CN213716890U - 一种结构稳定的肖特基二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种结构稳定的肖特基二极管，包括肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚、绝缘封装壳，所述阴极引脚包括第一接触部、第一弯折部、第一焊接部，所述第一弯折部与所述第一焊接部形成的夹角为45°，所述阳极引脚包括第二接触部、第二弯折部、第二焊接部，所述第二弯折部与所述第二焊接部形成的夹角为45°，所述肖特基芯片上端与所述第二接触部之间连接有金线，所述绝缘封装壳内还设有绝缘安装板，所述第一接触部、第二接触部均与所述绝缘安装板固定连接。本实用新型的肖特基二极管，具有低功耗、超高速的特性，适用于通信电源、变频器等设备中，且结构稳固，焊接后不易松动。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种结构稳定的肖特基二极管。
背景技术
肖特基二极管是利用金属与N型半导体接触在交界面形成势垒的二极管。由于肖特基二极管不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程，所以电容效应非常小，工作速度非常快，特别适合于高频或开关状态应用。肖特基二极管由肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚、绝缘封装壳构成，常规的阴极引脚和阳极引脚结构为Z形结构，占用面积大，焊接后结构不稳固，造成肖特基二极管容易松动。
实用新型内容
针对以上问题，本实用新型提供一种结构稳定的肖特基二极管，具有低功耗、超高速的特性，适用于通信电源、变频器等设备中，且结构稳固，焊接后不易松动。
为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
一种结构稳定的肖特基二极管，包括肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚、绝缘封装壳，所述阴极引脚包括与所述肖特基芯片下端连接的第一接触部、连接在所述第一接触部一端的第一弯折部、连接在所述第一弯折部下端的第一焊接部，所述第一弯折部与所述第一焊接部形成的夹角为45°，所述阳极引脚包括第二接触部、连接在所述第二接触部一端的第二弯折部、连接在所述第二弯折部下端的第二焊接部，所述第二弯折部与所述第二焊接部形成的夹角为45°，所述肖特基芯片上端与所述第二接触部之间连接有金线，所述绝缘封装壳内还设有绝缘安装板，所述第一接触部、第二接触部均与所述绝缘安装板固定连接。
具体的，所述第一接触部与所述第一弯折部的交接处上端还设有第一填充胶，所述第一填充胶上端面为弧面。
具体的，所述第二接触部与所述第二弯折部的交接处上端还设有第二填充胶，所述第二填充胶上端面为弧面。
具体的，所述绝缘安装板上端连接有上定位柱，所述上定位柱顶端设有供所述金线容置的避让槽。
具体的，所述绝缘安装板下端连接有下定位柱，所述下定位柱下端延伸至所述绝缘封装壳外侧。
具体的，所述具有封装壳上还设有图案标识层，所述图案标识层靠向所述阴极引脚一侧设置。
具体的，所述肖特基芯片包括硅衬底、覆盖在所述硅衬底上端的硅外延层、覆盖在所述硅衬底下端的阴极金属层、覆盖在所述硅外延层上端的阳极金属层、二氧化硅防护层，所述阴极金属层下端与所述第一接触部连接，所述阳极金属层上端与所述金线连接。
本实用新型的有益效果是：
第一、本实用新型的肖特基二极管，具有低功耗、超高速的特性，适用于通信电源、变频器等设备中；
第二、阴极引脚和阳极引脚的引出端呈三角形结构，结构稳固，焊接后不易松动，并且在第一接触部与第一弯折部的交接处上端还设有第一填充胶，在第二接触部与第二弯折部的交接处上端还设有第二填充胶，能够防止积尘现象，相比传统的Z形引脚，防尘性能更佳；
第三、阴极引脚和阳极引脚通过绝缘安装板固定，能够防止加工过程中两引脚偏位的现象，保证了产品质量。
附图说明
图1为本实用新型的一种结构稳定的肖特基二极管的结构示意图。
附图标记为：肖特基芯片1、硅衬底11、硅外延层12、阴极金属层13、阳极金属层14、二氧化硅防护层15、阴极引脚2、第一接触部21、第一弯折部22、第一焊接部23、阳极引脚3、第二接触部31、第二弯折部32、第二焊接部33、绝缘封装壳4、第一填充胶41、第二填充胶42、图案标识层43、金线5、绝缘安装板6、上定位柱61、下定位柱62。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示：
