CZ2003546A3 - Anoda kondenzátoru na bázi niobu - Google Patents
Anoda kondenzátoru na bázi niobu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2003546A3 CZ2003546A3 CZ2003546A CZ2003546A CZ2003546A3 CZ 2003546 A3 CZ2003546 A3 CZ 2003546A3 CZ 2003546 A CZ2003546 A CZ 2003546A CZ 2003546 A CZ2003546 A CZ 2003546A CZ 2003546 A3 CZ2003546 A3 CZ 2003546A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- niobium
- electrolyte
- anode
- layer
- tantalum
- Prior art date
Links
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010955 niobium Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 24
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 17
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- -1 organic acid anion Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D oxalate;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].[Ta+5].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 11
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 229940021013 electrolyte solution Drugs 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Description
"?\) 2.00¾ —
• · ···· · · ♦ ♦ JUDr. Miloš ví κι tčKft advokát 18000 PRAHA 2. ttUkove*
Anoda kondenzátoru na bázi niobu
Oblast techniky
Vynález se týká anod pro elektrolytické kondenzátory na bázi niobu, jakož i způsobu výroby takovýchto anod.
Dosavadní stav techniky V literatuře jsou jako výchozí materiály pro výrobu takovýchto anod a kondenzátorů popsány zejména kovy kyselých zemin niob a tantal. Výroba anod se provádí sintrováním jemného kovového prášku pro vytvoření struktury s velkým povrchem, oxidací povrchu sintrovaného tělesa pro vytvoření nevodivé izolační vrstvy a nanesením protielektrody ve formě vrstvy oxidu manganičitého nebo vodivého polymeru.
Technického významu pro výrobu kondenzátorů dosáhl dosud pouze práškový tantal.
Podstatné specifické vlastnosti takovýchto kondenzátorů se stanovují prostřednictvím měrného povrchu, tloušťky d izolátoru tvořícího oxidovou vrstvu a relativní dielektrické konstanty εΓ. Přitom se kapacita C vypočítává následovně: (I) (II) C = 808rxA/d přičemž 8o = 0,885x10 11 F/m je dielektrická konstanta pole a A je plocha kondenzátoru.
Izolační oxidová vrstva kondenzátoru se zpravidla vytváří elektrolyticky, ponořením niobové nebo tantalové -2- » ♦··* • · • · • · · · • · · · · · • · < • « · · sintrované struktury tvořící anodu kondenzátoru do elektrolytu, zpravidla zředěné kyseliny fosforečné, a vložením elektrického pole. Tloušťka oxidové vrstvy je přímo úměrná elektrolýznímu napětí, které je, s počátečním omezením proudu, přiloženo tak dlouho, až elektrolýzní proud klesne na nulu. Obvykle se při takovémto elektrolýzním napětí („formovací napětí") vytvoří oxidová vrstva, která odpovídá 1,5- až 4-násobku předpokládaného pracovního napětí kondenzátoru.
Obvykle se uvádí relativní dielektrická konstanta oxidu tantaličného 27 a oxidu niobičného 41. Nárůst tloušťky oxidové vrstvy při formování je v případě tantalu asi 2 nm/V formovacího napětí, v případě niobu asi 3,7 nm/V, takže vyšší relativní dielektrická konstanta niobu je při stejném formovacím napětí kompenzována větší tloušťkou oxidové vrstvy.
