CZ20011740A3 - Těľko tavitelný kovový práąek s nízkým obsahem kyslíku pro práąkovou metalurgii, způsob jeho výroby a výrobky z něj vyrobené - Google Patents

Těľko tavitelný kovový práąek s nízkým obsahem kyslíku pro práąkovou metalurgii, způsob jeho výroby a výrobky z něj vyrobené Download PDF

Info

Publication number
CZ20011740A3
CZ20011740A3 CZ20011740A CZ20011740A CZ20011740A3 CZ 20011740 A3 CZ20011740 A3 CZ 20011740A3 CZ 20011740 A CZ20011740 A CZ 20011740A CZ 20011740 A CZ20011740 A CZ 20011740A CZ 20011740 A3 CZ20011740 A3 CZ 20011740A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
metal
powder
oxygen
tantalum
hydride
Prior art date
Application number
CZ20011740A
Other languages
English (en)
Inventor
Prabhat Kumar
Original Assignee
H. C. Starck, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23487672&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ20011740(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by H. C. Starck, Inc. filed Critical H. C. Starck, Inc.
Publication of CZ20011740A3 publication Critical patent/CZ20011740A3/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/30—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14—Treatment of metallic powder
    • B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/12—Both compacting and sintering
    • B22F3/16—Both compacting and sintering in successive or repeated steps
    • B22F3/162—Machining, working after consolidation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/023—Hydrogen absorption
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00—Obtaining refractory metals
    • C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C22B34/24—Obtaining niobium or tantalum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/14—Refining in the solid state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045—Alloys based on refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
    • C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
    • C22C32/0031—Matrix based on refractory metals, W, Mo, Nb, Hf, Ta, Zr, Ti, V or alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H01G9/0525—Powder therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/20—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces by extruding
    • B22F2003/208—Warm or hot extruding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

Oblast techniky
Předkládaný vynález se týká prášků a výrobků z tantalu, niobu a jejich slitin, které obsahují malé množství kyslíku, a způsobů výroby uvedených prášků a výrobků.
Dosavadní stav techniky
Jedna z běžně používaných metod výroby výrobků z kovových prášků z tantalu, niobu nebo slitin, tvořených buď těmito kovy nebo jedním nebo oběma těmito kovy a dalšími kovy, zahrnuje postupné izostatické lisování uvedeného prášku za studená do tvaru předlisku, jako je tyč nebo prut. Takto vytvořený předlisek se následně odporově slinuje při poměrně vysoké teplotě za vzniku tvarovaného výrobku z tantalu, niobu nebo jejich slitin. Při odporovém slinování se obecně konce uvedeného předlisku nejprve uchytí svorkami mezi vodou chlazenými měděnými konci vakuové komory a poté se uvedený předlisek zahřívá průchodem elektrického proudu skrz tento předlisek. Při uvedeném odporovém slinování dochází k simultánnímu snižování obsahu kyslíku a ke zhušťování daného předlisku.
Avšak používání odporového slinování pro zhušťování a odstraňování kyslíku je spojeno s mnoha nevýhodami. První z těchto nevýhod je fakt, že odporové slinování je možné použít pouze pro výrobu výrobků určitých tvarů, jejichž skupina je poměrně omezená a zahrnuje obecně tyče nebo pruty. Průřez daného předlisku podél dráhy probíhajícího elektrického proudu musí být při odporovém slinování všude stejný, aby bylo zabráněno lokálnímu přehřívání a lámání daného předlisku za červeného žáru. Dále musí být průřez uvedeného předlisku dostatečně malý, aby ke snížení obsahu kyslíku v centru tohoto předlisku došlo ještě před vymizením spojné pórovitosti.
Z důvodů účinného odstraňování kyslíku nejsou odporově slinovány předlisky, jejichž nejkratší rozměr je větší než přibližně 3,81 centimetru (tj. přibližně 1,5 inch). Dále musí být daný předlisek tak malý, aby bylo zabráněno prohýbání, které je spojeno s tečením a lisováním za horka během odporového slinování bez použití podpůrného materiálu.
Z těchto důvodů není obvykle hmotnost uvedených předlisků větší než přibližně 15,88 kilogramu (tj. 35 1b.).
Předmětný vynález se týká tantalového a/nebo niobového prášku, zejména pak tantalových prášků, které jsou použitelné pro výrobu součástek pomocí práškové metalurgie, přičemž tyto součástky je možné dále zpracovávat do tvaru prutu, drátu, desky, fólie a dalších lisovaných produktů z opracovaných dílů nebo které je možné jednoduše vyrobit ve tvaru sítě pomocí běžných metod zhutňování prášku s následným opracováním povrchu a/nebo drobnými změnami rozměrů. Takovéto výrobky jsou rovněž použitelné jakožto plně husté nanášené vrstvy sloužící pro modifikaci chemických vlastností povrchů jiných lisovaných výrobků nebo opracovaných dílů.
Velmi dobře známá je výroba tantalových prášků, které se používají jakožto slinuté anody pro elektrolytické kondenzátory, přičemž tyto prášky se vyrábějí hydridací • · · · · · · 4 · · 4 · · 4 • 4 4 4 · 44444 • 4 44444 4 44 • · 4 4 4 4444·
444444
444 4 44 444 44 444 tantalového ingotu nebo tantalových lupínků, rozmělněním (při němž se s výhodou využívá zkřehnutí uvedeného ingotu, respektive uvedených lupínků, jenž je výsledkem uvedené masivní hydridace) na práškovou formu a následnou dehydridací za vzniku tantalového prášku. Takovéto prášky je možné použít pro výrobu kondenzátorů s malým elektrickým rozptylem. Shora popsaný proces je v principu aplikovatelný i na niob, ale v praxi se příliš nepoužívá.
Dále je známo, že deoxidaci tantalového nebo niobového kondenzátorového prášku (vyrobeného jakýmkoli způsobem) v primární nebo sekundární (tj. aglomerované) formě je možné provést kontaktováním daného prášku s parami kovů alkalických zemin, čímž dochází k účinnému zachycování kyslíku na povrchu uvedeného prášku a odstraněním tohoto kovu ve formě oxidu kovu alkalických zemin vymýváním kyselinou a/nebo odpařením.
