DE1519124A1 - Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten auf elektrisch isolierendenOberflaechen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten auf elektrisch isolierendenOberflaechen

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DE1519124A1
DE1519124A1 DE19651519124 DE1519124A DE1519124A1 DE 1519124 A1 DE1519124 A1 DE 1519124A1 DE 19651519124 DE19651519124 DE 19651519124 DE 1519124 A DE1519124 A DE 1519124A DE 1519124 A1 DE1519124 A1 DE 1519124A1
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Description

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PATENTANWÄLTE 58/49/25/65 7 Stuttgart ι J?- April DR.-ING. WOLFF, BARTELS, DR. BRANDES lange strasse si
TELEFON: 296310 und 297295 TELEX: 0722312
Reg.-Hr. 119
Eastman Kodak Company, 343 State Street, Rochester, Staat New York, Vereinigte Staaten von Amerika
Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten auf elektrisch isolierenden Oberflächen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten, die als antistatische Schichten auf photographischen Filmen und dergl. verwendet werden können und sich zur Herstellung von Elek tronenstrahlen aufzeichnenden photographischen Materialien eignen.
Der Erfindung lag die Aufgabe zu (!runde, ein Verfahren zur Herstellung neuer, elektrisch leitender Schichten
11
mit einem Oberflächenwiderstand von weniger als 10
Ohm pro Quadrat zu entwickeln (auf die Bezeichnung Ohm pro Quadrat wird später eingegangen), die bezüglich ihrer Leitereioenschaften von .Feuchtigkeit oder Nässe unabhängig sind und sich daher besonders in trockener 209812/1199
Atmosphäre oder im Vakuum verwenden lassen. Die Schichten sollten möglichst klar und durchsichtig sein und sich als überzüge von photographischen Filmen, von Geweben, von bedruckten Oberflächen und dergl. verwenden lassen.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, daß sieh leitende Schichten mit den gewünschten Eigenschaften unter Verwendung einer Semikonduktorverbindung dadurch herstellen lassen, wenn die oeinikonduktorverbindung mittels eines Komplexbildners in einen in einem Lösungsmittel löslichen Komplex überführt und in einem flüchtigen Lösungsmittel gelöst wird, wenn dieser Lösung ein in dem Lösungsmittel lösliches Bindemittel zugesetzt und die erhaltene Lösung auf die zu beschichtende Oberfläche aufgetragen wird und wenn das flüchtige Lösungsmittel sowie gegebenenfalls zusätzlich der Komplexbildner aua der Schicht entfernt wird.
Die mechanischen Eigenschaften der leitenden Schichten können sehr verschieden sein und hängen weitestgehend von den Eigenschaften des verwendeten Bindemittels ab. Als isolierende Bindemittel können die verschiedensten Harze oder Kolloide verwendet werden.
Nach dem Verfahren der Erfindung werden somit neue, leitende Schichten hergestellt, die eine metallhaltige Semi-
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konduktorverbindung in einem isolierenden, die Schicht bildenden Bindemittel dispergiert enthalten und einen Oberflächenwiderstand von weniger ale 10 Ohm pro Quadrat aufweisen. Die im Bindemittel dispergierten Partikel der iSemisonduktorverbindung können eine verschiedene Teilchengröße besitzen. Sie können kolloiddispers bis molekulardispers vorliegen. Im allgemeinen sind sie kleiner als 0,1 Mikron. Je nach der Ausführungsforia des Verfahrens der Erfindung besteht die Dispersion in manchen Fällen aus einer festen Lösung oder einer Kolloidalen Dispersion.
Im Vergleich zu den bekannten isolierenden Schichten, die eine Semikonduktorverbindung dispergiert enthalten, (z. B. bei photographischen Emulsionen aus Silberhalogeniden und Gelatine oder photoleitfähigen isolierenden Schichten elektrophotographiecher Elemente und dergl.) zeigen die nach dem 7erfahren der Erfindung herstellbaren Schichten ganz unerwartet eine sehr gute Leitfähigkeit ♦ Die Ursache dieser guten Leitfähigkeit iet noch nicht völlig geklärt, Es kann jedoch angenommen werden, daß zwischen Leitfähigkeit und Diapersionegrad ein Zusammenhang besteht, und daß b,ei einer aus einer Lösung hergestellten Schicht eine außergewöhnlich feine und homogene Dispersion der Semikonduktorverbindung gebildet wird, die nach de» Trocknen der schichtbildenden Lö sung e^n leitendes Gitter in der Bindemittelschicht bildet.
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Die Konzentration der Seuiikonduktorverbindungen in der leitenden Schicht kann von 15 Vol.# bis 80 bis 90 Vol./--, bezogen auf die Schicht, schwanken. Die Volumprozente können dabei aus den bekannten Dichten der verwendeten oemikonduktorvurbindun^en und den bindemitteln sowie aus den bekannten Grewichtsverhältnissen der zur Herstellung der Schichten verwendeten Verbindungen, berechnet verden.
Der u'inäestgehalt der leitenden Schichten an Semikonduktorverbinciungen kann sehr verschieden sein und han^t von der Art des Semikonduktors und des Bindemittels, sowie weitgehend von der Herstellung der Schicht ab. Bei Beschichtungsverfahren, bei denen mit Lösungen gearbeitet wird, kann die kleinste noch wirksame Konzentration des Semikonduktors etwa 15 Volumprozente betragen. Nach dem Verfahren der Erfindung herstellbare Schichten besitzen nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Meßverfahren Oberflächenwiderstunde von weniger als 10 Ohm pro Qua-
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drat, oftmals von etwa 10 bis etwa 10 0hm pro ,,,uadratl
Vorzugsweise werden als Semikonduktorverbindungen Kupfer-I-Jodid und Silberjodid verwendet. Ks können jedoch auch andere metall alt ige Seüiikonduktorverbindungen verwendet werden, und 2war ionische und elektronische Semikonduktorverbindungen vom Intrinsic- und Extrinsictyp. Andere verwendbare metallhaltige Semikonduktorverbindungen sind
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ζ. B. Kupfer-I-und-Silberhalogenide, Halogenide des «ismuthSf von Gold, Indium, Iridium, Blei, Nickel, Palladium, Rhenium, Zinn, Tellur und //olfram, Xupfer-I, Kupfer-II und Silberrhodaniue, lodomercurate und der&l.
