CS240442B1 - Method of gas supply for low-pressure gas-phase precipitating chemical processes in tube reactor and equipment for performance of this method - Google Patents

Method of gas supply for low-pressure gas-phase precipitating chemical processes in tube reactor and equipment for performance of this method Download PDF

Info

Publication number
CS240442B1
CS240442B1 CS823771A CS377182A CS240442B1 CS 240442 B1 CS240442 B1 CS 240442B1 CS 823771 A CS823771 A CS 823771A CS 377182 A CS377182 A CS 377182A CS 240442 B1 CS240442 B1 CS 240442B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
gas
inner tube
tubular reactor
tube reactor
tube
Prior art date
Application number
CS823771A
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Kleinert
Rainer Moeller
Horst Stelzer
Original Assignee
Michael Kleinert
Rainer Moeller
Horst Stelzer
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Michael Kleinert, Rainer Moeller, Horst Stelzer filed Critical Michael Kleinert
Publication of CS240442B1 publication Critical patent/CS240442B1/cs

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electric Propulsion And Braking For Vehicles (AREA)

Description

(54) Způsob přivádění plynu pro chemické procesy srážení v plynné fázi pod nízkým tlakem v trubkovém reaktoru a zařízení k provádění tohoto způsobu
Uvedené řešení je určeno k nastříkávání kotoučového materiálu pomocí procesů chemického srážení v plynné fázi v nízkém vakuu.
Cílem je provádění úsporného způsobu rovnoměrného nastříkávání velkého počtu podložek, vylučující znečištění destiček a celého zařízení,
Řešení předpokládá odsávání proudu technologických plynů přímo po průtoku mezerami mezi podložkami ve směru proudu a odvádí se ze zón podložek z trubkového reaktoru.
-2Область применения изобретения
Даннов изобретение касается напыления дискообразного мятвридля посредством процессов химического -осаждения под низким давлением, в частности с целью обработки полупроводниковых подложек.
Характеристика известных технических решений
Трубчатые реакторы получили более важное значение за счет внедрения химического осаждения в паровой фазе /ХОПФ/ при пониженном давлении за счет внедрения плазменного травления. Простая конструкция трубчатого реактора описывается в выкладном описании ФРГ изобретения к акцептованной заявке за Л 2 460 211 /авторское свидетельство США за Jř 3.900.597/. Подлежащие напылению подложки с нормалью поверхностей направленной в сторону оси трубы параллельно и центрично в реактор· Вход и выход газа осуществляются по стороны диаметрально расположенных к реакторной трубе торцов. Специальные мероприятия для проводки газов не существуют.В то время, как этот реактор уηпяптη применяется для процессов с относительно медленно протекающей реакцией, его.эксплоатация для процессов с одднт, быстро протекающей реакцией, в течение которой прежде всего существует опасность появления очень интенсивной однородной реакции газовой фазы, которая оказывает очень сильно влияющее понижение качества осаждения пленки.
В течение этих процессов приходится за счет внедрения специальных мероприятий ввести высокореактивный газ или составляющие газовой смеси непосредственно в реакционную зону, в которой находятся подложки.
-3Изввсгные решения /иапрпныкладдое описание т^обрет^(^н^ия ФРГ по акцептованной заявке за Jí 2 750 882. или экономический патент ГДР за Jí 121 975 Химическое исяяадсиис в паровой феза под, нормальным давлением / занлдочаютсн в tom, что рдакцитттмд гася перекачиваются посредством тонкостенных труб, вплотную до зонн иоддокек, а оттуда - чараз оошда, газовые'потоки которых направлянтсд в знзоры мазнду поверэмоотымв подложек.
Есла в·осаждении планки принимают участие несколько составляем реакции, то онн пя^р^(^кя^нн»яв^!^<^.я по вышеуказанной методика чараз отдельные трубн в зону раоподоженон подложек о · омешиваютоя только в непосредотвенной близости от плестин. вил отделгеннн отря6отянннх о загрнзнненннх продуктам реаклио.
о чоотоцами газов не ’принимаютон нокакое cπeциaльяне меропронтия. О^еонват^ производитон про помощи , неооса, подсоедоненного к внходу реактора. .
