CN217721588U

CN217721588U - 层叠体

Info

Publication number: CN217721588U
Application number: CN202221111265.5U
Authority: CN
Inventors: 上坪祐介; 胜部毅; 高田亮介
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2018-10-04
Filing date: 2019-10-03
Publication date: 2022-11-01
Anticipated expiration: 2029-10-03
Also published as: US20210212203A1; US11445606B2; JP7283481B2; WO2020071473A1; US11558958B2; CN216531943U; US20220377886A1; JPWO2020071473A1

Abstract

本实用新型提供一种层叠体，具备热塑性的第1树脂层、形成在该第1树脂层的一个主面的导体图案和热塑性的第2树脂层，其特征在于，所述第1树脂层比所述第2树脂层柔软，所述第1树脂层与所述第2树脂层相比，介电常数低，所述第1树脂层处于从层叠方向的两侧夹住所述导体图案的位置，所述第1树脂层在与所述导体图案相反侧的面具有沿着埋藏于该第1树脂层的所述导体图案的角部的第1凸部。

Description

层叠体

本申请是申请日为2019年10月03日、申请号为201990001051.2、实用新型名称为“层叠体”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本实用新型涉及用于电缆、电路基板等的层叠体。

背景技术

一般地，多层构造的电缆、电路基板通过形成了导体图案的绝缘性基材被层叠一体化而构成。而且，上述导体图案、绝缘性基材的材料根据电路基板所要求的电机械特性来选定。

为了使形成于电缆、电路基板的传输线路部分薄型化，优选绝缘性基材的介电常数低。此外，为了传输线路的高速化高频化，绝缘性基材的介电损耗角正切较小为宜。进而，为了在有限的空间容纳电缆、电路基板，优选绝缘性基材具有柔软性。

在专利文献1中示出了将氟树脂用于绝缘性基材的层叠体。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/179542号

实用新型内容

实用新型要解决的课题

专利文献1记载的层叠体是包含液晶聚合物的热塑性树脂层层叠于氟树脂层的层叠体。若为这样的构造的层叠体，则与由柔软的氟树脂单体构成的基板相比整体的形状保持变得容易。

但是，在上述层叠体所形成的电路基板中，成为导体图案与液晶聚合物等的比较高的介电常数、高的介电损耗角正切的树脂层相接的构造，因此高频特性的提高效果少。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种整体的形状保持容易并且高频特性优异的层叠体。

用于解决课题的手段

(A)作为本公开的一例的层叠体，具备热塑性的第1树脂层、形成在该第1树脂层的一个主面的导体图案和热塑性的第2树脂层，其特征在于，

所述第1树脂层比所述第2树脂层柔软，

所述第1树脂层与所述第2树脂层相比，介电常数低，

所述第1树脂层处于从层叠方向的两侧夹住所述导体图案的位置，

所述第1树脂层在与所述导体图案相反侧的面具有沿着埋藏于该第1树脂层的所述导体图案的角部的第1凸部。

作为本公开的另一例的层叠体，具备热塑性的第1树脂层、形成在该第1树脂层的一个主面的导体图案和热塑性的第2树脂层，其中，

所述第1树脂层比所述第2树脂层柔软，

所述第1树脂层与所述第2树脂层相比，介电常数低，

所述导体图案具有沿着所述第1树脂层的层方向而与所述第1树脂层相接的部分和沿着所述第1树脂层、所述第2树脂层以及所述导体图案的层叠方向而与所述第1树脂层相接的部分。

例如，第1树脂是氟树脂，第2树脂是液晶聚合物。根据上述结构，与导体图案相接的主要的树脂层是介电常数相对较小的树脂层，因此能够作为高频特性优异的电缆、电路基板来使用。