Me oemikonuuktorverbindunöen sind kaum hygroskopisch und in ihrer elektrischen Leitfähigkeit nicht von der Anwesenheit von Feuchtigkeit abhängig.
Unter "Semikonduktorverbindun^en" Bind metallhaltige Verbindungen mit einem nach Standard-Verfahren gemessenen elektrischen .-iider stand (spezifischen Widerstand) von etwa 10 bis 10 Ohm/cm zu verstehen. Der Ausdruck "Oberflächenwiderstand" stellt üblicherweise ein I-iaß für den elektrischen Verlust lan^s einer isolierenden Oberfläche dar. Der Oberfl ichenwiderstand wird im allgemeinen nach Verfahren gemessen, wie es in Beispiel 1 beschrieben wird. Im Falle der Anmeldung bezeichnet der Ausdruck den 7/iderstand von leitenden i'ilmen, die sich wie Leiter verhalten und Ströme durch den Körper der Schicht des elektrisch leitenden materials lsi ten. Der Widerstand (spezifischer '.V id erstand) ist ein ü»iaß für die Leitf.Ihi£;k:eitseit.enschaften von Leitern oder Semikonduktorverbindungen. Im i'alle danner, leitender Schiebton ist es jedoch zweckmö-iji^, als jüa^ für deren L„itf.u.hitjkeitseigenschaften den direkt meßbaren Oburf'Lliohfinwiderotand zu verwenden. D-tbei ist zu beachten, da.i die .Dimension I1Jr den epezifischen »Viuer-
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stand Ohm-cm und die Dimension für den OberflIchenÄideratand Ohm pro „,u&drat ist. Die beiden Dimensionen sind also verschieden und nicht zu verwechseln. Bei elektrisch leitenden, dem Ohmschen G-esetz folgenden Stoffen ist bei einer Schicht der berechnete Widerstand pro ^uadrat gleich deu spezifischen Yideratand des ailaterials dividiert durch die Schichtdicke. Jedoch stimmt der berechnete Widerstand eines Materials nicht immer mit dem gemessenen Ot-^rTIachenvviderstand iberexn. Dies ist besonders dann der FaIl, wenn es sich um einandünn beschichteten Film handelt.
ü-emuß einer b-jvorau^ten Ausfährun^sform dec Virf?-hrens aer Erfindung trl'ol0t aie riürstellung elu^triüuri leitender Schichten aus einer Lösung, die sowohl die üeniikonduktorverbinduriii als auch das schichtbildende Bindemittel in eines fluchtigen, flussigen Lösungsmittel gelöst enthalt.
Als "flüchtige" lösungsmittel sind solche zu verstehen, die leicht verdampfen, u. zw. bei Terfiperaturen, die zu küinem Abbau führen und die üblicherweise unter bO J liefen. Im allgemeinen sind metallhaltige Se-uikonduktorvtirbindun^en in den meisten flüchtigen Lösungsmitteln v,ie A'asser und organischen Lösungsmitteln, in denen sich die meisten elektrisch iaoliörenden, schichtbildenden Bindemittel lösen, nicht ^ut löslich. Um die Semikonduktor-
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verbindung in Lösung zu bringen, wird daher eine Verbindung zugesetzt, die die Seaiikonduktorverbindun^ un ter Komplexbildung auflöst.
Bei der in folgenden Beispiel 1 beschriebenen /vöisen Ausf üurun^sforir, des Vt-rfahruns der hriindunt, wird die leitende Schicht in Form einer Lösung auf einen isolierenden tfilibtr ,jjer aufgebracht.
Beispiel 1
Zu einem aus 10,G ml Aceton und 53,4 ml Cyclohexanon bestehenden Lösui^smittel^emisoh wurden unter schnellem R'ihren 3,83 ,_" Oilberjodid und 1,07 g Kaliumiodid ^e^eben. Nach mehrstündigem Rühren hatten sich alle Salze gelöst. Die Losung war wasserklar. Das Kaliumiodid bildete mit dem Silberjodid einen farblosen Komplex, der sich in dem Ketongemisch liste. In diese Lösung wurden unter R-ihren 9 ial einer 20 ^i^en jjösun^, von i-olj.virijlacetat (Virr, lit AYAG) in Cyclohexanon gegeben. Die entstehende klare Lösung wurde durch .»irbelteschichtung auf einen Polyesterfilzstreifen (Mylar) aufgebracht und durch Verdampfen der organischen LJüur.osi^ittel ^t;trocknet. H.--jh des: Ti'ocknen blieb eine farblose Schicht einer Dispersion des farblosen Komplexsalzes in rol,,vinylacetat zurück. Ua den Sc1- ^lex zu zerstören und das Kaliumjodid aus der Schicht herauszulösen, wurde der Filmstreifen bei Raumtemperatur
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5 Minuten lang in Wasser gelegt. DsTbei "blieb das in der Schicht dispergierte Silberjodid zurück. Nachdem der Filmstreifen gewaschen und getrocknet war, war die Schicht optisch klar und besaß eine blaßgelbe, fur Silberjodid charakteristische Färbung. Zur Messung des Oberfläo'henwiderstandes der Schicht in Ohm pro ^uadrat wurden an gegenüberliegende Seiten eines Quadrates von 2,54 cm Kantenlanoe Graphitelektroden einer Lanoe von 2,54 ein aufgelegt. Diese Graphitelektroden wurden erzeugt durch Auftragen einer wässrigen Suspension kolloidalen Graphits (Aquadag, Acheson Colloids Company) längs der gegenüberliegenden Seiten des ^uaärats und anschließender Trocknung. Der Widerstand wurde mittels eines Elektrometers (Keithley) mit einem Potential von 3 Volt Gleichspannung gemessen. Die Messungen wurden bei verschiedenen relativen Feuchtigkeiten durchgeführt. Es wurden folgende Meßsergebnisse erhalten»
Relative Feuchtigkeit 40 $ Oberflächenwiderstand in
in i» 15 > Ohm pro Quadrat
5 lfo 1.5 x 10®
1.2 χ 10®
1.2 χ 10®
Die Ergebnisse zeigen, daß der Oberflächenwiderstand der Schicht von der Feuchtigkeit kaum abhängig iat. -
BAD ORIGINAL 209812/1199
Die leitende Schicht wurde des weiteren 2 1/2 Stunden mit einer flütliohtlarupe belichtet und danach auf auskopiertes Silber untersucht. Dabei wurde festgestellt, daß die Bestrahlung weder zu einer Auskopierung fährte, noch eine merkbare Veränderung der Schichteiüenschaften zur -B'olge hatte.