Podstata vynálezu
Byly vyvinuty nové prášky tvořené tantalem, niobem nebo slitinami tantalu nebo niobu, které obsahují méně než přibližně 300 ppm kyslíku. Dále byl vyvinut způsob výroby takovýchto prášků, který zahrnuje zahřívání práškového hydridu tantalu, niobu nebo práškového hydridu jejich slitiny v přítomnosti kovu reagujícího s kyslíkem, jako je hořčík.
Dále byly vyvinuty tvarované výrobky vyrobené z kovových prášků, které obsahují méně než přibližně 300 ppm kyslíku, přičemž tyto výrobky se vyrábějí z tantalu, niobu a jejich slitin. Dále byl vyvinut nový způsob výroby tvarovaných výrobků vyrobených z kovových prášků, které obsahují méně než • · · · · · · • · · · · · ·· ·· · · · · • ·· · ·· · ·· · · ··· přibližně 300 ppm kyslíku, přičemž tyto výrobky se vyrábějí z tantalu, niobu a jejich slitin bez použití odporového slinování.
Předmětný vynález využívá kombinace a různé varianty dvou vývojových linií, které jsou v dané oblasti techniky již dlouhou dobu známé a které byly ve stručnosti popsány v předešlém textu, spolu s dalšími poznatky, což umožňuje získat prášek tvořený velmi jemnými částicemi obsahujícími malé množství kyslíku, který je použitelný při výrobě lisovaných výrobků a/nebo opracovaných částí. Za normálních okolností je velká jemnost (a s tím spojený velký povrch) částic prášku spojena s vysokým obsahem zachyceného kyslíku, což má negativní vliv na následné zpracovávání a používání uvedeného prášku.
Hlavním předmětem tohoto vynálezu je způsob získávání jemného tantalového a/nebo niobového prášku obsahujícího malé množství kyslíku, přičemž tento prášek výhodně obsahuje méně než 300 ppm kyslíku a je výhodně tvořen částicemi, jejichž průměrná velikost je menší než 150 mikrometrů.
Tohoto předmětu je možné dosáhnout získáním velmi jemného hydridu tantalu o velikosti částic menší než 150 mikrometrů a smícháním tohoto hydridu s malým množstvím hořčíku nebo vápníku, přičemž toto množství činí méně než 0,5 procenta z hmotnosti uvedeného hydridu. Při uskutečňování předmětného vynálezu je rovněž možné použít prekurzory kovů alkalických zemin, jako jsou jejich hydridy. Takto vytvořená směs se nejprve skokově zahřívá, přičemž dochází k odpaření uvedeného kovu alkalických zemin a započetí redukce kyslíku vznikajícími ♦ ···· ·· ···· ·· ♦ « · · · · 9 · · · · • 9 9 9 9 99 9 99 • · · · · · · · ·· ·· ·· ···· ··· · 99 999 99999 parami, následně se teplota směsi udržuje na konstantní hodnotě až do skončeni uvedené reakce kyslíku, poté se směs ochladí a promývá kyselinou a vodou, čímž je vymyt zbývající kov alkalických zemin a nakonec se směs usuší za vzniku tantalového prášku s obsahem méně než 300 ppm kyslíku (obvykle méně než 150 ppm), jehož průměrná velikost částic FAPD (což je zkratka z anglického výrazu Fisher Average Particle Diameter) je menší než 150 mikrometrů.
Výhodou prášku podle předmětného vynálezu je, že zahrnuje poměrně nekulovité částice, které jsou vhodné pro jednosměrné mechanické lisování.
Další výhodou prášku podle předmětného vynálezu je skutečnost, že zahrnuje poměrně malé částice, které jsou vhodné pro izostatické lisování za studená.
Výhodou tvarovaných výrobků z tantalu, niobu nebo jejich slitin podle předmětného vynálezu, které obsahují méně než přibližně 300 ppm kyslíku, je skutečnost, že tyto produkty mohou mít jakýkoli tvar, průřez nebo velikost.
Výhoda způsobu výroby tvarovaných výrobků podle předmětného vynálezu spočívá v tom, že tento způsob umožňuje další výrobu tantalových výrobků, niobových výrobků nebo výrobků ze slitin těchto kovů, které obsahují méně než přibližně 300 ppm kyslíku, přičemž tyto výrobky mohou mít jakýkoli tvar, průřez nebo velikost.
• · · · · · · · · · · · • · · · · · · • · · · · · · ·
Předmětný vynález se rovněž týká dalších těžko tavitelných kovů, jako je například molybden, wolfram, titan, zirkonium, hafnium nebo rhenium.
Tantalový prášek, niobový prášek nebo prášek tvořený slitinou tantalu a niobu, obsahující méně než přibližně 300 ppm (parts per milion) kyslíku, podle předmětného vynálezu se vyrábějí níže popsaným způsobem.
Práškový hydrid prvního kovu (tantalu, niobu nebo jejich slitiny) se umístí do vakuové komory, která obsahuje také kov jehož afinita ke kyslíku je větší než afinita uvedeného prvního kovu ke kyslíku, jako je vápník nebo hořčík, přičemž ve výhodném provedení předmětného vynálezu je tímto kovem hořčík. Uvedený výchozí hydridový prášek obsahuje výhodně méně než přibližně 1000 ppm kyslíku. V dalším stupni se tato vakuová komora zahřívá na teplotu deoxidace za vzniku práškového tantalu, niobu nebo práškové slitiny tantalu a niobu obsahující méně než přibližně 300 ppm kyslíku. Hořčík, který nyní obsahuje kyslík, se v následujícím stupni odstraňuje z uvedeného kovového prášku odpařením a následným selektivním chemickým vymýváním nebo rozpouštěním uvedeného prášku.
