CN2893922Y - 改进型大功率引线框架 - Google Patents

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曹光伟
段华平
曹前龙
何宏伟
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Abstract

一种改进型大功率引线框架，由散热固定部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接成一体构成，所述芯片部两边缘阶梯面上有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由凹槽组成的边框，边框内又有截面为梯形的由凹槽点纵横向经规则排列构成的凹点面。这样便于塑封料的填充和镶嵌，增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性。同时又增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现，使半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。

Description

改进型大功率引线框架
技术领域
本实用新型涉及一种半导体分立器件，特别是一种用于制作半导体元件的改进型大功率引线框架。
背景技术
现有技术中TO-220-5L引线框架的结构如图4所示，引线框架的散热固定部、芯片部、中间管脚及4个侧管脚为一连续的整体结构，构成引线框架的各组成部分的形状简单、表面光滑。又因引线框架与塑封料所用材料特性的不同和热膨胀系数的差异，引线框架与芯片和塑封料间的结合力很差，使其密封强度大大降低，直接影响了半导体元件的性能、质量和使用寿命。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种改进型大功率引线框架，既可增强引线框架与塑封料、芯片间的结合力和密封强度，又可延长其的使用寿命。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：改进型大功率引线框架由散热固定部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接成一体构成，所述芯片部的两边缘阶梯面有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由凹槽组成的边框，边框内又有由凹槽点经规则排列构成的凹点面。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于，现有的引线框架形状简单、表面光滑、线条单一，因此和塑封料结合力很差、密封强度低，现在引线框架芯片部边缘上增加半圆形的缺口，芯片部内与芯片相对应位置增加由凹槽组成的边框，便于塑封料的填充和镶嵌，这样就增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性。边框内又有截面为梯形的凹槽点横纵均布、规则排列构成的凹点面，增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现。本改进型大功率引线框架使整个半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。
附图说明
图1、本实用新型的结构示意图。
图2、图1的A-A剖面放大图。
图2、图1的A-A剖面放大图。
图3、凹槽点正面放大视图。
图4、现有技术结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步描述。
引线框架由散热固定部1、芯片部7和中间脚8连为一体的主体，在后续封装工艺中再与4个侧管脚9、10连为一体组成。
在芯片部7的两边缘阶梯面2上有两半圆形的缺口3，如图1所示。
在芯片部7装片面中间有由连续的V形凹槽11构成的方形边框4，边框4内有截面为梯形凹槽点5，如图3所示，凹槽点5均布、横纵向排列构成方形凹点面6，如图1、图2所示。
V形凹槽11的夹角θ在85～95度间，梯形凹槽5的深度h和底边宽度相等，深度h在0.10～0.14毫米间。
塑封料在此引线框架上封装芯片时，充满芯片部7的两边缘阶梯面缺口3内和边框4内，由于这些填充和镶嵌使得塑封料和引线框架的结合更加牢固、密封更为良好。芯片结合料填充进芯片部7上各梯形凹槽点5中，增强了引线框架与芯片之间的结合力。

Claims (4)

1、一种改进型大功率引线框架，由散热固定部(1)、芯片部(7)、中间管脚(8)、侧管脚(9)、(10)连接成一体构成，其特征在于所述芯片部(7)的两边缘阶梯面(2)上有缺口(3)，芯片部(7)上与芯片相对应位置上有由凹槽(11)组成的边框(4)，边框(4)内又有由凹槽点(5)经规则排列构成的凹点面(6)。
2、根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于芯片部(7)的两边缘阶梯面(2)上有两半圆形的缺口(3)。
3、根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于芯片部(7)装片处中间有由连续的V形凹槽(11)构成的方形边框(4)，边框(4)内有截面为梯形的凹槽点(5)横纵向均布排列组成方形凹点面(6)。
4、根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于V形凹槽(11)的夹角θ在85～95度间，梯形凹槽(5)的深度h和底边宽度相等，深度h在0.10～0.14毫米间。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100464416C (zh) * 2007-04-29 2009-02-25 江苏长电科技股份有限公司 防止半导体塑料封装体内元器件分层的封装方法
CN100466245C (zh) * 2007-04-29 2009-03-04 江苏长电科技股份有限公司 有效改善半导体塑料封装体内元器件分层的封装方法
CN102064151A (zh) * 2010-11-08 2011-05-18 宁波康强电子股份有限公司 用于制造半导体分立器件的引线框架及其制作方法
CN102184907A (zh) * 2011-04-19 2011-09-14 无锡红光微电子有限公司 To3p防水密封引线框架
CN102194789A (zh) * 2011-04-19 2011-09-21 无锡红光微电子有限公司 防水密封引线框架
CN102790036A (zh) * 2012-08-03 2012-11-21 无锡红光微电子有限公司 Sot89-5l封装引线框架
CN102956573A (zh) * 2012-11-19 2013-03-06 无锡九条龙汽车设备有限公司 一种稳固结构三极管
CN103531566A (zh) * 2013-10-28 2014-01-22 沈健 一种mos器件用的引线框架
CN103617982A (zh) * 2013-11-08 2014-03-05 张轩 一种带麻点的塑封引线框架
CN108281407A (zh) * 2017-01-05 2018-07-13 意法半导体公司 具有粘合剂溢流凹部的经修改的引线框架设计
CN109698182A (zh) * 2018-12-28 2019-04-30 珠海锦泰电子科技有限公司 一种大功率整流二极管用封装框架

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100466245C (zh) * 2007-04-29 2009-03-04 江苏长电科技股份有限公司 有效改善半导体塑料封装体内元器件分层的封装方法
CN100464416C (zh) * 2007-04-29 2009-02-25 江苏长电科技股份有限公司 防止半导体塑料封装体内元器件分层的封装方法
CN102064151B (zh) * 2010-11-08 2014-01-22 宁波康强电子股份有限公司 用于制造半导体分立器件的引线框架及其制作方法
CN102064151A (zh) * 2010-11-08 2011-05-18 宁波康强电子股份有限公司 用于制造半导体分立器件的引线框架及其制作方法
CN102184907A (zh) * 2011-04-19 2011-09-14 无锡红光微电子有限公司 To3p防水密封引线框架
CN102194789A (zh) * 2011-04-19 2011-09-21 无锡红光微电子有限公司 防水密封引线框架
CN102790036A (zh) * 2012-08-03 2012-11-21 无锡红光微电子有限公司 Sot89-5l封装引线框架
CN102956573A (zh) * 2012-11-19 2013-03-06 无锡九条龙汽车设备有限公司 一种稳固结构三极管
CN103531566A (zh) * 2013-10-28 2014-01-22 沈健 一种mos器件用的引线框架
CN103617982A (zh) * 2013-11-08 2014-03-05 张轩 一种带麻点的塑封引线框架
CN108281407A (zh) * 2017-01-05 2018-07-13 意法半导体公司 具有粘合剂溢流凹部的经修改的引线框架设计
US10957634B2 (en) 2017-01-05 2021-03-23 Stmicroelectronics, Inc. Modified leadframe design with adhesive overflow recesses
CN108281407B (zh) * 2017-01-05 2021-10-22 意法半导体公司 具有粘合剂溢流凹部的经修改的引线框架设计
US11552007B2 (en) 2017-01-05 2023-01-10 Stmicroelectronics, Inc. Modified leadframe design with adhesive overflow recesses
CN109698182A (zh) * 2018-12-28 2019-04-30 珠海锦泰电子科技有限公司 一种大功率整流二极管用封装框架

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