CZ2002952A3

CZ2002952A3 - Způsob výroby anody

Info

Publication number: CZ2002952A3
Application number: CZ2002952A
Authority: CZ
Inventors: Keith L. Moore; Brian J. Melody; John T. Kinard; David A. Wheeler
Original assignee: Kemet Electronics Corporation
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 2000-09-12
Publication date: 2002-09-11
Also published as: GB0203922D0; WO2001019555A1; GB2368850A; DE10084940T1; IL148136A0; AU7370200A; US6315808B1; JP2003509583A; US6375710B2; MXPA02002573A; US20010004854A1

Description

Způsob výroby anody

Oblast techniky

Vynález se týká způsobu výroby výlisků práškové metalurgie, neobsahujících příměs (kontaminaci) pojivá, slisováním kovového prášku a dimethylsuifonového pojivá.

Dosavadní stav techniky

Po mnoho let nacházela těla, získaná práškovou metalurgií a vyrobená z kovů, použití v průmyslu. Výlisky práškové metalurgie, slisované z tantalového prášku na přibližně 1/4 až 3/4 teoretické hustoty, byly spékány (sintrovány) k vytvoření tantalových těl kondenzátorových anod, používaných pro výrobu tantalových elektrolytických kondenzátorů. K usnadnění hromadné výroby anod tantalových kondenzátorů, jichž se denně vyrábějí miliony, se pojivo nebo mazivo obvykle smísí s tantalovým práškem před krokem lisování. Toto míšení tantalového prášku a pojivá může být prováděno jedním ze dvou základních způsobů: lze použít pojivo ve formě jemného prášku a mísit ho s tantalovým práškem suchým míšením, za fyzického protřepávání nebo převracení obou prášků společně, nebo lze pojivo rozpustit ve vhodném rozpouštědle a roztok rozprašovat na tantalový prášek nebo ho s ním převracet (což se nazývá míšením za vlhka), čímž po odpaření rozpouštědla vznikne pojivém potažený tantal.

Poté se kombinace tantalového prášku a pojivá slisuje do formy anodového výlisku a pojivo se před krokem spékání při vysoké teplotě, používaným k výrobě anodových těl konečného kondenzátorů tradičně odstraní v kroku vakuové destilace při teplotě 200 °C až 600 °C. Krok odstranění pojivá vakuovou destilací může také zahrnovat použití • · · · • 0 · ·

- 2 inertního pročišťovacího plynu, pomáhajícího odstranit pojivo z blízkosti anod, neboť se stalo těkavým.

Průmyslový požadavek stále menších kondenzátorů o zvýšené CV hustotě a snižující se ceně vedl k vývoji tantalových kondenzátorových prášků, majících stále se zvětšující plochu povrchu na gram a menší průměrnou velikost částic. V šedesátých letech měl tantalový prášek o kondenzátorové čistotě běžně plochu povrchu 0,05 m² na gram a CV produkt 5 000 mikrofarad-voltů či mikrocoulombů na gram. V osmdesátých letech byly dostupné tantalové prášky o kondenzátorové čistotě s plochou povrchu 0,2 m² na gram a CV produktem 20 000 mikrocoulombů na gram. Současně dostupné tantalové prášky o kondenzátorové čistotě mohou mít dokonce plochu povrchu 0,5 až 1,0 m² a 50 000 až 100 000 microcoulombů na gram. Průměrná velikost částic tantalového prášku o kondenzátorové čistotě byla v šedesátých letech vyšší než 5 mikrometrů. Průměrná velikost částic nejjemnějších současných tantalových prášků o kondenzátorové čistotě je menší než 0,2 mikrometru a připravují se tantalové prášky o velikosti částic řádově menší.

