CZ200616A3 - Monokrystal LYGSO: Ce, vyuzitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby - Google Patents
Monokrystal LYGSO: Ce, vyuzitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CZ200616A3 CZ200616A3 CZ20060016A CZ200616A CZ200616A3 CZ 200616 A3 CZ200616 A3 CZ 200616A3 CZ 20060016 A CZ20060016 A CZ 20060016A CZ 200616 A CZ200616 A CZ 200616A CZ 200616 A3 CZ200616 A3 CZ 200616A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- single crystal
- scintillation detectors
- sub
- crystal
- lygso
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 57
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012364 cultivation method Methods 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Srn Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical class [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Nový typ monokrystalu LYGSO : Ce o slození (Lu.sub.1-y-z.n.Y.sub.y.n.RE.sub.z.n.).sub.2.n.Ge.sub.x.n.Si.sub.(1-x).n.O.sub.5.n., kde (RE) je jeden nebo více z prvku ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb a x, y, z jsou atomární procentauvedených prvku, pricemz x = 0,001 az 0,1, y = 0 az 2,0 a z = 0,005 az 0,02, je vyuzitelný pro výrobu scintilacních detektoru. Zpusob jejich výroby probíhá Czochralskiho metodou za pouzití indukcníhoohrevu v Ir kelímku o objemu 0,15 az 2 dm.sup.3.n. v inertním prostredí ochranné atmosféry dusíku.
Description
Monokrystal LYGSO : Ce, využitelný pro výrobu scintilačních detektorů a způsob jejich výroby
Oblast techniky
Vynález se týká přípravy nového monokrystalu LYGSO : Ce germanáto-silikátu lutecitoyttritého s dotací oxidu ceru obecného vzorce (Luvy-zYy REZ)2 GexSi(i.xjO5, kde (RE) je jeden nebo více z prvků ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Srn, Tm, Yb a x,y, z jsou atomární procenta uvedených prvků, přičemž x = 0,001 až 0,1, y = 0 až 2,0 a z = 0,005 až 0,02.
Tento materiál je s výhodou použitelný v oblasti přípravy scintilačních detektorů.
Dosavadní stav techniky
V současné době se pro přípravu scintilačních detektorů používají různé typy monokrystalů. V závislosti na požadovaných aplikacích se využívá různých fyzikálněchemických, materiálových a luminiscenčních vlastností jednotlivých typů monokrystalů (měrná hmotnost, emisní vlnová délka, luminiscenční dosvit, radiační odolnost, světelný výtěžek, Zef, radiační délka, optická homogenita....).
Dnes běžně používané materiály na bázi aluminátů, Yttrium Aluminium Granát s dotací CeO2 (YAG:Ce) nebo Yttrium Aluminum Perovskit s dotací CeO2 (YAP:Ce) mají především nízkou měrnou hmotnost (4,56 resp. 5,26 g/cm3), což limituje jejich využití v nově se rozvíjejících technologiích využívajících luminiscenčních charakteristik těchto materiálů.
Nové těžké scintilační monokrystaly Lutecium Aluminium Perovskit s dotací CeO2 (LuAP:Ce), Lutecium Silikát s dotací CeO2 (LSO:Ce) proto přinášejí výrazné zlepšení. Vysoká hustota těchto materiálů, 8,3, resp. 7,4 g/cm3 se odráží ve velkém světelném výtěžku těchto materiálů, až násobném v porovnání s předcházející skupinou monokrystalů. V porovnání mezi těmito krystaly, LuAP:Ce má výrazně kratší dosvit • ¥··
• · (19ns vs. 40ns), ale jeho výtěžek je nižší, až poloviční. Oba dva materiály jsou obtížně technicky vyrobitelné. Především růst krystalu LuAP:Ce je obtížně reprodukovatelný, proto širokého komerčního rozšíření se doposud dočkal pouze první krystal LSO, buď ve své čisté podobě (Ce2z(Lu)2(i-z)SiO5), nebo s příměsí ytria {Ce2z(Lui.yYy)2<i-Z)SiO5) a dalších prvků.
