CZ298519B6 - Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby - Google Patents
Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CZ298519B6 CZ298519B6 CZ20060016A CZ200616A CZ298519B6 CZ 298519 B6 CZ298519 B6 CZ 298519B6 CZ 20060016 A CZ20060016 A CZ 20060016A CZ 200616 A CZ200616 A CZ 200616A CZ 298519 B6 CZ298519 B6 CZ 298519B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- single crystal
- scintillation detectors
- crystal
- lygso
- manufacture
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012364 cultivation method Methods 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical class [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Nový typ monokrystalu LYGSO : Ce o složení (Lu.sub.1-y-z.n.Y.sub.y.n.RE.sub.z.n.).sub.2.n.Ge.sub.x.n.Si.sub.(1-x).n.O.sub.5.n., kde (RE) je jeden nebo více z prvku ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb a x, y, z jsou atomární procentauvedených prvku, pricemž x = 0,001 až 0,1, y = 0 až 0,1 a z = 0,005 až 0,02, je využitelný pro výrobu scintilacních detektoru.
Description
Oblast techniky
Vynález se týká přípravy nového monokrystalu LYGSO: Ce germanáto-silikátu lutecitoyttrítého s dotací oxidu ceru obecného vzorce (Lui_y_zYyREz)2GexSi(i_X)O5, kde (RE) je jeden nebo více z prvků ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb a x, y, z jsou atomární procenta uvedených prvků, přičemž x = 0,001 až 0,1, y = 0 až 0,1 a z = 0,005 až 0,02.
Tento materiál je s výhodou použitelný v oblasti přípravy scintilačních detektorů.
Dosavadní stav techniky
V současné době se pro přípravu scintilačních detektorů používají různé typy monokrystalů.
V závislosti na požadovaných aplikacích se využívá různých fyzikálně-chemických, materiálových a luminiscenčních vlastností jednotlivých typů monokrystalů (měrná hmotnost, emisní vlnová délka, luminiscenční dosvit, radiační odolnost, světelný výtěžek, Zef, radiační délka, optická homogenita...).
Dnes běžně používané materiály na bázi aluminátů, Yttrium Aluminium Granát s dotací CeO2 (YAG:Ce) nebo Yttrium Aluminum Perovskit s dotací CeO2 (YAP:Ce) mají především nízkou měrnou hmotnost (4,56 resp. 5,26 g/cm3), což limituje jejich využití v nově se rozvíjejících technologiích využívajících luminiscenčních charakteristik těchto materiálů.
Nové těžké scintilační monokrystaly Lutecium Aluminium Perovskit s dotací CeO2 (LuAP:Ce), Lutecium Silikát s dotací CeO2 (LSO:Ce) proto přinášejí výrazné zlepšení. Vysoká hustota těchto materiálů, 8,3, resp. 7,4 g/cm3 se odráží ve velkém světelném výtěžku těchto materiálů, až násobném v porovnání s předcházející skupinou monokrystalů. V porovnání mezi těmito krystaly, LuAP:Ce má výrazně kratší dosvit (19ns vs. 40ns), ale jeho výtěžek je nižší, až poloviční. Oba dva materiály jsou obtížně techniky vyrobitelné. Především růst krystalu LuAP:Ce je obtížně reprodukovatelný, proto širokého komerčního rozšíření se doposud dočkal pouze první krystal LSO, buď ve své čisté podobě (Ce2z(Lu)2(i_Z)SiO5), nebo s příměsí ytria (Ce2z(LU].yYy)2(i.Z)SiO5) a dalších prvků.
