CN205508807U - 一种半导体芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种半导体芯片封装结构,包括引线框架,其上配置有基岛、若干个导脚;晶粒,其主体固定在基岛上,其功能区通过键合丝与导脚电性连接;封装体,其塑封引线框架和晶粒;基岛具有彼此隔断的第一基岛和第二基岛,第一基岛小于第二基岛,导脚具有宽度不等的第一导脚和第二导脚,第一导脚的宽度小于第二导脚,第二导脚与位于第二基岛上的晶粒通过键合丝电性连接。通过设计相对于第一导脚超宽的第二导脚,以及大面积的第二基岛,将晶粒的散热功能区安装在第二基岛上,第二导脚与第二基岛上的晶粒电性连接,以此来提高芯片的散热效果;功率密度大,相同体积的情况下能够承载更大的工作功率,相同工作功率需求的情况下能够缩小芯片的体积。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体封装技术领域,具体涉及一种半导体芯片封装结构。
背景技术
现今,芯片散热已经成为芯片设计的瓶颈之一,对于芯片散热,除了利用硬件(散热器)来实现以外,芯片本身的设计也会对散热产生明显影响。现有设计通常采用以下三种方法来提高芯片本身的散热效果:1、在芯片的上表面上加散热盖;2、增加芯片引脚之间的间距;3、增加基岛的面积。上述的三种方法的采用确实能够对芯片本身的散热起到作用,但是三者的一个共同特点是以牺牲芯片的体积为代价来换得散热效果的些许提高,现有的半导体芯片在小体积和大功率使用需求的今天仍需要进行技术创新,尤其是目前充电5分钟使用2小时的电源快充领域尤为迫切。
发明内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种半导体芯片封装结构,在小幅度增加芯片体积的情况下大幅度的提高芯片的散热效率,体积小,功率密度大。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:一种半导体芯片封装结构,包括,
引线框架,其上配置有基岛、和若干个导脚;
晶粒,其主体固定在所述基岛上,其功能区通过键合丝与所述导脚电性连接;
封装体,其塑封所述引线框架和晶粒,其特征在于:所述基岛具有彼此隔断的第一基岛和第二基岛,所述第一基岛小于第二基岛,所述导脚具有第一导脚和第二导脚。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一导脚和第二导脚的宽度不等,所述第一导脚的宽度小于第二导脚的宽度,所述第二导脚与位于第二基岛上的晶粒通过键合丝电性连接。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一导脚和第二导脚的宽度相同,所述第二导脚与位于第一基岛上的晶粒通过键合丝电性连接。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第二导脚设置在引线框架侧边的端部。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一导脚为间隔均匀排布的若干个,所述第二导脚为一个,两两所述第一导脚之间的距离小于第二导脚和与之相邻的第一导脚之间的距离。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第二导脚的宽度为第一导脚宽度的7-10倍。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第二导脚和与之相邻的第一导脚之间的距离为两两所述第一导脚之间距离的1.5-3倍。
本实用新型的有益效果是:1、本实用新型的半导体芯片封装结构,其第一种实现方式通过设计相对于第一导脚超宽的第二导脚,以及大面积的第二基岛,将晶粒的散热功能区安装在第二基岛上,第二导脚与第二基岛上的晶粒电性连接,以此来提高芯片的散热效果;功率密度大,相同体积的情况下能够承载更大的工作功率,相同工作功率需求的情况下能够缩小芯片的体积。
2、其第二种实现方式,通过加宽设计第二导脚和与之相邻的第一导脚之间的间距,以及大面积的第二基岛,将晶粒的散热功能区安装在第二基岛上,同样具有提高芯片散热效果的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例技术中的技术方案,下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是第一实施例中第一种封装体的结构示意图;
