CN215069995U - 一种牢固型贴片式mos管结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型系提供一种牢固型贴片式MOS管结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有MOS管芯片、第一导电片、第二导电片和第三导电片，MOS管芯片底部的电极焊接于第三导电片上，第三导电片上设有限位槽；MOS管芯片上设有陶瓷板，陶瓷板中设有两个接线通孔，陶瓷板的底部固定有卡位凸条；第一导电片中设有第一焊接通孔，第二导电片中设有第二焊接通孔，第一焊接通孔中设有连接第一导电片和MOS管芯片顶部一电极的第一导电柱，第二焊接通孔中设有连接第二导电片和MOS管芯片顶部另一电极的第二导电柱。本实用新型可有效限制MOS管结构内部焊接材料的溢流现象，整体结构稳定可靠，陶瓷板具有良好的导热性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOS管，具体公开了一种牢固型贴片式MOS管结构。
背景技术
MOS管，全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，包括栅极、源极和漏极共三个电极，贴片式MOS管是通过贴片的方式与PCB板实现焊接安装的MOS管结构。
MOS管结构的加工是将MOS管芯片的底部电极先焊接在其中一个导电片上，再通过引线将MOS管芯片顶部的两个电极分别连接到另外两个导电片上，再封装绝缘材料后获得贴片式的MOS管结构，现有技术中，在焊接MOS管芯片顶部的两个电极时容易因焊接材料溢流而发生短路，焊接难度大。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种牢固型贴片式MOS管结构，能够有效限制内部焊接材料的溢流现象，整体结构的散热性能好。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种牢固型贴片式MOS管结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有MOS管芯片、第一导电片、第二导电片和第三导电片，MOS管芯片底部的电极焊接于第三导电片上，第三导电片上设有限位槽；
MOS管芯片上设有陶瓷板，陶瓷板中设有两个接线通孔，两个接线通孔分别连接于MOS管芯片顶部的两个电极上，陶瓷板的底部固定有位于限位槽中的卡位凸条；
第一导电片中设有第一焊接通孔，第二导电片中设有第二焊接通孔，第一焊接通孔连接于其中一个接线通孔上，第二焊接通孔连接于另外一个接线通孔上，第一焊接通孔中设有连接第一导电片和MOS管芯片顶部一电极的第一导电柱，第二焊接通孔中设有连接第二导电片和MOS管芯片顶部另一电极的第二导电柱。
进一步的，第一导电片包括依次连接的第一上水平部、第一倾斜部和第一下水平部，第一上水平部位于陶瓷板上的绝缘封装体内，第一焊接通孔位于第一上水平部中，第一下水平部位于绝缘封装体外，第一倾斜部贯穿绝缘封装体的侧壁；第二导电片包括依次连接的第二上水平部、第二倾斜部和第二下水平部，第二上水平部位于陶瓷板上的绝缘封装体内，第二焊接通孔位于第二上水平部中，第二下水平部位于绝缘封装体外，第二倾斜部贯穿绝缘封装体的侧壁。
进一步的，第一下水平部的侧端面设有第一让位槽，第二下水平部的侧端面设有第二让位槽。
进一步的，第三导电片远离绝缘封装体的端面处设有第三让位槽。
进一步的，卡位凸条为导热硅胶条。
进一步的，两个接线通孔的底端均连接有一圆环形的弹性垫，两个弹性垫分别围绕于第一导电柱和第二导电柱的底端之外。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种牢固型贴片式MOS管结构，在MOS管芯片与其上方的两个导电片之间分隔有陶瓷板，陶瓷板内部的接线通孔能够供焊接材料填充并形成导电柱，配合卡位凸条以及限位槽，可有效限制MOS管结构内部焊接材料的溢流现象，从而有效避免发生短路等问题，整体结构稳定可靠，此外，陶瓷板具有良好的导热性能，紧贴于MOS管芯片上能够进一步提高整体结构的散热性能好。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