Skupina slitin tantalu nebo niobu podle předmětného vynálezu zahrnuje slitiny tantalu a/nebo niobu, slitiny jednoho nebo obou těchto kovů s dalšími kovy a dále zahrnuje vpravení oxidu tantalu, oxidu niobu nebo oxidu jiného kovu, jehož volná energie vzniku je vyšší než je volná energie vzniku oxidu tantalu a/nebo oxidu niobu, jako je například oxid yttritý, oxid thoria nebo oxid hlinitý. Uvedený oxid se směšuje s tantalovým a/nebo niobovým práškem, který obsahuje méně než přibližně 300 ppm kyslíku. Skupina slitin podle předmětného vynálezu rovněž zahrnuje slitiny tantalu a/nebo niobu a legujícího prvku s nízkým obsahem kyslíku, který se přidává do tantalového nebo niobového prášku podle předmětného vynálezu za předpokladu, že obsah kyslíku v takto vzniklé směsi je menší než přibližně 300 ppm. Skupina slitin podle předmětného vynálezu dále zahrnuje slitiny hydridu tantalu a/nebo hydridu niobu a legujícího prvku, ve kterých se uvedený legující prvek a tantalový a/nebo niobový prášek podle předmětného vynálezu spolu mísí před deoxidací za vzniku slitiny obsahující méně než přibližně 300 ppm kyslíku. Skupina slitin podle předmětného vynálezu dále zahrnuje slitiny tantalu a/nebo niobu a legujícího prvku, ve kterých přídavek kyslíku spojený s přidáváním legujícího prvku nezvýší obsah kyslíku v uvedené směsi nad 300 ppm.
Jak již bylo popsáno výše, při způsobu výroby tvarovaných výrobků z kovových prášků z tantalu, niobu a jejich slitin podle předmětného vynálezu se uvedený kovový prášek deoxiduje tak, aby obsahoval méně než přibližně 300 ppm kyslíku. Uvedený prášek se zhutňuje za vzniku tantalového nebo niobového výrobku nebo výrobku ze slitiny těchto kovů, který obsahuje méně než přibližně 300 ppm kyslíku nebo 200 ppm kyslíku nebo dokonce méně než 100 ppm kyslíku, přičemž pro většinu účelů práškové metalurgie je výhodné, pokud tento výrobek obsahuje mezi přibližně 100 ppm a 150 ppm kyslíku.
Tvarovaný tantalový nebo niobový výrobek nebo tvarovaný výrobek ze slitiny těchto kovů, jenž obsahuje méně než přibližně 300 ppm kyslíku, je možné podle předmětného vynálezu vyrobit z práškového hydridu kovu pomocí jakéhokoli způsobu, který se používá v oblasti práškové metalurgie. Jako příklady těchto způsobů používaných v oblasti práškové metalurgie pro vytváření uvedených výrobků, mohou sloužit níže uvedené způsoby, přičemž uvedený výčet obsahuje jednotlivé stupně seřazené tak, jak jdou při daném způsobu za sebou. Při uskutečňování předmětného vynálezu může být použit kterýkoli z níže uvedených způsobů, které zahrnují jediný stupeň nebo posloupnost jednotlivých stupňů. Jednotlivé postupy tedy zahrnují následující stupně:
izostatické lisování za studená, slinování, enkapsulaci, izostatické lisování za tepla a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, slinování, izostatické lisování za tepla a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, enkapsulaci, izostatické lisování za tepla a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, enkapsulaci a izostatické lisování za tepla;
enkapsulaci a izostatické lisování za tepla;
izostatické lisování za studená, slinování, enkapsulaci, extrudování a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, slinování, extrudování a termomechanické zpracování;
• ·· · ·· ··· · izostatické lisováni za studená, slinování a extrudování;
izostatické lisování za studená, enkapsulaci, extrudování a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, enkapsulaci a extrudování;
enkapsulaci a extrudování;
mechanické lisování, slinování a extrudování;
izostatické lisování za studená, slinování, enkapsulaci, kování a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, enkapsulaci, kování a termomechanické zpracování;
izostatické lisování za studená, enkapsulaci a kování;
izostatické lisování za studená, slinování a kování;
izostatické lisování za studená, slinování a válcování;
enkapsulaci a kování;
enkapsulaci a válcování;
izostatické lisování za studená, slinování a termomechanické
zpracování;
sprejové nanášení;
• ··· ··♦· mechanické lisováni a slinování;
mechanické lisování, slinování, dolisování a opětné slinování;
plazmou podporované lisování za tepla;
plazmou podporované lisování za tepla a extrudováni;
plazmou podporované lisování za tepla a termomechanické zpracování;
plazmou podporované lisování za tepla, extrudováni a termomechanické zpracování.
Dále je při uskutečňování předmětného vynálezu možné používat další kombinace zhutňování, ohřívání a deformování.
Efektivita a výhody výrobků a postupů podle předmětného vynálezu budou dále ilustrovány v následujících příkladech, které nijak neomezují rozsah tohoto vynálezu.
Příklad 1
V tomto příkladu je popsána výroba tantalového prášku obsahujícího méně než 300 ppm kyslíku, přičemž tento prášek byl vyroben deoxidací hydridu tantalu při parciálním tlaku argonu.
Práškový hydrid tantalu, který byl vyroben výše popsanou běžně používanou metodou, byl smíchán s 0,3 hmotnostního
• • 4 9999 «· 9
• · » • • 4 « • 99
• • > • • 9 t • • 9
» β • t • « * • • 9
• « 9 • • • • 9
9* · • 99 • ·· • * • ♦ ·
procenta hořčíkového prášku a umístěn do retorty vakuové pece, která byla evakuována a zpětně naplněna argonem. Tlak v peci byl pomocí vývěvy a protékajícího argonu nastaven na 100 mikronů. Teplota v peci byla zvýšena na 650 °C, přičemž zvyšování teploty probíhalo v přírůstcích po 50 °C. Teplota v peci byla udržována na této hodnotě až do jejího vytemperován! a následně zvýšena opět v přírůstcích po 50 °C na teplotu 950 °C. Po vytemperován! pece na teplotu 950 °C byla teplota udržována na této hodnotě po dobu 2 hodin, pec byla vypnuta, ponechána zchladnout na teplotu místnosti a poté byl z retorty vyjmut její práškový obsah. Kovový prášek byl vymýváním kyselinou zbaven hořčíku, který obsahoval kyslík. Z uvedeného hydridu kovu byl vytěsněn a odstraněn z retorty vakuovým systémem v podstatě veškerý obsah vodíku (s výjimkou běžné úrovně vodíkového znečištění tantalu).