Zvýšení plochy povrchu a snížení průměrné velikosti částic tantalových prášků o kondenzátorové čistotě umožnilo jak zmenšení, tak i zlevnění tantalových kondenzátorů, žádaných v průmyslu. Bohužel, zmenšení velikosti pórů tantalových anod, vyrobených práškovou metalurgií za použití těchto jemných tantalových kondenzátorových prášků, učinilo odstraňováni pojivá či maziva se snižující se velikostí částic postupně stále obtížnější. Odstranění pojivá dále znesnadňuje zvýšená povrchová energie a výsledná reaktivita tantalového prášku při snížení velikosti částic. Anody, lisované z tantalových prášků o velké ploše povrchu, mají tedy velmi malé póry, jimiž musí difundovat výpary pojivá a skládají se z částic, které se při teplotách pro tradiční • ···· · · ··· 0 ··

0 0 · · · ·

0 0 0 0 · 0 ·· · ·0·· 0 · 0 0 0

000 000 0 0 ·0 0· 0000

- 3 odstraňování pojivá stávají velmi reaktivními díky vysoké povrchové energii, spojené s malými poloměry zakřivení těchto jemných částic.

Výsledkem je, že stále větší podíl pojivá reaguje s materiálem tantalové elektrody během kroku odstraňování pojivá a lze ho detegovat testy standardní uhlíkové analýzy, používanými u reaktivních kovů.

Zkušenost ukazuje, že uhlíkové zbytky, vytvářené reakcí pojiv s obsahem uhlíku a tantalových anodových výlisků, obsahujících tantalový prášek, působí vznik trhlin v dielektriku anodového oxidového filmu, formovaného různými anodizačními postupy. Trhliny v anodovém oxidu působí zvýšené ubývání běžných hladin jak kapalných elektrolytových roztoků (používaných k testování anod a k plnění kondenzátorů s vlhkým granulátem, wet-slug), tak i konečných pevných tantalových kondenzátorů.

Ke snížení obsahu zbytkového uhlíku v anodových tělech pro kondenzátory, vytvořených práškovou metalurgií lisováním z tantalového prášku o velké ploše povrchu (a ke snížení rostoucího výskytu běžných problémů a problémů zkratu, spojených s tímto zbytkovým uhlíkem), používali výrobci kondenzátorů různé přístupy, zvyšující odstraňování pojivá. Anody mohou být vyráběny v poměrně malých sériích a být rozloženy do poměrně tenkých vrstev k minimalizaci difusní dráhy, kterou musí projít výpary pojivá k opuštění celého objemu anodových těl. Jak bylo zmíněno výše, použit může být inertní pročišťovací plyn, který napomáhá odstranit výpary pojivá z blízkosti anod.

Patent US 4 664 883 popisuje způsob použití směsných pojiv, v nichž jedna složka vykazuje poměrně dobré pojivové vlastnosti, jako polyetylenoxid, a druhá složka, která nemá zvláště dobré pojivové vlastnosti jako taková, se při teplotách pro odstranění pojivá rozkládá a • · · · poskytuje velké množství plynů, které slouží k usnadněnému pročištění (vyfouknutí) první pojivové složky z pórů anodových těl. Nevýhodou tohoto způsobu je to, že popsaná těkavá pojivá, jimiž jsou uhličitany amonné, jsou hygroskopická a mají sklon absorbovat vodu během zpracování ve vlhkých prostředích, z čehož v toku prášku vznikají potíže.