Miniaturizace kondenzátoru se dosahuje zvětšením měrného povrchu tím, že se pro výrobu sintrované struktury používají jemnější prášky a snižuje se sintrovací teplota. Z potřebné tloušťky izolační oxidové vrstvy vyplývají meze miniaturizace, tzn. zvyšování měrné kapacity kondenzátoru, neboť uvnitř sintrované struktury musí být přítomno ještě dostatečné množství množství vodivé fáze pro vedení proudu a omezení vznikajícího ohmického tepla. S narůstající miniaturizací kondenzátoru tak roste sklon k oxidaci. To platí zejména pro niobové kondenzátory, které ve srovnání s tantalovými kondenzátory vyžadují větší tloušťku izolační oxidové vrstvy při stejném formovacím napětí. -3 - • · · · • · · • · · · • · • · • · • · • · • · · « I · • · · • · * · ( » « *
Podstata vynálezu
Nyní bylo zjištěno, že vlastnosti kondenzátoru mohou být zlepšeny, když se pro formování použije elektrolyt, který obsahuje vícesytný organický kyselinový anion, který s niobem vytváří stabilní komplexy. Vhodné organické kyseliny pro použití ve formovacích elektrolytech jsou např.: kyselina šťavelová, kyselina mléčná, kyselina citrónová, kyselina vinná, kyselina ftalová, výhodný kyselinový anion je anion kyseliny šťavelové.
Elektrolyt může obsahovat organickou kyselinu ve vodném roztoku. S výhodou se použije ve vodě rozpustná sůl organické kyseliny. Jako kationty jsou vhodné takové, které neovlivňují negativně oxidovou vrstvu, a jejichž konstanta stability komplexu je nižší než konstanta stabilitu komplexu niobu s tímto kyselinovým iontem, takže může probíhat výměna iontů niobu za příslušné ionty kovu. Výhodné jsou kationty, které při svém zabudování do oxidové vrstvy pozitivně ovlivňují vlastnosti kondenzátoru. Zvláště výhodný kation je tantal.
Zvláště výhodný jako formovací elektrolyt je vodný roztok oxalátu tantalu. Vynález bude dále popsán, bez omezení obecnosti, na příkladu oxalátu tantalu.
Prostřednictvím způsobu formování podle vynálezu jsou získány kondenzátory s kapacitou až o 50 % zvýšenou oproti obvyklému formování ve zředěné kyselině fosforečné. Měrný svodový proud je nižší než 0,5 ηΑ/μΕν.
Bylo zjištěno, že účinek zvyšující kapacitu je tím větší, čím vyšší je vodivost elektrolytu při formování.
Koncentrace elektrolytu je s výhodou nastavena tak, že je vodivost elektrolytu 1,5 až 25 mS/cm, zvláště výhodně 5 až 20 mS/cm, zejména 8 až 18 mS/cm. Při formováni je výhodné omezit formovací proud zpočátku na 30 až 150 mA/m2. Přitom se v případě elektrolytů s nižší vodivostí s výhodou použijí formovací proudy omezené na nižší hodnoty. V případě elektrolytů s vyšší vodivostí s výhodou je možno použít formovací proudy v oblasti vyšších hodnot.
Efekt zvyšující kapacitu podle vynálezu se přičítá specifickému odnášení niobu z anodové struktury v průběhu formování. Obsah niobu ve formovacím elektrolytu po formování odpovídá několika % hmotn. výchozí anodové struktury. Množství niobu rozpuštěné při formování typicky představuje 3 až 5 % hmotn., v některých případech dokonce až 10 % hmotn. anodové struktury. K odnášení zřejmě dochází specificky tak, že se oproti formování zředěnou kyselinou fosforečnou zvětšuje efektivní plocha kondenzátoru. Při obvyklém formování v kyselině fosforečné se v důsledku zvětšení objemu vytvářením oxidové vrstvy póry uzavírají resp. ucpávají, takže se snižuje efektivní plocha kondenzátoru. Ion organické kyseliny zřejmě zasahuje právě ty oblasti povrchu, které ohraničují zvláště úzké póry.