Silberhalogenid^, Kupfer-I-flalogenide und andere Semikonduktormetallhalo0enide wie Zinnhalogenide, .Bleihalogenide und dergl. bilden mit Alkalimetallhalogeniden und Ammoniumhalogeniden besonders in Ketonlösungsmitteln leicht lösliche Komplexe* Oftmals hat es sich als zweckmäßig erwiesen, die Komplexbildner wie in Beispiel 1 beschrieben durch Auswaschen mit fasser zu entfernen. In manchen !Fällen kann jedoch auch die Dispersion des Korn— plexBalzes eine gute Leitfähigkeit hervorrufen. In diesem fall wirkt der Komplex selbst als Semikonduktorverbindung. Zur Lösung der Komplexe eignen sich flüchtige Ketone wie zl B. Aceton, Methyläthylketon, 2-Pentanon, 3-Pentanon, 2-Hexanon, 2-Heptanon, 4-Heptanon, SJethyl-r isopropylketon, Athylisopropyliteton, Diiso^ropylketon, Methylisobutylketon, Methyl-t-butylketon, Diacetyl, Acetylaceton, Acetonylaceton, Diacetonalkohol, Mesityloxyd, Ghloraceton, Cyclopentanon, Cyclohexanon, Acetophenon und Benzophenon. k,s können jedoch auch Keton^emische verwendet werden. Um die Lösung des Bindemittels zu erleichtern, werden bei einigen Auefiihrungsformen den
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/t
Ketonlösungsmitteln andere flüchtige Lösungsmittel zugesetzt. Mit einem Keton vermischt, können z. B. die folgenden organischen Lösungsmittel verwendet werden? flüchtige Alkohole, Äther, Ester, Cellosolvlösungsmittel, Paraffine, cyclische und aromatische Kohlenwasserstoffe und dergl. Bei Verwendung von Alkalimetall- oder -Ammoniumhalogeniden als Komplexbildner ist es z. B. auch möglich, eine Lösung eines schichtbildenden polymeren Bindemittels mit einer Ketogruppe im polymeren Molekül herzustellen und ein Lösungsmittel zu verwenden, das nicht aus einem Keton besteht. In anderen Fällen, insbesondere dann, wenn z. B. Lithiumiodid oder Natriumiodid als Komplexbildner verwendet werden, können zur Auflösung des Iodidkomplexes Lösungsmittel, wie z. B. Methylacetat, Äthylacetat, η-Propylacetat, Isopropylacetat, n-Butylaeetat, Iso-amylacetat, Tetrahydrofuran, Dimethylformamid, Methylcellosolv, Methylcellusolvacetat, Äthylacatat und dergl. verwendet v/erden, die den Iodidkomplex ohne Zusatz eines Ketonlösungsmittels oder eines ketonhaltigen Polymerisats auflösen.
Als schichtbildende Bindemittel zur Herstellung der leitenden Schichten eignen sich die verschiedensten natürlichen und synthetischen Polymeren.
Genannt seien beispielsweise:
Gelatine, Polyvinylalkohol, Polyvinylacetat, Carboxyliertes Polyvinylacetat, Polyvinylacetat!, Polyvinylchlorid, Poly-
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vinylphthalat, PoI^viny linethyläther-Maleinsdureanhyclrid, Polymethylmethacrylat, Poly viny lace tal-Pit halat, PoIystyrol-Butadiene-Acrylnitril, Polystyrol-Maleinsäure, Polyvin^ lidenchlorid-Acrj lnitril, Polyme thy line thacry lat-MethacryIslure, Polybutylmethacrylatmethacrylsäure, Celluloseacetat, Celluloseacetatbutyrat, Celluloseacetat-Phthalat: Celluloseäthylatherphthalat, Methylcellulose, AtI^ lcelluloae, Polyüietüjlacrylat-Vin^lidenchlorid-Itacoiiö^ure, Poly-2-vinylpyridin, Celluloseacetat-Diäthylaminoacetat, Methylcellulose, Diathylaminoacetat, PoI^ virij lme thy Iketon, Polyviny!acetophenon, Polyvinylbenzophenon, PoIyvinylmetb§Elacrylat-Methacr.y!säure, Polyvin^lacetmaleinsüureanhydrid, Polyacrylonltril-Acrylsäure, Polystyrol-Butadien, Polyäthylen-iialeinsäure, Poly-4-vinylpyridin, Carboxylester τοη Laktonharzen, Polystyrol, Cellulosenitrat, Polyuretbanharze, Polyamidharze, Phenolharze, Harnetoffhar-' ze, Melaminharze, Äthylcellulose-Diäthylaminoacetat sowie andere basische Polymere, Polymere mehrwertiger Säuren, Polyester, Epoxyharze, Alkyde und dergl.
Mach dem Verfahren der Erfindung kann die Schichtlösung auf beliebige tfeise« durch Wirbelbeschichtungsverfahren in der Wärme oder in der Kälte, durch Eintauchen, durch Besprühen, durch Badbeschichtung, durch kontinuierlich arbeitende Beschichtungsmaschinen, durch Beschichtung mittels eines Dochtes oder durch einen Trichter u. dergl· * auf einen Träger aufgebracht werden. Die Trocknung der Schicht, bei der das Lösungsmittel abgedampft wird, kann
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bei Raumtemperatur oder bei erhöhten Temperaturen erfolgen· In manchen Fällen wird die Leitfähigkeit durch Trocknen bei erhöhter Temperatur oder durch nachfolgendes Erhitzen der getrockneten Schicht verbessert.
Die nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren hergestellten Schichten wurden in einem aus einem Ketongemisch bestehenden Lösungsmittel hergestellt. Nach der in Beispiel 2 beschriebenen Ausführungsform der Erfindung wird als Komplexbildner ein Alkalimetallhalogenid und als Lösungsmittel ein Keton verwendet. Die hergestellte Schicht besitzt schon vor der Entfernung des Komplexbildner eine günstige Leitfähigkeit.