Jiným poměrně nedávno představeným pojivovým materiálem je polypropylenkarbonát, prodávaný firmou PAC Polymers pod názvem Q-PAC. Tento materiál se tepelně rozpadá ve vakuu při teplotě přibližně 250 °C za vzniku propylenkarbonátu, propylenoxidu a oxidu uhličitého. Bylo zjištěno, že tento materiál zanechává zbytek s mnohem menším obsahem uhlíku ve vakuově spékaných (slinutých) kondenzátorových anodách, vyráběných práškovou metalurgií lisováním z tantalového prášku o velké ploše povrchu, než jaký se nalézá po použití tradičních pojiv, jako je kyselina stearová, CARBOWAX 8 000 nebo ACRAWAX C. Bohužel, polypropylenkarbonát se, vzhledem ke své přechodové teplotě sklovatění, rovnající se přibližně 40 °C, velmi obtížně mele pro použití k míšení za sucha (kryogenně mletý prášek má sklon k aglomeraci na pevnou hmotu, pokud není skladován a dopravován za chlazení). Vzhledem k obtížím, které nastávají při míšení polypropylenkarbonátu za sucha, se tento materiál obvykle mísí s tantalovým práškem za vlhka. Rozpustnost polypropylenkarbonátu je poměrně vyšší pouze v chlorovaných rozpouštědlech a v acetonu. Míšení polypropylenkarbonátu za vlhka ve výrobním měřítku vyžaduje velmi pečlivé uspořádání výrobního zařízení a opatrné provádění jeho obsluhy k prevenci vznícení nebo vystavení pracovníků výparům rozpouštědla. Nadto, i když propylenkarbonát představuje určité zlepšení, pokud se týká snadnosti jeho odstranění ve srovnání s tradičními pojivovými materiály, jako je kyselina stearová nebo ACRAWAX C, zůstává odstranění posledních stop • · · 9 · ·

- 5 • ΦΦΦ Φ

ΦΦΦ

Φ ·

Φ • « Φ Φ polypropylenkarbonátu z tantalových anodových výlisků, vyrobených práškovou metalurgií, velmi obtížné.

Jednoduchý a přímočarý přístup k odstranění pojiv/maziv z tantalových anodových výlisků vyrobených práškovou metalurgií, je. popsán v patentu US 5 470 525. Vynálezci používají pojivá, která jsou dosti rozpustná ve vodě a po kroku lisování anody odstraňují pojivo promytím teplou vodou. Tento způsob se vyhýbá reakci tantalu s pojivém o obsahu uhlíku při tradičních teplotách, používaných pro odstranění pojiv tím, že se teplotám tak vysokým, že by při nich docházelo k rozkladu pojivá, vyhne. Za použití této metodiky může být vlastně veškeré pojivo odstraněno s malým nebo nulovým poškozením produktu. Jednou nevýhodou tohoto způsobu je to, že výrobní zařízení musí být doplněno vybavením k promývýní vodou a pojivo musí být rozpustné ve vodě a mít nezbytnou klouzavost a schopnost aglomerovat jemné ťantalové prášky do malých shluků (aglomerátů) tantalu a pojivá, vykazujících lepší tok a sníženou prašnost ve srovnání se samotným tantalovým práškem.

Nadto, v zařízeních, v nichž se provádějí oba tyto postupy, vakuové/tepelné odstranění pojivá a odstranění pojivá promytím vodou, musí být dbáno na to, aby lisované tantalové anody s obsahem pojivá, které se hodí pro jednen způsob odstranění, nebyly neúmyslně podrobeny jiným postupům. Například těla tantalových anod, obsahující za vlhka míšený polypropylenkarbonát, který se odstraňuje tepelně, budou po zpracování postupem promývání vodou, navrženého pro odstraňování polyethylenglykolu 8 000, obsahovat celkově větší množství uhlíku a těla kondenzátorových anod, lisovaných z tantalového prášku o velké ploše povrchu, obsahujícího polyethylenglykol 8 000, budou vážně znečištěna uhlíkem, pokud budou podrobena vakuovému/tepelnému postupu k odstranění pojivá.