Další výhodný efekt vynálezu spočívá v tom, že oxidová vrstva je dvouvrstvá, s vnější vrstvou oxidů pětimocného kovu tvořící izolační vrstvu a vnitřní, mezi vrstvou oxidů pětimocného kovu a kovovým jádrem se nacházející vrstvou vodivých suboxidů. Na REM-snímcích lomových ploch zformovaných anod je možno rozeznat velmi silné oxidové vrstvy, které odpovídají nárůstu tloušťky vrstvy 5 nm/V formovacího napětí nebo více, přičemž kovové jádro v nich uzavřené je zcela malé. Pod světelným mikroskopem je na základě barevných rozdílů (fialová-zelená) zřejmé, že oxidová vrstva sestává ze dvou sousedních dílčích vrstev. Suboxidová vrstva funguje jako bariéra pro difúzi kyslíku z vrstvy oxidů pětimocného kovu a přispívá tím k dlouhodobé stabilitě anody.
Další výhoda vynálezu spočívá v tom, že kation roztoku elektrolytu se v malé míře vylučuje na povrchu anody a v průběhu oxidace se na základě difúzní kinetiky v konkurenci s difúzí kyslíku do anody a niobu k povrchu anody zabudovává do oxidové vrstvy a stabilizuje ji. Tak například tantal, který netvoří stabilní suboxidy, je vhodný pro stabilizaci vrstvy oxidu pětimocného kovu. Protože niob má ve srovnání s tantalem vyšší pravděpodobnost přemístění (viz např. J. Perriere, J. Siejka: J. Electrochem. Soc. 1983, 130(6), 1260-1273), je niob v průběhu oxidace schopen "přeskočit" povrchově nanesený tantal, takže tantal uvnitř rostoucí oxidové vrstvy zřetelně putuje dovnitř. Obohacuje vnitřní stranu oxidu pětimocného kovu a stabilizuje ji. V anodách zformovaných podle vynálezu je obsah tantalu 1500 až 10 000 ppm, převážně 3000 až 6000 ppm, vztaženo na anodu, přičemž tantal se koncentruje ve vrstvě oxidu pětimocného kovu. Část efektu předloženého vynálezu, zvyšujícího kapacitu, je pravděpodobně třeba přičítat pozitivnímu vlivu na růst tloušťky vrstvy oxidů pětimocného kovu a popřípadě na dielektrickou konstantu. Předmětem vynálezu jsou také anody se závěrnou vrstvou pro kondenzátory na bázi niobu, sestávající z niobového kovového jádra, vodivé vrstvy ze suboxidu niobu a dielektrické závěrné vrstvy z oxidu niobičného. S výhodou má vrstva ze suboxidu niobu tloušťku alespoň 30 nm, zvláště výhodně alespoň 50 nm.
Zvláště výhodné anody podle vynálezu vykazují uzavírací vrstvu oxidu pětimocného kovu s obsahem 1500 až 5000 ppm tantalu, vztaženo na anodu. Příklady provedení vynálezu a) výroba práškového niobu
Byl přihlášky obsahoval podle patentové 180 AI). Prášek použit práškový niob, vyrobený téhož přihlašovatele (DE 198 31 příměsi následujících prvků v ppm:
Mg 230 0 15 425 H 405 N 111 C 31 Fe 3 Cr 2 Ni 2 Ta 78
Byly zjištěny následující fyzikální vlastnosti: měrný povrch BET 4,61 m2/g, velikost částic (FSSS) 4,2 μητι, sypná hmotnost 17,9 g/inch3, tekutost 21 s, distribuce velikosti částic (Mastersizer) D10 : 7 8,5 μπι D50 : 17 8,4 μπι D90 : 2 8 8,8 μπι, velikost primárních částic zjištěná pomocí REM-snímků asi 550 nm. b) výroba anod z niobu Z prášku byly v odpovídajících matricích, do nichž byl vložen tantalový drát, při hustotě 2,9 g/cm3 vyrobeny anody a sintrovány při teplotě 1125 °C po dobu 20 minut. -7- • · · »