一种结构稳定的肖特基二极管，包括肖特基芯片1、阴极引脚2、阳极引脚3、绝缘封装壳4，阴极引脚2包括与肖特基芯片1下端连接的第一接触部21、连接在第一接触部21一端的第一弯折部22、连接在第一弯折部22下端的第一焊接部23，第一弯折部22与第一焊接部23形成的夹角为45°，阳极引脚3包括第二接触部31、连接在第二接触部31一端的第二弯折部32、连接在第二弯折部32下端的第二焊接部33，第二弯折部32与第二焊接部33形成的夹角为45°，阴极引脚2、阳极引脚3的引出端均呈三角形结构，结构稳定，肖特基芯片1上端与第二接触部31之间连接有金线5，绝缘封装壳4内还设有绝缘安装板6，第一接触部21、第二接触部31均通过螺钉与绝缘安装板6固定连接，通过绝缘安装板6对第一接触部21、第二接触部31的固定作用，能够防止阴极引脚2、阳极引脚3松动，从而保证了肖特基二极管的产品质量。
优选的，为了防止粉尘沉积在第一接触部21与第一弯折部22的交接处上端，第一接触部21与第一弯折部22的交接处上端还设有第一填充胶41，第一填充胶41上端面为弧面。
优选的，为了防止粉尘沉积在第二接触部31与第二弯折部32的交接处上端，第二接触部31与第二弯折部32的交接处上端还设有第二填充胶42，第二填充胶42上端面为弧面。
优选的，绝缘安装板6上端连接有上定位柱61，上定位柱61用于固定金线5的位置，上定位柱61顶端设有供金线5容置的避让槽。
优选的，绝缘安装板6下端连接有下定位柱62，下定位柱62下端延伸至绝缘封装壳4外侧，肖特基二极管焊接前，需要在电路板上提前设定一个与下定位柱62相配合安装孔，下定位柱62插入安装孔后，可防止肖特基二极管安装偏位。
优选的，为了方便用户识别肖特基二极管的正负极，具有封装壳上还设有图案标识层43，图案标识层43靠向阴极引脚2一侧设置。
优选的，肖特基芯片1包括硅衬底11、覆盖在硅衬底11上端的硅外延层12、覆盖在硅衬底11下端的阴极金属层13、覆盖在硅外延层12上端的阳极金属层14、二氧化硅防护层15，阴极金属层13下端与第一接触部21连接，阳极金属层14上端与金线5连接。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，包括肖特基芯片(1)、阴极引脚(2)、阳极引脚(3)、绝缘封装壳(4)，所述阴极引脚(2)包括与所述肖特基芯片(1)下端连接的第一接触部(21)、连接在所述第一接触部(21)一端的第一弯折部(22)、连接在所述第一弯折部(22)下端的第一焊接部(23)，所述第一弯折部(22)与所述第一焊接部(23)形成的夹角为45°，所述阳极引脚(3)包括第二接触部(31)、连接在所述第二接触部(31)一端的第二弯折部(32)、连接在所述第二弯折部(32)下端的第二焊接部(33)，所述第二弯折部(32)与所述第二焊接部(33)形成的夹角为45°，所述肖特基芯片(1)上端与所述第二接触部(31)之间连接有金线(5)，所述绝缘封装壳(4)内还设有绝缘安装板(6)，所述第一接触部(21)、第二接触部(31)均与所述绝缘安装板(6)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，所述第一接触部(21)与所述第一弯折部(22)的交接处上端还设有第一填充胶(41)，所述第一填充胶(41)上端面为弧面。
3.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，所述第二接触部(31)与所述第二弯折部(32)的交接处上端还设有第二填充胶(42)，所述第二填充胶(42)上端面为弧面。
4.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘安装板(6)上端连接有上定位柱(61)，所述上定位柱(61)顶端设有供所述金线(5)容置的避让槽。
5.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，所述绝缘安装板(6)下端连接有下定位柱(62)，所述下定位柱(62)下端延伸至所述绝缘封装壳(4)外侧。
6.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，所述具有封装壳上还设有图案标识层(43)，所述图案标识层(43)靠向所述阴极引脚(2)一侧设置。
7.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基芯片(1)包括硅衬底(11)、覆盖在所述硅衬底(11)上端的硅外延层(12)、覆盖在所述硅衬底(11)下端的阴极金属层(13)、覆盖在所述硅外延层(12)上端的阳极金属层(14)、二氧化硅防护层(15)，所述阴极金属层(13)下端与所述第一接触部(21)连接，所述阳极金属层(14)上端与所述金线(5)连接。
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