K. přípravě monokrystalických materiálů může být použito několika pěstovacích metod. Nejběžnější metodou je Czochralskiho metoda využívající indukční ohřev a iridiový kelímek. Princip metody je založen na roztavení vsázky přesně určeného stechiometrického složení v kelímku a tažení monokrystalu z taveniny na orientovaném zárodku v definovaném radiálním a axiálním gradientu teploty v atmosféře dusíku se stopami kyslíku. Tato metoda je velice vhodná pro přípravu materiálů, kde se chemické prvky v použitých sloučeninách vyskytují pouze v jediném mocenství nebo v aplikacích, kde je využito stabilního vyššího oxidačního stavu dopantu (Nd3+, Er3+, Yb3+, Eu3+, Cr4+....). Méně vhodná v tomto uspořádání je pro přípravu materiálů, kde se aktivní polyvalentní iont nachází v nižším, méně stabilním, oxidačním stavu (Ce3+, Pr3+). Metoda poskytuje monokrystaly s výbornou optickou homogenitou.
Další metodou je Bridgeman-Stockabargerova metoda, a to jak v horizontálním, tak i vertikálním uspořádání. Principem této metody posuv roztavené vsázky v kelímku v teplotním gradientu do chladnější zóny. Tato metoda je velice vhodná pro přípravu jednosložkových monokrystalů (halogenidy....). Vícesložkové monokrystaly připravené touto metodou nemívají dobrou optickou homogenitu.
-1 CZ 298519 B6
Jinou metodou je metoda EFG, kterou lze připravit různě tvarované monokrystaly. Princip této metody spočívá v tažení monokrystalu na orientovaném zárodku skrz přesně tvarově vymezený tvarovací člen (raznici). Vícesložkové krystaly připravené touto metodou mají nízkou optickou homogenitu.
Ostatní pěstovací metody jsou vhodné pro přípravu specifických typů monokrystalů.
Cerem dotované silikáty jsou již dlouho známy. Například Joumal of Crystal Growth, 79(1986)308-315 popisuje přípravu a vlastnosti materiálů obecného vzorce Ln2SiO5, kde Ln je prvek ze skupiny lanthanoidů nebo ytrium. Článek uvádí i příklady monokrystalických materiálů složených z několika oxidů vzácných zemin, například Ce2xY(2_xjSiO5.
Patent US 4 958 080 z roku 1988 popisuje scintilační detektor, který obsahuje monokrystal obecného vzorce Ce2x(Lui_yYy)2(i x)SiO5, kde y může být i 0, a který ve spojení s fotonásobičem slouží k detekci záření. Monokrystal byl vypěstován Czochralskiho metodou podle reference specificky uvedené v předchozím odstavci.
Patent US 5 025 151 z roku 1990 popisuje zařízení uvedené v předešlém patentu podrobněji. Použitý monokrystal má stejné obecné složení.
Patent US 5 264 154 z roku 1993 popisuje monokrystalický scintilátor obecného složení Gd2.(X+y)LnxCeySiO5, kde Ln může být Sc, Tb, Lu, Dy, Ho, Er, Tm nebo Yb.
Patent US 5 660 627 z roku 1994 popisuje přípravu monokrystalu Ce2xLu(2 X)SiO5 Czochralskiho metodou, více specificky za podmínek, kdy fázové rozhraní mezi taveninou a monokrystalem je ploché. Cílem této metody je odstranit problémy s reprodukovatelností kvalitativních parametrů materiálu, které se typicky vyskytují u tohoto typu monokrystalu.
Patent US 6 323 489 z roku 1999 popisuje scintilátor obecného složení Ce2x(Lui yYy)2(i_X)SiO5, který je součástí scintilačního detektoru produkujícího elektrický signál v závislosti na expozici gamma- nebo X- nebo podobným zářením.
Patent US 6 437 336 z roku 2000 popisuje scintilátor obecného složení Ln2(i_X)M2xSi2O7, kde Ln může být lutecium, nebo lutecium ve směsi s některým z prvků Sc, Yb, In, La nebo Gd, a kde M je prvek ze skupiny lanthanoidů, přednostně cer.
Mezinárodní patentová přihláška WO 2005/042812 Al publikovaná 12. 5. 2005 popisuje scintilační krystal na bázi lutecium silikátu s dotací některými prvky vzácných zemin a lithia, jakožto kompenzačního prvku (nábojová kompenzace).