Beispiel 2
Die folgenden Schichten wurden nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren hergestellt und geprüft. Dabei wurden dieselben Gewichtsmengen fester Bestandteile verwendet» jedoch wurden 25 ml Aceton und kein Cyclohexanon verwendet. Der Oberflächenwiderstand der nicht ausgewaschenen Schicht betrug 7,0 . 10 Ohm pro Quadrat bei einer relativen Luftfeuchtigkeit von 29 fit während die Messung der ausgewaschenen Schicht einen Alert von 4*6 10 Ohm pro Quadrat bei 29 Ί° RP ergab. In gleicher Weise wurden Schichten aus Cyclohexanon als Lösungsmittel hergestellt. Es wurden ähnliche Ergebnisse erhalten*
209812/1199 ^D 0RIG'NAL;
Beispiel 3
Nach dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurden 1,4 g Silberjodid, 0,45 g Kaliumiodid, 40 ml Methyläthylketon, 8 ml Äthylalkohol, 20 ml Benzol und 1,0 g PoIyviriylphthalat gemischt und als Schicht auf einen Träger aufgetragen. Zur Herstellung der Elektroden für die Prüfung des Oberflachenwiderstandes der Schicht wurde eine Dispersion ron Graphit in Mineralspiritus verwendet. Der Oberflächenwiderstand der Schicht betrug nach dem Auswaschen mit Wasser 5,4 . 10 0hm pro Quadrat bei 15 1° RH, Eine andere, unter Verwendung von Diäthylketon, n-Propanol und n-Heptan als Lösungsmittel hergestellte Schicht, ergab ähnliche Ergebnisse·
Beispiel 4
Das Beispiel beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer leitenden Schicht ohne Verwendung eines Ketons als Lösungsmittel. Es wurde eine BeschichtungslÖsung aus 0,75 g Silberjodid, 0,25 g Natriumiodid, 50 ml Methylcellosolve, 10 ml n-Propanol und 0,5 g Polyvinylformal (Formvar 12/85 Shawinigan Resins Company) hergestellt. Die Löaung wurde nach dem Wirbelbeschichtungsverfahren auf ein· Polyesterfolie (Typ Mylar) aufgetragen und 10 Hinuten bei 1250C getrocknet. Danach wurde 10 Minuten lang bei .Raumtemperatur mit Wasser gewaschen· Man erhielt eine durchsichtige Schicht alt einem Oberflächen-
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-H-
widerstand von 3 * 108 Ohm pro Quadrat bei 15% RH.
Außer den Alkalimetallhalogenide!! und Ammoniumhalogeniden eignen sich als Komplexbildner zur Auflösung von Silberjodid und anderen Semikonduktorverbindungen z. B. auch die Metallhalogenide der Gruppen 2A und 3A des periodischen Systems der Elemente. Dabei wird vorzugsweise mit Ketone enthaltenden Lösungsmitteln oder aus Ketonen bestehenden Lösungsmitteln gearbeitet. Um Silberjodid in Ketonlösungsmitteln komplex zu lösen, kann auch Jodwasserstoff yerwendet werden. Jodwasserstoff hat dabei den Vorteil» beim Trocknen der Schicht zu verdampfen, so daß in diesem fall der Komplexbildner nicht durch Auswaschen mit Wasser entfernt werden muß.
Eine Mischung aus 0,5 g Silberjodid, 0,75 ml einer 50?tigen wässrigen Jodwasserstofflösung, 5 ml Aceton und 55 ml Methyläthylketon wurde so lange gerührt, bis sich das Silberjodid gelöst hatte. Danaoh wurden 0,25 g PoIymethylmethaerylat zugesetzt· Die Lösung wurde filtriert und nach dem »irbelbeschichtungsverfahren auf einen PoIyäthylenterephthalatfilmträger aufgebracht. Die Schicht wurde 20 Minuten auf 800C erhitzt. Der Oberflächenwiderstand betrug bei 45?» RF 2,0 · 10 Ohm pro Quadrat und
2,3 * 10 0hm pro Quadrat im Hochvakuum.
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Zur Auflösung von Silberjodid können auch quaternäre Ammoniuinjodidverbindungen verwendet werden. Ale Komplexbildner kommen dabei beispielsweise in Präge: N-JIethyl-Ν,Ν, B-Trididecylammoniumiodid und N,N-Dimethyl-N, N-Didodecylammoniumiodid.
Eine andere, besondere vorteilhafte Semikonduktorverbindung ist Cu-I-Jodid. Diese Verbindung kann durch Zugabe von Alkalimetallhalogeniden oder Ammoniumhalogeniden, Jodwasserstoff oder anderen Halogenwasserstoffen in Ketonlösungsmitteln sowie durch andere komplexbildende Verbindungen in verschiedenen Lösungsmitteln komplex gelöst werden·
Nach dem Verfahren der Erfindung können leitende Schichten unter Verwendung eines Komplexbildnerβ auch aus wässrigen Lösungsmittelsystemen hergestellt werden. Im folgenden Beiepiel wird ein Kupfer-I-Thioeulfatkomplex in wässriger Lösung mit einem wasserlöelichen Bindemittel verwendet.
Beispiel 5
Eine aus 1,5 g Kupfer-I-Jodid, 0,6 ml Ammoniumthioeulfat, 1,0 g wasserlöslichem Celluloseacetat mit einem Acetylgehalt Ton 16,7 ^ und 60 ml destilliertem Wasser bestehen-, de Lösung wurde nach den Wirbelbeechichtungsverfahren auf
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einen Polyesterträger (Mylar) aufgetragen und 5 Minuten bei 15O0C getrocknet. Der Oberflächenwiderstand betrug bei 13 ^ BF 2,7 * 1Cr Ohm pro Quadrat. Andere, im Rahmen eines wässrigen* Lösungsmittelsystems geeignete schichtbildend« Bindemittel sind z. B.i Polyvinylalkohol, Potyvinylmethyläthermaleinsäure, Polyäthylen-Maleinsäure, Methylcelluloee, Carboxymethylcellulose und Gelatine· Zur Herstellung leitender Überzüge sind auch Gemisch· einer wässrigen Lösung einer Semikonduktorverbindung mit der wässrigen Lösung oder Dispersion eines Latex, beispielsweise eines Styrolbutadienlatex (Dow Latex 512R), geeignet. Nach dem Auftragen und Trocknen des Gemisches kann dit Leitfähigkeit der Schicht dadurch erhöht werden, daß man sie einige Minuten lang erhöhten Temperaturen ron etwa 15O0C aussetzt.
