsschritt 212 wird das Reinigungsscheibenmagazin 54 eingesetzt, wäh­ rend die Trennwand 52 geschlossen ist. In der Magazin­ kammer 53 wird ein Unterdruck erzeugt und danach wird die Trennwand 52 geöffnet. Im Arbeitsschritt 213 wird der Tisch 1 in die in Fig. 4 mit der gestrichelten Linie angedeutete Position gebracht und mit Hilfe des Schei­ bentransportarms 56 wird eine Reinigungsscheibe auf dem Tisch 1 so plaziert, daß die Harzfilmschicht der Reini­ gungsscheibe nach unten weist. Im Arbeitsschritt 214 wird die Reinigungsscheibe zehn Sekunden lang im unter Bezugnahme auf Fig. 5 beschriebenen elektrostatischen Ansaugverfahren angesaugt, wodurch sie in engen Kontakt mit dem Tisch 1 gebracht wird. Wie bereits erwähnt, wird beim elektrostatischen Ansaugverfahren bei diesem Ausführungsbeispiel eine Ansaugkraft von 100 kgf er­ zeugt. Die Ansaugkraft und Ansaugzeit sollten im Hin­ blick auf verschiedene Bedingungen so eingestellt wer­ den, daß sie optimalen Werten entsprechen. So ist es beispielsweise möglich, daß auch bei einer Ansaugkraft von beispielsweise 10 kgf Partikel im gewünschten Um­ fang entfernt werden. Im Arbeitsschritt 215 wird die Ansaugung beendet und die Reinigungsscheibe wieder in das Halbleiterscheibenmagazin 54 zurückgelegt. Die Trennwand 52 wird geschlossen und die Magazinkammer 53 wird wieder in den Normaldruck-Zustand versetzt. Wird eine Vielzahl von Reinigungsscheiben in das Halbleiter­ scheibenmagazin 54 eingelegt, so wird die obige Abfolge für jede der vielen im Halbleiterscheibenmagazin 54 ab­ gelegten Reinigungsscheiben wiederholt. Die Trennwand 52 wird sodann geschlossen und in der Magazinkammer 53 wird wieder der Normaldruck-Zustand hergestellt. Ob sich Partikel entfernen lassen, hängt von einer Viel­ zahl verschiedener Bedingungen ab, einschließlich der Größe und des Gewichts der Partikel, der Ansaugkraft und der Härte des Harzfilms. Die Bedingungen lassen sich nicht einheitlich festlegen, vielmehr handelt es sich um eine Frage der Wahrscheinlichkeit, ob Partikel entfernt werden können. Insofern erhöht sich die Wahrscheinlichkeit, daß Partikel entfernt werden, wenn eine Vielzahl identischer Reinigungsscheiben eingesetzt und die obige Abfolge mehrere Male wiederholt wird.

Im Arbeitsschritt 216 wird das Halbleiterscheibenmaga­ zin 54 entfernt und die Reinigungsscheibe daraus ent­ nommen. Das Halbleiterscheibenmagazin 54 wird gereinigt und erneut verwendet. Das Entfernen der Partikel vom Tisch wird entsprechend der genannten Abfolge von Ar­ beitsschritten vollständig durchgeführt. Danach wird das Elektronenstrahl-Lithographiesystem wieder in den normalen Bearbeitungsmodus zurückgestellt. Die für die Durchführung der Schritte 211 bis 216 benötigte Zeit ist sehr kurz. Die entnommene Reinigungsscheibe wird im Schritt 217 aufbereitet. Die Aufbereitung erfolgt da­ bei, indem die Harzfilmschicht 110 abgezogen, die Halb­ leiterscheibe 101 gereinigt und daraufhin in den in be­ zug auf Fig. 7 beschriebenen Arbeitsschritten wieder eine Harzfilmschicht 110 ausgebildet wird.

Die Entfernung von Partikeln vom Tisch in der genannten Abfolge von Arbeitsschritten erfolgt beispielsweise nach Bearbeitung einer bestimmten Anzahl von Halblei­ terscheiben, periodisch oder jedesmal, wenn nach einem Belichtungsvorgang ein Fehler entdeckt wird. Werden Partikel jeweils nach Bearbeitung einer bestimmten An­ zahl von Halbleiterscheiben entfernt, so wird eine der zu belichtenden und in das Halbleiterscheibenmagazin 54 einzulegenden Scheiben als Reinigungsscheibe verwendet. Zur Reinigung des Tisches wird die genannte Abfolge von Arbeitsschritten sodann mit der Reinigungsscheibe durchgeführt.