Patent US 6 624 420 z roku 2000 popisuje scintilační detektor, který obsahuje monokrystal Ce2x(Lui_y)2(i_X)SiO5, kde elektrický signál je generován z fotodetektoru poté, co monokrystal byl vystaven gamma záření.
Přestože krystaly LSO mají výborné parametry pro použití jako scintilátor, mohou se scintilační parametry mezi dvěma krystaly lišit, přestože oba krystaly mohou být vyrobeny stejným způsobem a být stejného složení. Taková situace je popsána v literatuře například v „Ce-doped scintillators: LSO and LuAP“ (A. Lempicki aj. Glodo, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A416 (1998) 333-344) nebo v „Scintillation Light Emission Studies of LSO Scintillators“(A. Saoudi et al., IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 46, No. 6, 1999).
-2CZ 298519 B6
Podstata vynálezu
Výše uvedené nedostatky odstraňuje nový typ monokrystalu LYGSO: Ce o složení (Lui.y.zYyREz)2GexSi(i X)O5, kde (RE) je jeden nebo více z prvků ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb a x, y, z jsou atomární procenta uvedených prvků, přičemž x = 0,001 až 0,l,y = 0až0,l a z = 0,005 až 0,02.
Na rozdíl od výše uvedených dříve patentovaných složení neprobíhá náhrada lutecia v kationtové podmřížce, ale germanium substituuje křemík v aniontové podmřížce krystalové mřížky LSO. Zabudování iontu Ge4+ o větším iontovém poloměru než Si4+ do podmřížky SiO4, umožní zvýšit koncentraci dopantu (Ce, Tb) v pěstovaných krystalech. Podobný efekt má zabudování iontu Y3+ do podmřížky obsahující iont Lu3+. Zvětšení mřížkové konstanty vyvolané oběma substitucemi umožňuje tak dále zvýšit koncentraci dopantu v krystalu, což má za následek zvýšení relativní luminiscenční účinnosti (tj. počet vzniklých fotonů vztažených na 1 MeV absorbované energie) a rychlejší luminiscenční dosvit v porovnání s uvedenými materiály. Výhodou je i dobrá reprodukovatelnost pěstování krystalů, která je rozhodující v průmyslové výrobě.
Příprava tohoto monokrystalu probíhá Czochralskiho metodou za použití indukčního ohřevu v Ir kelímku o objemu 0,15 až 2 dm3 v inertním prostředí ochranné atmosféry dusíku. V tomto prostředí dochází k zabudování dopantu do mřížky germano-silikátu, které jsou nezbytné pro vznik luminiscence.
Krystal je pěstován na orientovaném zárodku < 010> připraveném z nedotovaného monokrystalu. Orientovaný zárodek z krystalu znamená vyříznutý nebo vyvrtaný hranolek event. váleček z monokrystalu v uvedeném krystalografickém směru. Parametry pěstování: rychlost rotace 2 až 15 ot/min, rychlost tažení 0,3 až 3 mm/hod. Ochrannou pěstovací atmosférou je dusík.
Uvedeným způsobem lze realizovat výrobu těžkého scintilačního krystalu, jehož měrná hmotnost je relativně vysoká 7,2 g/cm3, což vede ke snížení radiační délky. Tento materiál má krátký luminiscenční dosvit (40 ns) a vysoký světelný výtěžek (27 000 fotonů/MeV).
Tavenina se primárně skládá z oxidů lutecia, křemíku, ceru a germania v koncentraci až do 10 at % Ge/Si. Další možností je přídavek Y2O3 v koncentraci až 10 at % Y/Lu.
Cer v roli dopantu může být nahrazen jinými vzácnými zeminami jako Eu, Pr, Sm, Tb, Tm nebo Yb. Přidávání těchto komponent do taveniny mění luminiscenční parametry (účinnost, dosvit a vlnovou délku emitovaného záření). Popsané úpravy složení mohou být vyžadovány pro různé technické aplikace.