In Beispiel 6 wird eine weitere Ausführungsform des Verfahrens der Erfindung beschrieben, bei der als Komplex-Bildner und Lösungsmittel für die 8eaikonduktorverbindun$ ein Mitril verwendet wird. Ganz allgemein können flüchtige flüssige Nitrile sowohl als Komplexbildner als auch als Lösungsmittel verwendet werden. Die Nitrile können β. B. sur Auflösung und Komplexbildung von Kupfer-I-Jodid, Kupferjodomerkurat und dergl* verwendet werden.
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Beispiel 6
1,4 g Kupfer-I-Iodid wurden unter Eiihren in 53 ml Acetonitril gelöst, worauf 7 ml einer 5^igen Lösung Ton Celluloseacetatbutyrat in Acetonitril zugegeben wurden. Räch dem Filtrieren wurde die Lösung auf einem Polyesterfilm aufgebracht und 10 Hinuten lang bei 1000C getrocknet. Die Schicht war nach dem Trocknen durpheichtig und besaß einen Oberflächenwiderstand von 6,9 · 10 Ohm pro Quadrat. Nachdem die Schicht 24 Stunden lang bei Raumtemperatur aufbewahrt worden war, betrug der Oberflächenwiderstand 9,0 · 10* Ohm pro Quadrat. !fach 9 Monaten betrug der Oberflächenwiderstand derselben Schicht 8,5 ♦ 103 Ohm pro Quadrat bei 37 $ ΗΪ und 7,7 . 105 Ohm pro Quadrat in Hochvakuum (bei 1,5 . 10 mm Quecksilber)·
In Beispiel 7 wird ein Verfahren beschrieben, bei dem zur Lösung des Bindemittels, das in dem flüchtigen komplexbildenden flüssigen Nitril nicht gut löslich ist, ein Lösungsmittelgemisoh verwendet wird.
Beispiel 7
0,6 g Kupfer-I-Jodid wurden unter Rühren in 31 ml Acetonitril gelöst, worauf unter fortgesetztem Rühren langsam 23 ml Äthylenchlorid zugesetzt wurden. Bann wurden 6 ml einer 5%igen Lösung von Polyvinylchloridacetat
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(YHCH) in Äthylenchlorid langsam und unter fortdauerndem Rühren zugesetzt· Die Lösung wurde filtriert und danach nach dem Wirbelbeschiahtungererfahren auf eine Polyeeterfolie aufgetragen. Mach dem Trocknen wurde 10 Hinuten lang auf 10O0C erwärmt. lach Liegenlassen Über Nacht bei Raumtemperatur besaß die Schicht einen Oberflächenwider8tand von Ö.5 . 10 Ohm pro Quadrat.
Bei den in den Beispielen 6 und 7 beschriebenen Verfahren kann das Acetonitril durch andere Nitrile wie fropionitril sowie andere flüchtige, flüssige Nitrile ersetzt werden.
Andere Verbindungen, die Kupfer-I- und Silberhalogenide unter Komplexbildung lösen, sind z. B. Trialkylphosphite, bei denen die Alkylreste 1 bis 5 Kohlenstoffatome enthalten. Dabei bilden sich Komplexe, die in den verschiedensten organischen Lösungsmitteln löslich sind. Als Lösungsmittel eignen sich neben Ketonen chlorierte Kohlenwasserstoffe, CellOBOlrelösungsmittel und dergl. Vorzugsweise werden als Komplexbildner flüchtige Trialkylphosphite verwendet, die beim Verdampfen der Lösungsmittel aus der Schicht mitrerdampfen, so daß zur Entfernung dieser Komplexbildner ein Auswaschen nicht erforderlich ist.
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Beispiel 8 r
Zu 50 si Methyläthylketon und 1,5 ml Triaethylphosphit wurden 0,7 g Kupfer-I-Iodid gegeben. Das Gemisch/ wurde so lange gerührt, bis sich fast die ganse Festsubstanz gelöst hatte. Dann wurden 10 ml einer 5£igen Lösung eines Terpolymeren, und zwar Poly(acrylnitril-Vinylidenchlorid-Acrylsäure) in einem aus 90 > Methyläthylketon und 10 jC Cyclohexanon bestehenden Lösungsmittelgemisch zugegeben. Die Lösung wurde unter Rühren auf etwa 40 C erhitst, filtriert und nach dem Wirbelbese'hichtungsYerfahren auf eine Polyesterfolie (TJrp Mylar) aufgetragen« lach dem Beschichten wurde die Folie 10 Minuten lang auf 1050C erwäret. Man erhielt eine fast durchsichtige Schicht, deren Oberflächenwiderstand 9,1 · 10 0ha pro Quadrat betrug« Mach 24 Stunden betrug der Oberflächenwiderstand 1,4 . 105 Oba pro Quadrat, nach weiteren 2 Monaten 2,0 ♦ 10^ 0ha pro Quadrat·
Beispiel 9
0,6 g Iupfer-I-Jodid wurden in 52 al 2-Methoxyäthanol gelöst, dem 1,0 ml Trimethylphopb.it und 8 al einer Polyrinylforaallosung zugesetzt wurden. (5% Formrar 12/85 in 2-Methoxyäthanol). Die Lösung wurde filtriert und nach dea WirbelbesehiohtungsTerfahren auf eine Polyesterfolie aufgebracht« lach dem Trocknen wurde die Folie 10 Minuten lang auf 1050C erhitzt. Danach betrug der Oberflächenwiderstand 5,7 · 10 Ohm pro Quadrat und nach
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weiteren 24 Stunden frx 10> Ohm pro Quadrat,
Beispiel 10
Zu 50 ml Methylethylketon und 1,0 ml Trimethylphosphit wurden 1,5 g Silberjodid gegeben, worauf daa Gemisch so lange gerührt wurde, bis sich das Jodid gelöst hatte« Bann wurden 10 ml einer·5^igen Lösung von Polymethylaethacrylat (Lucit 41) in Me"thyläthy!keton zugesetzt* Di« Xaeung wurde nach dem WirbelbeschichtungsTerfahren auf eine JPolyesterfolie aufgebracht. Es wurde eine durchsichtige Schicht mit einem Oberflächenwideretand τοη 2>0
♦ 10 0hm pro Quadrat erhalten*
Zur Auflösung von Kupfer-I-Jodid können als Komplexbildner x* B« auch Diäthyleulf id sowie andere Dialkyleulfide ■it 1 bis 5 Kohlenstoffatome enthaltenden Alkylresten Terwendet werden. Die dabei entstehenden Komplexe sind in rerschiedenen Organischen Lösungsmitteln; z» B* in chlorierten Kohlenwasserstoffen und dergl. löslich.