图3为本实用新型隐藏绝缘封装体后的拆分结构示意图。
附图标记为：绝缘封装体10、MOS管芯片20、第一导电片30、第一导电柱301、第一上水平部31、第一焊接通孔311、第一倾斜部32、第一下水平部33、第一让位槽331、第二导电片40、第二导电柱401、第二上水平部41、第二焊接通孔411、第二倾斜部42、第二下水平部43、第二让位槽431、第三导电片50、限位槽51、第三让位槽52、陶瓷板60、接线通孔61、卡位凸条62、弹性垫63。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图3。
本实用新型实施例公开一种牢固型贴片式MOS管结构，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内设有MOS管芯片20、第一导电片30、第二导电片40和第三导电片50，MOS管芯片20的底部设有一个电极、顶部设有两个电极，第一导电片30、第二导电片40和第三导电片50均有一端凸出于绝缘封装体10外，MOS管芯片20底部的电极焊接于第三导电片50上，MOS管芯片20的底部电极与第三导电片50之间连接有焊锡层等焊接材料层，第三导电片50上设有位于绝缘封装体10内部的限位槽51；
MOS管芯片20上设有陶瓷板60，陶瓷板60中设有两个接线通孔61，两个接线通孔61分别连接于MOS管芯片20顶部的两个电极上，陶瓷板60的底部固定有位于限位槽51中的卡位凸条62；
第一导电片30中设有第一焊接通孔311，第二导电片40中设有第二焊接通孔411，第一焊接通孔311连接于其中一个接线通孔61上，第二焊接通孔411连接于另外一个接线通孔61上，第一焊接通孔311中设有连接第一导电片30和MOS管芯片20顶部一电极的第一导电柱301，第二焊接通孔411中设有连接第二导电片40和MOS管芯片20顶部另一电极的第二导电柱401，第一导电柱301和第二导电柱401分别穿过两个接线通孔61，省略导线的使用能够有效提高整体结构的可靠性，避免出现导线端点接触不良的问题出现。优选地，应用时可采用柱状锡膏件制作导电柱，将柱状锡膏依次插入第一焊接通孔311和一个接线通孔61中，再对柱状锡膏件进行加热融化，从而实现MOS管芯片20的顶部一个电极与第一导电片30实现导通；第二导电片40同样采用上述的方式与MOS管芯片20的顶部另一个电极实现导通。
陶瓷板60具有良好的绝缘性能，本实用新型通过陶瓷板60分隔导电片与MOS管芯片20，并且通过接线通孔61和焊接通孔对焊料进行限位，最终获得形状稳定的导电柱，可有效避免MOS管芯片20顶部两个电极之间发生短路，整体结构的性能稳定可靠，且陶瓷板60具有良好的散热性能，能够有效提高整体结构的散热性能，从而提高其使用寿命；卡位凸条62配合限位槽51不仅能够有效提高陶瓷板60与第三导电片50之间位置的稳定性，从而确保导电柱的两端能够分别连接导电片与MOS管芯片20的顶部电极，还能够有效阻挡MOS管焊接于第三导电片50时焊接材料的流动，可有效避免焊接材料溢流到绝缘封装体10外。
在本实施例中，第一导电片30包括依次连接的第一上水平部31、第一倾斜部32和第一下水平部33，第一导电片30呈Z字形，第一上水平部31位于陶瓷板60上的绝缘封装体10内，第一焊接通孔311位于第一上水平部31中，第一下水平部33位于绝缘封装体10外，第一倾斜部32贯穿绝缘封装体10的侧壁；第二导电片40包括依次连接的第二上水平部41、第二倾斜部42和第二下水平部43，第二导电片40呈Z字形，第二上水平部41位于陶瓷板60上的绝缘封装体10内，第二焊接通孔411位于第二上水平部41中，第二下水平部43位于绝缘封装体10外，第二倾斜部42贯穿绝缘封装体10的侧壁。
基于上述实施例，第一下水平部33的侧端面设有第一让位槽331，第二下水平部43的侧端面设有第二让位槽431，通过设置让位槽能够有效提高焊接安装于PCB板时焊接结构的稳定性，焊接材料能够有效填充到让位槽中，且让位槽具有足够大的空间排气释压，焊接材料能够充分填充到让位孔中并成型，进而有效提高MOS管结构焊接于PCB板上的牢固性。