Tabulka 1:
Formovací roztok elektrolytu Vlastnosti kondenzátoru Př. č. Elektrolyt Ta % hmotn. c2o4^ % hmotn. vodivost mS/cm Obsah Ta ppm CV/g uFV/g Ir/CV nA/pFV 1 0,1% h3po4 - - 2,53 nepřít. 80 K 0,23 2 0,25 % H3PO4 - - 4,58 nepřít. 87 K 0,44 3 Kyselina šťavelová v H20 - 0,10 2,86 nepřít. 92 K 0,75 4 Kyselina šťavelová v H20 - 0,20 5,53 nepřít. 97 K 0,83 5 Ta-oxalát v H20 0,05 0,05 1,44 nepřít. 87 K 0,26 6 Ta-oxalát v H20 0,1 0,07 1,77 13 500 89 K 0,5 7 Ta-oxalát v 0,1% H3PO4 0,1 0,07 3,83 6700 90 K 0,25 8 Ta-oxalát v H20 0,3 0,21 4,86 9800 103 K 0,51 9 Ta-oxalát v H20 0,4 0,29 6,36 3400 88 K 0,64 10 Ta-oxalát v H20 0,4 0,34 7,43 2800 94 K 0,48 11 Ta-oxalát v H20 0,5 0,35 7,8 2700 108 K 0,43 12 Ta-oxalát v H20 0,4 0,39 8,5 3100 92 K 0,57 13 Ta-oxalát v H20 0,75 0,51 10,22 4600 115 K 0,30 14 Ta-oxalát v H20 0,75 0,53 11,41 3300 123 K 0,48 15 Ta-oxalát v H20 1,25 0,84 16,63 5300 111 K 0,49 16 Ta-oxalát v H20 1 1 22,8 4800 141 K 1,35 c) anodizace
Pro vytvoření izolační oxidové vrstvy byly sintrované anody ponořeny do roztoku elektrolytu, a anodizovány při omezení proudu na 100 mA/g hmotnosti anody až do napětí 40 V při teplotě 80 °C. Po dosažení napětí 40 V bylo toto napětí udržováno ještě 2 hodiny, přičemž intenzita proudu klesla na nulu.
Roztoky elektrolytu měly složení uvedené v tabulce 1, a rovněž zde uvedenou vodivost. - 8 - • · · · - 8 - • · · · • ·
• · d) měření elektrických vlastností Měrná kapacita byla měřena známým způsobem při střídavém napětí o frekvenci 120 Hz, při amplitudě střídavého napětí 20 mV, s pozitivním stejnosměrným předpětím (BIAS) 1,5 V. Svodový proud byl měřen při stejnosměrném napětí 28 V. Výsledky měření jsou uvedeny v tabulce 1.
Claims (8)
- -9- rpvi 'XoO 3 ·· ·· · · ·'-·* ······ · ·· I I · * • · · · · · · » « •«·#Λ · · · · ·· · * ,W»-,«^olVSBTE«Wl . c " > " ,rf--·· * PATENTOVÉ NÁROKY 1. Anoda se závěrnou vrstvou na bázi niobu, sestávající z niobového kovového jádra, vodivé vrstvy ze suboxidu niobu a dielektrické závěrné vrstvy z oxidu niobičného.
- 2. Anoda podle nároku 1 s obsahem tantalu v dielektrické uzavírací vrstvě 1500 až 5000 ppm, vztaženo na anodu.
- 3. Anoda podle nároku 1 nebo 2, kde vrstva ze suboxidu má tloušťku alespoň 50 nm.
- 4. Způsob výroby anod pro kondenzátory sintrováním niobového kovového prášku a elektrolytickým vytvořením dielektrické uzavírací vrstvy na povrchu sintrovaného tělesa, vyznačující se tím, že elektrolyt použitý pro vytvoření uzavírací vrstvy obsahuje vodný roztok obsahující aniont organické kyseliny.
- 5. Způsob podle nároku 4, vyznačující se tím, že jako elektrolyt se použije vodný roztok oxalátu tantalu.