Man hat einige der Parameter dieses Ausführungsbei­ spiels verändert und den Umfang bestimmt, in dem dabei Partikel jeweils vom Tisch entfernt werden. Die Ergeb­ nisse dieser Überprüfung werden im folgenden erörtert. Vorab wurde im Vakuumgehäuse 51 eine kontaktlose Ober­ flächenrauheits-Prüfvorrichtung angeordnet, die in der Lage ist, einzelne Siliziumfragmente aufzuspüren. Dar­ aufhin wurden einhundert jeweils 10 µm lange Silizium­ fragmente gleichmäßig verteilt und am Tisch 1 angehef­ tet. Es wurden Reinigungsscheiben mit Harzfilmschichten 110 aus Silikonelastomer hergestellt, deren Härte mit Hilfe eines JIS-A-Härtemeßgeräts (JIS K 6301) auf 1, 10, 30, 50, 75, 100 und 101 oder höher festgelegt wurde. Die Reinigungsscheiben wurden eingesetzt, um ge­ mäß dem genannten Ausführungsbeispiel des Verfahrens Partikel vom Tisch 1 zu entfernen. Die Anzahl der ver­ bliebenen Partikel wurde mit Hilfe der kontaktlosen Oberflächenrauhheits-Meßvorrichtung ermittelt. Die Er­ gebnisse der Messungen sind als Beispiele 1 bis 7 in Fig. 9 aufgelistet. Bei einer Härte gleich oder kleiner 100 beträgt die Anzahl der verbleibenden Partikel null. Übersteigt die Härte 100, so bleiben 10% der Partikel zurück. Dementsprechend sollte die Härte der Harzfilm­ schicht vorzugsweise 100 nicht überschreiten.

Außerdem zeigt das Beispiel 8 in Fig. 9 die Ergebnisse von Messungen, die bei Anordnung des Elektronenstrahl- Lithographiesystems in einem Reinraum der Klasse 1 durchgeführt wurden. Die Oberfläche des Tisches 1 wurde mit Hilfe eines Staubsaugers abgesaugt, wobei das Halb­ leiterscheibenmagazin 54 und die Trennwand 52 offen blieben. Gleich danach wurde die Trennwand 52 geschlos­ sen, um im Vakuumgehäuse 51 ein Vakuum herzustellen. Hierbei blieben fünf Partikel übrig, wobei jedoch die Länge der ermittelten Partikel gleich oder kleiner 2 µm war. Es ist dabei davon auszugehen, daß der Tisch 1 beim Verfahren zur Entfernung von Partikeln vom Tisch 1 mit Hilfe eines Staubsaugers sekundär mit vom Staubsau­ ger abgegebenen Partikeln kontaminiert wurde. Somit lassen sich hier Partikel nicht einwandfrei entfernen.

Wie sich der obigen Beschreibung entnehmen läßt, wird bei diesem Ausführungsbeispiel der Mechanismus zur Zu­ führung und Entfernung einer Halbleiterscheibe, der üb­ licherweise im Elektronenstrahl-Lithographiesystem vor­ handen ist, auch zur nahezu vollständigen Entfernung von Partikeln vom Tisch innerhalb einer kurzen Zeit­ spanne eingesetzt.

Die obige Beschreibung bezieht sich auf ein Ausfüh­ rungsbeispiel, bei dem die vorliegende Erfindung in ei­ nem Elektronenstrahl-Lithographiesystem eingesetzt wird. Stattdessen läßt sich die vorliegende Erfindung aber auch in einem verkleinernden Step-und-Repeat-Pho­ tolithographiesystem verwenden. Da das verkleinernde Step-und-Repeat-Photolithographiesystem mit ebenso ho­ her Präzision arbeiten muß, wie das Elektronenstrahl- Lithographiesystem, bietet die vorliegende Erfindung auch hier große Vorteile. Außerdem können auch beim Einsatz der vorliegenden Erfindung in einem Halbleiter­ herstellungssystem, bei dem keine derart hohe Präzision verlangt wird wie bei den Lithographiesystemen, Parti­ kel entfernt werden, ohne daß sie dabei aufgewirbelt werden. Die Anzahl der an einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe anhaftenden Partikel läßt sich ver­ ringern und darüber hinaus läßt sich auch die Anzahl von an der Rückseite der Halbleiterscheibe anhaftenden und so zu einer weiteren Bearbeitungsstrecke, beispielsweise einer Lithographiestrecke, transportierten Partikeln reduzieren. All dies trägt zu einer Verbesse­ rung der Ausbeute bei dem jeweiligen System bei.