(B)作为本公开的一例的层叠体的制造方法，

在以第1树脂为主材料的层即第1树脂层粘合导体箔，

在所述第1树脂层粘合以第2树脂为主材料的层即第2树脂层，由此构成包含所述第1树脂层、所述第2树脂层以及所述导体箔的层叠片，

将所述导体箔图案化，

通过层叠多个所述层叠片并进行加热压制，从而使所述导体箔的至少一部分陷入所述第1树脂层。

根据上述制造方法，成为使层叠体内的导体图案积极地陷入第1树脂层的构造，可容易地得到高频特性优异的层叠体。

(C)本公开的另一个层叠体的制造方法，

在以第1树脂为主材料的层即第1树脂层粘合以第2树脂为主材料的层即第2树脂层，

在所述第1树脂层形成导体膜，

在所述导体膜上粘附掩模薄膜(mask film)，

通过光刻将所述掩模薄膜图案化，

在所述导体膜的开口部镀敷形成导体膜，

将所述掩模薄膜剥离，

将所述导体膜蚀刻除去，由此构成包含所述第1树脂层、所述第2树脂层以及所述导体膜的层叠片，

通过层叠多个所述层叠片并进行加热压制，从而使所述导体膜的至少一部分陷入所述第1树脂层。

通过上述制造方法，也成为使层叠体内的导体图案积极地陷入第1树脂层的构造，可容易地得到高频特性优异的层叠体。

实用新型效果

根据本实用新型，可得到整体的形状保持容易并且高频特性优异的层叠体。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的层叠体101的纵剖视图。

图2(A)是第1实施方式涉及的层叠体101的纵剖视图。图2(B)是信号导体图案S1附近的放大剖视图。

图3是层叠体101的制造中途的纵剖视图。

图4是层叠体101的制造中途的立体图。

图5是示出层叠体101的制造方法的图。

图6是第2实施方式涉及的层叠体102的纵剖视图。

图7(A)是第3实施方式涉及的层叠体的制造中途的纵剖视图。图7(B)是第3实施方式涉及的层叠体103的纵剖视图。

图8是示出第4实施方式涉及的层叠体的制造方法的图。

图9(A)是第5实施方式涉及的层叠体的制造中途的纵剖视图。图9(B)是第5实施方式涉及的层叠体105的纵剖视图。

图10是第5实施方式涉及的电子设备的剖视图。

附图标记说明

CP1...第1凸部；

CP2...第2凸部；

DFR...干膜抗蚀剂；

G1、G2、G3、G4...接地导体图案；

MP...掩模图案；

S1、S2...信号导体图案；

1...第1树脂层；

2...第2树脂层；

3...导体层；

3P...第1导体层；

3G...第2导体层；

3PA...导体图案；

8...保护层；

9...部件；

11...第1层叠片；

12...第2层叠片；

13...第3层叠片；

14...第4层叠片；

41、42、43、44...层间连接导体；

41P、42P、43P、44P...加热前状态的层间连接导体；

51、52...电极；

61、62...基板；

71、72...电极；

101、102、103、105、106...层叠体。

具体实施方式

首先，对本实用新型涉及的层叠体及其制造方法的几个方式进行记载。

本实用新型涉及的第1方式的层叠体具备以热塑性的第1树脂为主材料的层即第1树脂层、形成在该第1树脂层的一个主面的导体图案和以热塑性的第2树脂为主材料的层即第2树脂层。而且，所述第1树脂层比所述第2树脂层柔软，所述第1树脂层与所述第2树脂层相比，介电常数低，所述导体图案至少局部地陷入所述第1树脂层，具有沿着所述第1树脂层的层方向而与所述第1树脂层相接的部分、和沿着所述第1树脂层、所述第2树脂层以及所述导体图案的层叠方向而与所述第1树脂层相接的部分。根据该结构，与导体图案相接的主要的树脂层是介电常数相对较小的树脂层，因此能够作为高频特性优异的电缆、电路基板来使用。

关于本实用新型涉及的第2方式的层叠体，在所述层叠体的所述层叠方向上的剖面中，所述导体图案的周长之中所述导体图案与所述第1树脂层相接的部分的长度比与所述第2树脂层相接的部分的长度长。通过该构造，导体图案的大部分会与第1树脂层相接，高频特性有效地提高。

关于本实用新型涉及的第3方式的层叠体，所述第2树脂层的厚度比所述第1树脂层的厚度厚。通过该构造，层叠体整体的形状稳定性提高。

关于本实用新型涉及的第4方式的层叠体，所述第1树脂层的主材料是氟树脂，所述第2树脂层的主材料是液晶聚合物。

关于本实用新型涉及的第5方式的层叠体，所述层叠体的所述层叠方向上的所述导体图案的剖面形状具有埋藏于所述第1树脂层的角部。通过该构造，电场强度高的角部的周围被低介电常数的第1树脂层覆盖，因此高频特性的改善效果大。

