DE04012914T1 - Elektronische Bauelemente aus hochreinem Molybdänoxid - Google Patents

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Abstract

Elektronisches Halbleiterbauelement, in dem zumindest in einem wesentlichen Teil hochreines Molybdenoxid verwendet wird.

Claims (17)

  1. Elektronisches Halbleiterbauelement, in dem zumindest in einem wesentlichen Teil hochreines Molybdenoxid verwendet wird.
  2. Elektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Bauelement ein Widerstandsbauelement, eine Diode, ein Transistor, ein Halleffekt-Bauelement, ein Varistor, ein Thermistor, ein Thyristor oder ein Speicherbauelement ist.
  3. Elektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei der wesentliche Teil eine Kanalschicht ist.
  4. Elektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das hochreine Molybdenoxid eine Bandlücke aufweist, die gleich oder größer als 3,45 eV ist.
  5. Elektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das hochreine Molybdenoxid durch Dampfphasenabscheidung ausgebildet ist.
  6. Elektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Bauelementschichten auf einem Molybdensubstrat ausgebildet sind.
  7. Bipolarer Transistor, in dem das hochreine Molybdenoxid mindestens in einem Emitter, einer Basis oder einem Kollektor verwendet wird.
  8. Thyristor, der eine Bauelementstruktur aufweist, die aus einer ersten p-dotierten Molybdenoxidschicht, einer ersten n-dotierten Molybdenoxidschicht, einer zweiten p-dotierten Molybdenoxidschicht und einer zweiten n-dotierten Molybdenoxidschicht besteht, die in dieser Reihenfolge aufgeschichtet sind.
  9. Thyristor, der eine erste n-dotierte Molybdenoxidschicht, eine erste p-dotierte Molybdenoxidschicht, eine zweite n-dotierte Molybdenoxidschicht und eine zweite p-dotierte Molybdenoxidschicht aufweist, die in dieser Reihenfolge aufgeschichtet sind.
  10. Feldeffekttransistor, der ein Substrat umfasst, das aus Molybden zusammengesetzt ist, wobei eine Kanalschicht unter Verwendung von Molybdenoxid ausgebildet ist.
  11. Bipolartransistor, der ein Substrat umfasst, das aus Molybden zusammengesetzt ist, wobei Molybdenoxid in mindestens einem Bereich eines Emitters, einer Basis oder eines Kollektors verwendet wird.
  12. Thyristor, der ein Substrat aus Molybden und eine Bauelementstruktur umfasst, die aus einer ersten p-dotierten Molybdenoxidschicht, einer ersten n-dotierten Molybdenoxidschicht, einer zweiten p-dotierten Molybdenoxidschicht und einer zweiten n-dotierten Molybdenoxidschicht besteht, die in dieser Reihenfolge auf dem Substrat aufgeschichtet sind.
  13. Thyristor, der ein Substrat aus Molybden und eine Bauelementstruktur umfasst, die aus einer ersten n-dotierten Molybdenoxidschicht, einer ersten p-dotierten Molybdenoxidschicht, einer zweiten n-dotierten Molybdenoxidschicht und einer zweiten p-dotierten Molybdenoxidschicht besteht, die in dieser Reihenfolge auf dem Substrat aufgeschichtet sind.
  14. Feldeffekttransistor, der ein Substrat aus Molybden und eine Schicht aus Molybdenoxid umfasst, die durch Oxidation eines Teils des Substrats ausgebildet ist, wobei unter Verwendung von Molybdenoxid eine Kanalschicht ausgebildet ist.
  15. Bipolartransistor, der ein Substrat aus Molybden und eine Schicht aus Molybdenoxid umfasst, die durch Oxidation eines Teils des Substrats ausgebildet ist, wobei Molybdenoxid in mindestens einem Bereich eines Emitters, einer Basis oder eines Kollektors verwendet wird.
  16. Thyristor, der ein Substrat aus Molybden, eine Schicht aus Molybdenoxid, die durch Oxidieren eines Teils des Substrates ausgebildet ist, und eine Bauelementstruktur umfasst, die auf dem Substrat ausgebildet ist, wobei die Bauelementstruktur aus einer ersten p-dotierten Molybdenoxidschicht, einer ersten n-dotierten Molybdenoxidschicht, einer zweiten p-dotierten Molybdenoxidschicht und einer zweiten n-dotierten Molybdenoxidschicht besteht, die in dieser Reihenfolge aufgeschichtet sind.
  17. Thyristor, der ein Substrat aus Molybden, eine Schicht aus Molybdenoxid, die durch Oxidieren eines Teils des Substrates ausgebildet ist, und eine Bauelementstruktur umfasst, die auf dem Substrat ausgebildet ist, wobei die Bauelementstruktur aus einer ersten n-dotierten Molybdenoxidschicht, einer ersten p-dotierten Molybdenoxidschicht, einer zweiten n-dotierten Molybdenoxidschicht und einer zweiten p-dotierten Molybdenoxidschicht besteht, die in dieser Reihenfolge aufgeschichtet sind.
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