Vzniklý tantalový prášek měl následující vlastnosti:
Velikost částic: méně než 100 mesh (tj. méně než 150 mikrometrů)
Obsah kyslíku: 240 ppm
Měrný povrch: 462 cm2/gram
Měrný obsah kyslíku: 0,52 mikrogramu/cm2.
Příklad 2
V tomto příkladu je popsána redukce tantalového prášku
obsahujícího méně než 200 ppm kyslíku, přičemž tento prášek
byl redukován deoxidací hydridu tantalu při parciálním tlaku argonu.
• · · · • ·
Práškový hydrid tantalu, který byl vyroben běžně používanou metodou, byl smíchán s 0,3 hmotnostního procenta hořčíku a umístěn do retorty vakuové pece, která byla evakuována a zpětně naplněna argonem. Tlak v peci byl pomocí vývěvy a protékajícího argonu nastaven na 100 mikronů. Teplota v peci byla zvýšena na 850 °C, přičemž zvyšování teploty probíhalo v přírůstcích po 50 °C. Teplota v peci byla po jejím vytemperování udržována na uvedené hodnotě po dobu 3 hodin a následně zvýšena opět v přírůstcích po 50 °C na teplotu 950 °C. Po vytemperování pece na teplotu 950 °C byla teplota udržována na této hodnotě po dobu 2 hodin, pec byla vypnuta, ponechána zchladnout na teplotu místnosti a poté byl z retorty vyjmut její práškový obsah. Kovový prášek byl vymýváním kyselinou zbaven hořčíku, který obsahoval kyslík.
Vzniklý tantalový prášek měl následující vlastnosti:
Velikost částic: méně než 100 mesh (tj. méně než 150 mikrometrů)
Obsah kyslíku: 199 ppm
Měrný povrch: 465 cm2/gram
Měrný obsah kyslíku: 0,43 mikrogramu/cm2.
Příklad 3
Příklad 4 popisuje tantalový prášek obsahující méně než 100 ppm kyslíku, který byl vyroben deoxidací hydridu tantalu při parciálním tlaku argonu.
Práškový hydrid tantalu, který byl vyroben běžně používanou metodou, byl smíchán s 0,3 hmotnostního procenta hořčíku a umístěn do výrobní retorty vakuové pece, která byla evakuována a zpětně naplněna argonem. Tlak v peci byl pomocí protékajícího argonu nastaven na 114,38 kilopascalu (tj. 860 torrů). Teplota v peci byla zvýšena na 650 °C, přičemž zvyšování teploty probíhalo v přírůstcích po 50 °C. Teplota v peci byla po jejím vytemperování udržována na této hodnotě po dobu 4 hodin a následně zvýšena opět v přírůstcích po 50 °C na teplotu 1000 °C. Po vytemperování pece na teplotu 1000 °C byla teplota udržována na této hodnotě po dobu 6 hodin, pec byla vypnuta, ponechána zchladnout na teplotu místnosti a poté byl z retorty vyjmut její práškový obsah. Kovový prášek byl vymýváním kyselinou zbaven hořčíku, který obsahoval kyslík.
Vzniklý tantalový prášek měl následující vlastnosti:
Velikost částic:
Obsah kyslíku:
Měrný povrch:
Měrný obsah kyslíku:
méně než 100 mesh (tj. méně než
150 mikrometrů) ppm
255 cm2/gram
0,30 mikrogramu/cm2.
Příklad 4
Jako důkaz, že tantalový prášek, niobový prášek nebo prášek ze slitiny těchto kovů podle předmětného vynálezu je stlačitelný a pro ukázku pevnosti prášku podle tohoto vynálezu byly provedeny níže popsané testy. Jako výchozí prášek byl použit tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který byl připraven podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Uvedený výchozí prášek byl umístěn do štěrbiny a slisován při různých tlacích do tvaru tablety. Hustoty • · · · • · · · • · • * jednotlivých tablet v závislosti na tlaku použitém při lisování byly následující:
Hustota (procento
Tlak (megapascal) Tlak (psi) teoretické hodnoty)
275,8 40 000 82
413,7 60 000 88
551,6 80 000 92
620,5 90 000 93
Z těchto výsledků jasně vyplynulo, že prášky podle předmětného vynálezu jsou stlačitelné.
Pevnost prášku podle předmětného vynálezu po mechanickém slisování tantalového prášku obsahujícího méně než 300 ppm kyslíku, který byl připraven podobným způsobem jako prášek v příkladu 1, byla prokázána tak, že uvedený prášek byl umístěn do štěrbiny a slisován při různých tlacích do tvaru tyčinky o rozměrech 1,27 centimetru x 1,27 centimetru x 5,08 centimetru (tj. 0,5 inch x 0,5 inch x 2 inch). Příčné pevnosti v lomu těchto tyčinek byly následující:
Tlak (megapascal) Tlak (psi)
275,8 40 000
413,7 60 000
551,6 80 000
620,5 90 000
Příčná pevnost Příčná pevnost
v lomu v lomu
(megapascal) (psi)
18,5 2680
37,1 5385
44,1 6400
57,6 8360
• ···· · · · ·· · ·· ·· · · · · · · · • · · · · · · ·· • · · · · · t · ♦
Obecně je možné uvést, že pro normální manipulaci se slisovanými kompaktními tělesy činí požadovaná minimální hodnota příčné pevnosti v lomu přibližně 13,8 megapascalu (tj. přibližně 2 000 psi). Hodnoty zjištěné při testu stlačitelnosti spolu s údaji zjištěnými při testu pevnosti v lomu ukazují, že uvedené hodnoty pevnosti je možné dosáhnout s použitím prášku podle předmětného vynálezu, který se tvaruje při tlaku přibližně 275,8 megapascalu (tj. přibližně 40 000 psi).
Kromě shora popsaných příkladů provedení tohoto vynálezu je možné předmětný vynález uskutečnit následujícími způsoby.
