CN2929961Y - 改进型三极管引线框架 - Google Patents

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曹光伟
张春光
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Abstract

一种改进型三极管引线框架，由散热部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接成一体构成，所述散热部和芯片部间的连接处颈部开有通孔，所述芯片部两边缘阶梯面上还开有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由横向、纵向的凹槽构成的网格。现在引线框架封装芯片处的芯片部周边配合处增加腰形通孔，边缘上增加半圆形缺口，便于塑封料的填充和镶嵌，即增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性。另在芯片部装片面上增加网格，增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现，使整个半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。

Description

改进型三极管引线框架
技术领域
本实用新型涉及一种半导体分立器件，特别是一种用于制作半导体元件的改进型三极管引线框架。
背景技术
现有技术中TO-251引线框架的结构如图4所示，引线框架的散热部、芯片部、中间管脚及侧管脚为一连续的整体结构，构成引线框架的各组成部分的形状简单、表面光滑。又因引线框架与塑封料所用材料特性的不同和热膨胀系数的差异，引线框架与芯片和塑封料间的结合力很差，使其密封强度大大降低，直接影响了半导体元件的性能、质量和使用寿命。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种改进型三极管引线框架，既可增强引线框架与塑封料、芯片间的结合力和密封强度，又可延长其的使用寿命。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：改进型三极管引线框架由散热部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接在一起构成，所述散热部和芯片部间的连接处颈部开有通孔，所述芯片部两边缘阶梯面上开有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由横向、纵向的凹槽构成的网格。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于，现有的引线框架形状简单、表面光滑、线条单一，因此和塑封料结合力很差、密封强度低，现在引线框架封装芯片处的芯片部周边配合处，增加有腰形通孔，边缘上再增加半圆形缺口，便于塑封料的填充和镶嵌，这样就增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性，另外又在芯片部上增加网格，增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现。因此改进型三极管引线框架使整个半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。
附图说明
图1、本实用新型的结构示意图。
图2、图1的B-B剖面放大图。
图3、图1的A-A剖面放大图。
图4、现有技术结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步描述。
引线框架由散热部3、芯片部7和中间管脚8连为一体的主体，在后续封装工艺中再与两侧管脚9连为一体组成。
在散热部3、芯片部7连接处的颈部中间开的通孔为一沉孔4并为腰形，装片面的孔小、背面的孔大，如图1、图2所示。
在芯片部7两边缘的阶梯面1上各开有两半圆形的缺口2，如图1所示。
在芯片部7装片面上还加工有由横、纵向、不连续的V形凹槽5均布构成的网格6，该网格6位置和大小与芯片相匹配，V形凹槽5深h在0.10～0.50毫米，V形凹槽5夹角θ在60～80度间，如图1、图3所示。
塑封料在此引线框架上封装芯片时，充满芯片部7上的沉孔4内  和阶梯面上的缺口2内，由于这些填充和镶嵌使得塑封料和引线框架的结合更加牢固、密封更为良好。芯片结合料填充进芯片部7上的网格6内，增强了引线框架与芯片之间的结合力。

Claims (4)

1、一种改进型三极管引线框架，由散热部(3)、芯片部(7)、中间管脚(8)、侧管脚(9)连接在一起构成，其特征在于所述散热部(3)和芯片部(7)间的连接处颈部开有通孔，所述芯片部(7)两边缘阶梯面(1)上还开有缺口(2)，芯片部(7)上与芯片相对应位置上有由横向、纵向的凹槽(5)构成的网格(6)。
2、根据权利要求1所述的改进型三极管引线框架，其特征在于散热部(3)、芯片部(7)间的连接处颈部开有的通孔为腰形沉孔(4)，装片面的孔小、背面的孔大。
3、根据权利要求1所述的改进型三极管引线框架，其特征在于芯片部(7)两边缘的阶梯面(1)上各开有两半圆形的缺口(2)。
4、根据权利要求1所述的改进型三极管引线框架，其特征在于芯片部(7)装片面处还有由横、纵向、不连续的V形凹槽(5)均布构成的网格(6)，V形凹槽(5)深h在0.10～0.50毫米，V形凹槽(5)夹角θ在60～80度间。
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