• Β Β· Β • · Β Β

ΒΒΒΒ ·

Β β Β Β

- 6 •Β BBB* ·· ·· • · Β » · • · · · • Β · · ·

Β · « Β · ·· ·♦ ΒΒΒΒ

Uhličitan nebo hydrogenuhiičitan amonný lze použít jako jediné pojivo a obě látky mohou být zcela odstraněny z těl kondenzátorových anod, lisovaných z tantalového prášku o velké ploše povrchu, kterýmkoli postupem pro odstranění pojivá. Tyto materiály však mají několik nevýhod. Vzhledem k vysokému tlaku par musejí být míšeny postupem za sucha. Amonné uhličitany jsou mechanicky křehké látky a poskytují malou nebo nulovou hodnotu maziva. Tantalový prášek, míšený s amonnými uhličitany jako jediným pojivém, vykazuje značnou prašnost a působí nadměrné opotřebení (vydření) anodových lisů, vyvolané usazováním jemného, abrazivního tantalového prachu na kluzné a otočné části zařízení. Amonné uhličitany se také odpařují z otevřených zásobníků tantalového kondenzátorového prášku, s nímž jsou míšeny. Výsledný proměnlivý obsah pojivá, způsobený odpařováním, komplikuje kontrolu hmotnosti vyrobených anod.

Podstata vynálezu

Vynález se týká způsobu výroby výlisků práškové metalurgie s dimethylsulfonovým pojivém a odstranění pojivá z výlisků.

Vynález poskytuje způsob výroby výlisku práškové metalurgie, zahrnující kroky, v nichž se:

- spojuje kovový prášek a dimethylsulfon v takovém množství, aby byl účinný jako pojivo,

- prášek a dimethylsulfon lisuje k vytvoření výlisku práškové metalurgie, jako je anodové tělo, a

- odstraňuje dimethylsulfon.

Vynález rovněž poskytuje způsob výroby výlisků práškové metalurgie, při němž se dimethylsulfon odstraňuje destilací ve vakuu, nebo promytím vodným roztokem.

«

99· ♦ · · • 4» 9 9

*9 99

9 9 9

9 9 · 9

9 9

9999

-7 Množství dalších rysů, předmětů a výhod vynálezu bude zřejmé z následujícího podrobného popisu.

Bylo zjištěno, že dimethylsulfon je účinné pojivo pro výrobu výlisků s kovovým práškem. Takové kovové prášky mají typicky velkou plochu povrchu. Kovový prášek se za přidání menšího množství dimethylsulfonového pojivá mnohem snadněji lisuje do výlisků.

Dimethylsulfon se s kovovým práškem spojuje jakýmkoli vhodným způsobem. Práškoyá. forma dimethylsulfonu může být například za sucha míšena s kovovým práškem prostřednictím míšení, nebo lze dimethylsulfon za vlhka mísit tak, že se dimethylsulfon nejprve rozpustí ve vhodném rozpouštědle, pak se roztok přidá k jemnému reaktivnímu kovovému prášku a na konec se rozpouštědlo odpaří. Vhodná rozpouštědla zahrnují, nikoli však výlučně, aceton a vodu.

Kovovým práškem může být jakýkoli vhodný kov, používaný k výrobě výlisků. Příklady kovových prášků zahrnují tantal, niob, titan, zirkon, hafnium, nikl, měď, zinek, hliníky, bronz a podobně pro výrobu kondenzátorových anod. Kovovým práškem je s výhodou tantalový prášek.

Dimethylsulfon se spojuje s kovovým práškem v množství, které je účinné jako pojivo, typicky přibližně v množství 1 % hmotnostní až 6 % hmotnostních vzhledem k celkové hmotnosti pojivá a prášku a s výhodou přibližně 2 % hmotnostních až 4 % hmotnostních.

Kombinace prášku a pojivá se lisuje k vytvoření výlisku, například za použití běžné nebo tradiční techniky lisování.

Pojivo se poté odstraňuje jakýmkoli vhodným postupem, jako je vakuová destilace nebo promytí výlisku vodou či jiným vodným roztokem

• A ♦ ·

AA ♦ ·

A A A A

A A A

AAA AAA

A A AAAA (vyluhování). Dimethylsulfon je téměř nebo vlastně úplně odstraněn z výlisků k ponechání těchto výlisků neznečištěných (nekontaminovaných) pojivém a/nebo vzniklými uhlíkovými zbytky a tedy připravených pro další zpracování do kondenzátorových anod a podobně.