недостаток этого решения сводится к там?» нто газовнЛ поток отклоняема в · сторону внхода реактора в направленно оси трубн, ь реаулвтате него воэнькает разнап тодлцииа юенооьмок пленкн покрнт^: с неодноролной которап можвт ко1ж^па^ноо^с^:ват· только yвeлиыeыыем объема газового протока. 3нячиτβчц>ылй · , недостаток, зяелюыяβτcы прежде ьсего в· той, что оτρабоτaнниβ, зaг]н^знβннна продкиамо поCоыняx реакцой о чеом^ми газн пооле завершенного педeτоэа поллокек остантсн, дн^д в таяаяяа некоторого временн внутро реакторного проотронотва, протекан вдолв продольного зазора между отопкой с поддокками. о кроЕнкен в зазорн мдкду подло^кками. Ото ввльетоя существенннм · сcтΌHHиком заг^рзяненоз подложек, · что должно минимизсpоватвcы зе онет ноэкой кон^е^^^'ТРЯпнн таxнoлoоичаcκйx газов, что проводот к невноокой скоростн οοθηλθηκη.
ΠρнведеIяоа устройство для оcaадeнин в паровоа фаза,под яормальяям лавлеяиам /экономичеокий петент·гДР за Ф 121 975/ обуславлнвает поток инертного газа, зaπиτывaeмый у втаца ь реактор дее того, чтобн · промыьеть эаитойнне · зонн „внутро реактора о сокращать ьремя · пребыванил газов ь реакторе.
Один специальный вариант отвода газов из нормального трубчатого реактора с нормальным давлением описывается в экономическом патенте ГДР за Ж III 935. Для этой цели внутри реакторного пространства параллельно по отношению к держателям для ' подложек расположены тонкие выпускные трубы для газов, снабженные прорезями»
В процессах химического осаждения в паровой фазе под низким давлением технологический газ отсасывается при помощи вакуумных насосов. Понижение производительности отсасывания очень значительно в тонкостенных трубах с прорезьями и его можно было бы скомпенсировать только насосами с сильно преувеличенной производительностью. Эти мероприятия однако были бы неэкономичными и технически трудно осуществимыми.
Цель изобретения!
Целью изобретения, сводится к тому, чтобы покрывать большое количество подложек равномерно и высококачественно 'экономичным способом, уменьшая таким образом расходы на очистку трубчатого реактора.
Изложение сущности изобретения
В основу изобретения заложено задание создания процесса и приспособления /устройства/ для отвода газов в процессах химического осаждения в паровой фазе под низким давлением, что дает возможность понижать потребность в технологических газах и попадание частиц на пленки покрытия.
В соответствии с изобретением задание решается тем, что поток, технологических газов отсасывается в направлении потока технологических газов непосредственно после обтекания зазоров между подножками, а за пределами зон с подложками отводится из трубчатого реактора.
Устройство для отвода гвзов в соответствии с изобретением отличается тем, что держатель для подложек внутри трубчатого реактора заключается внутрь горшкообразной внутренней трубы, тем, что газоподводящие трубы для подачи технологических' газов в зазоры между подложками размещаются известным способом,
-5причем с противоположной стороны газоподводящих труб внутренняя труба оснащена газовыпускной прорезью, размеры которой заьисят от держателя подложек. При этом внутренняя труба в трубчатом реакторе размещается так, что между внутренней трубой и трубчатым реактором остается некоторый зазор.
Преимущественно внутренняя труба размещается эксцентрично в трубчатом реакторе, так, что зазор в пределах газовыпускной прорези будет боль’шим, чем в других местах между внутренней трубой и трубчатым реактором.
Преимущества решения в соответствии с изобретением заключаются в том, что благодаря их применению высокопроизводительный принцип трубчатого реактора, пригодный для процессов с инертно протекающей реакцией может быть использован также и для еысокореактивных процессов.
Кроме того короткий короткий путь протока газа создает в ^оне реакции равномерное воздействие сЕехего технологического Ьаза на подложки от одной партии и обеспечивает по сравнению с другими решениями повышенную скорость.осаждения при незначительном расходе газа. Благодаря этому возможно повышать производительность при нанесении пленок и уменьшить необходимую производительность насоса.
Короткий путь протока газа в зону реакции одновременно задерживает нежелательную однородную реакцию в газовой реакции и обеспечивает высокий коэффициент использования применяемых тдттплпгйчйских газов. Кроме того достигается очень равномерное покрытие пленкой всей поставочной партии.
Благодаря независимому от зоны с подложками отводу отходящих газов обеспечивается высококачественное осаждение пленки также и в части попадания на пленки частиц и существенно усиливается цикл очистки трубчатого реактора.
Пример для выполнения
Ниже предполагается более подробное изложения сущности изобретения на основании примера. Чертежи показывают:
