CZ301766B6 - Anoda kondenzátoru na bázi niobu - Google Patents

Anoda kondenzátoru na bázi niobu Download PDF

Info

Publication number
CZ301766B6
CZ301766B6 CZ20030546A CZ2003546A CZ301766B6 CZ 301766 B6 CZ301766 B6 CZ 301766B6 CZ 20030546 A CZ20030546 A CZ 20030546A CZ 2003546 A CZ2003546 A CZ 2003546A CZ 301766 B6 CZ301766 B6 CZ 301766B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
niobium
anode
electrolyte
layer
barrier layer
Prior art date
Application number
CZ20030546A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ2003546A3 (cs
Inventor
Schnitter@Christoph
Reichert@Karlheinz
Original Assignee
H.C. Starck Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7653831&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ301766(B6) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by H.C. Starck Gmbh filed Critical H.C. Starck Gmbh
Publication of CZ2003546A3 publication Critical patent/CZ2003546A3/cs
Publication of CZ301766B6 publication Critical patent/CZ301766B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029Processes of manufacture
    • H01G9/0032Processes of manufacture formation of the dielectric layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Abstract

Anoda se závernou vrstvou na bázi niobu sestává z niobového kovového jádra, vodivé vrstvy ze suboxidu niobu a dielektrické záverné vrstvy z oxidu niobicného. Kondenzátor s anodou se závernou vrstvou na bázi niobu vykazuje po formování elektrolytu vyšší kapacitu. Dielektrická vrstva na povrchu sintrovaného telesa vzniká pri formování elektrolytu obsahujícího vodný roztok s anionty organické kyseliny.