Vakuová destilace zahrnuje zahřívání výlisku pod vakuem. Výlisek se zahřívá na alespoň 200 °C a lépe přibližně na 250 °C až 350 °C po dobu, která dostačuje k odstranění dimethylsulfonu; typicky, ne však výhradně, 0,5 až 1,5 hodiny.

Promývání vodou zahrnuje propláchnutí výlisku vodou alespoň jedenkrát a mnohem výhodněji alespoň dvakrát, nejvýhodněji pak přibližně třikrát. Proplachování se s výhodou provádí při zvýšených teplotách, přibližně od 50 °C do 95 °C, lépe od 60 °C do 90 °C a nejlépe přibližně při 80 °C, po dobu, která dostačuje k odstranění dimethylsulfonu.

Výlisky se s výhodou používají jako anody elektrolytických kondenzátorů. Jiná použití zahrnují porézní kovové filtry, plynová difusní média a povrchy pro katalytické reakce.

Dimethylsulfon je nehygroskopická, bílá pevná látka, mající jen slabý nebo nemající žádný zápach, snadno dostupná a nikoli drahá. Materiál je trochu kluzný a je dostatečně mechanicky pevný k vytváření aglomerátů (shluků) tantalového prášku a pojivá pro zlepšený tok prášku a značné snížení prašnosti. Dimethylsulfon je značně rozpustný ve vodě při teplotě místnosti (až do přibližně 40 % hmotnostních) a je nekonečně mísitelný s vodou při teplotě 80 °C. Dimethylsulfon se taví přibližně při 110 °C a teplota varu je při atmosferickém tlaku od 238 °C do 240 °C. Obsah popela je typicky nižší než 0, 1%.

• ···· ·· »»·· ·· 0· 99 4 9 9 9 4 9 9 9

9 44 49 4 49 * • · 4 4 4 4 9 4 9 4 • · · · 4 9 4 9 4

944 444 44 44 49 9444

- 9 Údaje od Gaylord Chemical, v Bulletinu č. 301, udávají, že dimethylsulfon je charakterizován neobvyklou inertností (netečností), dokonce i při zvýšených teplotách. Zahřívání dimethylsulfonu na teplotu 275 °C po dobu jedné hodiny má za následek samovolný rozpad 0,3 molárního procenta. Je popsáno, že je stálý při 238 °C v přítomnosti vodného roztoku hydroxidu sodného a při 130 °C v nitrační směsi (dýmavá kyselina dusičná a kyselina sírová). Výjimečná stálost tohoto materiálu umožňuje jeho odtranění z anodových výlisků, lisovaných z reaktivních kovů o velké ploše povrchu, postupem tepelného ovlivnění/vakuové destilace. Teplota vzplanutí dimethylsulfonu je 143 °C, v otevřené misce.

Dimethylsulfon má nadto velmi nízkou úroveň toxicity (firma Gaylord Chemical Company udává LD₅₀ při orálním podání u potkanů albínů 17 000 mg/kg). Je považován za nedráždivý vůči pokožce a je snadno biologicky odbouratelný.

Dimethylsulfon je slučitelný s tantalem i s jinými reaktivními kovovými prášky. Je dostupný v práškovém stavu k usnadnění míšení za sucha s tantalovýmí prášky. Tlak par je dostatečně nízký, takže se nevypařuje z otevřených zásobníků směsí tantalu s pojivém, ani se nevypařuje během odstraňování rozpouštědla v průběhu míšení za vlhka.