Beispiel 11
Zu 50 ml Äthylenchlorid und 1,5 al Diäthylsulfid wurden 0,7 g Kupfer-I-Jodid zugesetzt, worauf das Gemisch so lange gerührt wurde, bis sich fast das gesamte Jodid gelöst hatte· Dann wurden 10 ml einer 5^igen Lösung eines
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Polyesterbindemittels (DuPont 49 000) in Äthylenchlorid zugesetzt, worauf die Lösung nach dem WirbelbeschiehtungB-verfahren auf eine Polyesterfolie aufgetragen wurde. Hachdem die Schicht 10 Minuten lang auf 1250C erhitzt worden warr war sie durchsichtig und besaß einen Oberflächen-
widerstand von 6,5 . 10 Ohm pro Quadrat., Nach 24-stündigem Aufbewahren bei Raumtemperatur betrug der Oberflächenwiderstand der Schicht 3,6 . 10 0hm pro Quadrat.
Kupfer-I-Jodid, Silberjodid und andere Semikonduktorverbindungen können auch $it flüchtigen primären, sekundären und tertiären Alkylaminen mit Alkylresten von 1 bis 5 Kohlenstoffatomen als Komplexbildner gelöst werden. Sie mit diesen Aminen gebildeten Komplexe sind im allgemeinen in flüchtigen Ketonlöeungsmitteln löslich.
Beiapi·! 12
Kupfer-I-Jodid wurde in 50 ml Methyläthyliceton, das 5,5 ml Triethylamin enthielt, gelöst· Danach wurden 10 ml einer öligen Terpolymerlösung, (Polymethylacrylat-Vinylidinchlorid-Itaconsäure) in einem Gemisch bestehend aus 90$ Methylethylketon und 10# Cyclohexanon zugesetzt. Die Lösung wurde filtriert und danach nach dem Wirbelbeschichtungsverfahren auf eine Polyesterfolie aufgetragen. Die durchsichtige, nicht getrocknete Schicht besaß nach ihrer Herstellung einen Oberfläcnenwiderstand
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τοπ 3 · 10 Ohm pro Quadrat. Räch 3 Tagen betrug der Oberflächenwiderstand 1,3 · 10 Ohm pro Quadrat. Nachdem die frisch hergestellte Schicht 10 Minuten lang auf 1050C erhitzt worden war, betrug der Oberflächenwiderstand 3 · 10 Ohm pro Quadrat« Nach 3 Tagen zeigte dieselbe Probe einen Oberflächenwiderstand von 5,2 . 10 Ohm pro Quadrat.
Beiapi·! 13
1,5 g Silberiodid wurden in einem aus 25 ml Aceton, 25 ml Methylätbylketoß und 490 ml K-Butylamin bestehenden Gemisch gelöst« Danach wurden 10 ml einer 5#igen tos Poly vinylacetat (Vir.yiit ΑΪΑΤ) in Aceton
Mm DiiäSfüßg τΐηζά® filtriert and danach nach dem firbelbeaohichtuuge^erfahr©» auf eine Polyesterfolie aiifgetragent ^otesi toi. obaji her mit einer Lampe und einem erhitzt lurde. Masa d«m Trocknen wurde die Folie
10 Minuten lant auf 105eS erhitst» Banaeh wurde ein
Oberflächenwlderstand von 7»6 * 10 Ohm pro Quadrat ge messen«
line na£h &®m Ve^fahreii der %T£tmaumg herstellbare leitende Schicht kaan z* IU in elektrophoto^raphiechen EIe e:-ii Ir. äer USA-fatentsohrift Mr. 2 833 675
E w .rdsn, saater elnej.· photeleitfLihl^en Schlchv
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als leitende Schicht Terwendet werden. Weiterhin kann z. B. bei der nach der USA-Patentschrift 2 797 331 herstellbaren elektronenempfindlichen photographischen Platte der leitende Graphitüberzug und bei der nach der USA-Patentschrift Hr. 2 748 288 herateilbaren elektronischen Aufnahmeplatte der leitende Metallüberzug durch eine, nach dem Verfahren der Erfindung herstellbare Schicht ersetzt werden. Ferner können die Schichten als leitende Unterschichten bei nach der USA-Patentschrift 2 555 321 herstellbaren Faksimile-Aufnähmepapieren sowie auf einem isolierenden Träger aufgetragen werden, anstelle der in der USA-Patentschrift 3 075 859 beschriebenen leitenden Träger. Schließlich können die leitenden Schichten bei Aufnahmematerialien verwendet werden, die in der USA-Patentschrift 3 118 787 beschrieben werden. Die leitende Schicht kann auch ein alkalilösliches Bindemittel enthalten, so daß die Schicht beispielsweise durch alkalisch reagierende photographische Entwicklerlösungen entfernt werden kann. Statt durch Verwendung eines in alkalischem Medium löslichen Bindemittels kann die leitende Schicht auch mittels einer zwischen dem Träger und der leitenden Schicht angeordneten Abstreiftehicht entfernt werden. Außerdem kann ein alkalilösliches Bindemittel noch zusätzlich eine solche Abstreifschicht enthalten. Zur Herstellung einer solchen alkalilöslichen Abstreifschicht ist beispielsweise eine 1#Lge wässrige Polyrinylnethyl-
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äther-Maleinsäurelösung besondere 'geeignet.
Nach dem Verfahren der Erfindung können extrem dünne leitende'Schichten von nur 200 Angströmeinheiten Stärke hergestellt werden. Zur Herstellung antistatischer Schichten für photographische Filme kann die leitende Schicht entweder direkt auf der Oberfläche oder als Unterschicht aufgetragen werden. Man kann sie zusammen mit dem lichtempfindlichen Material auf einer Seite des Trägers oder auf dessen Rückseite, gegenüber dem lichtempfindlichen Material, aufbringen.
Wie die vorangegangenen Beispiele zeigen, können zur Herstellung leitender Schichten verschiedene Komplexbildner, Semikonuktorverbindungen, Lösungsmittel und Bindemittel verwendet werden· Um die Vielseitigkeit des Verfahrene der Erfindung zu veranschaulichen, wurden diese Verbindungen in verschiedenen Kombinationen verwendet.