基于上述实施例，第三导电片50远离绝缘封装体10的端面处设有第三让位槽52，第三让位槽52能够有效增大焊接焊装于PCB板时与焊接材料之间的接触面积，能够有效提高MOS管结构焊接于PCB板时的牢固性。
在本实施例中，卡位凸条62为导热硅胶条，能够有效提高陶瓷板60与第三导电片50之间的导热效率，具有良好弹性的卡位凸条62还能够进一步提高陶瓷板60与第三导电片50之间连接结构的牢固性。
在本实施例中，两个接线通孔61的底端均连接有一圆环形的弹性垫63，即两个接线通孔61分别与MOS管芯片20顶部的两个电极之间均连接有一弹性垫63，两个弹性垫63分别围绕于第一导电柱301和第二导电柱401的底端之外，弹性垫63能够进一步避免MOS管芯片20顶部的两个电极上的焊接材料发生溢流，能够进一步提高MOS管内部结构的可靠性。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种牢固型贴片式MOS管结构，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有MOS管芯片(20)、第一导电片(30)、第二导电片(40)和第三导电片(50)，其特征在于，所述MOS管芯片(20)底部的电极焊接于所述第三导电片(50)上，所述第三导电片(50)上设有限位槽(51)；
所述MOS管芯片(20)上设有陶瓷板(60)，所述陶瓷板(60)中设有两个接线通孔(61)，两个所述接线通孔(61)分别连接于所述MOS管芯片(20)顶部的两个电极上，所述陶瓷板(60)的底部固定有位于所述限位槽(51)中的卡位凸条(62)；
所述第一导电片(30)中设有第一焊接通孔(311)，所述第二导电片(40)中设有第二焊接通孔(411)，所述第一焊接通孔(311)连接于其中一个所述接线通孔(61)上，所述第二焊接通孔(411)连接于另外一个所述接线通孔(61)上，所述第一焊接通孔(311)中设有连接所述第一导电片(30)和所述MOS管芯片(20)顶部一电极的第一导电柱(301)，所述第二焊接通孔(411)中设有连接所述第二导电片(40)和所述MOS管芯片(20)顶部另一电极的第二导电柱(401)。
2.根据权利要求1所述的一种牢固型贴片式MOS管结构，其特征在于，所述第一导电片(30)包括依次连接的第一上水平部(31)、第一倾斜部(32)和第一下水平部(33)，所述第一上水平部(31)位于所述陶瓷板(60)上的所述绝缘封装体(10)内，所述第一焊接通孔(311)位于所述第一上水平部(31)中，所述第一下水平部(33)位于所述绝缘封装体(10)外，所述第一倾斜部(32)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧壁；所述第二导电片(40)包括依次连接的第二上水平部(41)、第二倾斜部(42)和第二下水平部(43)，所述第二上水平部(41)位于所述陶瓷板(60)上的所述绝缘封装体(10)内，所述第二焊接通孔(411)位于所述第二上水平部(41)中，所述第二下水平部(43)位于所述绝缘封装体(10)外，所述第二倾斜部(42)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧壁。
3.根据权利要求2所述的一种牢固型贴片式MOS管结构，其特征在于，所述第一下水平部(33)的侧端面设有第一让位槽(331)，所述第二下水平部(43)的侧端面设有第二让位槽(431)。
4.根据权利要求3所述的一种牢固型贴片式MOS管结构，其特征在于，所述第三导电片(50)远离所述绝缘封装体(10)的端面处设有第三让位槽(52)。
5.根据权利要求1所述的一种牢固型贴片式MOS管结构，其特征在于，所述卡位凸条(62)为导热硅胶条。
6.根据权利要求1所述的一种牢固型贴片式MOS管结构，其特征在于，两个所述接线通孔(61)的底端均连接有一圆环形的弹性垫(63)，两个所述弹性垫(63)分别围绕于所述第一导电柱(301)和所述第二导电柱(401)的底端之外。
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