JPS5827638A - 管形反応器内においてｌｐｃｖｄ法用のガスを案内するための方法及び装置 - Google Patents

管形反応器内においてｌｐｃｖｄ法用のガスを案内するための方法及び装置

Info

Publication number
JPS5827638A
JPS5827638A JP57126853A JP12685382A JPS5827638A JP S5827638 A JPS5827638 A JP S5827638A JP 57126853 A JP57126853 A JP 57126853A JP 12685382 A JP12685382 A JP 12685382A JP S5827638 A JPS5827638 A JP S5827638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
tubular reactor
gap
substrate
reactor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57126853A
Other languages
English (en)
Inventor
ミヒヤエル・クライネルト
ライネル・メ−レル
ホルスト・シユテルツエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEBU TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYUNGU UNTO TEHINOROJII MIKUROEREKUTORONITSUKU
TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYU
Original Assignee
BEBU TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYUNGU UNTO TEHINOROJII MIKUROEREKUTORONITSUKU
TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEBU TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYUNGU UNTO TEHINOROJII MIKUROEREKUTORONITSUKU, TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYU filed Critical BEBU TSUENTORUMU FUYUURU FUORUSHIYUNGU UNTO TEHINOROJII MIKUROEREKUTORONITSUKU
Publication of JPS5827638A publication Critical patent/JPS5827638A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ｄ、ＬＰＯＶＤ−法（低圧化学蒸着法）によって
円板状物質を積層するための、特（半導体基質を加工す
るための方法および装置に関する。
管形反応ｇＭ祉特に、圧力を低下させて化学的蒸着（０
ｖＤ）が行われるに至って、及びプラズマエツチング方
法が適用されるに至って重要さを増して来た。西ドイツ
公告公報牙２４６０２１１号（米国第５９００５９７号
）において簡単な管形反応器が記述されている。積層さ
れるべき基質はその平面法線でもって管体軸線に対して
平行に反応器の中心に位置している。ガス入口とガス出
口とは反応器管体の各々向い合った端面にある。ガスを
案内するために特別な構成はなされていない。こＯ反応
器紘比較的反応鈍感で均等なガス相反応が発生する危険
の％にある。
非常に反応鋭敏なプロセスにこれを使用することは不可
能である。後者のプロセスでは高反応性のガスないしは
混合ガスの成分は内部に基質が存在する反応区域内まで
直かに特別な構成によって案内されなければならない。
公知の解決法（たとえば西ドイツ公開公報第２７５０８
８２％或いは東ドイツ公法牙Ｗｍ’１２１９７５号−常
圧ＯＶＤ　）は、細い管を介して反応ガスが基質領域に
まで案内されそこでノズルを経てこの反応ガス流が基質
表面６間の間隙へと導かれることにある。幾つかの反応
成分が層析離に関与している場合、これらはまた別の管
の中で記載の如く基質領域に運ばれそして社じめて円＠
０すぐ近傍で混合される。反応生成物と粒子とで不純化
され九使用済みガスの導出に関しては何も特別な処置が
施されていない。
これは反応器出口に接続されたポンプにより行なわれる
。
この解決法で不利なの線、ガス流が管の軸線方向に反応
器出口へと転向され、それによってガス流量を高めると
とによってのみ均衡され得る不均一な積層化が生ずるこ
とである。特に非常に不利なのは、反応副生成物と粒子
とくよって不純化された使用済みのガスが基質Ｏｉｉ流
が起こった後もなおある一定Ｏ時間反応室内にとどまル
、このガスが基質堆積物と蓄壁部と０間０！２ＷＩＫｉ
８つて流れ基質間１１にも浸入することである。これは
、プロセスガスの低い濃度によって−これは低度Ｏ析離
を招く一抑制されなければならない基質にとって著しい
不純化の源である。
引用した常圧−ｃｖｐ−装置（東ドイツ公報オＷＦ　１
２１９７５号）は９反応器内ｏｆＰｍ室を洗浄しｔ九反
応曇内でのβス清冑時間を短縮する六めに１反応ロス口
で供給される不活性ガス流を付加的に必要とする。
常圧−管形反応器からの特別なガス搬出が東ドイツ公報
オＷＰ１１１９５５号に記載されている。
ζＯ場合は、スリットを備え九細いガス排出管が基質押
え部材に対して平行に反応器内に設けられている。　′
Ｌｐ　０ＶＤ−法ではプリセ九真空ポλンプによって吸
い取られる。スリットが形成され九細い管内の吸い込み
能力の低下が非常に大きく、これ紘大変に巨大なポンプ
によら表ければ補償され得ない。しかしながらこの構成
では不経済でＴｏす、ｔた技術的に爽現困難である。