Description

Anoda kondenzátorů na bázi niobu
Oblast techniky
Vynález se týká anod pro elektrolytické kondenzátory na bázi niobu, jakož i způsobu výroby takovýchto anod.
io Dosavadní stav techniky
V literatuře jsou jako výchozí materiály pro výrobu takovýchto anod a kondenzátorů popsány zejména kovy kyselých zemin niob a tantal. Výroba anod se provádí sintrováním jemného kovového prášku pro vytvoření struktury s velkým povrchem, oxidací povrchu sintrovaného tělesa pro vytvoření nevodivé izolační vrstvy a nanesením protielektrody ve formě vrstvy oxidu manganičitého nebo vodivého polymeru.
Technického významu pro výrobu kondenzátorů dosáhl dosud pouze práškový tantal.
Podstatné specifické vlastnosti takovýchto kondenzátorů se stanovují prostřednictvím měrného povrchu, tloušťky d izolátoru tvořícího oxidovou vrstvu a relativní dielektrické konstanty εΓ. Přitom se kapacita C vypočítává následovně:
C = EoEřxA/d (1), přičemž &j = 0,885x10’ F/M (II) je dielektrická konstanta pote a A je plocha kondenzátorů.
Izolační oxidová vrstva kondenzátorů se zpravidla vytváří elektrolyticky, ponořením niobové nebo tantalové sintrované struktury tvořící anodu kondenzátorů do elektrolytu, zpravidla zředěné kyseliny fosforečné, a vložením elektrického pole. Tloušťka oxidové vrstvy je přitom úměrná elektrolýznímu napětí, které je, s počátečním omezením proudu, přiloženo tak dlouho, až elektrolýzní proud klesne na nulu. Obvykle se při takovémto elektrolýzním napětí („formovací napětí“) vytvoří oxidová vrstva, která odpovídá 1,5- až 4-násobku předpokládaného pracovního napětí kondenzátorů.
Obvykle se uvádí relativní dielektrická konstanta oxidu tantaličítého 27 a oxidu niobičného 41. Nárůst tloušťky formovacího napětí, v případě niobu asi 3,7 nm/V, takže vyšší relativní dielektrická konstanta niobu je při stejném formovacím napětí kompenzována větší tloušťkou oxidové vrstvy.
Miniaturizace kondenzátorů se dosahuje zvětšením měrného povrchu tím, že se pro výrobu sintrované struktury používají jemnější prášky a snižuje se sintrovací teplota.
Z potřebné tloušťky izolační oxidové vrstvy vyplývají meze miniaturizacem, tzn. zvyšování měrné kapacity kondenzátorů, neboť uvnitř sintrované struktury musí být přítomno ještě dostatečné množství vodivé fáze pro vedení proudu a omezení vznikajícího ohniskového tepla. S narůstající miniaturizací kondenzátorů tak roste sklon k oxidaci. To platí zejména při niobové kondenzátory, které ve srovnání s tantalovými kondenzátory vyžadují větší tloušťku izolační oxidové vrstvy při stejném formovacím napětí.
CZ JU1 /00 BO
Podstata vynálezu
Nyní bylo zjištěno, že vlastnosti kondenzátoru mohou být zlepšeny, když se pro formování použije elektrolyt, který obsahuje vícesytný organický kyselinový ani on, který s niobem vytváří stabilní komplexy. Vhodné organické kyseliny pro použití ve formovacích elektrolytech jsou např.: kyselina šťavelová, kyselina mléčná, kyselina citrónová, kyselina vinná, kyselina fialová, výhodný kyselinový anion je anion kyseliny šťavelové.
Elektrolyt může obsahovat organickou kyselinu ve vodném roztoku. S výhodou se použije ve vodě rozpustná sůl organické kyseliny. Jako kationty jsou vhodné takové, které neovlivňují negativně oxidovou vrstvu, a jejichž konstanta stability komplexu je nižší než konstanta stability komplexu niobu s tímto kyselinovým iontem, takže může probíhat výměna iontů niobu za příslušné ionty kovu. Výhodné jsou kationty, které při svém zabudování do oxidové vrstvy pozitivně ovlivňují vlastnosti kondenzátoru. Zvláště výhodný kation je tantal.
Zvláště výhodný jako formovací elektrolyt je vodný roztok oxalátu tantalu. Vynález bude dále popsán, bez omezení obecnosti, na příkladu oxalátu tantalu.
Prostřednictvím způsobu formování podle vynálezu jsou získány kondenzátory s kapacitou až o 50 % zvýšenou oproti obvyklému formování ve zředěné kyselině fosforečné. Měrný svodový proud je nižší než 0,5 nA/pFV.
Bylo zjištěno, že účinek zvyšující kapacitu je tím větší, čím vyšší je vodivost elektrolytu při formování.
Koncentrace elektrolytu je s výhodou nastavena tak, že je vodivost elektrolytu 1,5 až 25 mS/cm, zvláště výhodně 5 až 20 mS/cm, zejména 8 až 18 mS/cm.
Pri formování je výhodné omezit formovací proud zpočátku na 30 až 150mA/m2. Přitom se v případě elektrolytů s nižší vodivostí s výhodou použijí formovací proudy omezené na nižší hodnoty. V případě elektrolytů s vyšší vodivostí s výhodou je možno použít formovací proudy v oblasti vyšších hodnot.
Efekt zvyšující kapacitu podle vynálezu se přičítá specifickému odnášení niobu z anodové struktury v průběhu formování. Obsah niobu ve formovacím elektrolytu po formování odpovídá několika % hmotn. výchozí anodové struktury. Množství niobu rozpuštěné pri formování typické představuje 3 až 5 % hmotn., v některých případech dokonce až 10 % hmotn. anodové struktury. K odnášení zřejmě dochází specificky tak, že se oproti formování zředěnou kyselinou fosforeč40 nou zvětšuje efektivní plocha kondenzátoru. Pri obvyklém formování v kyselině fosforečné se v důsledku zvětšení objemu vytvářením oxidové vrstvy póry uzavírají resp. ucpávají, takže se snižuje efektivní plocha kondenzátoru. Ion organické kyseliny zřejmě zasahuje právě ty oblasti povrchu, které ohraničují zvláště úzké póry.
