CN214176007U - 一种容易封装的肖特基整流管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种容易封装的肖特基整流管，包括底座、固晶座、肖特基晶片、阴极引脚、阳极引脚、封装壳，所述底座中部设有安装孔，所述安装孔两侧分别设有第一引脚孔、第二引脚孔，所述固晶座位于所述安装孔内侧，所述固晶座上设有固晶槽，所述肖特基晶片固定在所述固晶槽内侧，所述固晶槽底部设有导电板，所述导电板上端与所述肖特基晶片下端相抵触，所述导电板与所述阴极引脚之间连接有第一金线，所述肖特基晶片上端与所述阳极引脚之间连接有第二金线。本实用新型的肖特基整流管，具有传输速度快、功耗低的特点，而且增加了底座和固晶座，能够固定阴极引脚、阳极引脚、肖特基晶片的位置，方便后续封装壳的塑封成型。
Description
技术领域
本实用新型涉及肖特基整流管技术领域，具体涉及一种容易封装的肖特基整流管。
背景技术
肖特基整流管是贵金属金、银、铝、铂等A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。肖特基整流管通常具有绝缘封装壳，肖特基晶片、阴极引脚、阳极引脚均位于绝缘封装壳内侧，绝缘封装壳成型前，需要固定肖特基晶片、阴极引脚、阳极引脚以及金线的位置，而这些模块都是独立的结构，其固定手段成为了肖特基整流管封装的一大难度。
实用新型内容
针对以上问题，本实用新型提供一种容易封装的肖特基整流管，具有传输速度快、功耗低的特点，而且增加了底座和固晶座，能够固定阴极引脚、阳极引脚、肖特基晶片的位置，方便后续封装壳的塑封成型。
为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
一种容易封装的肖特基整流管，包括底座、固晶座、肖特基晶片、阴极引脚、阳极引脚、封装壳，所述底座中部设有安装孔，所述安装孔两侧分别设有第一引脚孔、第二引脚孔，所述固晶座位于所述安装孔内侧，所述阴极引脚穿过所述第一引脚孔，所述阳极引脚穿过所述第二引脚孔，所述固晶座上设有固晶槽，所述肖特基晶片固定在所述固晶槽内侧，所述固晶槽底部设有导电板，所述导电板上端与所述肖特基晶片下端相抵触，所述导电板与所述阴极引脚之间连接有第一金线，所述肖特基晶片上端与所述阳极引脚之间连接有第二金线。
具体的，所述阴极引脚包括第一限位部、第一焊接部，所述第一限位部位于所述第一引脚孔上侧，所述第一限位部与所述第一金线连接。
具体的，所述阳极引脚包括第二限位部、第二焊接部，所述第二限位部位于所述第二引脚孔上侧，所述第二限位部与所述第二金线连接。
具体的，所述安装孔内设有内螺纹，所述固晶座外侧设有与所述内螺纹相配合的外螺纹，所述固晶座底部还设有内十字孔。
具体的，所述封装壳上设有标识槽，所述标识槽靠向所述阴极引脚一侧设置。
具体的，所述固晶座底部还设有密封胶。
具体的，所述肖特基晶片包括硅衬底、覆盖在所述硅衬底上端的硅外延层、覆盖在所述硅衬底下端的阴极金属层、覆盖在所述硅外延层上端的阳极金属层、二氧化硅层，所述阴极金属层下端与导电板上端相抵触，所述第二金线连接在所述阳极金属层上端。
具体的，所述封装壳的边缘还设有多个散热槽。
本实用新型的有益效果是：
第一、本实用新型的肖特基整流管，具有传输速度快、功耗低的特点，适应于各种通信电源、变频器等设备中；
第二、增加了用于固定阴极引脚、阳极引脚的底座以及用于固定肖特基晶片的固晶座，方便了后续封装壳的封装成型，并且固晶座通过螺纹连接固定在底座内侧，使得固晶座的高度具备可调整性，可根据实际生产需要调整固晶座的高度，从而调整后续成型后的产品的高度尺寸。
附图说明
图1为本实用新型的一种容易封装的肖特基整流管的结构示意图一。
图2为本实用新型的一种容易封装的肖特基整流管的结构示意图二。
附图标记为：底座1、固晶座2、内十字孔21、肖特基晶片3、硅衬底31、硅外延层32、阴极金属层33、阳极金属层34、二氧化硅层35、阴极引脚4、第一限位部41、第一焊接部42、阳极引脚5、第二限位部51、第二焊接部52、封装壳6、标识槽61、散热槽62、导电板7、第一金线8、第二金线9、密封胶10。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1-2所示：