A. Výrobu tvarovaného tantalového výrobku obsahujícího méně než 300 ppm kyslíku je možné provést izostatickým lisováním různých druhů známých Ta/Nb prášků za studená za vzniku kompaktního tělesa, po kterém následuje nejprve stupeň izostatického lisování za tepla (HIP), jehož cílem je zhustit uvedené kompaktní těleso, a dále stupeň termomechanického zpracování uvedeného práškového kompaktního tělesa, jehož cílem je další zhuštění tohoto tělesa a dokončení vzájemného pospojování jednotlivých částic. Jako výchozí prášek se výhodně používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek je možné izostaticky lisovat za studená při tlaku 413,7 megapascalu (tj. 60 000 psi) a teplotě místnosti do tvaru kompaktního tělesa, jehož průřez má obdélníkový tvar. Poté může být těleso enkapsulováno a izostaticky lisováno za tepla při tlaku 275,8 megapascalu (tj. 40 000 psi) a teplotě 1300 °C po dobu 4 hodin. Takto za tepla izostaticky slisované kompaktní těleso může být následně
• · · · • · · • · · · 9 « · · · deenkapsulováno a přeměněno termomechanickým zpracováním na desku nebo fólii.
B. Dále je možné použít podobný postup zahrnující pouze izostatické lisování za studená, slinování a termomechanické zpracování, při kterém se používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Uvedený postup je možné provést tak, že se tento prášek izostaticky lisuje za studená při tlaku 413,7 megapascalu (tj. 60 000 psi) do tvaru tyčovitého předlisku. Takto připravený předlisek (jehož hustota činí 0,53 procenta teoretické hodnoty) se slinuje po dobu 2 hodin při teplotě 1500 °C ve vakuu menším než přibližně 0,133 pascalu (tj. přibližně 0,001 torru) za vzniku předlisku, jehož hustota je přibližně 95 procent teoretické hodnoty a který obsahuje méně než 300 ppm kyslíku. Takto slinutý předlisek se v dalších stupních přeměňuje termomechanickým zpracováním na desku nebo fólii.
C. Tvarovanou tantalovou tyč a tvarovaný tantalový drát obsahující méně než 300 ppm kyslíku je možné vyrobit extrudováním za tepla a termomechanickým zpracováním, při kterém se jako výchozí prášek používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem j ako prášek v příkladu 1. Tento prášek se hermeticky enkapsuluje a vytlačuje skrz kruhovou štěrbinu při teplotě 1000 °C. Takto připravený extrudovaný výrobek obsahuje méně než 300 ppm kyslíku a je možné jej v následujících stupních přeměnit pomocí termomechanického zpracování na prut nebo drát.
• · ··· · ·· • · · · · · • · · · · · · • · · · · ·
D. Další takovýto postup zahrnuje posloupnost izostatického lisování za studená, extrudování za tepla a termomechanického zpracování, přičemž při tomto postupu se opět jako výchozí prášek používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek se postupně izostaticky lisuje za studená, hermeticky enkapsuluje a vytlačuje při teplotě
1000 °C. Takto připravený extrudovaný výrobek obsahuje méně než 300 ppm kyslíku a je možné jej v následujících stupních přeměnit pomocí termomechanického zpracování na prut nebo drát.
E. Dále je možné provést výrobu tvarované tantalové desky nebo fólie obsahující méně než 300 ppm kyslíku, a to postupem, který zahrnuje extrudování za tepla a termomechanické zpracování, přičemž při tomto postupu se jako výchozí prášek používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek se postupně hermeticky enkapsuluje a vytlačuje při teplotě 1000 °C skrz obdélníkovou štěrbinu za vzniku extrudovaného výrobku, který obsahuje méně než 300 ppm kyslíku. Tento extrudovaný výrobek je možné v následujících stupních přeměnit pomocí termomechanického zpracování na desku nebo fólii.
F. Tantalovou desku nebo fólii obsahující méně než 300 ppm kyslíku je možné vyrobit z prášku podle příkladu 1 postupem, jenž zahrnuje izostatické lisování za studená, extrudování za tepla a termomechanické zpracování. Uvedené kompaktní těleso vyrobené izostatickým lisováním za studená je možné hermeticky enkapsulovat a extrudovat při teplotě 1000 °C za vzniku • · · · • · • · · · extrudovaného výrobku, který obsahuje méně než 300 ppm kyslíku a který je možné v následujících stupních přeměnit termomechanickým zpracováním do tvaru desky nebo fólie.
G. Tantalové výrobky obsahující méně než 300 ppm kyslíku je možné vyrobit postupem, který zahrnuje mechanické lisování, slinování, dolisování a opětné slinování. Jako výchozí prášek je při tomto postupu možné použít tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek je umístěn do štěrbiny a mechanicky slisován jednoose orientovaným tlakem. Vzniklá slisovaná tableta se slinuje 2 hodiny při teplotě 1500 °C ve vakuu menším než přibližně 0,133 pascalu (tj. přibližně 0,001 torru). Uvedená slinutá tableta se poté dolisuje a opětně slinuje 2 hodiny při teplotě 1500 °C ve vakuu menším než přibližně 0,133 pascalu (tj. přibližně 0,001 torru). Takto opětně slinutá tableta obsahuje méně než 300 ppm kyslíku a je vhodná pro termomechanické zpracování na tvarovaný tantalový výrobek.
H. Tantalový výrobek obsahující méně než 300 ppm kyslíku je možné vyrobit sprejovým nanášením, při kterém se jako výchozí prášek používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek je možné sprejově nanášet až do tlouštíky nanesené vrstvy 0,254 milimetru (tj . 0,01 inch) na povrch podkladového materiálu, který je tvořen nerezovou ocelí. Velikost částic, sypné vlastnosti a obsah kyslíku v uvedeném prášku jsou vhodné pro zhutňování sprejovým nanášením.
9 99 9 9 9 9999 9 9 9
9 · · · · 9 9 9 9
9 99999 99 9
9 9 9 9 9 9 9 9 9
9 9 9 9 9 9 9
999 9 99 999 99 999
I. Plazmou aktivované slinování je možné použít pro výrobu tvarovaného výrobku, který obsahuje méně než 300 ppm kyslíku. Jako výchozí prášek se i v tomto případě používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek se nasype do grafitové štěrbiny, která byla předem vyložena tantalovou fólií a do uvedené štěrbiny se z obou konců vloží grafitové trny. Vzniklá sestava tvořená štěrbinou a trny se vloží do vodou chlazeného ocelového bloku a jiný vodou chlazený ocelový blok je uveden do kontaktu s horním trnem. Horní vodou chlazený ocelový blok se připevní k hydraulickému pístu a spodní vodou chlazený ocelový blok se připevní k základnové desce, čímž je zajištěno rozptylování tepla, k jehož akumulaci dochází během procesu zhutňování. Oba uvedené vodou chlazené ocelové bloky jsou zároveň připojeny ke kladnému, resp. zápornému pólu zdroje stejnosměrného napětí.