Další výhodný efekt vynálezu spočívá v tom, že oxidová vrstva je dvouvrstvá, s vnější vrstvou oxid pětimocného kovu tvořící izolační vrstvu a vnitrní, mezi vrstvou oxidů pětimocného kovu a kovovým jádrem se nacházejí vrstvou vodivých suboxidů. Na REM-snímcích lomových ploch zformovaných anod je možno rozeznat velmi silné oxidové vrstvy, které odpovídají nárůstu tloušťky vrstvy 5 nm/V, formovacího napětí nebo více, přičemž kovové jádro v nich uzavřené je zcela malé. Pod světelným mikroskopem je na základě zabarvených rozdílů (fialová-zelená) zřejmé, že oxidová vrstva sestává ze dvou sousedních dílčích vrstev. Suboxidová vrstva funguje jako bariéra pro difúzi kyslíku z vrstvy oxidů pětimocného kovu a přispívá tím k dlouhodobé stabilitě anody.
-2Další výhoda vynálezu spočívá v tom, že kation roztoku elektrolytu se v malé míře vylučuje na povrchu anody a v průběhu oxidace se na základě difuzní kinetiky v konkurenci s difúzi kyslíku do anody a niobu k povrchu anody zabudovává do oxidové vrstvy a stabilizuje ji. Tak například tantal, který netvoří stabilní suboxidy, je vhodný pro stabilizaci vrstvy oxidu pětimocného kovu.
Protože niob (viz např. J. perriere, 1 Siejka: J. Elektrochem. Soc. 1983, 130(6), 1260-1273), je niob v průběhu oxidace schopen „přeskočit“ povrchově nanesený tantal, takže tantal uvnitř rostoucí oxidové vrstvy zřetelně putuje dovnitř. Obohacuje vnitřní stranu oxidu pětimocného kovu a stabilizuje ji. V anodách zformovaných podle vynálezu je obsah tantalu 1500 až 10 000 ppm, převážně 3000 až 6000 ppm, vztaženo na anodu, přičemž tantal se koncentruje ve io vrstvě oxidu pětimocného kovu. Část efektu předloženého vynálezu, zvyšujícího kapacitu, je pravděpodobně třeba přičítat pozitivnímu vlivu na růst tloušťky vrstvy oxidů pětimocného kovu a popřípadě na dielektrickou konstantu.
Předmětem vynálezu jsou také anody se závěrnou vrstvou pro kondenzátory na bázi niobu, sestávající z niobového kovového jádra, vodivé vrstvy ze suboxidu niobu a dielektrické závěrné vrstvy z oxidu niobičného. S výhodou má vrstva ze suboxidu niobu tloušťku alespoň 30 nm, zvláště výhodně alespoň 50 nm.
Zvláště výhodné anody podle vynálezu vykazují uzavírací vrstvu oxidu pětimocného kovu
2o s obsahem 1500 až 5000 ppm tantalu, vztaženo na anodu.
Příklady provedení vynálezu 25 a) výroba práškového niobu
Byl použit práškový niob, vyrobený podle patentové přihlášky téhož přihlašovatele (DE 198 31 180 Al). Prášek obsahoval příměsi následujících prvků v ppm:
30 Mg 230
O 15 425
H 405
N 111
C 31
35 Fe 3
Cr 2
Ni 2
Ta 78
Byly zjištěny následující fyzikální vlastnosti:
měrný povrch BET 4,61 m2/g, velikost částic (FSSS) 4,2 gm, sypná hmotnost 17,9 g/inch3, tekutost 21 s,
-3CL JUl /OO B6 distribuce velikosti částic (Mastersizer)
D10: 78,5 μπι
D50: 178,4 pm
D90: 288,8 μπι,
velikost primárních částic zjištěná pomocí REM-snímků asi 550 nm,
b) výroba anod z niobu
Z prášku byly v odpovídajících matricích, do nichž byl vložen tantalový drát, při hustotě 2,9 g/cm3 vyrobeny anody a sintrovány při teplotě 1125 °C po dobu 20 minut.
Tabulka 1
Formovací roztok elektrolytu Vlastnosti kondenzátoru
Př. č. Elektrolyt Ta % hmotn. C20? % hmotn. vodivost mS/cm Obsah Ta ppm CV/g gFV/g Ir/CV nA/pFV
1 0,1% H3PO4 - - 2,53 nepřít. 80 K 0,23
2 0,25 % H3PO4 - - 4,58 nepřít. 87 K 0,44
3 Kyselina šťavelová v H2O - 0,10 2,86 nepřít. 92 K 0,75
4 Kyselina Šťavelová v H2O - 0,20 5,53 nepřít. 97 K 0,83
5 Ta-oxalát v H2O 0,05 0,05 1,44 nepřít. 87 K 0,26
6 Ta-oxalát v H2O 0.1 0,07 1,77 13 500 89 K 0,5
7 Ta-oxalát v 0,1% h3po4 0,1 0,07 3,83 6700 90 K 0,25
8 Ta-oxalát v H2O 0,3 0,21 4,86 9800 103 K 0,51
9 Ta-oxalát v H2O 0,4 0,29 6,36 3400 88 K 0,64
10 Ta-oxalát v H2O 0,4 0,34 7,43 2800 94 K 0,48
11 Ta-oxalát v H2O 0,5 0,35 7,8 2700 108 K 0,43
12 Ta-oxalát v H2O 0,4 0,39 8,5 3100 92 K 0,57
13 Ta-oxalát v H2O 0,75 0,51 10,22 4600 115 K 0,30
14 Ta-oxalát v H2O 0,75 0,53 11,41 3300 123 K 0,48
15 Ta-oxalát v H2O 1,25 0,84 16,63 5300 111 K 0,49
16 Ta-oxalát v H2O 1 1 22,8 4800 141 K 1,35
c) anodizace
Pro vytvoření izolační oxidové vrstvy byly sintrované anody ponořeny do roztoku elektrolytu, a anodizovány při omezení proudu na 100 mA/g hmotnosti anody až do napětí 40 V při teplotě
-4I W UV °C. Po dosažení napětí 40 V bylo toto napětí udržováno ještě 2 hodiny, přičemž intenzita proudu klesla na nulu.
Roztoky elektrolytu měly složení uvedené v tabulce 1, a rovněž zde uvedenou vodivost.
d) měření elektrických vlastností
Měrná kapacita byla měřena známým způsobem při střídavém napětí o frekvenci 120 Hz, při amplitudě střídavého napětí 20 Ev, s pozitivním stejnoměrným předpětím (BIAS) 1,5 V. Svodoio vý proud byl měřen při stejnosměrném napětí 28 V. Výsledky měření jsou uvedeny v tabulce 1.

