CN220065691U - 引线框架及功率模块的封装结构 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种引线框架及功率模块的封装结构，该封装结构包括：基板；FRD和IGBT，位于基板上；引线框架，引线框架包括第一连接片和第二连接片，引线框架与FRD和IGBT电连接；塑封体，包覆基板、FRD、IGBT和至少部分引线框架；其中，引线框架的第一连接片的至少部分和第二连接片的至少部分分别从塑封体中伸出形成第一类引脚和第二类引脚，第一连接片的焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，第一连接片通过焊接区与FRD的阳极和IGBT的发射极相连并通过第一类引脚引出，第二连接片通过键合线与IGBT的基极电连接并通过第二类引脚引出，该封装结构既能满足大功率芯片的封装要求，又能使布局更加合理灵活，其结构也更加稳定和可靠。

Description

引线框架及功率模块的封装结构

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种引线框架及功率模块的封装结构。

背景技术

在消费工规类电子产品中，充电器、液晶电视、医疗电子等设备都需要用到功率模块，比如大电流逆变器。功率模块的封装结构具备两个主要特点，一个是可以提供较大电流，具备较小的导通电阻；另一个是封装结构安装的适配性。因此，功率模块的封装结构如何降低导通电阻是非常重要的，封装结构的形式设计决定了功率模块的安装适配性。

常规的功率模块的封装方案中，往往采用铜片(CLIP)的封装方案来代替传统的打线，铜片的大接触面积可以使得封装结构具备较大的电流和较小的导通电阻。但对于铜片，往往需要针对芯片的焊盘布局设计与之对应的结构。此外，考虑到功率模块的安装适配度，不同的条件会需要单独设计对应的引线框架，从而导致最终产品及引线框架的类型繁多。

因此，功率模块需要设计一种引线框架以及对应的封装结构，既能满足大功率芯片的封装，又能使布局更加合理灵活，可满足多种不同需求。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种引线框架及功率模块的封装结构，既能满足大功率芯片的封装，又能使布局更加合理灵活，可满足多种不同需求。

根据本发明的一方面，提供一种功率模块的封装结构，包括：基板；快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管，位于所述基板上；引线框架，所述引线框架包括第一连接片和第二连接片，所述引线框架与所述快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管电连接；塑封体，包覆所述基板、所述快恢复二极管、所述绝缘栅双极型晶体管和至少部分所述引线框架；其中，所述引线框架的第一连接片的至少部分和第二连接片的至少部分分别从所述塑封体中伸出形成第一类引脚和第二类引脚，所述第一连接片的焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过所述第一焊接区与所述第一连接片相连以及所述快恢复二极管的阳极通过所述第二焊接区与所述第一连接片相连并通过所述第一类引脚引出，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述快恢复二极管的阴极与所述基板电连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述第二连接片通过键合线相连并通过所述第二类引脚引出。

可选地，所述基板的背面设置有焊盘，所述基板背面的焊盘从所述塑封体中露出以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极。

可选地，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从所述塑封体中伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与所述基板电连接以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极。

可选地，所述基板的至少一面设置有导电层，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述快恢复二极管的阴极与所述导电层电连接。

可选地，所述塑封体的宽度为15mm～20mm，所述塑封体的长度为22mm～28mm。

可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述塑封体的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚。

可选地，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为2mm～3mm。

可选地，所述第一连接片和所述第二连接片为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种。

可选地，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形、椭圆形和多边形中的至少一种。

可选地，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起。

可选地，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度。

可选地，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚。

可选地，所述第二类引脚为信号引脚。

可选地，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为2.0mm～2.6mm；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为1.0mm～1.4mm；所述第二类引脚的宽度为1.0mm～1.4mm。

可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体15mm～25mm。

可选地，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为7mm～9mm。

根据本发明的另一方面，提供一种引线框架，包括：第一连接片，所述第一连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第一类引脚；第二连接片，所述第二连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第二类引脚；其中，所述第一连接片还包括焊接区，所述焊接区位于所述待封装区域内，所述第一连接片通过所述焊接区与芯片的焊盘相连，所述第二连接片在所述待封装区域内通过键合线与芯片的焊盘相连。

可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述待封装区域的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚。

可选地，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从待封装区域伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与基板相连。

可选地，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为2mm～3mm。

可选地，所述第一连接片和所述第二连接片为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种。

可选地，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形、椭圆形和多边形中的至少一种。

可选地，所述焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起，所述第一连接片在所述第一焊接区和所述第二焊接区分别与不同的芯片电连接。