关于本实用新型涉及的第6方式的层叠体，所述第1树脂层在与所述导体图案相反侧的面具有沿着埋藏于该第1树脂层的所述导体图案的所述角部的凸部(第1凸部)。根据该构造，电场强度高的角部的周围被低介电常数的第1树脂层更厚地覆盖，因此高频特性的改善效果大。

关于本实用新型涉及的第7方式的层叠体，在所述剖面形状中的所述导体图案的边缘具有倾斜部，埋藏于所述第1树脂层的角部是锐角。通过该构造，能够利用第1树脂层覆盖电场强度更高的部分，高频特性有效地提高。

关于本实用新型涉及的第8方式的层叠体，所述导体图案的与所述第1树脂层相接的一个主面的表面粗糙度大于另一个主面的表面粗糙度。根据该构造，成为导体图案的表面粗糙度粗糙的面与介电常数低的树脂层相接的构造，因此能够有效地降低高频带中的传输损耗。

关于本实用新型涉及的第9方式的层叠体，所述第2树脂层处于从所述层叠方向的两侧夹住所述第1树脂层的位置。根据该构造，层叠体整体的形状稳定性有效地提高。

关于本实用新型涉及的第10方式的层叠体，所述第1树脂层处于从所述层叠方向的两侧夹住所述导体图案的位置。根据该构造，电场强度高的区域整体被低介电常数的第1树脂层覆盖，因此高频特性的改善效果大。

关于本实用新型涉及的第11方式的层叠体，具备多个层叠片，该层叠片包含单个所述第1树脂层、单个所述第2树脂层以及单层的所述导体图案，在所述层叠方向上相邻的层叠片的一个层叠片的所述导体图案和另一个层叠片的所述第2树脂层相接。根据该构造，在上述层叠片单体不易发生形状变形，因此制造工序中的操作(handling)变得容易。此外，即使在落下、部件安装等时施加了外力的情况下基板也不易变形。

关于本实用新型涉及的第12方式的层叠体，具备多个层叠片，该层叠片包含单个所述第1树脂层、单个所述第2树脂层以及单层的所述导体图案，在所述层叠方向上相邻的两个层叠片分别具有层间连接导体，该层间连接导体贯通所述第1树脂层以及所述第2树脂层且和与所述导体图案相接的面相比相反面更宽，所述层间连接导体的所述相反面彼此对置从而所述层间连接导体被直接接合。根据该构造，层间连接导体以宽的面彼此接合，因此即使在层叠压制等的加热、加压时第1树脂层以及第2树脂层流动，也能够降低层间连接导体的偏移所引起的层间连接导体彼此的接合不良。

关于本实用新型涉及的第13方式的层叠体，所述多个层叠片具备在所述层叠方向上依次配置的第1层叠片、第2层叠片以及第3层叠片，设置于所述第2层叠片的所述导体图案是信号导体图案，设置于所述第1层叠片的所述导体图案是第1接地导体图案，设置于所述第3层叠片的所述导体图案是第2接地导体图案，传输线路的主要部分包含所述信号导体图案、所述第1接地导体图案以及所述第2接地导体图案。根据该构造，能够构成低传输损耗的信号传输线路。

在本实用新型涉及的第14方式的层叠体中，所述第1层叠片具有与所述第1接地导体图案导通的第1层间连接导体，所述第2层叠片具有与所述第2接地导体图案导通的第2层间连接导体，所述第1层间连接导体和所述第2层间连接导体在所述层叠方向上重叠。根据该构造，针对层叠体的弯曲的、信号导体图案和第1接地导体图案以及第2接地导体图案的间隔的稳定性高，因此可保持信号传输线路的电特性。

本实用新型涉及的第15方式的层叠体的制造方法包含如下方法，即，在以第1树脂为主材料的层即第1树脂层粘合导体箔，在所述第1树脂层粘合以第2树脂为主材料的层即第2树脂层，由此构成包含所述第1树脂层、所述第2树脂层以及所述导体箔的层叠片，通过层叠多个所述层叠片并进行加热压制，从而使所述导体箔的至少一部分陷入所述第1树脂层。根据该方法，成为使层叠体内的导体图案积极地陷入第1树脂层的构造，可容易地得到高频特性优异的层叠体。