一种容易封装的肖特基整流管，包括底座1、固晶座2、肖特基晶片3、阴极引脚4、阳极引脚5、封装壳6，肖特基晶片3包括硅衬底31、覆盖在硅衬底31上端的硅外延层32、覆盖在硅衬底31下端的阴极金属层33、覆盖在硅外延层32上端的阳极金属层34、二氧化硅层35，底座1中部设有安装孔，安装孔两侧分别设有第一引脚孔、第二引脚孔，固晶座2位于安装孔内侧，阴极引脚4穿过第一引脚孔，阳极引脚5穿过第二引脚孔，固晶座2上设有固晶槽，肖特基晶片3固定在固晶槽内侧，固晶槽底部设有导电板7，阴极金属层33下端与导电板7上端相抵触，导电板7与阴极引脚4之间连接有第一金线8，肖特基晶片3上端与阳极引脚5之间连接有第二金线9，第二金线9连接在阳极金属层34上端。
优选的，阴极引脚4包括第一限位部41、第一焊接部42，第一限位部41的剖面长度大于第一焊接部42的剖面长度，第一限位部41位于第一引脚孔上侧，利用第一限位部41的阻挡限位作用，能够防止阴极引脚4脱落，第一限位部41与第一金线8连接。
优选的，阳极引脚5包括第二限位部51、第二焊接部52，第二限位部51的剖面长度大于第二焊接部52的剖面长度，第二限位部51位于第二引脚孔上侧，利用第二限位部51的阻挡限位作用，能够防止阳极引脚5脱落，第二限位部51与第二金线9连接。
优选的，安装孔内设有内螺纹，固晶座2外侧设有与内螺纹相配合的外螺纹，固晶座2底部还设有内十字孔21，内十字孔21与常规十字螺丝刀的刀尖相配合，可利用十字螺丝刀旋转固晶座2，从而调整固晶座2的高度，能够适应各种尺寸的肖特基整流管的成型制作。
优选的，封装壳6上设有标识槽61，标识槽61为一字形槽，标识槽61靠向阴极引脚4一侧设置，可通过标识槽61判别肖特基整流管的正负极。
优选的，固晶座2底部还设有密封胶10，密封胶10在肖特基整流管成型后经过胶水涂覆、固化成型后制得，覆盖在固晶座2底部，以达到肖特基整流管内部防水氧效果。
优选的，封装壳6的边缘还设有多个散热槽62，散热槽62呈圈状绕设在封装壳6的边缘，增大了封装壳6的表面积，提高了肖特基整流管的散热效率。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，包括底座(1)、固晶座(2)、肖特基晶片(3)、阴极引脚(4)、阳极引脚(5)、封装壳(6)，所述底座(1)中部设有安装孔，所述安装孔两侧分别设有第一引脚孔、第二引脚孔，所述固晶座(2)位于所述安装孔内侧，所述阴极引脚(4)穿过所述第一引脚孔，所述阳极引脚(5)穿过所述第二引脚孔，所述固晶座(2)上设有固晶槽，所述肖特基晶片(3)固定在所述固晶槽内侧，所述固晶槽底部设有导电板(7)，所述导电板(7)上端与所述肖特基晶片(3)下端相抵触，所述导电板(7)与所述阴极引脚(4)之间连接有第一金线(8)，所述肖特基晶片(3)上端与所述阳极引脚(5)之间连接有第二金线(9)。
2.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述阴极引脚(4)包括第一限位部(41)、第一焊接部(42)，所述第一限位部(41)位于所述第一引脚孔上侧，所述第一限位部(41)与所述第一金线(8)连接。
3.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述阳极引脚(5)包括第二限位部(51)、第二焊接部(52)，所述第二限位部(51)位于所述第二引脚孔上侧，所述第二限位部(51)与所述第二金线(9)连接。
4.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述安装孔内设有内螺纹，所述固晶座(2)外侧设有与所述内螺纹相配合的外螺纹，所述固晶座(2)底部还设有内十字孔(21)。
5.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述封装壳(6)上设有标识槽(61)，所述标识槽(61)靠向所述阴极引脚(4)一侧设置。
6.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述固晶座(2)底部还设有密封胶(10)。
7.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述肖特基晶片(3)包括硅衬底(31)、覆盖在所述硅衬底(31)上端的硅外延层(32)、覆盖在所述硅衬底(31)下端的阴极金属层(33)、覆盖在所述硅外延层(32)上端的阳极金属层(34)、二氧化硅层(35)，所述阴极金属层(33)下端与导电板(7)上端相抵触，所述第二金线(9)连接在所述阳极金属层(34)上端。
8.根据权利要求1所述的一种容易封装的肖特基整流管，其特征在于，所述封装壳(6)的边缘还设有多个散热槽(62)。
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