可选地，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度。

可选地，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚。

可选地，所述第二类引脚为信号引脚。

可选地，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为2.0mm～2.6mm；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为1.0mm～1.4mm；所述第二类引脚的宽度为1.0mm～1.4mm。

可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出待封装区域的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出待封装区域15mm～25mm。

可选地，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为7mm～9mm。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提供的引线框架及功率模块的封装结构，其中，引线框架包括与芯片的焊盘通过焊接直接连接的第一连接片和与键合线连接的第二连接片，第一连接片和第二连接片均直接引出分别形成第一类引脚和第二类引脚。其第一连接片设置有镂空设计，增强了散热能力。第一连接片还包括多个焊接区，有效增大了与芯片的接触面积，增加了电流的流通通道，使得第一类引脚具有较小的导通电阻，不仅可以适用于大功率芯片的封装，还可满足一定的布局灵活性需求。

进一步地，第一连接片中的第一类引脚分为功率引脚和信号引脚，分别用于传输功率电流和传输信号，采用此设计可以有效避免功率引脚中较大的功率电流的感抗对信号的干扰，有效提高功率模块的稳定性和可靠性。相应地，该功率模块的封装结构，不仅具有较高的效率，还具有极高的稳定性和可靠性。

进一步地，该引线框架中的引脚的长宽，间距，站高等均可根据客户需求进行调整，使得该引线框架及功率模块的封装结构还具有极大的安装适配性，其制造的工艺简单、成本低廉且易于实现。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。

图1示出本实用新型第一实施例的部分引线框架的立体图；

图2示出本实用新型第一实施例的功率模块的封装结构的俯视图；

图3示出本实用新型第一实施例的功率模块的封装结构的侧视图；

图4示出本实用新型第一实施例的功率模块的封装结构的电路图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1示出本实用新型第一实施例的部分引线框架的立体图；该引线框架100包括第一连接片110和第二连接片120。引线框架100在制造过程中的连接筋等结构并非本申请的重点，故在此略去。图中的第一连接片110的部分从待封装区域伸出形成第一类引脚111，第二连接片120的部分从待封装区域伸出形成第二类引脚121，该第二类引脚121例如为用于传输信号的信号引脚，该第二连接片120例如在待封装区域通过键合线与芯片的焊盘电连接。第一类引脚111例如包括引脚1111和引脚1112，其中，引脚1111例如为功率引脚，引脚1112例如为信号引脚，功率引脚的宽度大于信号引脚的宽度，引脚1111与引脚1112例如在待封装区域内相连，引脚1111例如用于传输功率电流，为功率引脚，引脚1112例如用于传输信号，为信号引脚，采用此设计可以有效避免引脚1111较大的功率电流的感抗对信号的干扰，将第一类引脚111分为功率引脚和信号引脚可以有效提高功率模块的稳定性和可靠性。进一步地，第一连接片110在待封装区域内还设置有焊接区112，该第一连接片110在焊接区112通过纵向两个长条形的镂空被分为了三个并列排布的导电条，每个导电条的延伸方向例如与第一类引脚111的延伸方向一致，不同的导电条例如可以分别与芯片的不同的焊盘相连。当然地，也可设置其他形状的镂空，例如圆形、椭圆形、多边形中的至少一种；也可以设置更多的镂空或不设置镂空。具体地，该焊接区112例如包括第一焊接区1121和第二焊接区1122，第一连接片110通过第一焊接区1121和第二焊接区1122可以分别与不同的芯片的焊盘电连接，第一焊接区1121和第二焊接区1122之间例如设置有凸起113，通过该凸起113，可使第一连接片110避开芯片的绝缘层(除焊盘外的区域)，防止焊接对芯片的绝缘层造成损伤，还可避免第一连接片110与基板连接造成短路。通过上述的镂空设计，有效增强了散热能力，其多个导电条，多个焊接区112以及凸起113的立体结构设计，有效增加了第一连接片110与芯片(焊盘)的接触面积，增加了电流的流动通道，可以有效降低导通电阻，进而减小电流的热效应，较大面积的第一连接片也增强了散热能力。进一步地，虽然图中的每个导电条均包括第一焊接区1121和第二焊接区1122，但根据实际情况，部分导电条也可仅包括其中一个焊接区。图中的第一焊接区1121与第二焊接区1122共面，但根据具体需求，第一焊接区1121和第二焊接区1122也可具有高度差。引线框架100例如为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种，也可设置相应的镀层，增强其导电、抗腐蚀等性能。进一步地，第一类引脚和第二类引脚例如为单列直插式引脚。因为上述引线框架没有固定的形式，在保证连接片与芯片连接时，芯片的方向和位置可进行变换，引线框架中连接片的位置也可相对的变动，从而具有一定的布局灵活性。

