CN217768366U - 一种to-220铜片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种TO‑220铜片封装结构，包括芯片框架，芯片框架内底部设有三个引脚，三个引脚横向等距排列，且芯片框架的一侧设有PAD散热基岛，PAD散热基岛上焊接有芯片，芯片的外侧焊接有Y型铜片跳线，Y型铜片跳线的底部分别与外侧的两个引脚焊接。本实用新型中设置有Y型铜片跳线，铜片焊接的产品可以通过大电流，更能提高大电流冲击，同时还可以降低电阻率提高功率，使产品推广方便，提高产品功率，并且，通孔以及凹槽的设计能使Y型铜片与芯片、引脚结合的更好。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体TO系列封装技术领域，具体涉及一种TO-220铜片封装结构。
背景技术
半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。其中，半导体TO系列封装结构是在电子元件封装中常用一种结构。目前的封装结构在通过大电流时，受到大电流的冲击容易损坏，导致该封装结构的产品功率较小。因此，本领域技术人员提供了一种TO-220铜片封装结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种TO-220铜片封装结构，包括芯片框架，芯片框架内底部设有三个引脚，三个引脚横向等距排列，且芯片框架的一侧设有PAD散热基岛，PAD散热基岛上焊接有芯片，芯片的外侧焊接有Y型铜片跳线，Y型铜片跳线的底部分别与外侧的两个引脚焊接。
优选的：所述芯片与PAD散热基岛通过高温焊料烧结。
优选的：所述Y型铜片跳线包括芯片PAD铜片和引脚PAD铜片，引脚PAD铜片设有两个，芯片PAD铜片和两个引脚PAD铜片连接在一起组成Y型铜片跳线。
优选的：所述芯片PAD铜片与芯片正面结合，两个引脚PAD铜片分别与两个引脚的正面结合，均通过高温将锡膏烧结后连接在一起，成为一个电极。
优选的：所述芯片PAD铜片与引脚PAD铜片上均设有通孔，通孔的直径为0.7mm。
优选的：所述芯片PAD铜片的尺寸为2.3mm*2.3mm。
优选的：所述芯片PAD铜片、引脚PAD铜片与芯片和引脚相焊接的一侧表面均设有多条凹槽，凹槽通过冲压形成。
本实用新型的技术效果和优点：
本实用新型中设置有Y型铜片跳线，铜片焊接的产品可以通过大电流，更能提高大电流冲击，同时还可以降低电阻率提高功率，使产品推广方便，提高产品功率，并且，通孔以及凹槽的设计能使Y型铜片与芯片、引脚结合的更好。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种TO-220铜片封装结构的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种TO-220铜片封装结构的侧视图；
图3是本申请实施例提供的一种TO-220铜片封装结构中Y型铜片跳线的主视图；
图4是本申请实施例提供的一种TO-220铜片封装结构中Y型铜片跳线的侧视图。
图中：
1-芯片框架；2-PAD散热基岛；3-芯片；4-Y型铜片跳线；5-引脚；41-芯片PAD铜片；42-引脚PAD铜片；43-通孔；44-凹槽。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
实施例
请参阅图1～4，在本实施例中提供一种TO-220铜片封装结构，包括芯片框架1，芯片框架1内底部设有三个引脚5，三个引脚5横向等距排列，且芯片框架1的一侧设有PAD散热基岛2，PAD散热基岛2上焊接有芯片3，芯片3的外侧焊接有Y型铜片跳线4，且Y型铜片跳线4的底部分别与外侧的两个引脚5焊接；
其中，芯片3与PAD散热基岛2通过高温焊料烧结，使得芯片3上所有焊盘电极完整焊接，其中，各焊盘中的任一个点，将焊接区域被焊盘区域完全覆盖或与之交叠，通过高温烧结，使芯片框架1和芯片3完全结合；
Y型铜片跳线4包括芯片PAD铜片41和引脚PAD铜片42，引脚PAD铜片42设有两个，芯片PAD铜片41和两个引脚PAD铜片42连接在一起组成Y型铜片跳线4；