图2是第一实施例中第二种封装体的结构示意图;
图3是第一实施例中第三种封装体的结构示意图;
图4是第一实施例中第四种封装体的结构示意图;
图5是第二实施例中第一种封装体的结构示意图;
图6是第二实施例中第二种封装体的结构示意图;
图7是图1所示封装体的引线框架结构示意图。
其中:2-引线框架,3-封装体,4-第一基岛,6-第二基岛,8-第一导脚,10-第二导脚。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
如图1-4、7所示,本实施例中公开了一种半导体芯片封装结构,包括引线框架2、制作有半导体集成电路的晶粒和塑封引线框架2和晶粒的封装体3,引线框架2上设有基岛和若干个导脚,晶粒的主体固定在基岛上,晶粒的功能区(也就是集成电路)通过键合丝与导脚电性连接。本实用新型优选实施例中基岛具有彼此隔断的第一基岛4和第二基岛6,第一基岛4小于第二基岛6,以及优选的导脚具有宽度不等的第一导脚8和第二导脚10,第一导脚8的宽度小于第二导脚10的宽度,第二导脚10与位于所述第二基岛6上的晶粒通过键合丝电性连接。将晶粒的散热功能区安装在第二基岛6上,大面积的第二基岛6利于散热,第二导脚10的宽度为第一导脚8宽度的7-10倍,优选第一导脚8的宽度为0.4,mm,第二导脚10的宽度为3.7mm,超宽的第二导脚10与位于第二基岛6上的晶粒电性连接后,大大提高芯片的功率密度,较之传统的芯片封装,相同体积的情况下能够承载更大的工作功率,相同工作功率需求的情况下能够缩小芯片的体积,在半导体芯片领域具有创造性的意义。
如图1-2所示,本实用新型的芯片封装为方形结构,导脚分布在左右两侧,第一基岛4和第二基岛6位于引线框架2的中间部位,且上、下位设置,本实施例中优选由八个第一引脚8和一个第二引脚10组成本实用新型的芯片封装,九个引脚优选采用以下两种排布方式:
如图1所示的第一种排布方式:其中的六个第一引脚8分布在左侧,封装后分别形成芯片的第一Pin脚、第二Pin脚、第三Pin脚、第四Pin脚、第五Pin脚、第六Pin脚;另外两个第一引脚8分布在右侧,封装后形成芯片的第八Pin脚、第九Pin脚;第二引脚10分布在右侧,封装后形成芯片的第七Pin脚。
如图2所示的第二种排布方式:其中两个第一引脚8分布在左侧,封装后形成芯片的第一Pin脚、第二Pin脚;第二引脚10分布在左侧,封装后形成芯片的第三Pin脚;其它的六个第一引脚8分布右侧,封装后依次形成芯片的第四Pin脚、第五Pin脚、第六Pin脚、第七Pin脚、第八Pin脚、第九Pin脚。
本实施例中还优选由七个第一引脚8和一个第二引脚10组成本实用新型的芯片封装,八个引脚优选采用以下两种排布方式:
如图3所示的第一种排布方式:其中的六个第一引脚8分布在左侧,封装后分别形成芯片的第一Pin脚、第二Pin脚、第三Pin脚、第四Pin脚、第五Pin脚、第六Pin脚;第二引脚10分布在右侧,封装后形成芯片的第七Pin脚;另外一个第一引脚8分布在右侧,封装后形成芯片的第八Pin脚。
如图4所示的第二种排布方式:其中一个第一引脚8排布在左侧,封装后形成芯片的第一Pin脚;第二引脚10排布在左侧,封装后形成芯片的第二Pin脚;另外的六个第一引脚8依次排布在右侧,封装后分别形成芯片的第三Pin脚、第四Pin脚、第五Pin脚、第六Pin脚、第七Pin脚、第八Pin脚。
以上均将第二导脚10分布在封装侧边的端部,相较于其它的部位具有更好的散热效果。
以上的两两第一导脚8之间间隔的距离相等,第二导脚10和与其相邻的第一导脚8之间的间距为两两第一导脚8之间距离的1.5-3倍,本实用新型优选两两第一导脚8之间间隔的距离为0.8mm、第二导脚10和与其相邻的第一导脚8之间的间距1.5mm,增加第二导脚10与第一导脚8之间间隔的距离能够进一步的提高散热效果。
实施例二
本实施例中第一导脚8和第二导脚10的宽度相同,第二导脚10与位于第一基岛4上的晶粒通过键合丝电性连接,将晶粒的散热功能区安装在第二基岛6上,大面积的第二基岛6利于散热。
如图5-6所示,本实用新型的芯片封装为方形结构,导脚分布在左右两侧,第一基岛4和第二基岛6位于引线框架的中间部位,且上、下位设置,本实施例中优选由十个第一引脚8和一个第二引脚10组成本实用新型的芯片封装,十一个引脚优选采用以下两种排布方式:
