CN214428628U - 一种高度可调的肖特基二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种高度可调的肖特基二极管，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管包括导电板、肖特基芯片、封装体、阴极引脚、阳极引脚，所述阴极引脚包括第一接触部、第一弯折部、第一支撑部、第一焊接部，所述第一接触部与所述第一金属柱滑动接触，所述阳极引脚包括第二接触部、第二弯折部、第二支撑部、第二焊接部，所述第二接触部与所述第二金属柱滑动接触。本实用新型的肖特基二极管，适合于高频或开关状态的电路应用，能够调整阴极引脚、阳极引脚在垂直方向上的位置，从而达到调整肖特基二极管高度的效果。

Description

一种高度可调的肖特基二极管

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种高度可调的肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是利用金属与N型半导体接触在交界面形成势垒的二极管。由于肖特基二极管不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程，所以电容效应非常小，工作速度非常快，特别适合于高频或开关状态应用。常规的肖特基二极管结构，通常其阴极引脚、阳极引脚直接与肖特基芯片的阴阳极焊接，经过封装成型后，阴极引脚和阳极引脚的位置被固定，无法调整高度。

实用新型内容

针对以上问题，本实用新型提供一种高度可调的肖特基二极管，适合于高频或开关状态的电路应用，能够调整阴极引脚、阳极引脚在垂直方向上的位置，从而达到调整肖特基二极管高度的效果。

为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：

一种高度可调的肖特基二极管，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管包括导电板、焊接在所述导电板上的肖特基芯片、包覆在所述肖特基芯片外侧的封装体、位于所述封装体左右两侧的阴极引脚、阳极引脚，所述肖特基芯片的阴极与所述导电板焊接，所述封装体左右两端分别设有第一条形槽、第二条形槽，所述第一条形槽内固定有第一金属柱，所述第一金属柱底部与所述导电板焊接，所述阴极引脚包括第一接触部、连接在所述第一接触部两端的第一弯折部、连接在所述第一接触部下端的第一支撑部、连接在所述第一支撑部下端的第一焊接部，所述第一接触部与所述第一金属柱滑动接触，所述第一弯折部与所述封装体固定连接，所述第二条形槽内固定有第二金属柱，所述第二金属柱底部与所述肖特基芯片的阳极之间连接有金线，所述阳极引脚包括第二接触部、连接在所述第二接触部两端的第二弯折部、连接在所述第二接触部下端的第二支撑部、连接在所述第二支撑部下端的第二焊接部，所述第二接触部与所述第二金属柱滑动接触，所述第二弯折部与所述封装体固定连接。

具体的，所述封装体上端设有防水膜。

具体的，所述封装体左右两端均设有若干供所述第一弯折部、第二弯折部安装固定的螺孔。

具体的，所述第一接触部与所述第一支撑部之间形成的角度为120°。

具体的，所述第二接触部与所述第二支撑部之间形成的角度为120°。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的肖特基二极管，适合于高频或开关状态的电路应用，增加了第一金属柱、第二金属柱，阴极引脚的第一接触部与第一金属柱滑动接触，阳极引脚的第二接触部与第二金属柱滑动接触，根据实际应用，可调整阴极引脚、阳极引脚在垂直方向上的位置，从而达到调整肖特基二极管高度的效果。

附图说明

图1为本实用新型的一种高度可调的肖特基二极管的结构示意图。

图2为本实用新型的一种高度可调的肖特基二极管的俯视图。

图3为图2中A-A面的剖面图。

附图标记为：导电板1、肖特基芯片2、封装体3、螺孔31、阴极引脚4、第一接触部41、第一弯折部42、第一支撑部43、第一焊接部44、阳极引脚5、第二接触部51、第二弯折部52、第二支撑部53、第二焊接部54、第一金属柱6、第二金属柱7、金线8、防水膜9。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