本实用新型涉及的第16方式的层叠体的制造方法包含如下方法，即，在以第1树脂为主材料的层即第1树脂层粘合以第2树脂为主材料的层即第2树脂层，在所述第1树脂层形成第1导体层，在所述第1导体膜上粘附干膜抗蚀剂，通过光刻在所述干膜抗蚀剂形成开口部，在所述开口部镀敷形成第2导体层，将所述干膜抗蚀剂剥离，将所述第1导体层以及所述第2导体层蚀刻除去，由此构成包含所述第1树脂层、所述第2树脂层以及导体图案的层叠片，通过层叠多个所述层叠片并进行加热压制，从而使所述导体图案的至少一部分陷入所述第1树脂层。根据该方法，成为使层叠体内的导体图案积极地陷入第1树脂层的构造，可容易地得到高频特性优异的层叠体。

以后，参照图列举几个具体的例子，示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对相同的部位标注相同的附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了说明的方便起见，将实施方式分开示出，但能够进行不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果将不在每个实施方式中逐次提及。

《第1实施方式》

图1、图2(A)、图2(B)是第1实施方式涉及的层叠体101的纵剖视图。该层叠体101作为具备两个传输线路的电缆来使用。如图1所示，层叠体101具备以热塑性的第1树脂为主材料的层即第1树脂层1、形成在该第1树脂层1的一个主面的导体层3、和以热塑性的第2树脂为主材料的层即第2树脂层2。

作为第1树脂层1的主材料的第1树脂，例如是PTFE(polytetrafluoroethylene)《聚四氟乙烯》、PFA(perfluoroalkoxy alkane)《全氟烷氧基烷烃》等氟树脂。此外，作为第2树脂层2的主材料的第2树脂，例如是LPC《液晶聚合物》。第1树脂层1比第2树脂层2柔软，第1树脂层1与第2树脂层2相比，介电常数低。此外，第1树脂层1与第2树脂层2相比，介电损耗角正切小。在此，作为表示树脂层的硬度(hardness)的参数，能够使用维氏硬度(Vickershardness)、努氏硬度(Knoop hardness)、计示硬度(durometer hardness)、巴氏硬度(Barcol hardness)、超微小硬度(ultra-low hardness)(JIS 2255)等。此外，若以弹性模量进行比较，则可以说第1树脂层1与第2树脂层2相比，弹性模量低。

导体层3构成信号导体图案S1、S2、接地导体图案G1、G2、G3、G4。在该例中，由信号导体图案S1、接地导体图案G1、G2、G3、以及介于接地导体图案G1和接地导体图案G3之间的第1树脂层1及第2树脂层2构成了第1接地共面线。同样地，由信号导体图案S2、接地导体图案G2、G3、G4、以及介于接地导体图案G2和接地导体图案G4之间的第1树脂层1及第2树脂层2构成了第2接地共面线。

此外，层叠体101分别具备使接地导体图案G1-G2间导通的层间连接导体41、使接地导体图案G2-G3间导通的层间连接导体42、和使接地导体图案G3-G4间导通的层间连接导体43。

根据本实施方式的层叠体101的结构，导体层3与介电常数相对较小的第1树脂层1相接，因此能够作为高频特性优异的电缆、电路基板来使用。即，例如在构成具有50Ω等给定的特性阻抗的传输线路的情况下，对应于电介质层的介电常数低，能够拓宽信号导体图案的线宽度，由此能够降低导体损耗。此外，能够取代拓宽信号导体图案的线宽度而使包含第1树脂层1以及第2树脂层2的电介质层变薄，由此能够使层叠体101薄型化。进而，第1树脂层1与第2树脂层2相比，介电损耗角正切小，因此还可降低介电损耗。由此，能够将层叠体101作为高频特性优异的电缆、电路基板来使用。

图2(A)、图2(B)是用于说明特别是导体层3所形成的图案和第1树脂层1以及第2树脂层2的微细部分的构造的图。以下，参照图2(A)、图2(B)对各部分的构造进行说明。

上述导体层3所形成的图案相当于本实用新型涉及的“导体图案”。导体层3所形成的图案之中特别是信号导体图案S1、S2以及接地导体图案G2、G3分别局部地(一部分)陷入第1树脂层1。由此，信号导体图案S1、S2以及接地导体图案G2、G3分别不仅具有沿着第1树脂层1的层方向与第1树脂层1相接的部分、即沿着X-Y面与第1树脂层1相接的部分，还具有沿着第1树脂层1、第2树脂层2以及导体层3的层叠方向(Z轴方向)的部分、即沿着X-Z面与第1树脂层1相接的部分。根据该结构，与导体层3相接的主要的树脂层是介电常数相对较小的第1树脂层1，因此将低介电常数的树脂层用于电介质层所产生的上述的效果提高。