K přípravě monokrystalických materiálů může být použito několika pěstovacích metod. Nejběžnější metodou je Czochralskiho metoda využívající indukční ohřev a iridiový kelímek. Princip metody je založen na roztavení vsázky přesně určeného stechiometrického složení v kelímku a tažení monokrystalu z taveniny na orientovaném zárodku v definovaném radiálním a axiálním gradientu teploty v atmosféře dusíku se stopami kyslíku. Tato metoda je velice vhodná pro přípravu materiálů, kde se chemické prvky v použitých sloučeninách vyskytují pouze v jediném mocenství nebo v aplikacích, kde je využito stabilního vyššího oxidačního stavu dopantu (Nd3+, Er3+, Yb3+, Eu3Ú Cr4+....). Méně vhodná v tomto uspořádání je pro přípravu materiálů, kde se aktivní polyvalentní iont nachází v nižším, méně stabilním, oxidačním stavu (Ce3+, Pr3+). Metoda poskytuje monokrystaly s výbornou optickou homogenitou.
Další metodou přípravy je Bridgeman-Stockabargerova metoda, a to jak v horizontálním, tak i vertikálním uspořádání. Principem této metody posuv roztavené vsázky v kelímku v teplotním gradientu do chladnější zóny. Tato metoda je velice vhodná pro přípravu jednosložkových monokrystalů (halogenidy....). Vícesložkové monokrystaly připravené touto metodou nemívají dobrou optickou homogenitu.
Jinou metodou je metoda EFG, kterou lze připravit různě tvarované monokrystaly. Princip této metody spočívá v tažení monokrystalu na orientovaném zárodku skrz přesně tvarově vymezený tvarovací člen (raznici). Vícesložkové krystaly připravené touto metodou mají nízkou optickou homogenitu.
Ostatní pěstovací metody jsou vhodné pro přípravu specifických typů monokrystalů.
« φφ· φ ♦ • φ
Cerem dotované silikáty jsou již dlouho známy. Například Journal of Crystal Growth, 79(1986)308-315 popisuje přípravu a vlastnosti materiálů obecného vzorce Ln2SiO5, kde Ln je prvek ze skupiny lanthanoidů nebo ytrium. Článek uvádí i příklady monokrystalických materiálů složených z několika oxidů vzácných zemin, například
Ce2xY(2-x)SiO5.
U.S. Patent 4,958,080 z roku 1988 popisuje scintilační detektor, který obsahuje monokrystal obecného vzorce Ce2x(Lui-yYy)2(i.x)SiO5, kde y může být i 0, a který ve spojení s fotonásobičem slouží k detekci zářeni. Monokrystal byl vypěstován Czochralskiho metodou podle reference specificky uvedené v předchozím odstavci.
U.S. Patent 5,025,151 z roku 1990 popisuje zařízení uvedené v předešlém patentu podrobněji. Použitý monokrystal má stejné obecné složení.
U.S. Patent 5,264,154 z roku 1993 popisuje monokrystalický scintilátor obecného sležení Gd2-(X+y)LnxCeySiO5, kde Ln může být Sc, Tb, Lu, Dy, Ho, Er, Tm nebo Yb.
U.S. Patent 5,660,627 z roku 1994 popisuje přípravu monokrystalu Ce2xLu(2.x)SiO5 Czochralského metodou, více specificky za podmínek, kdy fázové rozhraní mezi taveninou a monokrystalem je ploché. Cílem této metody je odstranit problémy s reprodukovatelností kvalitativních parametrů materiálu, které se typicky vyskytují u tohoto typu monokrystalu.
U.S. Patent 6,323,489 z roku 1999 popisuje scintilátor obecného složení Ce2x(Lui.yYy)2(i.X)SiO5, který je součástí scintilačního detektoru produkujícího elektrický signál v závislosti na expozici gamma- nebo X- nebo podobným zářením.