Aniž by si autoři přáli vázat se teorií, předpokládají, že dimethylsulfonové pojivo může být úplně odstraněno tepelnou úpravou/vakuovou destilací, neboť je výjimečně stálé s ohledem na samovolné rozpadávání a nereaguje s tantalem při teplotách, které jsou nezbytné k vypařování materiálu pod vakuem. Rovněž se předpokládá, že dimethylsulfonové pojivo může být zcela odstraněno i promýváním vodou, neboť je vysoce a rychle rozpustné vodou a roztoky, vytvořené pojivém v horké vodě, nepostihují tantal. Dimethylsulfon má poměrně ·· ····

- 10 ···· • · · malou molekulovou hmotnost, která se zdá minimalizovat difúzi v průběhu odstraňování. Jakmile byl tedy kondenzátorový výlisek jednou vylisován, je dimethylsulfon možné odstranit buď vakuově/tepelnou destilací, nebo promytím vodou. Omyl, týkající se použitého způsobu odstranění pojivá, by měl v případě obou použitých způsobů pro přístrojové vybavení minimální záporné následky.

Příklady provedení vynálezu

Příklad 1

K dokreslení nízké úrovně zbytkové kontaminace uhlíkem, která je dosažitelná u válisků vyráběných práškovou metalurgií lisováním z tantalového prášku, obsahujícího jako pojivo dimethylsulfon, bylo množství tantalového prášku Showa-Denko S705 rozděleno do tří skupin. Skupiny byly smíseny s 2 % hmotnostními pojivá a slisovány do tantalových anod o hmotnosti 0,26 g a o následujících rozměrech: tloušťce 0,31 cm (0,125 palce), šířce 0,32 cm (0,128 palce) a délce 0,47 cm (0,185 palce). Skupiny pyk byly zpracovány tak, jak je uvedeno v Tabulce 1.

Z údajů, uvedených v Tabulce 1, je zřejmé, že dimethylsulfon může být z anodových výlisků úplně odstraněn buď destilací ve vakuu, nebo promytím vodou při 80 °C. Hodnoty, týkající se uhlíku a kyslíku, byly získány před spékáním a po spékání při teplotě 1375 °C až 1385 °C a době trvání 15 minut.

9» · · 9 ·

- 11 • 999 • 9 9 • · 99

9· 99

9 9 » · 9 • 9 9

9 9

9999

Tabulka 1

skupina	pojivo	odstranění pojivá	uhlík v částech z milionu (ppm)	kyslík v částech z milionu (ppm)
Virgin S705	žádné	žádné	24	3079
1, před spékáním	dimethyl- sulfon	vakuum, 350°C, 90 min.	26	3662
1, po spékání	dimethyl- sulfon		22	6485
2, před spékáním	dimethyl- sulfon	1 promytí* 2 promytí* 3 promytí*	78 34 30	3733 3812 3787
2, po spékání	dimethyl- sulfon		20	6168
3, po spékání	polypropy- lenkarbonát	vakuum, 350°C, 90 min	124	6667

* každé promytí sestávalo z potopení anod do deionizované vody o teplotě 80°C po dobu 1 hodiny; na 1 000 anod byly používány 2 I vody

Odborníkovi v oboru bude zřejmé, že v prostředcích a způsobech podle předkládaného vynálezu mohou být učiněny různé změny bez vybočení z rozsahu nebo vyznění tohoto vynálezu. Tento vynález má tedy pokrývat modifikace a varianty předkládaného vynálezu za předpokladu, že spadají do rozsahu připojených patentových nároků a jejich ekvivalentů.

Zastupuje:

- 12 /V - ¢££.

• ······ ·· fcfc • fc fc fcfcfcfc • fcfc fcfc fc fcfcfcfc fcfcfcfc · • fcfcfcfc ··· fcfcfcfc fcfc fcfcfcfc