图2和图3分别示出本实用新型第一实施例的功率模块的封装结构的俯视图和侧视图；为了更好的说明该功率模块封装结构中各部分的连接及位置关系，对该功率模块封装结构的塑封体300采用了透视处理。该功率模块的封装结构包括引线框架100、芯片200、塑封体300和基板400，其中，引线框架100包括第一连接片110、第二连接片120和第三连接片130，其中，第一连接片110和第二连接片120已在图1中进行描述的部分不再赘述，第一类引脚中的信号引脚1112与相邻的第二类引脚121之间的中心距离d1例如为2mm～3mm，第三连接片130例如在塑封体300内的区域包括焊接区132，通过焊接区132与基板400电连接，第三连接片130伸出塑封体300的部分也形成第一类引脚，例如形成引脚131，引脚131为功率引脚。引线框架100中的各引脚例如均位于塑封体300的同一侧，且引脚间相互平行，长度相等。具体地，功率引脚(引脚1111和引脚131)的宽度D1例如为2.0mm～2.6mm；第一类引脚中的信号引脚(引脚1112)的宽度D2为1.0mm～1.4mm；第二类引脚(引脚121)的宽度D3例如为1.0mm～1.4mm；相邻功率引脚之间(引脚131与引脚1111之间)的中心距离d2为7mm～9mm，以获得较高的耐压间距。上述各引脚从塑封体300中伸出的长度L例如为15mm～25mm。该塑封体300的宽度a例如为15mm～20mm，长度b例如为22mm～28mm。

芯片200例如包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)210和快恢复二极管(FRD)220，其中绝缘栅双极型晶体管210和快恢复二极管220均位于基板400上，基板400例如为覆铜陶瓷基板(DBC)，绝缘栅双极型晶体管210和快恢复二极管220的背面均包括焊盘，绝缘栅双极型晶体管210和快恢复二极管220的背面焊盘焊接连接到基板400上。绝缘栅双极型晶体管210和快恢复二极管220的正面也均包括至少一个焊盘，绝缘栅双极型晶体管210的发射极通过焊接的方式在第一焊接区1121与第一连接片110电连接，快恢复二极管220的阳极通过焊接的方式在第二焊接区1122与第一连接片110电连接。可以理解的是，绝缘栅双极型晶体管210和快恢复二极管220在基板400上的位置和排列不限于图2中的方式。第二连接片120通过键合线140与绝缘栅双极型晶体管210正面的基极焊盘电连接。如图3所示，基板400的两侧表面例如还分别设置有导电层411，其一侧的导电层411还从塑封体300中露出，以作为散热焊盘增强散热能力，当然地，也可仅在基板400的一侧设置导电层411。第三连接片130在焊接区132通过焊接的方式与基板400的导电层411相连，从而与绝缘栅双极型晶体管210背面的集电极和快恢复二极管220背面的阴极电连接。导电层411例如通过对基板400覆铜形成，当然地，导电层411的材料也可选用其他导电材料。

图4示出本实用新型第一实施例的功率模块的封装结构的电路图，该功率模块的封装结构共包括四个连接端，分别为基极B、集电极C、发射极E和与发射极E相连的开尔文发射极K，具体地，绝缘栅双极型晶体管210的集电极C与快恢复二极管220的阴极相连，绝缘栅双极型晶体管210的发射极E与快恢复二极管220的阳极相连。参见图2，引脚131通过基板400与绝缘栅双极型晶体管210背面的集电极C和快恢复二极管220背面的阴极相连，引出功率模块的封装结构的集电极C，引脚1111与绝缘栅双极型晶体管210正面的发射极E和快恢复二极管220正面的阳极相连，引出功率模块的封装结构的发射极E，引脚1112与引脚1111相连，引出开尔文发射极K，第二类引脚121通过键合线140与绝缘栅双极型晶体管210正面的基极B相连，引出功率模块的封装结构的基极B。当然地，根据具体需求，其引脚数量等均可调整，具体地，该功率模块的封装结构的集电极C对应的引脚131的数量可以为1-3个，且在塑封体300的内部连接在一起，发射极E对应的引脚1111的数量也可以为1-3个，且在塑封体300的内部连接在一起，开尔文发射极K对应的引脚1113和基极B对应的第二类引脚121分别为1个，即功率器件的封装结构的总引脚的数量可以为4-8个。