_ трубчатый реактор в схематическом изображении
Фиг.2 - разрез Д-А от фиг.1
-бВнутрк трубчатого реактора I располагается горшкообразная внутренняя труба 2, окружающая- держатель 4 для подложек. '
Внутра инутранней трубы 2 размвщаютсн газоподводащиа трубы 3. Нярез не показаннне сопла технологический газ направднетсн в зазор мевду вертикально стонщвме подложкамв 5^Бн;^,^]зн^ьея труба 2 снабжена газовапускноД прорезью 8. ГазоЕып;сскна.я ирорезв 8 рассе^ае^а по всей дайне деркетеля для подложек 4' и расиолагаееся. напроткв гезоподиодащих труб з. Держатель 4 ддя подложек опираетсп пооредством поворотногостакана 6 и подшипнике · противоположного кошта 7 вращающвмся во внутренней труба 2. Отоос из трубчатого реактора осущестиляетса через выпускной патрубок 9 посредтивом вакуумного насоса. Трубкатнй реектор I pязмящaeтcя во внутреннем пространотте не показанной диффузионной печи.
Способ в ооотЕатстЕив с озoбpβτана(м пояоняатов на оонованнв црвнншта работа иилоденного устройства.
Πρеявадттеяя>но трубнатнй реактор I откачиваетов до цолуиеннд ^бАваритяя^ устанонленюго низкого уроваа дзилекий и иодогреиаетсн до знаиення тешературн реакнии. 3θτθμ чераз газоподводациа труби з в зазори между цодлажкамв 4 напраиляетси технолсгячесκий газ.. поток. тдхнолoгичдвкях газов отсаснваетса нθπoορерοτвeааο иосие проте^нин чераз зазорн и направланрн потоке чарае газоинпускную прорезь 8 н подиопитси за пределами зон с подложкамв в зазоре 10 между трубнатнм реактором I и инутранней трубо0 2 к выпускному патрубку 9.
Для обаспечнннн улукщенного отиопе отходащиж газов инутранннн труба 2 pяcиюлягязеca аκοшшаτpичнс в трубчатом реакторе, тзк, что зазор 10 нижа газовыпускноС прорезв 8 мевду внутреннее трубой в трубчатнм реактором οκaзыиааτси бодьшим, пем в оругак местах. С целвю улучшения однородности ос^аа^^1^1Н. планкв держатеяв 4 для подложек повоpрчивяeтсн в пропроор осазщенвя.
опыты, чpсярдeанар дл1д решення в соoτвeтстята с тзсСρeтeаяθм ' дзяв и сяукяя диуокнеа кремнин оз йтН^ /40мл/мин/ и 02 /40 мл/мин/ крц твширатура 45°°с в с мртаай и комч^мв - 25 штук скорости осазщеенин в крадеках от 50... 100 нм/мвн.
-ΊФормула изобретения
1. Способ для газоподвода дкя ди^ичооиЬго осаждения б паровой фазе под низким давлением в трубчатом реакторе, в котором напыляете пленкой подложки располагаются параллельно и вертикально стоящими в одинаковых расстояниях друг от друга, причем технологический газ или смесь технологических газов подается в зазоры между подложками, отличающийся тем, что поток технологических газов отсасывается непосредственно после протока сквозь зазоры в направлении потока и отводится ис-под зоны подложек из трубчатого реактора.
2. Устройство для подвода газов для процессов химического осаждения В паровой фазе под низким давлением в трубчатом реакторе, который был оснащен приспособлением для подвода газов, отсасывания газов, нагрева и держателем для подложек для приема параллельно и вертикально стоящих подложек, для проведения способа, изложенного в пункте I, отличающееся тем, что держатель подложек /4/ в трубчатом реакторе /I/ окружен горшкообразной внутренней трубой /2/, в которой газоподводящие трубы /3/ расположены по известной методике в расчете на подачу технологических газов в зазоры между подложками /5/, причем с противоположной стороны от газоподводящих труб /3/ внутренняя труба /2/ снабжена газовыпускной прорезью /8/ с шириной отверстия в соответствии с трубой и тем, что между внутренней трубой /2/ и трубчатым реактором /I/ имеется зазор /10/.
3. Устройство в соответствии с пунктом 2, отличающееся тем, что внутренняя труба /2/ размещается эксцентрично внутри трубчатого реактора /I/, тем, что зазор /10/ в пределах газовыпускной прорези /8/ будет боль’шим, чем в других местах.
а'··
Резюме · .Метод и ' устройство дом подачи газов во ερωω производства
Процессов ΧΒΜΒΑΘΟΚΟΓΟ ооИВДДНКН Нод HB3KHM девленьем в паровой pase в рееиторе
Данное изобретение. праддознечено длн нетления дискообразного материала пра пожяци процессов химического осаддннйн в паровой ра зе под нвзкнм вакуумом.
Пель изсбретенид сводвтсн. к осуществлена зкономичеокого метода равномерного'нешклеивв большого кольнеотве подложек, всключад пре зтим загрязненье плθнок и всев установки.
Изобретенье предусматривает отоесывение потоке трхнологвпеоких газив непоорадотьенно поолθ протемньл. икьизь зазирн мекду подоюакемв в направленян потоке в отиодится ьз зон для подложек ио-под трубчатого реактора., /фиг.1/.