Sie nach dem Verfahren der Erfindung herstellbaren leitenden Schichten können beständig oder durch Entwicklerlösungen entfernbar sein, sie können auf vielen Trägern als antistatische, elektrisch leitende Oberflächen oder als Unterschichten aufgetragen werden· Insbesondere können sie zur Herstellung einer leitenden Oberflächenschicht avf einem isolierenden Träger verwendet werden« Beispieleweise können die leitenden Schichten auf einem Isolieren-
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den Träger ala Elektroden aufgebracht werden, um für anschließende elektrophoretisch aufgebrachte Schichten die leitende Unterschicht zu bilden. Auf diese Weise kann die Oberfläche von isolierenden, syrnthetischen Harzen mit Metall überzogen werden. Bei der Herstellung elektrischer Kondensatoren, Resistoren und anderer elektrischer und elektronischer Gegenstände können leitende Schichten als dünne leitende Elektroden verwendet «erden·
Die Schichten können als antistatische überzüge von photographischen Platten oder von Magnettonbändern verwendet werden. Außerdem eignen sie sich zur Herstellung antistatischer Überzüge auf synthetischen Fasern und Fäden, Geweben, Teppichen und dergl. Im allgemeinen aber nicht notwendigerweise werden die leitenden Schichten auf isolierenden Oberflächen aufgetragen. Bas zur Herstellung der leitenden Schicht verwendete Bindemittel kann/ bestimmten Hafteigenschaften ausgewählt werden, um auf ; der Trägeroberfläche eine &ute Adhäsion zu erreichen* ; Gegebenenfalls können zur Verbesserung der Adhäsion Lösungsmittel zur Aufweichung oder teilweisen Lösung der Trägeroberfläche verwendet werden· Auch kann es vorteilhaft sein, zwischen Trägeroberfläche und leitender Schicht eine Hilfsträgerachicht oder eine Schutzschicht einzuführen. Zur Verbesserung der Adhäsion kann eine besondere
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behandlung der Trägeroberfläche vorteilhaft sein.
Beispiel 14
In einem Gemisch aus 200 ml Methyläthy!keton und 4,0 ml Trimethylphosphit wurden 2,4 g Kupfer-I-Jodid gelöst, Sarauf wurden 40 ml einer 57&igen Lösung von einem aus Poly(methylaerylat-Vinylidenchlorid-Itaeonsäure) bestehenden Terpolymeren in einem aus 90 $> Methyläthylketon und 10 % Cyclohexanon bestehenden Lösungsmittelgemiseh zugesetzt. Die filtrierte Lösung wurde mit Hilfe einer Beschichtungsmaschine durch Badbeachichtung auf eine Polyesterfolie aufgetragen, so daß ein Überzug entstand, der 5 mg Kupfer pro 929,03 cm enthielt. Die Schicht wurde bei 11O0C getrocknet und dann 10 Minuten lang bei 120°C nachbehandelt· Die entstandene Schicht war durchsichtig und besaß einen Oberflächenwiderstand von 1,7 . 10 0hm pro quadrat. Die leitende Schicht wurde darm mit einem in einem Keton gelösten Polymeren aus Vinylit VMGH überschichtet. Diese Schutzschicht wurde bei 950C getrocknet und 4 Minuten lang auf 1000C nacherhitzt. Diese Schicht diente als Trennschicht zwischen der Kupferjodidschioht und der photographischen Silberhalogenidemulsionsohiiht. Zur Verbesserung der Adhäsion wurde auf die Schutzschicht eine dünne Hilfsträgerschicht aus Cellulosenitrat (aus einer 1,4#igen Lösung in Methanol) aufgebracht. Diese Hilfsträgerschicht wurde dann mit einer Gelatinehilfs-
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trägerschicht und mit einer photographischen Gelatinesilberhalogenidemulsion nach Lippman überschichtet. Obwohl die leitende Schicht mit A isolierenden Schichten überschichtet wurde, war der Oberflächenwiderstand der äußereten Oberfläche beträchtlich geringer al« 10 Ohm pro Quadrat. Ohne die leitende Schicht war der Oberflächenwiderstand der äußersten Schicht größer als 10 Ohm pro Quadrat. Eine solche Folie eignet sich insbesondere für eine direkte Elektronenaufzeichnung, was üblicherweise im Vakuum erfolgt· So lassen sich derartige Folien z. B. als Aufnahinefilme in einem Elektronenmikroskop verwenden. Durch den niedrigen Oberflächenwiderstand wird eine Anhäufung τοη Elektronen und die dadurch bewirkte Zerstörung des Bildes durch den Elektronenstrahl rerhindert. Für direkte Elektronenaufnahmen eignen sich wegen der außerordentlich großen Vakuumatabilität aus Polyester (z.B. Mylar) bestehende Filmträger ganz besonders* Bei der Herstellung ron Vakuuafilmen ist es zweckmäßig, bei allen aufeinanderfolgenden Schichten die Lösungsmittel sorgfältig au entfernen, da restliche flüchtige Bestandteile den FiIa la Yakkum zerstören können. Schließlich kann ein photographischer film nach dem in Beispiel H beschriebenen Verfahren hergestellt werden, bei dem jedoch die Hllfsträgerschicht und die photographischen Emulsionsschichten auf der der leitenden Schicht gegenüberliegenden Seite des Trägers angeordnet sind· Dabei wird die leitende Schicht als antistatische Rückechioht
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des photographischen Films verwendet. Bei einer solchen Ausfiihrungsform kann auf eine Grenzschicht verzichtet werden. Es ist jedoch zweckmäßig, die leitende Schicht vor Entwicklerlösungen zu schützen. Eine dünne, z. B. 1 bis 2 Mikron starke, auf die leitende Schicht aufgebrachte Schutzschicht, die sogar aus einem isolierenden Material bestehen kann, beeinträchtigt die antistatische Wirkung der leitenden Schicht nicht.
Der nadh dem in Beispiel H beschriebenen Verfahren hergestellte, mit der leitenden Schicht versehene Träger kann mit oder ohne Schutzüberzug als leitender Untergrund bei der herstellung elektrophotographischer Materialien verwendet werden· Zur Herstellung von photoleitfähigem Aufnahmematerial kann ζ. B. ein nach Beispiel H hergestelltes leitendes Material mit einer photoleitfähigen Isolierschicht beschichtet werden, die aus z. B. einer Dispersion von photoleitfähigem Zinoxyd oder einer photoleitfähigen organischen Verbindung in einem isolierenden Harsbindemittel besteht.