可以理解的是，也可以不设置第三类连接片130，直接通过基板400背面的焊盘引出绝缘栅双极型晶体管210的集电极和快恢复二极管220的阴极。

本实用新型提供的引线框架及功率模块的封装结构，其中，引线框架包括与芯片的焊盘通过焊接直接连接的第一连接片和与键合线连接的第二连接片，第一连接片和第二连接片均直接引出分别形成第一类引脚和第二类引脚。其第一连接片设置有镂空设计，增强了散热能力。第一连接片还包括多个焊接区，有效增大了与芯片的接触面积，增加了电流的流通通道，使得第一类引脚具有较小的导通电阻，不仅可以适用于大功率芯片的封装，还可满足一定的布局灵活性需求。

进一步地，第一连接片中的第一类引脚分为功率引脚和信号引脚，分别用于传输功率电流和传输信号，采用此设计可以有效避免功率引脚中较大的功率电流的感抗对信号的干扰，有效提高功率模块的稳定性和可靠性。相应地，该功率模块的封装结构，不仅具有较高的效率，还具有极高的稳定性和可靠性。

进一步地，该引线框架中的引脚的长宽，间距，站高等均可根据客户需求进行调整，使得该引线框架及功率模块的封装结构还具有极大的安装适配性，其制造的工艺简单、成本低廉且易于实现。

应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (29)

1.一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括：

基板；

快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管，位于所述基板上；

引线框架，所述引线框架包括第一连接片和第二连接片，所述引线框架与所述快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管电连接；

塑封体，包覆所述基板、所述快恢复二极管、所述绝缘栅双极型晶体管和至少部分所述引线框架；

其中，所述引线框架的第一连接片的至少部分和第二连接片的至少部分分别从所述塑封体中伸出形成第一类引脚和第二类引脚，所述第一连接片的焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过所述第一焊接区与所述第一连接片相连以及所述快恢复二极管的阳极通过所述第二焊接区与所述第一连接片相连并通过所述第一类引脚引出，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述快恢复二极管的阴极与所述基板电连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述第二连接片通过键合线相连并通过所述第二类引脚引出。

2.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述基板的背面设置有焊盘，所述基板背面的焊盘从所述塑封体中露出以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极。

3.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从所述塑封体中伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与所述基板电连接以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极。

4.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述基板的至少一面设置有导电层，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述快恢复二极管的阴极与所述导电层电连接。

5.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述塑封体的宽度为15mm～20mm，所述塑封体的长度为22mm～28mm。

6.根据权利要求1或3所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述塑封体的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚。

7.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为2mm～3mm。

8.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片和所述第二连接片为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种。

9.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形、椭圆形和多边形中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起。

11.根据权利要求3所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度。

12.根据权利要求11所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚。

13.根据权利要求11所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第二类引脚为信号引脚。

14.根据权利要求11～13任一项所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为2.0mm～2.6mm；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为1.0mm～1.4mm；所述第二类引脚的宽度为1.0mm～1.4mm。

15.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体15mm～25mm。

16.根据权利要求3所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为7mm～9mm。

17.一种引线框架，其特征在于，包括：

第一连接片，所述第一连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第一类引脚；

第二连接片，所述第二连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第二类引脚；

其中，所述第一连接片还包括焊接区，所述焊接区位于所述待封装区域内，所述第一连接片通过所述焊接区与芯片的焊盘相连，所述第二连接片在所述待封装区域内通过键合线与芯片的焊盘相连。

18.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述待封装区域的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚。

19.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从待封装区域伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与基板相连。

20.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为2mm～3mm。

21.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，所述第一连接片和所述第二连接片为金、银、铜、铁、铝、锌、镍连接片中的一种。

22.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形、椭圆形和多边形中的至少一种。

23.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，所述焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起，所述第一连接片在所述第一焊接区和所述第二焊接区分别与不同的芯片电连接。

24.根据权利要求19所述的引线框架，其特征在于，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度。

25.根据权利要求24所述的引线框架，其特征在于，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚。

26.根据权利要求24所述的引线框架，其特征在于，所述第二类引脚为信号引脚。

27.根据权利要求24～26任一项所述的引线框架，其特征在于，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为2.0mm～2.6mm；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为1.0mm～1.4mm；所述第二类引脚的宽度为1.0mm～1.4mm。

28.根据权利要求17所述的引线框架，其特征在于，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出待封装区域的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出待封装区域15mm～25mm。

29.根据权利要求19所述的引线框架，其特征在于，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为7mm～9mm。