DE07854481T1 - Hohe elektrolyt-zugaben zur herstellung von gefällter kieselerde - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines abrasiven Siliciumdioxidmaterials, wobei das Verfahren die folgenden sequenziellen Schritte involviert:
a) zusammen Reagieren-Lassen einer ersten Menge von Silikat und einer ersten Menge von Säure, unter Hochschermischbedingungen, optional in der Gegenwart mindestens eines Elektrolyten, der im Vergleich zu dem Trockengewicht der ersten Menge des Silikats in einer Menge von 5 bis 25 Gewichtsprozent vorhanden ist, um ein erstes Siliciumdioxidmaterial zu bilden; und
b) zusammen Reagieren-Lassen einer zweiten Menge von Silikat und einer zweiten Menge von Säure, in der Gegenwart des ersten Siliciumdioxidmaterials, optional in der Gegenwart mindestens eines Elektrolyten, der im Vergleich zu dem Trockengewicht der zweiten Menge des Silikats in einer Menge von 5 bis 25 Gewichtsprozent vorhanden ist, um auf der Oberfläche des ersten Siliciumdioxidmaterials eine dichte Phasenbeschichtung zu bilden, wodurch ein mit Siliciumdioxid beschichtetes Siliciumdioxidmaterial gebildet wird;
wobei der mindestens eine Elektrolyt in einem der Schritte „a” oder „b” oder...

Claims (14)

  1. Ein Verfahren zum Herstellen eines abrasiven Siliciumdioxidmaterials, wobei das Verfahren die folgenden sequenziellen Schritte involviert: a) zusammen Reagieren-Lassen einer ersten Menge von Silikat und einer ersten Menge von Säure, unter Hochschermischbedingungen, optional in der Gegenwart mindestens eines Elektrolyten, der im Vergleich zu dem Trockengewicht der ersten Menge des Silikats in einer Menge von 5 bis 25 Gewichtsprozent vorhanden ist, um ein erstes Siliciumdioxidmaterial zu bilden; und b) zusammen Reagieren-Lassen einer zweiten Menge von Silikat und einer zweiten Menge von Säure, in der Gegenwart des ersten Siliciumdioxidmaterials, optional in der Gegenwart mindestens eines Elektrolyten, der im Vergleich zu dem Trockengewicht der zweiten Menge des Silikats in einer Menge von 5 bis 25 Gewichtsprozent vorhanden ist, um auf der Oberfläche des ersten Siliciumdioxidmaterials eine dichte Phasenbeschichtung zu bilden, wodurch ein mit Siliciumdioxid beschichtetes Siliciumdioxidmaterial gebildet wird; wobei der mindestens eine Elektrolyt in einem der Schritte „a” oder „b” oder während beider Schritte vorhanden ist und wobei der Schritt „b” optional unter Hochschermischbedingungen durchgeführt wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der mindestens eine Elektrolyt im Vergleich zu dem Trockengewicht von entweder der ersten oder der zweiten Menge des Silikats in einer Menge von 6 bis 21% Gewichtsprozent vorhanden ist.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der mindestens eine Elektrolyt aus der Gruppe, die aus Alkalimetallsalzen, Erdalkalimetallsalzen und Kombinationen davon besteht, ausgewählt ist.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei der mindestens eine Elektrolyt aus der Gruppe, die aus Natriumsulfat, Natriumchlorid, Calciumchlorid und jeder beliebigen Mischung davon besteht, ausgewählt ist.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei der mindestens eine Elektrolyt Natriumsulfat ist.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei der mindestens eine Elektrolyt aus der Gruppe, die aus Alkalimetallsalzen, Erdalkalimetallsalzen und Kombinationen davon besteht, ausgewählt ist.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der mindestens eine Elektrolyt aus der Gruppe, die aus Natriumsulfat, Natriumchlorid, Calciumchlorid und jeder beliebigen Mischung davon besteht, ausgewählt ist.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei der mindestens eine Elektrolyt Natriumsulfat ist.
  9. Ein Siliciumdioxidprodukt, das mittels des Verfahrens gemäß Anspruch 1 produziert wird, wobei die Siliciumdioxidpartikel eine Cetylpyridiniumchlorid-Kompatibilität in % (CPC in %), die höher ist als etwa 85%, aufweisen.
  10. Siliciumdioxidprodukt gemäß Anspruch 9, wobei die Siliciumdioxidpartikel eine CPC-Kompatibilität in %, die höher ist als etwa 87%, aufweisen.
  11. Siliciumdioxidprodukt gemäß Anspruch 10, wobei die Siliciumdioxidpartikel eine CPC-Kompatibilität in %, die höher ist als etwa 90%, aufweisen.
  12. Siliciumdioxidprodukt, das mittels des Verfahrens gemäß Anspruch 2 produziert wird, wobei die Siliciumdioxidpartikel eine Cetylpyridiniumchlorid-Kompatibilität in % (CPC in %), die höher ist als etwa 85%, aufweisen.
  13. Siliciumdioxidprodukt gemäß Anspruch 12, wobei die Siliciumdioxidpartikel eine CPC-Kompatibilität in %, die höher ist als etwa 87%, aufweisen.
  14. Siliciumdioxidprodukt gemäß Anspruch 13, wobei die Siliciumdioxidpartikel eine CPC-Kompatibilität in %, die höher ist als etwa 90%, aufweisen.
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