本発明の目的は、個数の多い基質を経済的に均一に高い
品質で積層し１＋管形反応器の洗浄費用を少なくするこ
とである。
本発明の基礎となる課題は、プロセスガス必要量を著し
く減少させまた層の粒子必要量を少なくさせる、ＬＰ　
０ＶＤ−法用のガスを案内するための方法及び装置を作
ることである。
こ０１１題は本発ｖ４に１１：つて、プロセスガス流が
基質間の間隙を貫流し九後すぐに流れ０方肉に吸い取ら
れ基質領域の外で管形反応器から導出されることによっ
て解決される。
本発明によるガスを案内する九めＯ装置ｌ０４１Ｉ微と
している点は、管形反応器内の基質押え部材が林状の内
部管体により囲繞され、この内部管体においてプロセス
ガスを基質の間隙に導入するためのガス供給管が公知様
式で設けられており、その際ガス供給管の相対する側に
内部管体が基質押え部材に従って設けられ九ガス排出ス
リットを有していることである。この場合内部管体は、
ｅ、の内部管体と管形反応器との間に間隙が出来るよう
反応器内に設けられている。
＊に有利なのは、内部管体を反応器内に偏心的に設叶、
ガス排出スリットの領域内の間隙を内部管体と管形反応
器との間の残余の箇所におけるよりも大きくするととで
ある。
本発明による構成の利点は、これを利用することによっ
て非常に生産的な管形反応器原理が反応鈍感な過１１に
もまた反応敏感な過程にも利用され得る点ＫＴｏる。
Ｋぶつかり、また他Ｏ解決法と比べてガス費消を少なく
して高度な析離率が保証される。それＫよって積層の生
産性が高まり、必要なポンプ能力を低下暑せることが出
来る。
セスガスの高度の利用を保証する。また全回分量Ｏ非常
に均一な積層が達成される。
基質領域から分離された廃ガスを案内するととによって
粒子必要量の点でも質の高い層析離が保証され、管形反
応器の洗浄循環が著しく拡大する。
以下に本発明を例で詳細に説明する。
管形反応器１内に林状Ｏ内部管体２が設けられ、との内
部管体が基質押え部材４を囲繞している。内部管体２に
はガス供給管５が設けられている。図示されていないノ
ズルを経てプロセスガス流が垂直に並んだ基質５０間に
送られる。
内部管体２はガス排出スリット８を有する。ガス排出ス
リツ）８は基質押え部材４の長さ全体にわたってのび、
ガス供給管５に相対して設けられている。基質押え部材
４は回転体案内部６と末端支持ｓ７とによって回転可能
に内部管体２に支承されている。管形反応器の真空化は
排出接続管９を経て真空ポンプによって行なわれる。管
形反応器１は図示されていない拡散炉の中に設置されて
いる。
本発明による方法を記載の装置の作動態様に従って鮮明
する。
まず管形反応器１が予め選択された低い圧力基質４０閏
膝内に送られる。プロセスガス流は間隙を貫流した後す
ぐに流れの方向へガス排出スリット８を経て吸い敗られ
、管形反応器１と内部管体２との間の関［１０内の基質
領域の外で排出接続管９に供給される。
更によく廃ガスを案内する丸めに内部管体２が管形反応
器内で偏心的に設置され１間隙１゜が内部管体２と管形
反応器１との間のガス排出スリット８０下方で他の箇所
より大きくなっている０層折離０均質性を改良するため
に基質押え部材４が析離過程の間に回転される。
本発明に従った構成による実験では、−回分量が２５個
で、　８１Ｈ４（ａ　ｏｄ／分）とｏ２（４０ｇＬ／分
）とから成るｓｌｏ、０４５０’Ｃでの層析離で、５０
〜１００１１！９／分　の範囲内の析離物が得られた０
【図面の簡単な説明】
第１図は管形反応器の断面図である。 牙２図は牙１図Ａ−ムでの切断面図である。 図中符号は １・・・管形反応器 ２・・・内部管体 ５・・・ガス供給管　　　　　　　ゝ ４・・・基質押え部材 ５・・・基質 ８・・・ガス排出孔 １０・・・間隙 ｉ、−１ Ｌ　Ｌ：　、’＝　−’

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｔ　管形反応器内に積層されるべき基質が平行してか′
    ）ｔた等間隔で相互に垂直に設けられブーセスガスない
    しはプロセスガス混合物が１質Ｏ閏隙内に導入される管
    形反応器内においてＩ、Ｐ　０ＶＤ−法用のガスを案内
    するための方法において、プロセスガス流が間隙を貫流
    し丸後直接流れの方向く吸い取られ基質領域の外で管形
    反応器から導出されることを特徴とする上記の方法。 ｉｆス供給部、ガス吸引部、加熱装置と、平行して相互
    に垂直に位置する基質を収容するための基質押え部材と
    を備え丸管形反応器内（おいてＬＰ　０ＶＤ−法用のガ
    スを案内するためＯ１！許請求の範囲第１項による方法
    を実施するための装置において、管形反応器（１）内の
    基質押え部材（４）が林状の内部管体（２）Ｋよって囲
    繞され、この内部管体内においてプロセスガスを基質（
    ５）の間隙内に導入するためのガス供給管（３）が周知
    方法で設けられ、その際ブス供給管（３）の相対する側
    に内部管体（２）が基質押え部材（４）に従って設けら
    れたガス排出スリット（８）を有していること。 及び内部管体（２）と管形反応器（１）との関に間隙θ
    ０）が存在することを特徴とする上記装置。 五　間隙θのがガス排出スリット（８）の領域において
    他の箇所におけるよシも大きくなるよう偏心的に内部管
    体（２）が管形反応器（１）内に設けられている１％許
    請求の範囲第２項に記載の装置。
JP57126853A 1981-07-28 1982-07-22 管形反応器内においてｌｐｃｖｄ法用のガスを案内するための方法及び装置 Pending JPS5827638A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD23C/23213 1981-07-28
DD81232136A DD206687A3 (de) 1981-07-28 1981-07-28 Verfahren und vorrichtung zur gasfuehrung fuer lp cvd prozesse in einem rohrreaktor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5827638A true JPS5827638A (ja) 1983-02-18