- 6. Způsob podle nároku 4 nebo 5, vyznačující se tím, že vodivost elektrolytu je 0,15 až 25 mS/cm.
- 7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že vodivost elektrolytu je alespoň 5 mS/cm.
- 8. Kondenzátor obsahující anodu podle některého z nároků 1 až 7.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10041901A DE10041901A1 (de) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | Kondensatoranode auf Basis Niob |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2003546A3 true CZ2003546A3 (cs) | 2003-05-14 |
| CZ301766B6 CZ301766B6 (cs) | 2010-06-16 |
Family
ID=7653831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20030546A CZ301766B6 (cs) | 2000-08-25 | 2001-08-14 | Anoda kondenzátoru na bázi niobu |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6762927B2 (cs) |
| EP (1) | EP1314175B2 (cs) |
| JP (1) | JP2004507100A (cs) |
| KR (2) | KR20080083368A (cs) |
| CN (1) | CN100354998C (cs) |
| AU (2) | AU9377201A (cs) |
| BR (1) | BR0113468A (cs) |
| CA (1) | CA2420249C (cs) |
| CZ (1) | CZ301766B6 (cs) |
| DE (2) | DE10041901A1 (cs) |
| IL (1) | IL154331A0 (cs) |
| MX (1) | MXPA03001602A (cs) |
| PT (1) | PT1314175E (cs) |
| RU (1) | RU2284069C2 (cs) |
| SV (1) | SV2002000614A (cs) |
| TW (1) | TW516055B (cs) |
| WO (1) | WO2002017338A1 (cs) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004143477A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Cabot Supermetal Kk | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ |
| US7445679B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| DE502004011120D1 (de) * | 2003-07-15 | 2010-06-17 | Starck H C Gmbh | Niobsuboxidpulver |
| DE10347702B4 (de) * | 2003-10-14 | 2007-03-29 | H.C. Starck Gmbh | Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid |
| CA2609231C (en) * | 2005-06-03 | 2014-07-15 | H.C. Starck Gmbh | Niobium suboxides |
| US7880283B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-02-01 | International Rectifier Corporation | High reliability power module |
| DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
| DE102011109756A1 (de) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren aus Ventilmetallpulvern |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3597664A (en) * | 1969-12-05 | 1971-08-03 | Norton Co | Niobium-zirconium-titanium capacitor electrode |
| US4805074A (en) * | 1987-03-20 | 1989-02-14 | Nitsuko Corporation | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
| JP3019326B2 (ja) * | 1989-06-30 | 2000-03-13 | 松下電器産業株式会社 | リチウム二次電池 |
| RU2033652C1 (ru) * | 1990-06-12 | 1995-04-20 | Производственное объединение "Оксид" | Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов |
| US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
| JPH09260221A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Hitachi Aic Inc | 焼結型コンデンサの製造方法および陽極切断装置 |
| US6165623A (en) * | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
| US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| DE19831280A1 (de) | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern |
| JP3196832B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US6053134A (en) | 1998-08-28 | 2000-04-25 | Linebarger; Terry Glyn | Cam operating system |
| US6462934B2 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| US6416730B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| US6322912B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2000195757A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサおよびその焼結体の製造方法 |
| US6663687B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-12-16 | Showa Denko K.K. | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body |
-
2000
- 2000-08-25 DE DE10041901A patent/DE10041901A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-14 DE DE50113014T patent/DE50113014D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-14 EP EP01974185A patent/EP1314175B2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-14 JP JP2002521315A patent/JP2004507100A/ja active Pending