Uvedená sestava naplněná práškem se vloží do vakuové komory, která se následně evakuuje na tlak 66,5 pascalu (tj. 500 militorrů). Ke zhutňování dochází ve dvou stupních. Cílem prvního stupně je v prvé řadě přečistit uvedený prášek otryskáváním povrchu částic plasmou. Během tohoto stupně se na uvedený prášek působí prostřednictvím uvedených trnů tlakem přibližně 29,6 megapascalu (tj. přibližně 4 300 psi), přičemž práškem zároveň pulzuje stejnosměrný proud o velikosti 1000 ampérů. Uvedené podmínky se udržují po dobu 2 minut.
Během druhého stupně se na prášek působí tlakem přibližně
44,8 megapascalu (tj. přibližně 6500 psi) a zároveň práškem prochází nepulzující stejnosměrný proud o velikosti 4500 ampérů. Také tyto podmínky se udržují po dobu 2 minut. Na • ·♦ · • ♦ · · · · • · · · · · · ·· * · · · · · · ·· • · · · · ·· ··· · ·· · · · ·· ··· konci tohoto cyklu se přeruší přívod proudu na oba trny, vypne se vývěva a vakuová komora se zpětně naplní dusíkem. Shora popsaná sestava tvořená trny a štěrbinou se ponechá vychladnout na teplotu místnosti a ze štěrbiny se vyjme zhutněný vzorek tantalu. Celková doba zhutňovacího cyklu činí přibližně 8 minut. Takto připravený slinutý předlisek má hustotu, která činí více 95 procent teoretické hustoty a obsahuje méně než 300 ppm kyslíku.
J. Niobový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku je možné vyrobit deoxidací hydridu niobu při parciálním tlaku argonu. Při tomto postupu se práškový hydrid niobu smíchá s 0,3 hmotnostního procenta hořčíku a tato směs se umístí do retorty vakuové pece, která se evakuuje a zpětně naplní argonem. Tlak v peci se pomocí vývěvy a protékajícího argonu nastaví na 100 mikronů. Teplota v peci se zvýší na 650 °C, přičemž zvyšování teploty probíhá v přírůstcích po 50 °C. Teplota v peci se udržována na této hodnotě až do jejího vytemperování a následně se zvýší opět v přírůstcích po 50 °C na teplotu 950 °C. Po vytemperování pece na teplotu 950 °C se teplota udržuje na této hodnotě po dobu 2 hodin, pec se vypne, a ponechá zchladnout na teplotu místnosti a z retorty se vyjme její práškový obsah, který se následně vymýváním kyselinou zbaví hořčíku, který obsahuje kyslík, čímž vznikne niobový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku.
K. Dále je možné vyrobit tvarovaný výrobek z tantalu, přičemž se používá postup zahrnující mechanické lisování a slinování. Jako výchozí prášek se i v tomto případě používá tantalový prášek obsahující méně než 300 ppm kyslíku, který se připravuje podobným způsobem jako prášek v příkladu 1. Tento prášek se umístí do štěrbiny a lisuje se jednoose orientovaným tlakem do tvaru tablety, jejíž hustota činí přibližně procent teoretické hustoty. Vzniklá slisovaná tableta se slinuje 2 hodiny při teplotě 1500 °C ve vakuu menším než přibližně 0,133 pascalu (tj. přibližně 0,001 torru). Výsledná slinutá tableta obsahuje méně než 300 ppm kyslíku.
Je zřejmé, že je možné provést mnoho variant a změn shora popsaných postupů, aniž by došlo k překročení rozsahu předmětného vynálezu. V souladu s touto skutečností je třeba výše popsané příklady provedení předmětného vynálezu považovat pouze za ilustrativní, které v žádném ohledu neomezují jeho rozsah.

Claims (15)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Způsob výroby kovových prášků, vyznačující se tím, že zahrnuje stupně vytvoření práškového hydridu prvního kovu, přičemž uvedený první kov je vybrán ze skupiny zahrnující tantal, niob a vzájemné slitiny uvedených kovů nebo slitiny jednoho nebo obou uvedených kovů s jinými kovy, přičemž uvedený hydrid obsahuje méně než 300 ppm kyslíku;
    zahřívání uvedeného hydridu kovu v přítomnosti kovu majícího větší afinitu ke kyslíku;
    oddělení tohoto kovu majícího větší afinitu ke kyslíku od uvedeného kovu za vzniku prášku shora uvedeného prvního kovu, který obsahuje méně než 300 ppm kyslíku.
  2. 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že konečný obsah kyslíku v uvedeném kovovém prášku činí méně než 200 ppm.
  3. 3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že konečný obsah kyslíku v uvedeném kovovém prášku činí méně než
    100 ppm.
  4. 4. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že k uvedenému zahřívání dochází ve vakuu.
  5. 5. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že k uvedenému zahřívání dochází při přetlaku argonu.
    L-ry iw
    Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedený kov s větší afinitou je vybrán ze skupiny zahrnující hořčík a vápník.
    »00 0
    00 000
    0 0 0
    0 0 0 00
    0 0 0 »
    0 00 0 0
  6. 6.
  7. 7.
    Způsob podle kteréhokoli z nároků 1, 2 nebo 3, vyznačující se tím, že uvedený prášek má po slisování při tlaku od 275,8 megapascalu do přibližně 689,5 megapascalu (tj. od 40 000 psi do přibližně 100 000 psi) příčnou pevnost v lomu v rozmezí od přibližně 7,6 megapascalu do přibližně 53,1 megapascalu (tj. od přibližně 1100 psi do přibližně 7700 psi).