Claims (7)

15 PATENTOVÉ NÁROKY
1. Anoda se závěrnou vrstvou na bázi niobu, sestávající z niobového kovového jádra, vodivé vrstvy ze suboxidu niobu a dielektrické závěrné vrstvy z oxidu niobičného.
2. Anoda podle nároku 1 s obsahem tantalu v dielektrické uzavírací vrstvě 1500 až 5000 ppm, vztaženo na anodu.
3. Anoda podle nároku 1 nebo 2, kde vrstva ze suboxidu má tloušťku alespoň 50 nm.
4. Způsob výroby anod pro kondenzátory sintrováním niobového kovového prášku a elektrolytickým vytvořením dielektrické uzavírací vrstvy na povrchu sintrovaného tělesa, vyznačující se tím, že elektrolyt použitý pro vytvoření uzavírací vrstvy obsahuje vodný roztok obsahující aniont organické kyseliny.
5. Způsob podle nároku 4, vyznačující se tím, že jako elektrolyt se použije vodný roztok oxalátu tantalu.
6. Způsob podle nároku 4 nebo 5, vyznačující se tím, že vodivost elektrolytu je
35 0,15 až 25 mS/cm.
7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že vodivost elektrolytu je alespoň 5 mS/cm.
40 8. Kondenzátor obsahující anodu podle některého z nároků 1 až 3.
CZ20030546A 2000-08-25 2001-08-14 Anoda kondenzátoru na bázi niobu CZ301766B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10041901A DE10041901A1 (de) 2000-08-25 2000-08-25 Kondensatoranode auf Basis Niob

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2003546A3 CZ2003546A3 (cs) 2003-05-14
CZ301766B6 true CZ301766B6 (cs) 2010-06-16

Family

ID=7653831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20030546A CZ301766B6 (cs) 2000-08-25 2001-08-14 Anoda kondenzátoru na bázi niobu

Country Status (17)

Country Link
US (1) US6762927B2 (cs)
EP (1) EP1314175B2 (cs)
JP (1) JP2004507100A (cs)
KR (2) KR20080083368A (cs)
CN (1) CN100354998C (cs)
AU (2) AU2001293772B2 (cs)
BR (1) BR0113468A (cs)
CA (1) CA2420249C (cs)
CZ (1) CZ301766B6 (cs)
DE (2) DE10041901A1 (cs)
IL (1) IL154331A0 (cs)
MX (1) MXPA03001602A (cs)
PT (1) PT1314175E (cs)
RU (1) RU2284069C2 (cs)
SV (1) SV2002000614A (cs)
TW (1) TW516055B (cs)
WO (1) WO2002017338A1 (cs)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
US7445679B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
DE502004011120D1 (de) * 2003-07-15 2010-06-17 Starck H C Gmbh Niobsuboxidpulver
DE10347702B4 (de) * 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
PT1890967E (pt) * 2005-06-03 2009-05-05 Starck H C Gmbh Condensador
US7880283B2 (en) * 2006-04-25 2011-02-01 International Rectifier Corporation High reliability power module
DE102008026304A1 (de) * 2008-06-02 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom
DE102011109756A1 (de) * 2011-08-09 2013-02-14 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren aus Ventilmetallpulvern