Außerdem gab es bisher auch kein effektives Verfahren zur Entfernung von Partikeln von der Oberfläche des ein ebenes Werkstück halternden und arretierenden Tisches für andere Systeme als solche zur Halbleiterherstel­ lung, bei dem die Partikel nicht aufgewirbelt werden. Wird die vorliegende Erfindung in einem solchen System eingesetzt, so können die Partikel entfernt werden, ohne daß andere Bauteile beeinträchtigt werden. So kann beispielsweise die vorliegende Erfindung in einem Sy­ stem zur Herstellung eines Paneels für eine Flüssigkri­ stallanzeige oder eine Plasmaanzeige Verwendung finden. Da in diesem Fall ein Glassubstrat von einem zum System gehörenden Tisch gehaltert und arretiert wird, bildet man zur Herstellung einer Reinigungsplatte eine Harz­ filmschicht auf demselben Glassubstrat oder einer ent­ sprechenden Metallplatte aus.

Wie sich der obigen Beschreibung entnehmen läßt, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, Partikel von einem Tisch zu entfernen, ohne sie dabei aufzuwirbeln. Der nachteilige Einfluß der Partikel läßt sich hier­ durch drastisch reduzieren.

Insbesondere beim Einsatz der vorliegenden Erfindung bei Halbleiterherstellungssystemen lassen sich auf ei­ nem Tisch befindliche Partikel, die die Ebenheit einer Halbleiterscheibe beeinträchtigen oder sich verteilen und dann die Oberfläche einer Halbleiterscheibe beein­ trächtigen können, entfernen, ohne daß sie dabei aufgewirbelt werden, wodurch sich die Ausbeute bei Halblei­ terherstellungsverfahren erheblich erhöht.

Claims (12)

1. Verfahren zur Entfernung von auf einem Tisch befind­ lichen Partikeln, wobei der Tisch ein ebenes Werk­ stück haltert und in einem System zur Herstellung bzw. Bearbeitung des ebenen Werkstücks angeordnet ist und wobei das Verfahren durch die folgenden Ver­ fahrensschritte gekennzeichnet ist:

• - Plazieren eines in Form einer ebenen Platte aus­ gebildeten Harzfilms auf dem Tisch; und
• - Wiederabnehmen des Harzfilms vom Tisch.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei wenigstens eine Seite eines speziell vorgesehenen, ebenen und ent­ sprechend dem ebenen Werkstück geformten Elements mit dem Harzfilm beschichtet und der Harzfilm mit dem Tisch in Kontakt gebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem Sy­ stem zur Herstellung bzw. Bearbeitung des ebenen Werkstücks um ein Halbleiterherstellungssystem und bei dem ebenen Werkstück um eine Halbleiterscheibe handelt.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Harzfilm aus einem Silikonharz besteht.

5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei als Silikonharz ein vernetztes Silikonharz dient.

6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Harzfilm auf dem Tisch plaziert, sodann an den Tisch angesaugt und danach wieder freigegeben wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Tisch das ebene Werkstück und den Harzfilm mit Hilfe eines Vakuuman­ saugverfahrens ansaugt.

8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Tisch das ebene Werkstück und den Harzfilm mit Hilfe eines elektro­ statischen Ansaugverfahrens ansaugt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei sich der Tisch in einer Unterdruckumgebung befindet.

10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei es ich bei der An­ lage zur Herstellung bzw. Bearbeitung des ebenen Werkstücks um ein Elektronenstrahl-Lithographiesy­ stem handelt.

11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Harzfilm über denselben Be-/Entladeweg auf dem Tisch plaziert und von diesem wieder entfernt wird wie das ebene Werk­ stück.

12. Reinigungsplatte, die auf einem ein ebenes Werkstück halternden Tisch plaziert ist und zur Entfernung von Partikeln von diesem Tisch dient und die dann wieder von diesem Tisch abnehmbar ist, wobei die Reini­ gungsplatte die folgenden Bestandteile umfaßt:

• - eine ebene Platte; und
• - einen Harzfilm, mit dem wenigstens eine Oberflä­ che der ebenen Platte beschichtet ist.