Beispiel 15
Dieses Beispiel beschreibt die Herstellung eines für eine direkte Elektronenaufnahme geeigneten Films» bei dem die leitende Schicht über der empfindlichen Emulsionsschicht angeordnet ist.
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Ein mit einer Hilfstrageschicht versehener Polyethylenterephthalat filmträger wurde mit einer feinkörnigen SiI-berbromid^odidemulsion von hohem Auflösungsvermögen und niedrigem Gelatinegehalt beschichtet. Die Emulsion enthielt 80 g Gelatine pro Mol Silber, Saponin als Beschichtungshilfe, Mucochlorsäure als Gelatinehärtungsmittel und
2 ein Schutzmittel. Die Schicht enthielt auf 929,03 cm 252 mg Silber· Diese lichtempfindliche Schicht wurde mit einer aus gehärteter Gelatine bestehenden Schicht von 90,8 mg Gelatine auf 929,03 cm iiberschichtet. Dieee gehärtete Gelatineschicht wurde mit einer aus 7,5 g Kupfer-I-Jodid, 0,75 g Bindemittel und 491»7 g Acetonitril hergestellten leitenden Schicht iiberechichtet, die auf
929,03 cm 5 mg Kupfer-I-Jodid enthielt, was in getrocknetem Zustand einer Schichtdicke von 0,1 Mikron entsprach· Die Schicht wurde bei der Temperatur der umgebenden Luft getrocknet. Die äußere Schicht war leitend, fast klar und durchsichtig. Das Bindemittel bestand aus einem aus Polyvinylacetat und Crotonsäure bestehenden Mischpolymerisat* Die äußerste leitende Schicht verhinderte die Anhäufung statischer Aufladungen, während der FiIm einer direkten jileictronenbestrahlung ausgesetzt wurde und war für photographische Entwickler und Fixierlöeungen durchlässig· Die Hilfeträgerschicht auf dem Polyeeterträger bestand au· einem Terpolymeren aus Vinylmethylacrylat, Vinylidenchlorid
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und Itaconsäure,
Beispiel 16
Nach dem in diesem Beispiel beschriebenen Verfahren wurde ein transparenter elektrostatischer Aufnahmefilm hergestellt.
Eine 0,1270 mm starke Polyäthylenterephthalatfolie wurde mit einer aus 1 g Polyvinylformalharz, 3,3 g eines Vernetzungsmittel und 6 g Kupfer-I-Jodid in 242 g Acetonitril bestehenden Schichtlöeung beschichtet. .Das Polyvin.ylformalharse (Jormvar 7/70, Hersteller Shawinigan Resin Co.) enthielt 5 bis 7 ί> Polyvinylalkohol und 40-50 jL Polyvinylacetat. Das Vernetzungsmittel (läondur CB-75, Herateller Mobay Chemical Company, USA) bestand aus einem quervernetzenden Polyiaocyanat mit 75 $ Pestsubstanz, 13 i» Isoc^anat und 1 i> freiem Tulylendiiaocjanat in Athylacetat.
Die Lösung wurde in einer Schichtdicke von 5 mg pro
929,03 cm aufgetragen und bei Raumtemperatur an der Luft getrocknet. Dabei wurde auf dem Filmträger eine leitende Schicht erhalten, die dann mit einer Lösung aus 10 ^ eines Polyvinylbutyralharzea in 90 g Toluol beschichtet
2 wurde, so dali eine Schichtdicke von 0,4 & pro 929,03 cm erzielt wurde. Nach dem Verdampfen des Lösungsmittels an der Luft bei Raumtemperatur blieb eine in hohem Maße dielektrische Schicht zurück. Das Polyvinylbutyralharz (Butvar B 76» Hersteller Shawinigan Resin Co.) bestand aus
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9 bis 13 # Polyvinylalkohol, 2,5 % Polyvinylacetat und 84,5 bis 88,5 # Polyvinylbutyral. Die isolierende Wirkung dieser Schicht war so groß, daß ein Verlust elektrostatischer Ladungen durch Abfließen auf die leitende Schicht verhindert wurde. Ein solcher Film eignet sich beispielsweise zur Verwendung bei den in den USA-Patentschriften Nr. 2 933 556, Nr. 2 919 170 und 2 931 688 beschriebenen elektrostatischen Kopierverfahren.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1« Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten aus einer ein Metall enthaltenden Semikonduktor-▼erbindung und einem Bindemittel auf elektrisch isolierenden Oberflächen, dadurch gekennzeichnett daß die .Semikonduktorrerbindung mittels eines Komplexbildners in einen in einem Lösungsmittel löslichen Komplex Uberflihrt und in einem fluchtigen Lösungsmittel gelöst wird, daß dieser Lösung ein in dem Lösungsmittel lösliches Bindemittel zugesetzt und die erhaltene Lösung auf die zu beschichtende Oberfläche aufgetragen wird, und daß das fluchtige Lösungsmittel sowie gegebenenfalls zusätzlich der Komplexbildner aus der Schicht entfernt wird.
    2# Verfahren nach Anspruch 1» dadurch gekennzeichnet, daß man da· Lösungsmittel mit dem Komplexbildner abdampft·'
    3· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den Komplexbildner nach Abdampfen des Lösungsmittels aus der Schicht mit einem das Bindemittel und die Semikonduktorrerbindung nichtlösenden Lösungsmittel herauslöst.
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    4. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß man als Seinikonduktorverbindung SiI-beriodid oder Cuprojodid verwendet.
    5. Verfahren nach Ansprüchen 1 bia 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Komplexbildner verwendet wird, in dem der aus Komplexbildner und Semikonduktorverbindung gebildete Komplex löslich ist«
    6. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 5f dadurch gekennzeichnet, daß als Komplexbildner ein flüchtiges flüssiges Nitril verwendet wird.
    7. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß als Komplexbildner ein Alkalimetallhalogenid, ein Ammoniumhalogenid oder ein Halogenwasserstoff verwendet wird.
    8. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel ein Keton verwendet wird.
    9. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß man solche Mengen der Semikonduktorverbindung löst, daß diese 15 bis 90 Volumenprozente der elektrisch leitenden Schicht ausmacht.
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    10· Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 9« dadurch gekennzeichnet, daß man ein in alkalischer Lösung lösliches Bindemittel verwendet·
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DE19651519124 1964-04-20 1965-04-14 Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender Schichten auf elektrisch isolierendenOberflaechen Pending DE1519124A1 (de)

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