图2(B)是信号导体图案S1附近的放大剖视图。关于上述导体层3所形成的图案，在层叠体101的层叠方向(Z轴方向)上的剖面中，导体图案的周长之中导体层3所形成的图案陷入第1树脂层1的部分的长度比不陷入第1树脂层1的部分的长度长。在图2(B)所示的例子中，若分别用L1来表示信号导体图案S1的剖面形状中的周长之中与第1树脂层1相接的部分的长度(相当于陷入第1树脂层1的部分的长度)，用L2来表示与第2树脂层2相接的部分的长度(相当于不陷入第1树脂层1的部分的长度)，则处于L1＞L2的关系。此外，如图2(A)所示，导体层3所形成的图案的厚度之中埋入第1树脂层1的深度D31比埋入第2树脂层2的深度D32深。通过该构造，导体层3所形成的图案的大部分会与第1树脂层1相接，高频特性有效地提高。

另外，在本实施方式中，作为导体层3所形成的图案的剖面形状，示出了是上边比下边短的梯形的例子，但也可以是上边比下边长的梯形。即使是这样的情况，只要满足上述关系，高频特性也会有效地提高。上边比下边长的梯形的图案能够通过在树脂层上进行镀敷形成来实现。

此外，第2树脂层2的厚度T2比第1树脂层1的厚度T1厚。通过该构造，层叠体101整体的形状稳定性提高。

进而，层叠体101的层叠方向(Z轴方向)上的导体层3所形成的图案的剖面形状具有埋藏于第1树脂层1的角部。通过该构造，电场强度高的角部的周围被低介电常数的第1树脂层1覆盖，因此高频特性的改善效果大。

上述导体层3所形成的图案在层叠体101的层叠方向(Z轴方向)上的剖面中，在边缘具有倾斜部，埋藏于第1树脂层1的角部是锐角。即，如图2(A)、图2(B)所表示的那样，导体层3所形成的图案的剖面形状是梯形。通过该构造，能够用第1树脂层1来覆盖电场强度更高的部分，高频特性有效地提高。

此外，第1树脂层1在与导体层3所形成的图案相反侧的面，具有沿着埋藏于第1树脂层1的导体层3所形成的图案的角部的凸部(第1凸部)CP1。换言之，在俯视下，第1树脂层1从导体层3所形成的图案的角部突出了突出宽度PW。根据这样的构造，电场强度高的角部的周围被低介电常数的第1树脂层更厚地覆盖，因此高频特性的改善效果大。

图3是本实施方式的层叠体101的制造中途的纵剖视图。此外，图4是层叠体101的制造中途的立体图。图3是图4中的Y-Y部分处的纵剖视图。

层叠体101在其层叠前的阶段包含第1层叠片11、第2层叠片12、第3层叠片13以及第4层叠片14。无论哪一个层叠片11、12、13、14均包含单个第1树脂层1、形成在该第1树脂层1的一个面的单个导体层3、和与第1树脂层1的另一个面接合的第2树脂层2。

在图3所示的例子中，第1层叠片11在第1树脂层1以及第2树脂层2形成有与导体层3导通的加热前状态的层间连接导体41P。第1层叠片11的导体层3形成为接地导体图案G1。第2层叠片12在第1树脂层1以及第2树脂层2形成有与导体层3导通的加热前状态的层间连接导体42P。第2层叠片12的导体层3形成为接地导体图案G2以及信号导体图案S1。同样地，第3层叠片13在第1树脂层1以及第2树脂层2形成有与导体层3导通的加热前状态的层间连接导体43P。第3层叠片13的导体层3形成为接地导体图案G3以及信号导体图案S2。第4层叠片14的导体层3形成为接地导体图案G4。

图1所示的层叠体101通过对上述层叠片11～14进行层叠并加热、压制而构成。

图5是示出层叠体101的制造方法的图。在此，列举图3、图4所示的第2层叠片12为例。在图5中，ST1～ST5表示了各工序的编号。在工序ST1中，在第1树脂层1的一个面粘合(层压)包含Cu箔的导体层3。在工序ST2中，通过在第1树脂层1的另一个面粘合第2树脂层2从而构成层叠片。如已经描述的那样，第2树脂层2是以LCP为主材料的树脂层，因此比以氟树脂为主材料的第1树脂层1硬。因此，该层叠片的形状保持性高。