U.S. Patent 6,437,336 z roku 2000 popisuje scintilátor obecného složení Ln2(i.X)M2xSi2O7, kde Ln může být lutecium, nebo lutecium ve směsi s některým z prvků Sc, Yb, ln, La nebo Gd, a kde M je prvek ze skupiny lanthanoidů, přednostně cer.
• · fl · · ·
U.S. Patent 6,624,420 z roku 2000 popisuje scintilační detektor, který obsahuje monokrystal Ce2x(Lu1.yYy)2(i-X)SiO5l kde elektrický signál je generován z fotodetektoru poté, co monokrystal byl vystaven gamma záření.
Přestože krystaly LSO mají výborné parametry pro použití jako scintilátor, mohou se scintilační parametry mezi dvěma krystaly lišit, přestože oba krystaly mohou být vyrobeny stejným způsobem a být stejného složení. Taková situace je popsána v literatuře například v „Ce-doped scintillators: LSO and LuAP“ (A. Lempicki aj. Glodo, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A416 (1998) 333-344) nebo v „Scintillation Light Emission Studies of LSO Scintillators“ (A. Saoudi et al., IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 46, No. 6,1999).
Podstata vynálezu
Výše uvedené nedostatky odstraňuje nový typ monokrystalu LYGSO : Ce o složení (Lui-y.zYy REz)2 GexSi(i.X)O5, kde (RE) je jeden nebo více z prvků ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb a x,y, z jsou atomární procenta uvedených prvků, přičemž x = 0,001 až 0,1, y = 0 až 2,0 a z = 0,005 až 0,02.
Zabudování iontu Ge4+ o větším iontovém poloměru než Si4+ do podmřížky SiO4, umožní zvýšit koncentraci dopantu (Ce, Tb) v pěstovaných krystalech Podobný efekt má zabudování iontu Y3+ do podmřížky obsahující iont Lu3+. Takto připravené krystaly vykazují vyšší luminiscenční výtěžek (tj. počet vzniklých fotonů vztažených na 1 MeV absorbované energie) a rychlejší luminiscenční dosvit v porovnání s uvedenými materiály. Výhodou je i dobrá reprodukovatelnost pěstování krystalů, která je rozhodující v průmyslové výrobě.
Příprava tohoto monokrystalu probíhá Czochralskiho metodou za použití indukčního ohřevu v Ir kelímku o objemu 0,15 až 2 dm3 v inertním prostředí ochranné atmosféry dusíku. V tomto prostředí dochází k zabudování dopantu do mřížky germano-silikátu, které jsou nezbytné pro vznik luminiscence.
·
4 4 4 * • 4 4 ·
4 4 4
Krystal je pěstován na orientovaném zárodku < 010> připraveném z nedotovaného monokrystalu. Orientovaný zárodek z krystalu znamená vyříznutý nebo vyvrtaný hranolek event. váleček z monokrystalu v uvedeném krystalografickém směru.
Parametry pěstování: rychlost rotace 2 až 15 ot/min, rychlost tažení 0,3 až 3 mm/hod, Ochrannou pěstovací atmosférou je dusík.
Uvedeným způsobem lze realizovat výrobu těžkého scintilačního krystalu, jehož měrná hmotnost je relativně vysoká 7,2 g/cm3 , což vede ke snížení radiační délky. Tento materiál má krátký luminiscenční dosvit (40 ns) a vysoký světelný výtěžek (27 000 fotonů/MeV).
Tavenina se primárně skládá z oxidů lutecia, křemíku, ceru a germania v koncentraci až do 10 at% Ge/Si. Další možností je přídavek Y2O3 v koncentraci až 10 at% Y/Lu.
Cer v roli dopantu může být nahrazen jinými vzácnými zeminami jako Eu, Pr, Srn, Tb, Tm nebo Yb. Přidávání těchto komponent do taveniny mění luminiscenční parametry (účinnost, dosvit a vlnovou délku emitovaného záření). Popsané úpravy složení mohou být vyžadovány pro různé technické aplikace.