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2033652C1 (ru) * 1990-06-12 1995-04-20 Производственное объединение "Оксид" Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
WO1998019811A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
WO2000015555A1 (en) * 1998-09-16 2000-03-23 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3597664A (en) * 1969-12-05 1971-08-03 Norton Co Niobium-zirconium-titanium capacitor electrode
US4805074A (en) * 1987-03-20 1989-02-14 Nitsuko Corporation Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same
JP3019326B2 (ja) * 1989-06-30 2000-03-13 松下電器産業株式会社 リチウム二次電池
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
JPH09260221A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Hitachi Aic Inc 焼結型コンデンサの製造方法および陽極切断装置
JP3254163B2 (ja) * 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
DE19831280A1 (de) 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
JP3196832B2 (ja) * 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6053134A (en) 1998-08-28 2000-04-25 Linebarger; Terry Glyn Cam operating system
US6322912B1 (en) * 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6462934B2 (en) * 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2000195757A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Hitachi Aic Inc 固体電解コンデンサおよびその焼結体の製造方法
US6663687B2 (en) * 2000-12-01 2003-12-16 Showa Denko K.K. Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2033652C1 (ru) * 1990-06-12 1995-04-20 Производственное объединение "Оксид" Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
WO1998019811A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
WO2000015555A1 (en) * 1998-09-16 2000-03-23 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides

Also Published As

Publication number Publication date
AU9377201A (en) 2002-03-04
DE50113014D1 (de) 2007-10-25
PT1314175E (pt) 2007-10-23
TW516055B (en) 2003-01-01
CA2420249C (en) 2011-06-21
DE10041901A1 (de) 2002-03-07
CN1471716A (zh) 2004-01-28
KR100878065B1 (ko) 2009-01-13
WO2002017338A1 (de) 2002-02-28
AU2001293772B2 (en) 2006-08-17
CZ2003546A3 (cs) 2003-05-14
US20020080552A1 (en) 2002-06-27
RU2284069C2 (ru) 2006-09-20
SV2002000614A (es) 2002-10-24
KR20080083368A (ko) 2008-09-17
EP1314175B1 (de) 2007-09-12
EP1314175B2 (de) 2012-02-08
US6762927B2 (en) 2004-07-13
MXPA03001602A (es) 2003-09-10
IL154331A0 (en) 2003-09-17
CN100354998C (zh) 2007-12-12
JP2004507100A (ja) 2004-03-04
EP1314175A1 (de) 2003-05-28
CA2420249A1 (en) 2003-02-21
BR0113468A (pt) 2003-07-15
KR20030027075A (ko) 2003-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6430026B1 (en) Electrode material for capacitors and capacitor using the same
DE102015220954A1 (de) Flüssigelektrolytkondensator für eine implantierbare medizinische Vorrichtung
JP4383228B2 (ja) 固体電解コンデンサ
CZ301766B6 (cs) Anoda kondenzátoru na bázi niobu
WO2003042425A1 (fr) Film d'oxyde de titane composite, procede de production associe et condensateur electrolytique de titane
KR101093502B1 (ko) 고체 전해콘덴서 및 그 용도
WO2011013375A1 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
US9704652B2 (en) Method for manufacturing tungsten-based capacitor element
US3631302A (en) Electrolytic device employing semiconductor oxide electrolyte
JP4454526B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
WO2014199770A1 (ja) コンデンサ用電極と該コンデンサ用電極の製造方法、及びコンデンサ素子
EP1909298B1 (en) Method for producing solid electrolytic capacitor
WO2023218929A1 (ja) キャパシタ用部材の製造方法、キャパシタ、電気回路、回路基板、機器、及び蓄電デバイス
JPWO2007004555A1 (ja) 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法
CN102737856B (zh) 固体电解电容器及其制造方法
HK40043070A (en) Wet electrolytic capacitor for an implantable medical device
JPH11111572A (ja) コンデンサ及びその製造方法
JPH08203783A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH0719727B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPS63268233A (ja) 固体電解コンデンサの製造法
JPS6328026A (ja) 巻回型固体電解コンデンサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20120814