Claims (3)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    1. Způsob přivádění plynu pro chemické procesy srážení v plynné fázi pod nízkým tlakem v trubkovém reaktoru, ve kterém nastříkávané podložky jsou umístěny paralelně a vertikálně stojící ve stejných vzdálenostech od sebe, přičemž technologický plyn nebo směs technologických plynů se přivádí do mezer mezi podložky, vyznačující se tím, že proud technologických plynů se odsává přímo do. průchodu mezerami ve směru proudu a odvádí se ze zóny podložek z trubkového reaktoru.
  2. 2. Zařízení pro přívod plynů pro procesy chemického srážení v plynné fázi pod nízkým tlakem v trubkovém reaktoru, který byl vybaven přizpůsobením pro přívod plynů, odsávání plynů, ohřevu a držákem podložek pro příjem paralelně a vertikálně stojících podložek, к provádění způsobu, uvedeného v bodě 1, vyznačující se tím, že držák podložek (4) v trubkovém reaktoru (1) je obklopen vnitřní trubkou (2) hráškovítého povrchu, ve kterém plyn přivádějící trubky (3) jsou umístěny podle známého způsobu ve výpočtu pro přívod technologických plynů do mezer mezi podložkami (5), přičemž z opačné strany od plyn přivádějících trubek (3) je vnitřní trubka (2) opatřena plyn vypouštějícím průřezem (8) o Šířce otvoru v závislosti na trubce a na tom, že mezi vnitřní trubkou (2) a trubkovým reaktorem (1) existuje mezera (10).
  3. 3. Zařízení podle bodu 2, vyznačující se tím, ,že vnitřní trubka (2) je uložena výstředně uvnitř trubkového reaktoru (1) a tím, že mezera (10) v rozmezí plyn vypouštějícího průřezu (8) bude větší než v jiných místéch.
    Uznáno vynálezem na základě výsledků expertizy, provedené Úřadem pro vynálezectví a patentnictví, Berlín, DD.
CS823771A 1981-07-28 1982-05-21 Method of gas supply for low-pressure gas-phase precipitating chemical processes in tube reactor and equipment for performance of this method CS240442B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD81232136A DD206687A3 (de) 1981-07-28 1981-07-28 Verfahren und vorrichtung zur gasfuehrung fuer lp cvd prozesse in einem rohrreaktor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS240442B1 true CS240442B1 (en) 1986-02-13