如图5所示的第一种排布方式:第二引脚10排布在左侧,封装后形成芯片的第一Pin脚;其中的四个第一引脚8依次排布在左侧,封装后分别形成芯片的第二Pin脚、第三Pin脚、第四Pin脚、第五Pin脚;另外的六个第一引脚8排布在右侧,封装后分别形成芯片的第六Pin脚、第七Pin脚、第八Pin脚、第九Pin脚、第十Pin脚、第十一Pin脚。
如图6所示的第二种排布方式:其中的六个第一引脚8依次排布在左侧,封装后分别形成芯片的第一Pin脚、第二Pin脚、第三Pin脚、第四Pin脚、第五Pin脚、第六Pin脚;另外的四个第一引脚8依次排布在右侧,封装后分别形成芯片的第七Pin脚、第八Pin脚、第九Pin脚、第十Pin脚;第二引脚10排布在右侧,封装后形成芯片的第十一Pin脚。
以上均将第二导脚10分布在封装侧边的端部,相较于其它的部位具有更好的散热效果。
以上的两两第一导脚8之间间隔的距离相等,第二导脚10和与其相邻的第一导脚8之间的间距为两两第一导脚8之间距离的1.5-3倍,本实用新型优选两两第一导脚8之间间隔的距离为0.8mm、第二导脚10和与其相邻的第一导脚8之间的间距1.5mm,增加第二导脚10与第一导脚8之间间隔的距离能够进一步的提高散热效果。
另,基于上述思想,本实用新型的芯片封装还可以由更多的引脚组成。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种半导体芯片封装结构,包括,
引线框架,其上配置有基岛、和若干个导脚;
晶粒,其主体固定在所述基岛上,其功能区通过键合丝与所述导脚电性连接;
封装体,其塑封所述引线框架和晶粒,其特征在于:所述基岛具有彼此隔断的第一基岛和第二基岛,所述第一基岛小于第二基岛,所述导脚具有第一导脚和第二导脚。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于:所述第一导脚和第二导脚的宽度不等,所述第一导脚的宽度小于第二导脚的宽度,所述第二导脚与位于第二基岛上的晶粒通过键合丝电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于:所述第一导脚和第二导脚的宽度相同,所述第二导脚与位于第一基岛上的晶粒通过键合丝电性连接。
4.根据权利要求2或3所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于:所述第二导脚设置在引线框架侧边的端部。
5.根据权利要求4所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于:所述第一导脚为间隔均匀排布的若干个,所述第二导脚为一个,两两所述第一导脚之间的距离小于第二导脚和与之相邻的第一导脚之间的距离。
6.根据权利要求2所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于:所述第二导脚的宽度为第一导脚宽度的7-10倍。
7.根据权利要求5所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于:所述第二导脚和与之相邻的第一导脚之间的距离为两两所述第一导脚之间距离的1.5-3倍。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201620237842.3U CN205508807U (zh) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 一种半导体芯片封装结构 |
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Family
ID=56732673
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
CN106409806A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-02-15 | 四川富美达微电子有限公司 | 一种ic引线支架 |
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CN107785346A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-03-09 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 引线框架、引线框架阵列及封装体 |
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