  8. 8. Způsob výroby tvarovaného výrobku práškové metalurgie, vyznačující se tím, že zahrnuje stupně vytvoření práškového hydridu prvního kovu, kterým je v podstatě těžko tavitelný kov obsahující více kyslíku, než činí požadovaná konečná úroveň, zahřívání uvedeného hydridu kovu v přítomnosti kovu, jehož afinita ke kyslíku je větší než afinita uvedeného hydridu ke kyslíku;
    oddělení uvedeného kovu majícího větší afinitu ke kyslíku od prvního kovu za vzniku kovového prášku, který obsahuje menší množství kyslíku, než činí požadovaná konečná úroveň; a vytvoření metalurgického výrobku z uvedeného kovového prášku, který obsahuje menší množství kyslíku, než činí požadovaná konečná úroveň.
  9. 9. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že uvedený metalurgický výrobek se vytváří slisováním uvedeného kovového prášku na přibližně 75 procent až 92 procent teoretické hodnoty.
  10. 10. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že uvedený stupeň vytvoření metalurgického výrobku je tvořen posloupností jednotlivých stupňů vybrané ze skupiny zahrnující posloupnost (a) izostatického lisování za studená, izostatického lisování za tepla a termomechanického zpracování;
    (b) izostatického lisování za studená, vakuového slinování a termomechanického zpracování;
    (c) hermetické enkapsulace, extrudování za tepla a termomechanického zpracování;
    (d) izostatického lisování za studená, hermetické enkapsulace, extrudování za tepla a termomechanického zpracování;
    (e) jednoosého lisování za studená, vakuového slinování, dolisování a opětného slinování.
  11. 11. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že uvedený stupeň vytvoření metalurgického výrobku zahrnuje stupeň sprejového nanášení, a to buď samotný nebo v kombinaci s dalšími stupni.
  12. 12. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že uvedený stupeň vytvoření metalurgického výrobku zahrnuje stupeň plasmou aktivovaného slinování, a to buď samotný nebo v kombinaci s dalšími stupni.
    • tlt · · 4 ’ *444
    44 4444
    4 · 4
    4 4 4 44
  13. 13. Způsob podle kteréhokoli z nároků 8 až 12, vyznačující se tím, že uvedený první kov je vybraný ze skupiny zahrnující tantal, niob a vzájemné slitiny uvedených kovů a/nebo slitiny uvedených kovů s jinými kovy.
  14. 14. Tvarovaný výrobek vyznačující se tím, že je vyroben způsobem podle nároku 13.
  15. 15. Tvarovaný výrobek vyznačující se tím, že je vyroben způsobem podle nároku 8.
CZ20011740A 1999-08-19 2000-08-18 Těľko tavitelný kovový práąek s nízkým obsahem kyslíku pro práąkovou metalurgii, způsob jeho výroby a výrobky z něj vyrobené CZ20011740A3 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/377,077 US6261337B1 (en) 1999-08-19 1999-08-19 Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ20011740A3 true CZ20011740A3 (cs) 2002-02-13

Family

ID=23487672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20011740A CZ20011740A3 (cs) 1999-08-19 2000-08-18 Těľko tavitelný kovový práąek s nízkým obsahem kyslíku pro práąkovou metalurgii, způsob jeho výroby a výrobky z něj vyrobené

Country Status (18)

Country Link
US (1) US6261337B1 (cs)
EP (3) EP1541261B1 (cs)
KR (2) KR100431095B1 (cs)
CN (1) CN1272125C (cs)
AT (2) ATE404308T1 (cs)
AU (1) AU766574B2 (cs)
BR (1) BR0007018A (cs)
CA (1) CA2346957A1 (cs)
CY (1) CY1108564T1 (cs)
CZ (1) CZ20011740A3 (cs)
DE (2) DE60021579T2 (cs)
DK (1) DK1541261T3 (cs)
EA (1) EA002736B1 (cs)
ES (1) ES2313136T3 (cs)
HK (1) HK1040501B (cs)
IL (1) IL142601A (cs)
PT (2) PT1200218E (cs)
WO (1) WO2001012364A1 (cs)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521173B2 (en) * 1999-08-19 2003-02-18 H.C. Starck, Inc. Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
IL132291A0 (en) * 1999-10-08 2001-03-19 Advanced Alloys Technologies L A method for production of tantalum powder with highly developed surface
US6358625B1 (en) * 1999-10-11 2002-03-19 H. C. Starck, Inc. Refractory metals with improved adhesion strength
IL151549A0 (en) 2000-03-01 2003-04-10 Cabot Corp Nitrided valve metals and processes for making the same
EP1340235B1 (en) * 2000-11-30 2006-08-09 Showa Denko K.K. Powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
AU2008200187B2 (en) * 2001-05-15 2010-02-18 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body
CA2420162A1 (en) 2001-05-15 2003-02-28 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered product and capacitor using niobium monoxide sintered product
US6780218B2 (en) * 2001-06-20 2004-08-24 Showa Denko Kabushiki Kaisha Production process for niobium powder
US6770154B2 (en) 2001-09-18 2004-08-03 Praxair S.T. Technology, Inc. Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target
US7081148B2 (en) * 2001-09-18 2006-07-25 Praxair S.T. Technology, Inc. Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target
BR0307073A (pt) * 2002-01-23 2004-12-28 Starck H C Inc Produtos de moinho de metalurgia de pulverizado de metal refratário de tamanho de grão estabilizado
RU2308113C2 (ru) * 2002-01-24 2007-10-10 Х.Ц. Штарк, Инк. Проволока конденсаторного сорта с более высокими прочностью на разрыв и твердостью
US7067197B2 (en) * 2003-01-07 2006-06-27 Cabot Corporation Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
US20060162822A1 (en) * 2003-01-21 2006-07-27 Richard Malen Capacitor-grade lead wires with increased tensile strength and hardness
DE10304756B4 (de) * 2003-02-05 2005-04-07 W.C. Heraeus Gmbh Sauerstoffangereicherter Niob-Draht