Family

ID=5532617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57126853A Pending JPS5827638A (ja) 1981-07-28 1982-07-22 管形反応器内においてｌｐｃｖｄ法用のガスを案内するための方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4509456A (ja)
JP (1) JPS5827638A (ja)
CS (1) CS240442B1 (ja)
DD (1) DD206687A3 (ja)
DE (1) DE3216465A1 (ja)
NL (1) NL8202674A (ja)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3330864A1 (de) * 1983-08-26 1985-03-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum aufbringen von siliziumoxidschichten auf halbleitersubstrate unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik
EP0164928A3 (en) * 1984-06-04 1987-07-29 Texas Instruments Incorporated Vertical hot wall cvd reactor
US4703718A (en) * 1985-11-29 1987-11-03 Rca Corporation Vapor deposition apparatus and method of using same
JPS62173712A (ja) * 1986-01-27 1987-07-30 Hitachi Ltd 気相成長装置
US4839145A (en) * 1986-08-27 1989-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
US4926793A (en) * 1986-12-15 1990-05-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of forming thin film and apparatus therefor
DE3721636A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Aixtron Gmbh Quarzglasreaktor fuer mocvd-anlagen
EP0308946B1 (en) * 1987-09-22 1993-11-24 Nec Corporation Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness
GB2213835B (en) * 1987-12-18 1992-07-08 Gen Electric Co Plc Deposition apparatus
USRE36328E (en) * 1988-03-31 1999-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
US4911638A (en) * 1989-05-18 1990-03-27 Direction Incorporated Controlled diffusion environment capsule and system
US5178534A (en) * 1989-05-18 1993-01-12 Bayne Christopher J Controlled diffusion environment capsule and system
JPH06818Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-01-05 日本エー・エス・エム株式会社 Ｃｖｄ装置のための基板支持装置
JPH0818902B2 (ja) * 1989-11-02 1996-02-28 シャープ株式会社 気相成長装置
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
US6261524B1 (en) 1999-01-12 2001-07-17 Advanced Technology Materials, Inc. Advanced apparatus for abatement of gaseous pollutants
US6153150A (en) * 1998-01-12 2000-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for controlled decomposition oxidation of gaseous pollutants
DE19937513B4 (de) * 1999-08-09 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtungen und Verfahren zur gleichverteilten Gasinjektion bei der Behandlung von Halbleitersubstraten
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6818249B2 (en) * 2003-03-03 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7584942B2 (en) 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