Monokrystal LYGSO: Ce má primární uplatnění.
-3CZ 298519 B6
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Pěstování krystalu Lui^Ceo^Sio,99Geo,oi05: v ochranné atmosféře dusíku metodou Czochralskiho. Pěstování probíhá v Ir kelímku o objemu 0,75 dm3 v peci s indukčním ohřevem.
Rychlost tažení 3 mm/hod
Rychlost rotace: 15 ot/min
Sintrát (izostaticky vylisované, zhomogenizované a na 1450 °C vyžíhané vstupní suroviny 472,4 g oxidu křemičitého 3405,7 g oxidu lutecitého 52,4 g oxidu germaničitého a 69,5 g oxidu ceričitého jsou roztaveny v Ir kelímku. Krystal byl tažen na orientovaném zárodku rychlostí 3 mm/hod. Po vypěstování byl krystal utržen od taveniny a programově chlazen na pokojovou teplotu.
Výsledkem je monokrystal Lu2Sio,99Geo,oi05:Ce s kuželovým fázovým rozhraním o hmotnosti
1.1 kg. Krystal se v dalších operacích zpracovává na požadované výrobky (scintilační detektory).
Příklad 2
Pěstování krystalu Lulj88Y0>iCeo,o2Sio,99Ge0joi05 v ochranné atmosféře dusíku metodou Czochralskiho. Pěstování probíhá v Ir kelímku o objemu 2 dm3 v peci s indukčním ohřevem.
Rychlost tažení 0,3 mm/hod
Rychlost rotace: 2 ot/min
Sintrát (izostaticky vylisované, zhomogenizované a na 1450 °C vyžíhané vstupní suroviny:
1261.1 g oxidu křemičitého, 8164,8 g oxidu lutecitého 927,8 g oxidu yttritého 140,1 g oxidu germaničitého a 185,6 g oxidu ceričitého jsou roztaveny v Ir kelímku. Krystal je tažen na orientovaném zárodku rychlostí 0,3 mm/hod. Po vypěstování je krystal utržen od taveniny a programově chlazen na pokojovou teplotu.
Výsledkem je monokrystal o složení Lu,>88Y0,iCeo,o2Sio,99Geo,oi05 s kuželovým fázovým rozhraním o hmotnosti 3 kg. Krystal se v dalších operacích zpracovává na požadované výrobky (scintilační detektory).
Průmyslová využitelnost
Vynález lze použít k výrobě monokrystalů jejichž využití je v oblasti přípravy různých typů scintilačních detektorů.
Claims (3)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Monokrystal LYGSO využitelný pro výrobu scintilačních detektorů o složení (Lui.y.zYyREz)2GexSi(1_x)O5, kde (RE) je jeden nebo více z prvků ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb, a kde x, y, z jsou atomární procenta uvedených prvků, přičemž x = 0,001 až 0,1, y = 0 až 0,1 a z = 0,005 až 0,02.
- 2. Monokrystal podle nároku 1 o složení (Lu(i_y_z)YyCez)2GexSi(i_x)O5, kde x= 0,001 až 0,1 a y = 0,001 až 0,1 a z = 0,005 až 0,02.