Monokrystal LYGSO : Ce má primární uplatnění.
Příklady provedení vynálezu
Příklad 1
Pěstování krystalu Luii98Ceo,o2Sio,99Geo,oi05: v ochranné atmosféře dusíku metodou Czochralskiho. Pěstování probíhá v Ir kelímku o objemu 0,75 dm3, v peci s indukčním ohřevem.
Rychlost tažení 3 mm/hod
Rychlost rotace: 15 ot/min
Sintrát (izostaticky vylisované, zhomogenizované a na 1450°C vyžíhané vstupní suroviny 472,4 g oxidu křemičitého 3405,7 g oxidu lutecitého 52,4 g oxidu germaničitého a 69,5 g oxidu ceričitého jsou roztaveny v Ir kelímku. Krystal byl tažen na orientovaném • *·· zárodku rychlostí 3 mm/hod. Po vypěstování byl krystal utržen od taveniny a programově chlazen na pokojovou teplotu.
Výsledkem je monokrystal Lu2Si0,99Geotoi05:Ce s kuželovým fázovým rozhraním o hmotnosti 1,1 kg. Krystal se v dalších operacích zpracovává na požadované výrobky (scintilační detektory)
Příklad 2
Pěstování krystalu Lu-i.ssYo.iCeo^Sio.ggGeo.oiOg v ochranné atmosféře dusíku metodou Czochralskiho. Pěstování probíhá v Ir kelímku o objemu 2 dm3 v peci s indukčním ohřevem.
Rychlost tažení 0,3mm/hod
Rychlost rotace: 2 ot/min
Sintrát (izostaticky vylisované, zhomogenizované a na 1450°C vyžíhané vstupní suroviny: 1261,1 g oxidu křemičitého, 8164,8 g oxidu lutecitého 927,8 g oxidu yttritého 140,1 g oxidu germaničitého a 185,6 g oxidu ceričitého jsou roztaveny vir kelímku. Krystal je tažen na orientovaném zárodku rychlostí 0,3 mm/hod Po vypěstování je krystal utržen od taveniny a programově chlazen na pokojovou teplotu.
Výsledkem je monokrystal o složení Lui.eeYo.iCeo^Sio.ggGeo.oiOs s kuželovým fázovým rozhraním o hmotnosti 3 kg. Krystal se v dalších operacích zpracovává na požadované výrobky (scintilační detektory)
Průmyslová využitelnost
Vynález lze použít k výrobě monokrystalů jejichž využití je v oblasti přípravy různých typů scintilačních detektorů.
Claims (4)
- Patentové nároky1. Monokrystal LYGSO využitelný pro výrobu scintilačních detektorů o složení (Lui.y. zYy REz)2 GexSi(i-X)O5, kde (RE) je jeden nebo více z prvků ze skupiny vzácných zemin Tb, Eu, Ce, Pr, Sm, Tm, Yb a x,y, z jsou atomární procenta uvedených prvků, přičemž x = 0,001 až 0,1, y = 0 až 2,0 a z = 0,005 až 0,02.