US20090233007A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Chemical vapor deposition reactor and method
JP5240245B2 (ja) * 2010-06-22 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
WO2019124098A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 株式会社村田製作所 成膜装置
US10677767B2 (en) * 2018-06-12 2020-06-09 Vuv Analytics, Inc. Vacuum ultraviolet absorption spectroscopy system and method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900597A (en) * 1973-12-19 1975-08-19 Motorola Inc System and process for deposition of polycrystalline silicon with silane in vacuum
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
JPS55167041A (en) * 1979-06-14 1980-12-26 Toshiba Corp Vertical type gaseous phase growth device
US4263872A (en) * 1980-01-31 1981-04-28 Rca Corporation Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates
US4309241A (en) * 1980-07-28 1982-01-05 Monsanto Company Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies
US4316430A (en) * 1980-09-30 1982-02-23 Rca Corporation Vapor phase deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
NL8202674A (nl) 1983-02-16
US4509456A (en) 1985-04-09
DD206687A3 (de) 1984-02-01
CS240442B1 (en) 1986-02-13
DE3216465A1 (de) 1983-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5827638A (ja) 管形反応器内においてｌｐｃｖｄ法用のガスを案内するための方法及び装置
JP2009055001A (ja) 垂直反応器におけるバッチ処理のための方法および装置
JP2001520321A (ja) 非対称の流動形状を用いるプロセスチャンバ用リッドアセンブリ
TW201026882A (en) Film deposition apparatus, substrate process apparatus, and turntable
JP2000299287A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP2002518601A (ja) パージガスチャネル及びポンプシステムを有する基板支持装置
JPH05218002A (ja) 半導体デバイスの製造方法
TW202106917A (zh) 用於基板處理室的隔離器設備及方法
US20190106786A1 (en) Apparatus for selective gas injection and extraction
TW464922B (en) Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system
EP2032235B1 (en) Method and apparatus for treating a gas stream
JP2004006551A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWM611114U (zh) 用於低壓化學氣相沉積系統的立式爐管之注射器
KR101993487B1 (ko) 가스 스트림을 처리하기 위한 장치
US11049699B2 (en) Gas box for CVD chamber
JPH02184022A (ja) Ｃｖｄ電極
JPH0316120A (ja) 化学気相成長装置及びそのガスヘッド
JP3119475B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06295870A (ja) 化学的気相成長装置
JP3984540B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2004296659A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20180119277A1 (en) Gas Distribution Apparatus for Deposition System
US11613811B2 (en) Film forming apparatus and method of operating film forming apparatus
JPH0555150A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
CN112030229B (zh) 尾气净化装置及半导体工艺系统