在工序ST3中，通过光刻将导体层3图案化，形成例如信号导体图案S1、接地导体图案G2。

在工序ST4中，通过激光加工，形成从第2树脂层2侧到达导体层3的开口，在该开口内填充包含Cu、Sn、助熔剂(flux)、溶剂的导电膏，然后，使导电膏干燥，由此形成加热前状态的层间连接导体42P。

关于图3、图4所示的层叠片11、13、14，也以上述同样的工序制造。将像这样制成的层叠片11～14层叠，并以300℃进行加热、压制，由此加热前状态的层间连接导体42P等被固化而成为层间连接导体。此外，导体层3向第1树脂层1陷入一定量。进而，由此，使导体层所形成的图案的角部埋藏于第1树脂层1，并形成沿着导体层3所形成的图案的角部的凸部(第1凸部)CP1(图2(A)、图2(B))。

在本实施方式的层叠体101中，如图1、图3所示，第1层叠片11具有与接地导体图案G1(相当于本实用新型涉及的“第1接地导体图案”)导通的层间连接导体41(相当于本实用新型涉及的“第1层间连接导体”)，第2层叠片12具有与接地导体图案G3(相当于本实用新型涉及的“第2接地导体图案”)导通的层间连接导体42(相当于本实用新型涉及的“第2层间连接导体”)，层间连接导体41和层间连接导体42在层叠方向(Z轴方向)上重叠。由于是这样的构造，因此针对层叠体101的弯曲的、信号导体图案S1与接地导体图案G1、G3的间隔的稳定性高，因而可保持信号传输线路的电特性。

同样地，第2层叠片12具有与接地导体图案G2(相当于本实用新型涉及的“第1接地导体图案”)导通的层间连接导体42(相当于本实用新型涉及的“第1层间连接导体”)，第3层叠片13具有与接地导体图案G4(相当于本实用新型涉及的“第2接地导体图案”)导通的层间连接导体43(相当于本实用新型涉及的“第2层间连接导体”)，层间连接导体42和层间连接导体43在层叠方向(Z轴方向)上重叠。由于是这样的构造，因此针对层叠体101的弯曲的、信号导体图案S2与接地导体图案G2、G4的间隔的稳定性高，因而可保持信号传输线路的电特性。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出具有导体层的表面的性状与第1实施方式中示出的层叠体不同的导体层的层叠体。

图6是第2实施方式涉及的层叠体102的纵剖视图。导体层3的表面的性状以及剖面形状与图1所示的层叠体101不同。在层叠体102中，在图6所示的朝向上，导体层3的上表面是平滑面(shiny side)，下表面是粗糙面(matte side)。像这样，使用在表面和背面性状不同的导体层3的情况下，导体层3粘附于第1树脂层1，使得粗糙面与第1树脂层1侧相接，平滑面与第2树脂层2侧相接。即，导体层3所形成的图案的与第1树脂层1相接的一个主面的表面粗糙度大于另一个主面的表面粗糙度。另外，在该例中，在导体层3所形成的图案的边缘不具有倾斜部。其他构造如第1实施方式所示的那样。

根据本实施方式，成为导体层3所形成的图案的表面粗糙度粗糙的面与介电常数低的第1树脂层1相接的构造，因此导体层3所形成的图案之中由趋肤效应(skin effect)引起的导体表面的电场强度高的部分会被低介电常数的树脂层覆盖。

在此，若假设考虑介电常数高的树脂层与导体层3的表面粗糙度粗糙的面相接的情况，则电场集中于导体层3的表面的尖锐部，相邻的尖锐部间、相邻的尖锐部与谷部之间的电位差变大，介于该电位差高的部位的电介质部分中流过的位移电流变大。其结果是，流经导体图案的表面附近的实际电流也变大。在导体图案的粗糙面流过该实际电流，因此其电流路径长度长，导体损耗大。即，相比于导体层3的粗糙面与第2树脂层(高介电常数树脂层)相接，更优选与第1树脂层(低介电常数树脂层)相接的构造。如上述那样，根据导体层3所形成的图案的表面粗糙度粗糙的面与介电常数低的第1树脂层1相接的构造，能够有效地降低导体层的导体损耗。