如图1-3所示：

一种高度可调的肖特基二极管，包括肖特基二极管，肖特基二极管包括导电板1、焊接在导电板1上的肖特基芯片2、包覆在肖特基芯片2外侧的封装体3、位于封装体3左右两侧的阴极引脚4、阳极引脚5，肖特基芯片2的阴极与导电板1焊接，封装体3左右两端分别设有第一条形槽、第二条形槽，第一条形槽内固定有第一金属柱6，第一金属柱6底部与导电板1焊接，阴极引脚4包括第一接触部41、连接在第一接触部41两端的第一弯折部42、连接在第一接触部41下端的第一支撑部43、连接在第一支撑部43下端的第一焊接部44，第一接触部41与第一金属柱6滑动接触，第一弯折部42与封装体3固定连接，第二条形槽内固定有第二金属柱7，第二金属柱7底部与肖特基芯片2的阳极之间连接有金线8，阳极引脚5包括第二接触部51、连接在第二接触部51两端的第二弯折部52、连接在第二接触部51下端的第二支撑部53、连接在第二支撑部53下端的第二焊接部54，第二接触部51与第二金属柱7滑动接触，第二弯折部52与封装体3固定连接，肖特基二极管安装前，可根据实际应用，通过调整阴极引脚4、阳极引脚5在垂直方向上的位置，达到调整肖特基二极管高度的效果。

优选的，为了提升封装体3上端面的防水效果，封装体3上端设有防水膜9。

优选的，封装体3左右两端均设有若干供第一弯折部42、第二弯折部52安装固定的螺孔31，安装时，可利用螺钉固定安装，并且在第一弯折部42、第二弯折部52上设有供螺钉穿过的通孔，通过螺钉与螺孔31的螺纹配合固定第一弯折部42、第二弯折部52。

优选的，第一接触部41与第一支撑部43之间形成的角度为120°，第一支撑部43呈倾斜设置，使得第一支撑部43与封装体3之间存在较大的间隙，提升封装体3的散热效果。

优选的，第二接触部51与第二支撑部53之间形成的角度为120°，第二支撑部53呈倾斜设置，使得第二支撑部53与封装体3之间存在较大的间隙，提升封装体3的散热效果。

应用如下：

准备一个电路板、一个普通二极管以及一个本申请的肖特基二极管，普通二极管的尺寸小于本申请的肖特基二极管的尺寸，电路板上依次设有第一阴极焊盘、第二阴极焊盘、第二阳极焊盘、第一阳极焊盘，先将普通二极管的阴阳极分别焊接在第二阴极焊盘、第二阳极焊盘上，再根据普通二极管的高度调整本申请的肖特基二极管的高度，将本申请的肖特基二极管叠放在普通二极管上侧，再将本申请的肖特基二极管的第一焊接部44、第二焊接部54分别与第一阴极焊盘、第一阳极焊盘焊接。这样的安装结构，能够增加电路板上单位面积的电子元件的布置数量。

以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种高度可调的肖特基二极管，其特征在于，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管包括导电板(1)、焊接在所述导电板(1)上的肖特基芯片(2)、包覆在所述肖特基芯片(2)外侧的封装体(3)、位于所述封装体(3)左右两侧的阴极引脚(4)、阳极引脚(5)，所述肖特基芯片(2)的阴极与所述导电板(1)焊接，所述封装体(3)左右两端分别设有第一条形槽、第二条形槽，所述第一条形槽内固定有第一金属柱(6)，所述第一金属柱(6)底部与所述导电板(1)焊接，所述阴极引脚(4)包括第一接触部(41)、连接在所述第一接触部(41)两端的第一弯折部(42)、连接在所述第一接触部(41)下端的第一支撑部(43)、连接在所述第一支撑部(43)下端的第一焊接部(44)，所述第一接触部(41)与所述第一金属柱(6)滑动接触，所述第一弯折部(42)与所述封装体(3)固定连接，所述第二条形槽内固定有第二金属柱(7)，所述第二金属柱(7)底部与所述肖特基芯片(2)的阳极之间连接有金线(8)，所述阳极引脚(5)包括第二接触部(51)、连接在所述第二接触部(51)两端的第二弯折部(52)、连接在所述第二接触部(51)下端的第二支撑部(53)、连接在所述第二支撑部(53)下端的第二焊接部(54)，所述第二接触部(51)与所述第二金属柱(7)滑动接触，所述第二弯折部(52)与所述封装体(3)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述封装体(3)上端设有防水膜(9)。

3.根据权利要求1所述的一种高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述封装体(3)左右两端均设有若干供所述第一弯折部(42)、第二弯折部(52)安装固定的螺孔(31)。

4.根据权利要求1所述的一种高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述第一接触部(41)与所述第一支撑部(43)之间形成的角度为120°。

5.根据权利要求1所述的一种高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述第二接触部(51)与所述第二支撑部(53)之间形成的角度为120°。

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