- 2. Monokrystal podle nároku 1 o složení (LU(i-y-Z)YyCez )2 GexSifi-xj O5, kde x = 0,001 až0,1 a y = 0,001 až2az = 0,005 až 0,02
- 3. Monokrystal podle nároku 1 o složení (l_U(-|.Z)Cez )2 GexSi(i.X) O§ , kde x = 0,001 až 0,1 a z = 0,005 až 0,02
- 4. Způsob přípravy monokrystalu podle nároku 1 až 3 zejména pro scintilační detektory vyznačující se tím, že se připraví Czochralskiho metodou za použití indukčního ohřevu v Ir kelímku o objemu 0,15 až 2 dm3 v inertním prostředí ochranné atmosféry dusíku.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20060016A CZ298519B6 (cs) | 2006-01-09 | 2006-01-09 | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ20060016A CZ298519B6 (cs) | 2006-01-09 | 2006-01-09 | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ200616A3 true CZ200616A3 (cs) | 2007-07-18 |
| CZ298519B6 CZ298519B6 (cs) | 2007-10-24 |
Family
ID=38282925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20060016A CZ298519B6 (cs) | 2006-01-09 | 2006-01-09 | Monokrystal LYGSO: Ce, využitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ298519B6 (cs) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ2011332A3 (cs) * | 2011-06-02 | 2012-08-08 | Ceské vysoké ucení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálne inženýrská | Zpusob prípravy syntetických struktur na bázi lutecito-hlinitého granátu (LuAG) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264154A (en) * | 1990-04-20 | 1993-11-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Single crystal scintillator |
| US5660627A (en) * | 1994-10-27 | 1997-08-26 | Schlumberger Technology Corporation | Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals |
| US6323489B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-11-27 | Regents Of The University Of California | Single crystal scinitillator |
| RU2242545C1 (ru) * | 2003-11-04 | 2004-12-20 | Загуменный Александр Иосифович | Сцинтиляционное вещество (варианты) |
-
2006
- 2006-01-09 CZ CZ20060016A patent/CZ298519B6/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ298519B6 (cs) | 2007-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6437336B1 (en) | Scintillator crystals and their applications and manufacturing process | |
| RU2242545C1 (ru) | Сцинтиляционное вещество (варианты) | |
| CN103388179B (zh) | 共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 | |
| EP1754808A1 (en) | Solid solution material of rare earth element fluoride (polycrystal and single crystal), and method for preparation thereof, and radiation detector and test device | |
| CN102286286B (zh) | 辐射探测用的氯化物闪烁体 | |
| CN105102693A (zh) | 钾冰晶石类型闪烁体材料的制备 | |
| EP2836628A2 (en) | Multi-doped lutetium based oxyorthosilicate scintillators having improved photonic properties | |
| CN107354509B (zh) | 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 | |
| JP2011026547A (ja) | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 | |
| Zavartsev et al. | Czochralski growth and characterisation of large Ce3+: Lu2SiO5 single crystals co-doped with Mg2+ or Ca2+ or Tb3+ for scintillators | |
| JP5454477B2 (ja) | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにｐｅｔ装置 | |
| JP4702767B2 (ja) | 放射線検出用Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２結晶材料の製造方法及び放射線検出用（ＺｘＬｕ１−ｘ）３Ａｌ５Ｏ１２結晶材料の製造方法 | |
| JP4851810B2 (ja) | シンチレータ用単結晶材料及び製造方法 | |
| CZ200615A3 (cs) | Monokrystal LuAG: Pr pro výrobu scintilacních detektoru a pevnolátkových laseru a jejich výroba | |
| CN105332056A (zh) | 激光照明用二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体及其制备方法 | |
| US7347956B2 (en) | Luminous material for scintillator comprising single crystal of Yb mixed crystal oxide | |
| JP2016056378A (ja) | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 | |
| CN108441960A (zh) | 二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体制备方法 | |
| CN112522787A (zh) | 一种硅格位掺杂竞争发光中心的稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用 | |
| CZ200616A3 (cs) | Monokrystal LYGSO: Ce, vyuzitelný pro výrobu scintilacních detektoru a zpusob jejich výroby | |
| JP5994149B2 (ja) | Ｘ線シンチレータ用材料 | |
| JP4605588B2 (ja) | 放射線検出用フッ化物単結晶及びその製造方法並びに放射線検出器 | |
| CN108893779A (zh) | 一种钙镁离子与铈共掺钇铝石榴石闪烁晶体及其制备方法 | |
| JP2011202118A (ja) | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにｐｅｔ装置 | |
| Kim et al. | Growth and scintillation properties of directionally solidified Ce: LaCl3/AECl2 (AE= Mg, Ca, Sr) eutectic scintillators |