此外，通过第2树脂层2中的两个第2凸部CP2，分别夹着信号导体图案S1、信号导体图案S2。换言之，信号导体图案S1、信号导体图案S2在与层叠方向垂直的平面方向上分别被第2树脂层2夹着。第2树脂层2比第1树脂层1硬，因此通过用第2树脂层2夹着信号导体图案S1、信号导体图案S2，从而能够防止层叠时的信号导体图案S1、信号导体图案S2的位置偏移。此外，能够提高信号导体图案S1、信号导体图案S2向第2树脂层2的保持力。在通过这样的第2树脂层2的夹持而信号导体图案S1、信号导体图案S2的保持充分的情况下，也可以使信号导体图案S1、信号导体图案S2的表面粗糙度小于接地导体图案G1～G4的表面粗糙度。于是，由此，能够降低信号导体图案S1、信号导体图案S2的导体损耗。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，示出层间连接导体彼此的连接构造以及层叠片彼此的连接构造与第1实施方式中示出的层叠体不同的层叠体。

层叠体103通过对层叠片11～14进行层叠并加热、压制而构成。层叠体103具备第1树脂层1、形成在该第1树脂层1的一个主面的导体层3、第2树脂层2和保护层8。此外，层叠体103具备分别贯通第1树脂层1以及第2树脂层2的层间连接导体41、42、43、44。另外，层叠体103在层叠方向的两面分别形成有保护层8。该保护层8例如通过环氧树脂的涂敷、聚酰亚胺薄膜的粘附而形成。

如图7(A)所示，在层叠片11～14层叠前的阶段，层叠片11～14分别具备加热前状态的层间连接导体41P、42P、43P、44P。这些加热前状态的层间连接导体41P、42P、43P、44P贯通第1树脂层1以及第2树脂层2，与和导体层3相接的面相比，其相反面较宽。

形成于第3层叠片13的加热前状态的层间连接导体43P和形成于第4层叠片14的加热前状态的层间连接导体44P的上述相反面彼此对置从而层间连接导体被直接接合。

根据本实施方式，层间连接导体43、44以宽的面彼此接合，因此即使在层叠压制等的加热、加压时第1树脂层1以及第2树脂层2流动，也能够降低层间连接导体43、44的偏移所引起的层间连接导体彼此的接合不良。

《第4实施方式》

在第4实施方式中，示出与第1实施方式中示出的层叠体的制造方法不同的制造方法的例子。

图8是示出第4实施方式涉及的层叠体的制造方法的图。在图8中，ST1～ST7表示了各工序的编号。在工序ST1中，在第2树脂层2粘合第1树脂层。在工序ST2中，在第1树脂层1的表面通过无电解Cu镀敷等形成作为种子层(seed layer)的第1导体层3P。

在工序ST3中，粘附干膜抗蚀剂DFR。在工序ST4中，重叠掩模图案MP并进行曝光。

在工序ST5中，对干膜抗蚀剂DFR进行显影。在工序ST6中，通过镀敷Cu膜，从而利用作为Cu膜的第2导体层3G来掩埋干膜抗蚀剂DFR的开口。然后，在工序ST7中，将干膜抗蚀剂DFR剥离，并对第1导体层3P以及第2导体层3G进行蚀刻，由此形成导体图案3PA。

根据本实施方式，与图5中的工序ST4中的构造进行比较可知，导体图案3PA的剖面形状成为倒锥状。即使形成这样的剖面形状的导体图案3PA，通过在层叠片层叠后进行加热、压制，从而也可得到导体图案3PA局部地陷入第1树脂层1的构造。