Family

ID=5532617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS823771A CS240442B1 (en) 1981-07-28 1982-05-21 Method of gas supply for low-pressure gas-phase precipitating chemical processes in tube reactor and equipment for performance of this method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4509456A (cs)
JP (1) JPS5827638A (cs)
CS (1) CS240442B1 (cs)
DD (1) DD206687A3 (cs)
DE (1) DE3216465A1 (cs)
NL (1) NL8202674A (cs)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3330864A1 (de) * 1983-08-26 1985-03-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum aufbringen von siliziumoxidschichten auf halbleitersubstrate unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik
EP0164928A3 (en) * 1984-06-04 1987-07-29 Texas Instruments Incorporated Vertical hot wall cvd reactor
US4703718A (en) * 1985-11-29 1987-11-03 Rca Corporation Vapor deposition apparatus and method of using same
JPS62173712A (ja) * 1986-01-27 1987-07-30 Hitachi Ltd 気相成長装置
US4839145A (en) * 1986-08-27 1989-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
US4926793A (en) * 1986-12-15 1990-05-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of forming thin film and apparatus therefor
DE3721636A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Aixtron Gmbh Quarzglasreaktor fuer mocvd-anlagen
US4992301A (en) * 1987-09-22 1991-02-12 Nec Corporation Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness
GB2213835B (en) * 1987-12-18 1992-07-08 Gen Electric Co Plc Deposition apparatus
USRE36328E (en) * 1988-03-31 1999-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
US5178534A (en) * 1989-05-18 1993-01-12 Bayne Christopher J Controlled diffusion environment capsule and system
US4911638A (en) * 1989-05-18 1990-03-27 Direction Incorporated Controlled diffusion environment capsule and system
JPH06818Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-01-05 日本エー・エス・エム株式会社 Ｃｖｄ装置のための基板支持装置
JPH0818902B2 (ja) * 1989-11-02 1996-02-28 シャープ株式会社 気相成長装置
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
US6261524B1 (en) 1999-01-12 2001-07-17 Advanced Technology Materials, Inc. Advanced apparatus for abatement of gaseous pollutants
US6153150A (en) * 1998-01-12 2000-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for controlled decomposition oxidation of gaseous pollutants
DE19937513B4 (de) * 1999-08-09 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtungen und Verfahren zur gleichverteilten Gasinjektion bei der Behandlung von Halbleitersubstraten
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6818249B2 (en) * 2003-03-03 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7584942B2 (en) 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
US20090233007A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Chemical vapor deposition reactor and method
JP5240245B2 (ja) * 2010-06-22 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
CN111433390B (zh) * 2017-12-22 2022-09-27 株式会社村田制作所 成膜装置
US10677767B2 (en) * 2018-06-12 2020-06-09 Vuv Analytics, Inc. Vacuum ultraviolet absorption spectroscopy system and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900597A (en) * 1973-12-19 1975-08-19 Motorola Inc System and process for deposition of polycrystalline silicon with silane in vacuum
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
JPS55167041A (en) * 1979-06-14 1980-12-26 Toshiba Corp Vertical type gaseous phase growth device
US4263872A (en) * 1980-01-31 1981-04-28 Rca Corporation Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates
US4309241A (en) * 1980-07-28 1982-01-05 Monsanto Company Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies
US4316430A (en) * 1980-09-30 1982-02-23 Rca Corporation Vapor phase deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US4509456A (en) 1985-04-09
JPS5827638A (ja) 1983-02-18
DD206687A3 (de) 1984-02-01
DE3216465A1 (de) 1983-03-17
NL8202674A (nl) 1983-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CS240442B1 (en) Method of gas supply for low-pressure gas-phase precipitating chemical processes in tube reactor and equipment for performance of this method
JP3640261B2 (ja) 粒子線加工用のガス送出システム
KR970018008A (ko) Cvd 시스템 진공 라인의 세척 방법 및 장치
EP0878832B1 (en) Drying processing method and apparatus using same
KR20030013303A (ko) 기판 처리 장치
US5529626A (en) Spincup with a wafer backside deposition reduction apparatus
JP2001525603A (ja) 化学的気相成長装置および方法
US6709174B2 (en) Apparatus and method for development
JPH10330944A (ja) 基板処理装置
US6086778A (en) Muffle etch injector assembly
CN103094159B (zh) 基板处理设备及基板处理方法
JP2550037B2 (ja) ドライエッチング方法
KR102256691B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20060112877A1 (en) Nozzle and plasma apparatus incorporating the nozzle
US5522935A (en) Plasma CVD apparatus for manufacturing a semiconductor device
JPH02308534A (ja) 半導体基板の薄膜形成装置
KR20010034842A (ko) 반응장치용 인젝터
JP3574558B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2005246312A (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
JPH0382020A (ja) 化学気相成長装置
JPH05326453A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
SU1642901A1 (ru) Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин
KR0158615B1 (ko) 건식 감광액 제거장치
CN115206758A (zh) 异物降落防止部件和基片处理装置
JPS6063368A (ja) 膜形成装置