芯片PAD铜片41与芯片3正面结合，而且，两个引脚PAD铜片42分别与两个引脚5的正面结合，均是通过高温将锡膏烧结后连接在一起，使成为一个电极，加强结合力，减少阻抗电阻；
芯片PAD铜片41与引脚PAD铜片42上均设有通孔43，通孔43的直径为0.7mm，其主要是让环氧料穿过通孔43，使环氧料和铜片完全连接在一起，这样可以加强环氧料的结合力，同时可以释放铜片的部分应力；
芯片PAD铜片41的尺寸为2.3mm*2.3mm,这样可以从2.7*2.7mm到4.5mm*4.5mm的芯片3都可以使用，使其通用性增大，使用范围变大；
芯片PAD铜片41、引脚PAD铜片42与芯片3和引脚5相焊接的一侧表面均设有多条凹槽44，凹槽44通过冲压形成，其作用是：当锡膏在高温时融化产生锡水，锡通过凹槽44流动将中间部分多余的锡从通孔43流出，两边的多余的锡从两边流出，这样可以使Y型铜片跳线4和芯片3以及引脚5之间的锡比较薄，减少因为锡厚所产生的电阻和电容。
本实用新型中的封装结构，采用TO-220框架，将所需要的芯片3装在芯片框架1上面的PAD散热基岛2上，把装芯片3的芯片框架1放到设备上刷胶，在芯片框架1的芯片3上和引脚5上刷高结温的锡膏，在芯片3上面和芯片框架1的引脚5安装Y型铜片跳线4，通过高温烧结使产品成型，通过设置Y型铜片跳线4，铜片焊接的产品可以通过大电流，更能提高大电流冲击，同时还可以降低电阻率提高功率，使产品推广方便，提高产品功率。
显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本实用新型保护的范围。本实用新型中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
Claims (7)
1.一种TO-220铜片封装结构，包括芯片框架(1)，芯片框架(1)内底部设有三个引脚(5)，三个引脚(5)横向等距排列，且芯片框架(1)的一侧设有PAD散热基岛(2)，PAD散热基岛(2)上焊接有芯片(3)，其特征在于：
芯片(3)的外侧焊接有Y型铜片跳线(4)，Y型铜片跳线(4)的底部分别与外侧的两个引脚(5)焊接。
2.根据权利要求1所述的一种TO-220铜片封装结构，其特征在于，所述芯片(3)与PAD散热基岛(2)通过高温焊料烧结。
3.根据权利要求1所述的一种TO-220铜片封装结构，其特征在于，所述Y型铜片跳线(4)包括芯片PAD铜片(41)和引脚PAD铜片(42)，引脚PAD铜片(42)设有两个，芯片PAD铜片(41)和两个引脚PAD铜片(42)连接在一起组成Y型铜片跳线(4)。
4.根据权利要求3所述的一种TO-220铜片封装结构，其特征在于，所述芯片PAD铜片(41)与芯片(3)正面结合，两个引脚PAD铜片(42)分别与两个引脚(5)的正面结合，均通过高温将锡膏烧结后连接在一起，成为一个电极。
5.根据权利要求4所述的一种TO-220铜片封装结构，其特征在于，所述芯片PAD铜片(41)与引脚PAD铜片(42)上均设有通孔(43)，通孔(43)的直径为0.7mm。
6.根据权利要求5所述的一种TO-220铜片封装结构，其特征在于，所述芯片PAD铜片(41)的尺寸为2.3mm*2.3mm。
7.根据权利要求5所述的一种TO-220铜片封装结构，其特征在于，所述芯片PAD铜片(41)、引脚PAD铜片(42)与芯片(3)和引脚(5)相焊接的一侧表面均设有多条凹槽(44)，凹槽(44)通过冲压形成。
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| CN202221760292.5U CN217768366U (zh) | 2022-07-08 | 2022-07-08 | 一种to-220铜片封装结构 |
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2022
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