《第5实施方式》

在第5实施方式中，示出导体层所形成的图案和与之相邻的树脂层的关系与第1实施方式中示出的层叠体不同的层叠体。

层叠体105在其层叠前的阶段包含第1层叠片11、第2层叠片12、第3层叠片13以及第4层叠片14。

层叠片11包含第1树脂层1、与该第1树脂层1的一个面接合的第2树脂层2、和形成于该第2树脂层2的导体层3。

层叠片12包含第2树脂层2、粘合于该第2树脂层的两面的第1树脂层1、和形成在一个面的第1树脂层1的导体层3。

层叠片13包含第1树脂层1、形成在该第1树脂层1的一个面的导体层3、和与第1树脂层1的另一个面接合的第2树脂层2。

层叠片14包含第2树脂层2和形成在该第2树脂层2的一个面的导体层3。

在图9(A)所示的例子中，第1层叠片11在第1树脂层1以及第2树脂层2中形成有与导体层3导通的加热前状态的层间连接导体41P。第1层叠片11的导体层3形成为接地导体图案G1。第2层叠片12在两个第1树脂层1以及第2树脂层2中形成有与导体层3导通的加热前状态的层间连接导体42P。第2层叠片12的导体层3形成为接地导体图案G2以及信号导体图案S1。第3层叠片13在第1树脂层1以及第2树脂层2中形成有与导体层3导通的加热前状态的层间连接导体43P。第3层叠片13的导体层3形成为接地导体图案G3以及信号导体图案S2。第4层叠片14的导体层3形成为接地导体图案G4。

图9(B)所示的层叠体105通过对上述层叠片11～14进行层叠并加热、压制而构成。如图9(B)所表示的那样，成为信号导体图案S1、S2埋藏于第1树脂层1的构造，在第1树脂层1形成沿着信号导体图案S1、S2的角部的凸部CP。根据该构造，电场强度高的信号导体图案的角部的周围被低介电常数的第1树脂层更厚地覆盖，因此高频特性的改善效果大。

根据本实施方式，夹着信号导体图案S1、S2的两层均为第1树脂层1，因此可得到更高的高频特性。另外，在本实施方式中，第2树脂层2与接地导体图案G1、G4相接，但接地导体图案G1、G4表面的电场强度以及接地导体图案G1、G4的电流密度比信号导体图案S1、S2小，因此高频特性不易下降。

《第6实施方式》

在第6实施方式中，示出具备本实用新型的层叠体的电子设备的例子。

图10是本实施方式的电子设备的剖视图。该电子设备具备基板61、62、层叠体106以及电池等部件9。部件9安装在基板62的上表面。分别在层叠体106的上表面形成有电极51，在下表面形成有电极52。层叠体106是在第1实施方式中示出的层叠体101形成了电极51、52而成的。

层叠体106将形成在基板62的上表面的电极72和形成在基板61的下表面的电极71连接。即，层叠体106的电极51、52焊接于基板61、62的电极71、72。

像这样，能够将层叠体106作为柔性的多芯的高频信号电缆来使用。不过，由于层叠体106具有形状保持性，因此在将层叠体106安装于基板62之前，能够如图10所示那样预先成型，能够保持该形状不变地将层叠体106安装于基板62。此外，之后，能够在层叠体106的电极51容易地连接基板61的电极71。根据本实施方式，层叠体106是相对柔软且包含第1树脂层1的多层基板，因此整体容易弯曲，能够容易地配置于有限的空间。

最后，上述的实施方式的说明在所有方面均为例示，而不是限制性的。对于本领域技术人员而言能够适当进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含与权利要求书均等的范围内的从实施方式进行的变更。

例如，也可以是，第1树脂层1是以LCP为主材料的树脂层，第2树脂层2是玻璃环氧基板(FR4基板)。在此情况下也是，第1树脂层1比第2树脂层2柔软，第1树脂层1与第2树脂层2相比，介电常数低。此外，第1树脂层1与第2树脂层2相比，介电损耗角正切小。此外，例如也可以使用聚酰亚胺的片材作为第2树脂层2。

Claims

1.一种层叠体，具备热塑性的第1树脂层、形成在该第1树脂层的一个主面的导体图案和热塑性的第2树脂层，其特征在于，

所述第1树脂层比所述第2树脂层柔软，

所述第1树脂层与所述第2树脂层相比，介电常数低，

2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，

所述第2树脂层的厚度比所述第1树脂层的厚度厚。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，

所述第1树脂层的主材料是氟树脂，

所述第2树脂层的主材料是液晶聚合物。

4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，

所述层叠体的所述层叠方向上的所述导体图案的剖面形状具有埋藏于所述第1树脂层的角部。

5.根据权利要求4所述的层叠体，其特征在于，

在所述剖面形状中的所述导体图案的边缘具有倾斜部，埋藏于所述第1树脂层的所述角部是锐角。

6.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，

所述第2树脂层从所述层叠方向夹住所述第1树脂层，该第1树脂层从所述层叠方向的两侧夹住所述导体图案。

7.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，

所述导体图案在相对于所述层叠方向垂直的平面方向上被所述第1凸部夹着。