DE602004004305T2 (de) * 2003-03-28 2007-08-30 Mitsubishi Materials Corp. Herstellungsverfahren von Schneideinsatz und Vorrichtung zur Ausrichtung eines Grünlings
US7135141B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 Hitachi Metals, Ltd. Method of manufacturing a sintered body
US20050279630A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Dynamic Machine Works, Inc. Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same
AU2006243447B2 (en) * 2005-05-05 2010-11-18 H.C. Starck Surface Technology and Ceramic Powders GmbH Method for coating a substrate surface and coated product
WO2006117145A2 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 H.C. Starck Gmbh Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes
US20080078268A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
AU2007317650B2 (en) * 2006-11-07 2012-06-14 H.C. Starck Surface Technology and Ceramic Powders GmbH Method for coating a substrate and coated product
US20080145688A1 (en) 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
EP2214853A4 (en) * 2007-10-15 2013-05-22 Hi Temp Specialty Metals Inc PROCESS FOR PREPARING TANTALUM POWDER USING RECYCLED AGENTS AS AN EXISTING MATERIAL
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US8043655B2 (en) * 2008-10-06 2011-10-25 H.C. Starck, Inc. Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes
CN102189261A (zh) * 2011-05-30 2011-09-21 华中科技大学 一种多孔制件的致密化方法
US8734896B2 (en) 2011-09-29 2014-05-27 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing high-strength large-area sputtering targets
CN102672181A (zh) * 2012-06-07 2012-09-19 太仓市锦立得粉末冶金有限公司 一种粉末冶金制品的生产工艺
US10737320B2 (en) 2014-02-27 2020-08-11 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. High-purity tantalum powder and preparation method thereof
CN103920880A (zh) * 2014-03-11 2014-07-16 宁夏东方钽业股份有限公司 钽及钽合金棒材的制备方法
US10023953B2 (en) 2014-04-11 2018-07-17 H.C. Starck Inc. High purity refractory metal powders and their use in sputtering targets which may have random texture
KR101488703B1 (ko) * 2014-10-29 2015-02-04 국방과학연구소 탄탈륨 분말 소결체 라이너 및 그 제조방법
US11077524B2 (en) 2016-01-27 2021-08-03 H.C. Starck Inc. Additive manufacturing utilizing metallic wire
TWI685391B (zh) 2016-03-03 2020-02-21 美商史達克公司 三維部件及其製造方法
CN111940745B (zh) * 2019-12-30 2024-01-19 宁夏东方钽业股份有限公司 大松装冶金级钽粉的制造方法
CN111560531B (zh) * 2020-04-15 2021-07-09 河南中钻新材料有限公司 一种低氧化物夹杂高性能粉末冶金镍基高温合金的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US5242481A (en) * 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US5082491A (en) * 1989-09-28 1992-01-21 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
DE69128692T2 (de) * 1990-11-09 1998-06-18 Toyoda Chuo Kenkyusho Kk Titanlegierung aus Sinterpulver und Verfahren zu deren Herstellung
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010099702A (ko) 2001-11-09
CN1272125C (zh) 2006-08-30
EP1200218A4 (en) 2004-04-14
CA2346957A1 (en) 2001-02-22
PT1200218E (pt) 2005-11-30
WO2001012364A1 (en) 2001-02-22
CN1322157A (zh) 2001-11-14
KR100431095B1 (ko) 2004-05-12
DE60039923D1 (de) 2008-09-25
HK1040501B (zh) 2007-04-20
AU766574B2 (en) 2003-10-16
DE60021579D1 (de) 2005-09-01
EA200100441A1 (ru) 2001-10-22
EP1995005B1 (en) 2015-02-25
PT1541261E (pt) 2008-11-12
DK1541261T3 (da) 2008-12-01
US6261337B1 (en) 2001-07-17
IL142601A (en) 2006-10-05
KR20030087087A (ko) 2003-11-12
ATE404308T1 (de) 2008-08-15
BR0007018A (pt) 2001-07-03
AU7063600A (en) 2001-03-13
ES2313136T3 (es) 2009-03-01
ATE300377T1 (de) 2005-08-15
EP1995005A1 (en) 2008-11-26
DE60021579T2 (de) 2006-05-24
EP1541261A1 (en) 2005-06-15
KR100436108B1 (ko) 2004-06-14
HK1040501A1 (en) 2002-06-14
EP1200218A1 (en) 2002-05-02
CY1108564T1 (el) 2014-04-09
EA002736B1 (ru) 2002-08-29
EP1541261B1 (en) 2008-08-13
EP1200218B1 (en) 2005-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ20011740A3 (cs) Těľko tavitelný kovový práąek s nízkým obsahem kyslíku pro práąkovou metalurgii, způsob jeho výroby a výrobky z něj vyrobené
US6521173B2 (en) Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
US5242481A (en) Method of making powders and products of tantalum and niobium
US4784690A (en) Low density tungsten alloy article and method for producing same
US8920712B2 (en) Manufacture of near-net shape titanium alloy articles from metal powders by sintering with presence of atomic hydrogen
US9777347B2 (en) Manufacture of near-net shape titanium alloy articles from metal powders by sintering with presence of atomic hydrogen
US20160243617A1 (en) Manufacture of near-net shape titanium alloy articles from metal powders by sintering with presence of atomic hydrogen
US5445787A (en) Method of extruding refractory metals and alloys and an extruded product made thereby
KR100638479B1 (ko) 방전 플라즈마 소결법을 이용한 벌크 비정질 합금 및 벌크비정질 복합재료의 제조 방법
US11219949B2 (en) Method for promoting densification of metal body by utilizing metal expansion induced by hydrogen absorption
KR20130061189A (ko) 고강도 마그네슘 합금 선재 및 그 제조 방법, 고강도 마그네슘 합금 부품, 및 고강도 마그네슘 합금 스프링
WO2013022531A1 (en) Manufacture of near-net shape titanium alloy articles from metal powders by sintering with presence of atomic hydrogen
KR20090132799A (ko) 복합 분말야금 공정을 이용한 마그네슘 합금의 제조방법
KR20040091627A (ko) 안정화된 입자 크기의 난융 금속 분말 야금 밀 제품
JPH0570805A (ja) 高融点活性金属及びその合金の切削屑の成型法
MXPA01004813A (en) Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
Leichtfried et al. Pressing and Sintering of Refractory Metal Powders
JPS63282201A (ja) 粉末冶金材料の鍛造法
KR19980077507A (ko) Ti-Al계 금속간화합물의 제조방법
AU2003207637A1 (en) Stabilized grain size refractory metal powder metallurgy mill products