- 3. Monokrystal podle nároku 1 o složení (Lu(i_Z)Cez)2GexSi(i„X)O5, kde x =0,001 až 0,1 a z = 0,005 až 0,02.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20060016A CZ298519B6 (cs) | 2006-01-09 | 2006-01-09 | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20060016A CZ298519B6 (cs) | 2006-01-09 | 2006-01-09 | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ200616A3 CZ200616A3 (cs) | 2007-07-18 |
| CZ298519B6 true CZ298519B6 (cs) | 2007-10-24 |
Family
ID=38282925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20060016A CZ298519B6 (cs) | 2006-01-09 | 2006-01-09 | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ298519B6 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ303352B6 (cs) * | 2011-06-02 | 2012-08-08 | Ceské vysoké ucení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálne inženýrská | Zpusob prípravy syntetických struktur na bázi lutecito-hlinitého granátu (LuAG) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264154A (en) * | 1990-04-20 | 1993-11-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Single crystal scintillator |
| US5660627A (en) * | 1994-10-27 | 1997-08-26 | Schlumberger Technology Corporation | Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals |
| US6323489B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-11-27 | Regents Of The University Of California | Single crystal scinitillator |
| WO2005042812A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-12 | Zagumennyi Alexander Iosifovic | Scintillation substances (variants) |
-
2006
- 2006-01-09 CZ CZ20060016A patent/CZ298519B6/cs unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264154A (en) * | 1990-04-20 | 1993-11-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Single crystal scintillator |
| US5660627A (en) * | 1994-10-27 | 1997-08-26 | Schlumberger Technology Corporation | Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals |
| US6323489B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-11-27 | Regents Of The University Of California | Single crystal scinitillator |
| WO2005042812A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-12 | Zagumennyi Alexander Iosifovic | Scintillation substances (variants) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ303352B6 (cs) * | 2011-06-02 | 2012-08-08 | Ceské vysoké ucení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálne inženýrská | Zpusob prípravy syntetických struktur na bázi lutecito-hlinitého granátu (LuAG) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ200616A3 (cs) | 2007-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yoshikawa et al. | Challenge and study for developing of novel single crystalline optical materials using micro-pulling-down method | |
| US6437336B1 (en) | Scintillator crystals and their applications and manufacturing process | |
| CA2741850C (en) | Cerium-doped lutetium oxyorthosilicate (lso) scintillators | |
| CN103388179B (zh) | 共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 | |
| CN102286286B (zh) | 辐射探测用的氯化物闪烁体 | |
| WO2005100645A1 (ja) | 希土類フッ化物固溶体材料（多結晶及び/又は単結晶）、及びその製造方法並びに放射線検出器及び検査装置 | |
| US11142689B2 (en) | Yttrium-doped barium fluoride crystal and preparation method and use thereof | |
| JP2011026547A (ja) | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 | |
| JP5454477B2 (ja) | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにｐｅｔ装置 | |
| CZ200615A3 (cs) | Monokrystal LuAG: Pr pro výrobu scintilacních detektoru a pevnolátkových laseru a jejich výroba | |
| Feng et al. | Growth and luminescence characteristics of cerium-doped yttrium pyrosilicate single crystal | |
| CN101982568B (zh) | 一种非真空坩埚下降法生长碘化锶闪烁晶体的方法 | |
| US7347956B2 (en) | Luminous material for scintillator comprising single crystal of Yb mixed crystal oxide | |
| JP2016056378A (ja) | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 | |
| CN108441960A (zh) | 二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体制备方法 | |
| JP5176074B2 (ja) | シンチレータ用単結晶 | |
| Murakami et al. | Scintillation properties of Zr co-doped Ce:(Gd, La) 2Si2O7 grown by the Czochralski process | |
| CZ298519B6 (cs) | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby | |
| CN108893779A (zh) | 一种钙镁离子与铈共掺钇铝石榴石闪烁晶体及其制备方法 | |
| JP2012149223A (ja) | Ｘ線シンチレータ用材料 | |
| JP2011202118A (ja) | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにｐｅｔ装置 | |
| Yoshikawa et al. | Czochralski growth of 2 in. Ce-doped (La, Gd) 2Si2O7 for scintillator application | |
| JP2005343701A (ja) | Ｙｂを含む混晶酸化物単結晶 | |
| Kim et al. | Growth and scintillation properties of directionally solidified Ce: LaCl3/AECl2 (AE= Mg, Ca, Sr) eutectic scintillators | |
| Kononets et al. | Ultrafast Ce-Mg codoped GAGG garnet single crystal fibers grown by micro-pulling down (μ-PD) technique |