CS196463B1 - Způsob výroby elektrofotografického materiálu s vysokou citlivostí a s možností tuto citlivost regulovat - Google Patents

Description

Vynález se týká způsobu výroby elektrofografického materiálu na bázi anorganických fotovodivých pigmentů na papírová nebo hliníkem plátované podložce s mimořádná vysokou citlivostí ke světlu a s možností tuto citlivost regulovat v širokém rozsahu hodnot*

Je všeobecně známo několik systémů využívajících pro reprodukci fotovodivosti anorganických pigmentů, převážně pak fotovodivosti ZnO. Z těchto systémů lze uvést především elektrostatické, elektrolytická a další z nich vycházející, na příklad maateřové. Fótoelaktrlcké vlastnosti těchto materiálů jaou obvykle přizpůsobeny svému určení složením fotocitlivé vrstvy a použitou podložkou. Rozhodující vliv má rovněž typ, případně kvalita používaných surovin a pomocných přísad jako senaibiliaátarů a aktivátorů (elektronových donorů a akceptorů). Použitý kysličník zinečnatý musí na příklad z morfologického hlediska vykazovat jednotnou velikost částic a minimální toleranci, nepřítomnost aniaometrlckýoh Částic a podobně. Z hlediska chemického je nežádoucí obsah těžkých kovů Jako Pb, Cu, Fe a podobně. Dále jeou na použitý pigment kladeny vysoké požadavky z hlediska fotovodi- ,, vosti a specifického odporu za tny. Rovněž tak jsou kladeny značné požadavky na použitá pojivová eložky. Zda jsou obvykle používány kopolymery, na příklad alkylakrylátů a kyselou složkou, na příklad kyselinou malelnovou, akrylovou a podobně. Dále jaou pro tento účel využívány alkydy modifikované roatlinými oleji, glyeerinftálové alkydy, polyestery,

196 463

198 493 kopolymery styrenu, polyvinylácetáty β jejich kopolymery β kyselou složkou, metylfenylslloxany, kyselina abletová (jako samostatná kyselá eložka), polyvinylbutyral, deriváty celulosy a podobná. Nezbytná bývá obvykle přítomnost kyselé složky (kyseliny) a to bui ve formě polymeru, kopolymerů, nebo jako monomer (kyseliny abietová, kyselina stearové). Přítomnost kyselé složky zajišluje vlivem chemieorpce na krystalech ZnO dokonalou stabilitu disperze pigmentu v nepolárním prostředí a po usušení stabilitu a nezávislost fotoelektrických charakteristik na způsobu přípravy, nebot chemiearbovaná vrstva monomerní, nebo polymerní kyselá složky vytváří oddělující mezi jednotlivými krystaly fotovodlváho pigmentu. Tato vrstva má vždy konstantní tlouětku bez ohledu na další vnější podmínky, na přiklad aužaní. Tato mezní vrstva je velmi výhodná na přiklad z hlediska systému statik, nebot umožňuje dosažení vyšších povrchových potenciálů (400 až 800 V) a nízkého temnostního spádu (0,1 až 2 %/s). V případě elektrolytických materiálů a některých materiálů elektrostatických s nízkým nabíjecím potenciálem je tato chemisorbovaná vrstva nežádoucí a obvykle se nepoužívá z hlediska nutnosti dosažení vyšších citlivostí ke světlu.

Nevýhodou těchto materiálů, nepoužívajících chemieorbovanou vrstvu kyseliny jaou jejich nestandardní a obvykle málo kvalitní fotoelektrická charakteristiky, zvláště pro úěely elektrolytického procesu citlivosti ke světlu. Tyto vlastnosti dosud bránily rozvoji výroby elektrolytických materiálů o vývoji nových citlivějších materiálů na bázi neutrálních pojivových složek.

Výěe uvedené nedostatky jsou odstraněny způsobem podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se délka první fáze sušení, při které je rychlost difúze rozpouštědla vrstvou k povrchu vyšší než rychlost odpařování, volí v závislosti na požadované citlivos ti elektrofotografického materiálu, přičemž uvedená citlivost je přímo úměrná cotg úhlu, který svírá křivka závislosti obeahu rozpouštědla v elektrofotografické disperzi na čase sušení v první fázi, s osou úseček.

Způsobem podle vynálezu je možno dosáhnout jednak plně reprodukovatelná výsledky při výrobě elektrolytických materiálů a dále potom změnou rychlosti sušení v první fázi sušení dosáhnout extrémní citlivosti, která dříve nebyla dosažitelná.