- 2001-08-14 BR BR0113468-0A patent/BR0113468A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 RU RU2003108257/09A patent/RU2284069C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 KR KR1020087021416A patent/KR20080083368A/ko not_active Ceased
- 2001-08-14 PT PT01974185T patent/PT1314175E/pt unknown
- 2001-08-14 KR KR1020037002667A patent/KR100878065B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 CZ CZ20030546A patent/CZ301766B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 MX MXPA03001602A patent/MXPA03001602A/es active IP Right Grant
- 2001-08-14 AU AU9377201A patent/AU9377201A/xx active Pending
- 2001-08-14 CN CNB01817809XA patent/CN100354998C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 AU AU2001293772A patent/AU2001293772B2/en not_active Ceased
- 2001-08-14 CA CA2420249A patent/CA2420249C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 IL IL15433101A patent/IL154331A0/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 WO PCT/EP2001/009373 patent/WO2002017338A1/de not_active Ceased
- 2001-08-22 TW TW090120570A patent/TW516055B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-23 US US09/935,987 patent/US6762927B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-24 SV SV2001000614A patent/SV2002000614A/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2284069C2 (ru) | 2006-09-20 |
| KR20080083368A (ko) | 2008-09-17 |
| CZ301766B6 (cs) | 2010-06-16 |
| MXPA03001602A (es) | 2003-09-10 |
| IL154331A0 (en) | 2003-09-17 |
| CA2420249C (en) | 2011-06-21 |
| KR100878065B1 (ko) | 2009-01-13 |
| PT1314175E (pt) | 2007-10-23 |
| TW516055B (en) | 2003-01-01 |
| SV2002000614A (es) | 2002-10-24 |
| EP1314175B2 (de) | 2012-02-08 |
| AU9377201A (en) | 2002-03-04 |
| DE10041901A1 (de) | 2002-03-07 |
| US6762927B2 (en) | 2004-07-13 |
| CA2420249A1 (en) | 2003-02-21 |
| WO2002017338A1 (de) | 2002-02-28 |
| JP2004507100A (ja) | 2004-03-04 |
| EP1314175B1 (de) | 2007-09-12 |
| US20020080552A1 (en) | 2002-06-27 |
| DE50113014D1 (de) | 2007-10-25 |
| AU2001293772B2 (en) | 2006-08-17 |
| EP1314175A1 (de) | 2003-05-28 |
| CN1471716A (zh) | 2004-01-28 |
| KR20030027075A (ko) | 2003-04-03 |
| BR0113468A (pt) | 2003-07-15 |
| CN100354998C (zh) | 2007-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103310985B (zh) | 包含烷基取代聚（3,4‑乙烯二氧噻吩）的湿式电容器阴极 | |
| US6162345A (en) | Method of anodizing a metal anode prepared from very fine metal powder | |
| US8116068B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| CN105632766A (zh) | 植入式医疗器械用湿式电解电容器 | |
| US9183991B2 (en) | Electro-polymerized coating for a wet electrolytic capacitor | |
| CZ200628A3 (cs) | Zpusob anodizování anodových teles odvozených z kovu na elektrody elektronek a elektrolyt pro tentoúcel | |
| CZ2003546A3 (cs) | Anoda kondenzátoru na bázi niobu | |
| JP5851667B1 (ja) | コンデンサ陽極体、固体電解コンデンサ素子、固体電解コンデンサおよびコンデンサ陽極体の製造方法 | |
| DE102014217949A1 (de) | Flüssigelektrolytkondensator, der eine Verbundbeschichtung enthält | |
| DE102014204610A1 (de) | Flüssigelektrolytkondensator | |
| WO2011013375A1 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP5312396B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4610383B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| US3631302A (en) | Electrolytic device employing semiconductor oxide electrolyte | |
| JP4454526B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| WO2014199770A1 (ja) | コンデンサ用電極と該コンデンサ用電極の製造方法、及びコンデンサ素子 | |
| US20250069817A1 (en) | Method for manufacturing member of capacitor, capacitor, electrical circuit, circuit board, apparatus, and power storage device | |
| JPH08203783A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3218818B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| HK1184909B (en) | Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene) | |
| JPH11111572A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
| HK1184909A (en) | Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20120814 |