Claims

PATENTOVÉ NÁROKY

1. Způsob výroby anody pro elektrolytický kondenzátor, vyznačující se t í m, že zahrnuje kroky, v nichž:

se spojí kovový prášek a účinné množství dimethylsulfonu jako pojivo;

se prášek a dimethylsulfon slisují k vytvoření anodového těla; a odstraní se dimethylsulfon.
2. Způsob výroby anody podle nároku 1, vyznačující se t í m, že dále zahrnuje krok, v němž se dimethylsulfon odstraní destilací pod vakuem.
3. Způsob výroby anody podle nároku 2, vyznačující se t í m, že vakuová destilace se provádí při teplotě přibližně mezi 200 °C a 400 °C.
4. Způsob výroby anody podle nároku 2, vyznačující se t í m, že vakuová destilace se provádí při teplotě přibližně mezi 250 °C a 350 °C
5. Způsob výroby anody podle nároku 1, vyznačující se t í m, že dále zahrnuje krok, v němž se dimethylsulfon odstraní promytím vodným roztokem.
6. Způsob výroby anody podle nároku 5, vyznačující se t í m, že jako vodný roztok se používá voda.
7. Způsob výroby anody podle nároku 5, vyznačující se t í m, že dále zahrnuje krok, v němž se dimethylsulfon odstraní promytím vodným roztokem při teplotě přibližně mezi 60 °C a 95 °C.

9» 9 9 9 9

9 ···· • # ·

- 13 9 9 ·

9 9 9 • 9 9 • 9 9 9

9« 99

99 99

9 9 9 9

9 9 ·

9 9 9 9

9 9 9

99 9999
8. Způsob výroby anody podle nároku 1, vyznačující se t í m, že množství dimethylsulfonu se pohybuje přibližně mezi 1 % hmotnostním a 6 % hmotnostními vzhledem k celkové hmotnosti dimethylsulfonu a prášku.
9. Způsob výroby anody podle nároku 8, v y z n a č u j í c i se t í m, že množství dimethylsulfonu se pohybuje přibližně mezi 2 % hmotnostními a 4 % hmotnostními vzhledem k celkové hmotnosti dimethylsulfonu a prášku.
10. Způsob výroby anody podle nároku 9, vyznačující se t í m, že se používá množství dimethylsulfonu přibližně 2 % hmotnostní.
11. Způsob výroby anody podle nároku 1, vyznačující se t í m, že jako kovový prášek se používá tantal.
12. Materiál pro použití k formování anod pro elektrolytický kondenzátor, vyznačující se t í m, že obsahuje kovový prášek a dimethylsulfon.
13. Materiál podle nároku 12, vyznačující se t í m, že množství dimethylsulfonu představuje přibližně 1 % hmotnostní až 6 % hmotnostních vzhledem k celkové hmotnosti dimethylsulfonu a prášku.
14. Materiál podle nároku 13, vyznačující se t í m, že množství dimethylsulfonu představuje přibližně 2 % hmotnostní až 4 % hmotnostní vzhledem k celkové hmotnosti dimethylsulfonu a prášku.
15. Materiál podle nároku 12, vyznačující se t í m, že kovovým práškem je tantal.

• MM *W 4« ·· ··· · · · · · « · « ··♦ · · · · « « • · » · · · · · · · • · © » · » a · · • •a ··« «· 4# «· ··*·

- 14
16. Anody, vyznačující se tím, že zahrnují slisovaný kovový prášek, který byl připraven tak, že kovový prášek byl spojen s účinným množstvím dimethylsulfonu jako pojivém; kovový prášek a dimethylsulfon byly slisovány k vytvoření těla anody; a dimethylsulfon byl odstraněn.
17. Anoda podle nároku 16, vyznačující se tím, že množství dimethylsulfonu představuje přibližně 1 % hmotnostní až 6 % hmotnostních vzhledem k celkové hmotnosti dimethylsulfonu a prášku.
18. Anoda podle nároku 17, v y z n a č u j í c í se t í m , že množství dimethylsulfonu představuje přibližně 2 % hmotnostní až 4 % hmotnostní vzhledem k celkové hmotnosti dimethylsulfonu a prášku.
19. Anoda podle nároku 16, v y z n a č u j í c í s e t í m , že kovovým práškem je tantal.