Na přiloženém výkresu je na obr. 1 graficky znázorněn průběh sušení tenkých vrstev elsktrofotografickýoh materiálů; na obrázku 2 zobrazena závislost specifického odporu získaná vrstvy na čase sušení. Prvá fáze sušení probíhá v celám svém rozsahu lineárně. Rychlost difúze rozpouštědla vrstvou k povrchu je vyšší než ryehlost odpařování. Ná povrchu sušené vrstvy se udržuje mezní vrstva par rozpouštědel, jejiohž relativní naeyoení je blízká maximálně možnému nasycení při daných teplotních a tlakových podmínkách.

V táto fázi lze sušenou disperzi považovat za tekutou, tixotropní, nebo plasticky deformovatelnou. V druhá fázi sušení již nestačí rychlost difúze rozpouštědla vrstvou vytvářet nasycenou mezní vrstvu par rozpouštědla a rychlost sušení klesá. Současně v důsledku snižujícího se odporu stoupá teplota vrstvy. V této fázi lze eušenou disperzi ve vrstvě považovat za tuhou a nedeformevatelnou.

196 483

Změny ve struktuře vrstvy tedy probíhají převážně v první fázi sušení· Krystaly pevné fáze fotovodlvého pigmentu (50 obj.%) se k sobě během této fáze postupně přibližují, přičemž počet vzájemných kontaktů mezi jednotlivými krystaly narůstá. Vzhledem k tomu, že rychle narůstá viskosita disperzního prostředí, je výsledný počet vzájemných kontaktů velmi silně závislý na době, po kterou může toto přibližování (vznik kontaktů) probíhat při konstantní počáteční viskositě disperzního prostředí. Počet takto vzniklých kontaktů je pak mírou fotocltlivostl vrstvy, přičemž s vyšším počtem kontaktů vzrůstá citlivosti, což odpovídá nízké rychlosti první fáze sušení, tedy malé strmosti sušicí křivky a naopak. Podle obr. 1 pak výslednou citlivost vyjadřuje cotg úhlu přímky první fáze sušení:

cotg —----- , kde da da » změna obsahu kapalné fáze disperze (%) db <> odpovídající časová změna (s) = úhel přímkové části první fáze sušicí křivky.

Příklad provedení

Jako příklad je uvedeno složení a způsob výroby elektrolytického materiálu a možné změny a regulace citlivosti. Disperze o složení: 200 g elektrofotograflckého kysličníku zinečnatého, g atyrenbutadienového kopolyméru, ml acetonu,

150 ml toluenu, ml l%ního roztoku sodné soli fluoresceinu v etanolu a ml l%ního roztoku p-aminofenolu v etanolu se polévá na hliníkem plátovanou podložku v celkové mokré tlouětce 25 <um spirálovou raklí, nebo podobným jiným nanéěecím zařízením. Sušení se provede v impaktní sušárně tak, aby prvé fáze probíhala po dobu 5 s při teplotě auěícího vzduchu 18 až 22 °C a rychlosti proudění sušícího vzduchu z trysek 1,0 až 1,4 m/β. T druhé fázi sušení je teplota zvýšena na 120 až 130 °C a rychlost proudění vzduchu na 20 až 40 m/β. Tímto způsobem je možno doeéhnóut maximální možnou eltllvost. Při snížení doby sušení v prvé fázi se citlivost výsledného materiálu postupně snižuje, Jak je orientačně uvedeno na obr. 2, kde je uveden výsledný specifický odpor vrstvy víl.cm po standardním osvitu vrstvy 200 lx.s.

Tímtp způsobem vyrobený elektrolytický materiál o vysoké a dobře regulovatelné citlivosti ke světlu je využíván k hotovení reprodukcí a zvětšenin z mikrofilmů, mikrofiši a podobných záznamových medií v různých odvětvích národního hospodářství.

IBS <>3

Claims (1)

1. P ft E D M É T VYNÁLEZU

   Způsob výroby elektrofotografického materiálu e vysokou citlivostí a a možností tuto citlivost regulovat, vyráběného na bázi anorganického nebo organického fotovodivého pigmentu, s výhodou na bázi kysličníku zinečnatého, naneseného na hliníkem plátovaná podložce, vyznačený tím, že ee délka první fáze sufienl, při které Je ryohloet difúze rozpouštědla vrstvou vyěěí než ryohloet odpařování, volí v závislosti na požadované citlivosti elsktrofotografiekého materiálu, přičemž uvedená oltlivoet Je přímo úměrná ootg úhlu, který svírá křivka závislosti obsahu rozpouětědla v elektrolytické disperzi na čase euěení v první fázi, e oeou úseček.